JPH0578194A - グラフアイト結晶の作製方法 - Google Patents
グラフアイト結晶の作製方法Info
- Publication number
- JPH0578194A JPH0578194A JP3240845A JP24084591A JPH0578194A JP H0578194 A JPH0578194 A JP H0578194A JP 3240845 A JP3240845 A JP 3240845A JP 24084591 A JP24084591 A JP 24084591A JP H0578194 A JPH0578194 A JP H0578194A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- graphite
- crystal
- carbon
- metal
- base material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】結晶性に優れた高品質のグラファイト結晶を、
結晶の大きさ、形状を簡便に制御しつつ、かつ、量産性
良く作製することのできるグラファイト結晶の作製方法
を提供すること。 【構成】上記目的は、炭素を母材として炭素を金属中に
溶解させ、金属中に溶解した炭素をグラファイト種結晶
上に析出させることによって達成することができる。 【効果】本発明方法を進展させることによって、グラフ
ァイトのエレクトロニクス産業分野への適用も可能とな
る。
結晶の大きさ、形状を簡便に制御しつつ、かつ、量産性
良く作製することのできるグラファイト結晶の作製方法
を提供すること。 【構成】上記目的は、炭素を母材として炭素を金属中に
溶解させ、金属中に溶解した炭素をグラファイト種結晶
上に析出させることによって達成することができる。 【効果】本発明方法を進展させることによって、グラフ
ァイトのエレクトロニクス産業分野への適用も可能とな
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、結晶性に優れた高品質
のグラファイト結晶を、結晶の大きさ、形状を簡便に制
御しつつ、かつ、量産性良く作製することのできるグラ
ファイト結晶の作製方法に関する。
のグラファイト結晶を、結晶の大きさ、形状を簡便に制
御しつつ、かつ、量産性良く作製することのできるグラ
ファイト結晶の作製方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】グラファイトは黒鉛とも呼ばれ、無定形
炭素、ダイヤモンドと共に炭素の同素体の一つをなすも
ので、その結晶構造は図２に示す通りである。古くから
良く知られた物質であり、その優れた表面潤滑性を利用
して摺動部品の材料として、あるいは、優れた耐熱性を
利用して耐火物材料、原子炉材料として用いられ、さら
に、被膜は抵抗体などの回路材料として用いられてきて
いる。
炭素、ダイヤモンドと共に炭素の同素体の一つをなすも
ので、その結晶構造は図２に示す通りである。古くから
良く知られた物質であり、その優れた表面潤滑性を利用
して摺動部品の材料として、あるいは、優れた耐熱性を
利用して耐火物材料、原子炉材料として用いられ、さら
に、被膜は抵抗体などの回路材料として用いられてきて
いる。
【０００３】しかし、これらの用途は集積回路、LSI な
どに代表されるエレクトロニクス産業の隆盛化前に開発
されたものであり、近年のマイクロエレクトロニクスに
用いられる電子材料の材料制御技術の水準から見ると、
前近代的な技術水準に止まっている状態にある。この理
由の一つは、炭素が古くから知られた材料でありなが
ら、高品質の結晶を得ることが難しいことにある。周期
律表からも想定されるように、炭素はIV族元素の中で最
も共有結合の強い元素であり、原子間の結合が強く、方
向性が強いことから原子の移動度が小さく安定な結晶格
子を組むために、個々の原子の移動が難しい。さらに、
Si、Ge などと異なり、溶融液化し、固化して結晶化さ
せようとしても、炭素は大気下では液化せず、昇温して
行くと昇華してしまい、数千気圧以上の極限条件下でし
か液化し得ないという厄介な性質を有している。このよ
うな炭素固有の性質から、高品質の結晶性炭素を得るこ
とが難しく、これまで、エレクトロニクス産業の主役と
なり得ていなかった。
どに代表されるエレクトロニクス産業の隆盛化前に開発
されたものであり、近年のマイクロエレクトロニクスに
用いられる電子材料の材料制御技術の水準から見ると、
前近代的な技術水準に止まっている状態にある。この理
由の一つは、炭素が古くから知られた材料でありなが
