JPH0572561A

JPH0572561A - アクテイブマトリクス基板

Info

Publication number: JPH0572561A
Application number: JP23664591A
Authority: JP
Inventors: Junzo Kawakami; 順三川上; Mikio Hashimoto; 幹雄橋本
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1991-09-17
Filing date: 1991-09-17
Publication date: 1993-03-26

Abstract

(57)【要約】【目的】低抵抗であるが耐酸性に弱い金属材料を走査
線又は信号線に用いても、表示画面上に発生する欠陥を
防止して画像品位を向上でき、しかも製造歩留りを高め
ることができるようにする。【構成】薄膜トランジスタ１８が逆スタガー型の場合
には、耐酸性材料で薄膜トランジスタ１８のゲート電極
４のみを形成し、その上の絶縁膜５にはコンタクトホー
ルを設けておき、このコンタクトホールを介して、絶縁
膜５の上の走査線１４をゲート電極４に接続する。この
ため、基板１に近いゲート電極４には耐酸性に優れた材
料を使用できる。一方、その上の走査線１４には抵抗値
の低い材料を使用できる。また、薄膜トランジスタがス
タガー型の場合には、耐酸性材料で薄膜トランジスタの
ソース電極を形成し、その上の絶縁膜にはコンタクトホ
ールを設けておき、このコンタクトホールを介して、絶
縁膜の上の信号線をソース電極に接続する。このため、
基板に近いソース電極には耐酸性に優れた材料を使用で
きる。一方、その上の信号線には抵抗値の低い材料を使
用できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、アクティブマトリクス
表示装置を構成すべく使用されるアクティブマトリクス
基板に関する。

【０００２】

【従来の技術】上述したアクティブマトリクス基板に
は、スイッチング素子として薄膜トランジスタが設けら
れた構成のものがある。その薄膜トランジスタとして
は、一般に積層構造で作製され、構造上、スタガー型と
逆スタガー型とがある。前者のスタガー型は、絶縁性基
板上に、最初にソース電極とドレイン電極とを同時に形
成し、その上に半導体膜、絶縁膜、ゲート電極を順次形
成して作製され、基板側にソース電極及びドレイン電極
が存在し、基板から離れてゲート電極が存在する構造と
なっている。一方、後者の逆スタガー型は、絶縁性基板
上に、最初にゲート電極を形成し、その上に絶縁膜、半
導体膜を順次形成し、更にその上にソース電極とドレイ
ン電極とを同時に形成して作製され、基板側にゲート電
極が存在し、基板から離れてソース電極及びドレイン電
極が存在する構造となっている。

【０００３】ところで、基板に近い側の最初に形成され
る電極、及びその電極と接続した配線等は、その上の層
をパターン形成する際にエッチング液として使用される
薬品等の酸に対し、耐酸性に優れることが要求され、そ
のためにタンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）等の金属材
料が使用されている。そのような耐酸性金属材料が使用
される部分としては、例えばスタガー型の場合は、ソー
ス電極、ドレイン電極及びソース電極に接続された信号
線とが相当し、逆スタガー型の場合は、ゲート電極と、
それに接続した走査線とが相当する。

【０００４】しかしながら、上述したアクティブマトリ
クス基板を用いたアクティブマトリクス液晶表示装置に
おいては、大画面化に伴って相互に交差する信号線と走
査線との交点の数が増えることにより、その交点部分で
生じる寄生容量が増加し、また配線長さが長くなるため
に信号の伝送タイミングが遅延するという問題があっ
た。

【０００５】かかる問題を解消するためには、配線材料
を低抵抗化して信号の遅延を抑制する必要があり、アル
ミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）などの低抵抗材
料を使用することが考えられる。しかし、これらの低抵
抗材料を使用した場合には、薄膜トランジスタの製造プ
ロセスでエッチング液として用いられる弗酸、或は弗酸
と硝酸との混合液により容易にエッチングされてしま
う。

【０００６】そこで、低抵抗材料からなる電極や配線を
保護するために、その電極や配線の上を上述のような耐
酸性材料で覆う構造とすることが考えられる。そのよう
な構造のアクティブマトリクス液晶表示装置の一例とし
ては、図８（図１１のＣ−Ｃ線による断面図）、図９
（図１１のＤ−Ｄ線による断面図）、図１０及び図１１
に示すものが相当する。アクティブマトリクス液晶表示
装置は、図８及び図９に示すように下側のアクティブマ
トリクス基板１００と上側の対向基板１２０との間に、
液晶１１３を挟んで構成される。