ら、高品質の結晶を得ることが難しいことにある。周期
律表からも想定されるように、炭素はIV族元素の中で最
も共有結合の強い元素であり、原子間の結合が強く、方
向性が強いことから原子の移動度が小さく安定な結晶格
子を組むために、個々の原子の移動が難しい。さらに、
Si、Ge などと異なり、溶融液化し、固化して結晶化さ
せようとしても、炭素は大気下では液化せず、昇温して
行くと昇華してしまい、数千気圧以上の極限条件下でし
か液化し得ないという厄介な性質を有している。このよ
うな炭素固有の性質から、高品質の結晶性炭素を得るこ
とが難しく、これまで、エレクトロニクス産業の主役と
なり得ていなかった。
【０００４】これに対し、熱分解黒鉛の結晶性は比較的
優れていると言われている。この物質は、ハイドロカー
ボン系のガスを高温に熱した基体上に導き、ガスを基体
上で熱的に分解して炭素を堆積させて得られるものであ
る。しかし、この場合には、グラファイト状の構造を有
する被膜を得ることはできるものの、その結晶性はエレ
クトロニクス産業の要求水準からみた場合に高品質のも
のとは言えず、エレクトロニクス材料としての用途に適
するものではない。
優れていると言われている。この物質は、ハイドロカー
ボン系のガスを高温に熱した基体上に導き、ガスを基体
上で熱的に分解して炭素を堆積させて得られるものであ
る。しかし、この場合には、グラファイト状の構造を有
する被膜を得ることはできるものの、その結晶性はエレ
クトロニクス産業の要求水準からみた場合に高品質のも
のとは言えず、エレクトロニクス材料としての用途に適
するものではない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】以上述べたように、従
来技術においては、グラファイトをエレクトロニクス用
材料として用いることについては種々の問題点があっ
た。しかし、図２の構造から推定されるように、グラフ
ァイトの特徴は強い異方性を示すことにある。すなわ
ち、ａｂ軸二次元平面内での強い共有結合とｃ軸方向の
弱いファン・デル・ワールス結合とは対照的であり、こ
のことから、電気抵抗はａｂ軸平面内の方がｃ軸方向よ
りも数桁小さく、また、熱伝導率はａｂ軸平面内方向の
方がｃ軸方向よりも100倍程度大きくなる。高品質のグ
ラファイト結晶の作製において、これらの特徴的な物性
の制御が可能になれば、グラファイトの産業的応用は極
めて幅広いものとなりエレクトロニクス用材料技術に一
大変革をもたらすものとなる。
来技術においては、グラファイトをエレクトロニクス用
材料として用いることについては種々の問題点があっ
た。しかし、図２の構造から推定されるように、グラフ
ァイトの特徴は強い異方性を示すことにある。すなわ
ち、ａｂ軸二次元平面内での強い共有結合とｃ軸方向の
弱いファン・デル・ワールス結合とは対照的であり、こ
のことから、電気抵抗はａｂ軸平面内の方がｃ軸方向よ
りも数桁小さく、また、熱伝導率はａｂ軸平面内方向の
方がｃ軸方向よりも100倍程度大きくなる。高品質のグ
ラファイト結晶の作製において、これらの特徴的な物性
の制御が可能になれば、グラファイトの産業的応用は極
めて幅広いものとなりエレクトロニクス用材料技術に一
大変革をもたらすものとなる。
【０００６】このような状況から、現在、グラファイト
結晶の製造技術への関心が高まりつつあり、技術的な解
明、突破が待望されている状況にある。
結晶の製造技術への関心が高まりつつあり、技術的な解
明、突破が待望されている状況にある。
【０００７】本発明の目的は、上記従来技術の有してい
た課題を解決して、結晶性に優れた高品質のグラファイ
ト結晶を、結晶の大きさ、形状を簡便に制御しつつ、か
つ、量産性良く作製することのできるグラファイト結晶
の作製方法を提供することにある。
た課題を解決して、結晶性に優れた高品質のグラファイ
ト結晶を、結晶の大きさ、形状を簡便に制御しつつ、か
つ、量産性良く作製することのできるグラファイト結晶
の作製方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的は、炭素を母材
として炭素を金属中に溶解させ、金属中に溶解した炭素
をグラファイト種結晶上に析出させることによって達成
することができる。この内容をやや具体的に説明すれば
次の通りである。すなわち、まず、炭素母材と金属とを
接触させて該金属の融点以上に加熱すれば、溶融した金
属中に炭素原子を溶解させることが可能である。ここ
で、溶融金属の一方の端にグラファイト種結晶を配置
し、かつ、炭素母材‐金属‐種結晶の系に温度勾配をつ
け、炭素母材と金属との接触面を高温に、金属と種結晶
との接触面を比較的低温に保持することによって、金属
中で過飽和状態となった炭素原子が金属‐種結晶の接触
面で種結晶上に析出し、グラファイト単結晶として成長
させることができる。
として炭素を金属中に溶解させ、金属中に溶解した炭素
をグラファイト種結晶上に析出させることによって達成
することができる。この内容をやや具体的に説明すれば
次の通りである。すなわち、まず、炭素母材と金属とを
接触させて該金属の融点以上に加熱すれば、溶融した金
属中に炭素原子を溶解させることが可能である。ここ
で、溶融金属の一方の端にグラファイト種結晶を配置
し、かつ、炭素母材‐金属‐種結晶の系に温度勾配をつ
け、炭素母材と金属との接触面を高温に、金属と種結晶
との接触面を比較的低温に保持することによって、金属
中で過飽和状態となった炭素原子が金属‐種結晶の接触
面で種結晶上に析出し、グラファイト単結晶として成長
させることができる。
【０００９】
【作用】上記炭素母材‐金属‐種結晶の系を十分に加熱
し、かつ、必要な温度勾配を制御性良く実現し、さら
に、不純物混入による汚染を生じることのない熱源とし
ては、レーザ光線を用いることが好ましい。また、上記
の方法を用いる場合加熱温度は少なくとも1000℃以上と
する必要があるが、このような高温を温度勾配をつけて
実現する熱源としては、CO2レーザのような大出力レー
ザが最適である。
し、かつ、必要な温度勾配を制御性良く実現し、さら
に、不純物混入による汚染を生じることのない熱源とし
ては、レーザ光線を用いることが好ましい。また、上記
の方法を用いる場合加熱温度は少なくとも1000℃以上と
する必要があるが、このような高温を温度勾配をつけて
実現する熱源としては、CO2レーザのような大出力レー
ザが最適である。
【００１０】また、上記の炭素母材‐金属‐種結晶系の
加熱に際しては、母材と種結晶とを対向させ、その間に
金属を配置し、母材と種結晶との位置関係を制御しなが
らこれらを移動させることによって、種結晶上に成長す
るグラファイト結晶の形状と大きさとを制御することが
可能となる。
加熱に際しては、母材と種結晶とを対向させ、その間に
金属を配置し、母材と種結晶との位置関係を制御しなが
らこれらを移動させることによって、種結晶上に成長す
るグラファイト結晶の形状と大きさとを制御することが
可能となる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明グラファイト結晶の作製方法に
ついて、実施例によって具体的に説明する。
ついて、実施例によって具体的に説明する。
【００１２】
【実施例１】図１は本発明方法の実施に用いたグラファ
イト結晶作製装置の要部の構成を示した図で、炭素母材
６上に金属塊４を載せ、該金属塊４上にさらに種結晶３
を載せた構成からなっていることを示す。なお、本実施
例においては、金属塊４として高純度の鉄(Fe)を用い
た。
イト結晶作製装置の要部の構成を示した図で、炭素母材
６上に金属塊４を載せ、該金属塊４上にさらに種結晶３
を載せた構成からなっていることを示す。なお、本実施
例においては、金属塊４として高純度の鉄(Fe)を用い
た。
【００１３】上記の構成において、CO2レーザからの高
出力レーザ光５を外周部から照射し、レーザ光強度が炭
素母材６と金属塊４との接触部で最高となるように調整
した。ここで、レーザ光強度は10kW/cm2とし、金属が融
解し温度勾配が一様となった時点で種結晶３の速度を１
mm/hr、炭素母材６の速度を0.5mm/hrで上方に移動させ
た。
出力レーザ光５を外周部から照射し、レーザ光強度が炭
素母材６と金属塊４との接触部で最高となるように調整
した。ここで、レーザ光強度は10kW/cm2とし、金属が融
解し温度勾配が一様となった時点で種結晶３の速度を１
mm/hr、炭素母材６の速度を0.5mm/hrで上方に移動させ
た。
【００１４】上記の操作を10時間行った後停止し、冷却
した後種結晶を取り出したところ、種結晶３上に直径約
１mm、長さ約10mmのグラファイトが成長していることが
確認された。また、該グラファイトの結晶性をＸ線回折
と電子線回折によって調べたところ、極めて高品質の単
結晶であることが確認された。また、得られた結晶の組
成分析を行ったところ、結晶表面に若干のFe の混入が
認められるのみで、極めて高純度のグラファイト結晶が
得られていることが判り、CO2レーザによる加熱が汚染
を生じさせることのない熱源として働いていることが確
認された。
した後種結晶を取り出したところ、種結晶３上に直径約
１mm、長さ約10mmのグラファイトが成長していることが
確認された。また、該グラファイトの結晶性をＸ線回折
と電子線回折によって調べたところ、極めて高品質の単
結晶であることが確認された。また、得られた結晶の組
成分析を行ったところ、結晶表面に若干のFe の混入が
認められるのみで、極めて高純度のグラファイト結晶が
得られていることが判り、CO2レーザによる加熱が汚染
を生じさせることのない熱源として働いていることが確
認された。
【００１５】なお、熱計算によれば、結晶成長中の温度
は炭素母材‐金属接触面で約1800℃、金属‐種結晶接触
面で約1550℃であり、温度差による炭素の溶解度の差
は、本発明の目的に対して十分であったものと推察され
る。
は炭素母材‐金属接触面で約1800℃、金属‐種結晶接触
面で約1550℃であり、温度差による炭素の溶解度の差
は、本発明の目的に対して十分であったものと推察され
る。
【００１６】
【実施例２】実施例１の場合と同じ装置を用い、実施例
１の場合の金属塊 Fe に代えて、ニッケル(Ni)及びコバ
ルト(Co)及びこれらの合金を用いて同様の実験を行っ
た。これらの金属はそれぞれ融点が異なるため、レーザ
光強度を変えて実験を行う必要があるが、実施例１の場
合と同様に、極めて高品質、高純度のグラファイト結晶
を得ることができた。
１の場合の金属塊 Fe に代えて、ニッケル(Ni)及びコバ
ルト(Co)及びこれらの合金を用いて同様の実験を行っ
た。これらの金属はそれぞれ融点が異なるため、レーザ
光強度を変えて実験を行う必要があるが、実施例１の場
合と同様に、極めて高品質、高純度のグラファイト結晶
を得ることができた。
【００１７】
【実施例３】実施例１と同様内容の実験において、炭素
母材の移動速度を0.1〜１mm/hrの範囲、種結晶の移動速
度を0.4〜４mm/hrの範囲で変えて実験を行ったところ、
得られたグラファイト単結晶の外径は種結晶と炭素母材
との移動速度の比の平方根に依存すること、また、炭素
母材外径を２mmとし、上記速度比を１：４に固定した場
合に、上述の速度範囲で、直径約１mmのグラファイト単
結晶が得られ、その再現性も良いことがわかった。従っ
て、本発明の方法により、条件の設定によって設計通り
の大きさの単結晶が得られることがわかる。
母材の移動速度を0.1〜１mm/hrの範囲、種結晶の移動速
度を0.4〜４mm/hrの範囲で変えて実験を行ったところ、
得られたグラファイト単結晶の外径は種結晶と炭素母材
との移動速度の比の平方根に依存すること、また、炭素
母材外径を２mmとし、上記速度比を１：４に固定した場
合に、上述の速度範囲で、直径約１mmのグラファイト単
結晶が得られ、その再現性も良いことがわかった。従っ
て、本発明の方法により、条件の設定によって設計通り
の大きさの単結晶が得られることがわかる。
【００１８】以上の実施例においては熱源として CO2レ
ーザを用いた場合の例について説明したが、光源として
は、大出力で連続発振が可能なものであれば、ルビーレ
ーザ等他のレーザを用いても、本質的に変わることな
く、同様の結果を得ることができる。
ーザを用いた場合の例について説明したが、光源として
は、大出力で連続発振が可能なものであれば、ルビーレ
ーザ等他のレーザを用いても、本質的に変わることな
く、同様の結果を得ることができる。
【００１９】また、上記方法によって作製したグラファ
イト結晶の物性を測定したところ、電気抵抗、熱伝導率
ともにａｂ軸面内方向とｃ軸方向とで極めて大きな異方
性のあることが確認された。
イト結晶の物性を測定したところ、電気抵抗、熱伝導率
ともにａｂ軸面内方向とｃ軸方向とで極めて大きな異方
性のあることが確認された。
【００２０】
【発明の効果】以上述べてきたように、グラファイト結
晶の作製方法を本発明構成の方法とすることによって、
従来技術の有していた課題を解決して、結晶性に優れた
高品質のグラファイト結晶を、結晶の大きさ、形状を簡
便に制御しつつ、かつ、量産性良く作製することのでき
る方法を提供することができた。
晶の作製方法を本発明構成の方法とすることによって、
従来技術の有していた課題を解決して、結晶性に優れた
高品質のグラファイト結晶を、結晶の大きさ、形状を簡
便に制御しつつ、かつ、量産性良く作製することのでき
る方法を提供することができた。
【００２１】また、本発明の方法の実施に用いる装置の
構成は原理的に簡便なものであり、装置技術の進歩によ
って、制御性やコストの面からみて、量産可能な装置と
して発展させることが可能であり、本発明のグラファイ
ト作製方法は量産化の見通しのつけやすい方法で、今後
エレクトロニクス産業の分野のプロセスにも適用可能で
ある。
構成は原理的に簡便なものであり、装置技術の進歩によ
って、制御性やコストの面からみて、量産可能な装置と
して発展させることが可能であり、本発明のグラファイ
ト作製方法は量産化の見通しのつけやすい方法で、今後
エレクトロニクス産業の分野のプロセスにも適用可能で
ある。
【図１】本発明方法の実施に用いたグラファイト作製装
置の要部の構成を示す図。
置の要部の構成を示す図。
【図２】グラファイト結晶の結晶構造を示す図。
１…支持棒、２…熱絶縁体、３…種結晶、４…金属塊、
５…レーザ光、６…炭素母材、７…金属塊支持棒。
５…レーザ光、６…炭素母材、７…金属塊支持棒。
Claims (5)
- 【請求項１】炭素を母材として炭素を金属中に溶解させ
た後、金属中に溶解した炭素をグラファイト種結晶上に
析出させることを特徴とするグラファイト結晶の作製方
法。 - 【請求項２】上記炭素を溶解させる金属として、鉄(F
e)、ニッケル(Ni)あるいはコバルト(Co)等の遷移金属あ
るいはそれらの合金を用いることを特徴とする請求項１
記載のグラファイト結晶の作製方法。 - 【請求項３】上記炭素母材、金属、グラファイト種結晶
を加熱する熱源としてレーザ光線を用いることを特徴と
する請求項１及び２記載のグラファイト結晶の作製方
法。 - 【請求項４】上記グラファイト種結晶上へのグラファイ
トの析出に際して、炭素母材とグラファイト種結晶とを
対向させ、それらの間に金属を配置した構成とし、炭素
母材とグラファイト種結晶の双方または何れか一方を移
動させ、その移動速度を調節することによって析出グラ
ファイト結晶の大きさを制御することを特徴とする請求
項１、２及び３記載のグラファイト結晶の作製方法。 - 【請求項５】上記レーザ光線の光線源として CO2レーザ
を用いることを特徴とする請求項３、４記載のグラファ
イト結晶の作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3240845A JPH0578194A (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | グラフアイト結晶の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3240845A JPH0578194A (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | グラフアイト結晶の作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0578194A true JPH0578194A (ja) | 1993-03-30 |
Family
ID=17065565
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3240845A Pending JPH0578194A (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | グラフアイト結晶の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0578194A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6420701B1 (en) | 1997-07-23 | 2002-07-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of determining average crystallite size of material and apparatus and method for preparing thin film of the material |
| FR2956124A1 (fr) * | 2010-02-08 | 2011-08-12 | Centre Nat Rech Scient | Procede de fabrication de graphite monocristallin |
| JP2011168448A (ja) * | 2010-02-19 | 2011-09-01 | Fuji Electric Co Ltd | グラフェン膜の製造方法 |
| JP2012236745A (ja) * | 2011-05-12 | 2012-12-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 炭素薄膜の作製方法 |
-
1991
- 1991-09-20 JP JP3240845A patent/JPH0578194A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6420701B1 (en) | 1997-07-23 | 2002-07-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of determining average crystallite size of material and apparatus and method for preparing thin film of the material |
| FR2956124A1 (fr) * | 2010-02-08 | 2011-08-12 | Centre Nat Rech Scient | Procede de fabrication de graphite monocristallin |
| JP2011168448A (ja) * | 2010-02-19 | 2011-09-01 | Fuji Electric Co Ltd | グラフェン膜の製造方法 |
| JP2012236745A (ja) * | 2011-05-12 | 2012-12-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 炭素薄膜の作製方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Zhang et al. | One-dimensional growth mechanism of crystalline silicon nanowires | |
| CN101796227B (zh) | 碳化硅单晶的生长方法 | |
| JP4419937B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
| CN101910476A (zh) | 用于生长碳化硅单晶的方法 | |
| JP5434801B2 (ja) | ＳｉＣ単結晶の製造方法 | |
| PL98068B1 (pl) | Sposob wytwarzania plytkowego krysztalu krzemowego | |
| JP2009525944A (ja) | 大型のダイヤモンド結晶を製造するための材料および方法 | |
| CN102851545A (zh) | 一种Ni-Mn-Ge系磁性形状记忆合金及其制备方法 | |
| CN101965419B (zh) | 使碳化硅单晶生长的方法 | |
| Revcolevschi et al. | Study of a splat cooled Cu-Zr-noncrystalline phase | |
| US3353914A (en) | Method of seed-pulling beta silicon carbide crystals from a melt containing silver and the product thereof | |
| JPS5948792B2 (ja) | 炭化けい素結晶成長法 | |
| JPH0578194A (ja) | グラフアイト結晶の作製方法 | |
| JPH0337182A (ja) | 巨大磁歪合金ロツドの製造方法 | |
| KR100943977B1 (ko) | 비스무트 단결정 나노와이어의 제조방법 | |
| JP4270034B2 (ja) | ＳｉＣ単結晶の製造方法 | |
| US3649210A (en) | Apparatus for crucible-free zone-melting of crystalline materials | |
| JP2929006B1 (ja) | 高品質結晶薄板材料の製造方法 | |
| TWI875366B (zh) | 一種具有多個沉積位點的長晶裝置與其製程 | |
| Zou et al. | Impact of heating temperature and time on the morphology of synthetic zinc oxide nanowires | |
| EP4567164A1 (en) | A crystal growth apparatus with multiple deposition sites in and method using the same | |
| JP3607218B2 (ja) | 球状単結晶シリコンの製造方法 | |
| JPH0578196A (ja) | ダイヤモンド結晶の作製方法 | |
| TW202523928A (zh) | 一種具有多個沉積位點的長晶裝置與其製程 | |
| JPS63125669A (ja) | Ｔａ−Ｗ系非晶質合金薄膜の製造方法 |