【０００７】このアクティブマトリクス基板１００は、
ガラス基板１０１上に、ガラスの耐酸性を向上させるべ
くＴａ₂Ｏ₅等からなる保護膜１０２を形成し、図１１に
示すようにその上に２層構造をした複数の走査線１１４
が横方向に形成されている。この走査線１１４は、図８
に示すように下層配線１０３が低抵抗材料であるＡｌや
Ｍｏ等からなり、上層配線１０４が耐酸性に優れたＴａ
やＣｒ等からなる。更に、ガラス基板１０１の上には、
図１０及び図１１に示すように上記走査線１１４と平行
に蓄積容量用配線１１５が形成され、前記走査線１１４
とは交差する状態で、チタン（Ｔｉ）、Ａｌ又はＭｏ等
からなる信号線１１６が形成されている。上記走査線１
１４と信号線１１６とで囲まれた領域内には、絵素電極
１１７がマトリクス状に配置され、それぞれの絵素電極
１１７には非晶質シリコンや多結晶シリコン等を用いた
スイッチング素子としての薄膜トランジスタ１１８が接
続されている。

【０００８】この薄膜トランジスタ１１８の部分では、
図９に示すように保護膜１０２で覆われたガラス基板１
０１上に、下層配線１０３、上層配線１０４、窒化シリ
コンＳｉＮ_xや酸化ケイ素ＳｉＯ₂等からなる絶縁膜１０
５、真性半導体非晶質シリコンａ−Ｓｉ（ｉ）や多結晶
シリコン等からなる半導体層１０６、窒化シリコンＳｉ
Ｎ_xや酸化ケイ素ＳｉＯ₂等からなるチャンネル保護膜１
０７がこの順に形成され、更に２つに分断されてｎ型半
導体非晶質シリコンａ−Ｓｉ（ｎ⁺）層１０８、１０８
が形成されている。各ｎ型半導体非晶質シリコンａ−Ｓ
ｉ（ｎ⁺）層１０８、１０８の上には、Ｔｉ、Ａｌ又は
Ｍｏ等からなるソース電極９ａ及びドレイン電極９ｂが
形成され、ドレイン電極９ｂと接続してＩＴＯ等からな
る絵素電極１１０が形成されてａ−Ｓｉ形薄膜トランジ
スタが構成される。ソース電極１０９ａは信号線１１６
に接続されており、信号線１１６はソース電極１０９ａ
と同一の材料からなる。

【０００９】このように構成された基板１０１の上に
は、窒化シリコンＳｉＮ_x等からなる保護膜１１１、及
び配向膜１１２が形成されている。

【００１０】なお、各層の厚みについては、例えば以下
のようにしている。保護膜１０２は５００〜１００００
オングストローム程度、下層配線１０３は５００〜１０
０００オングストローム、上層配線１０４は５００〜１
００００オングストローム、絶縁膜１０５は５００〜１
００００オングストローム、半導体層１０６は５００〜
３０００オングストローム、チャンネル保護膜１０７は
５００〜１００００オングストローム、ｎ型半導体非晶
質シリコンａ−Ｓｉ（ｎ⁺）層１０８は１００〜１００
０オングストローム、ソース電極１０９ａ及びドレイン
電極１０９ｂは５００〜１００００オングストローム、
絵素電極１１０は５００〜５０００オングストローム、
保護膜１１１は３０００オングストロームとしている。

【００１１】このようなアクティブマトリクス基板１０
０と液晶１１３を挟んで対向する対向基板１２０は、図
８及び図９に示すようにガラス基板１２１上に、ＩＴＯ
等からなる対向電極１２４、カラーフィルター１２３、
ブラックストライプ１２２及び配向膜１２５が形成され
ている。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】ところで、図１１に示
す従来のアクティブマトリクス基板においては、低抵抗
材料であるＡｌやＭｏ等を使用して走査線１１４が形成
されているので、信号の遅延を防止することが可能とな
る反面、以下の理由により表示画面上に欠陥が発生して
画像品位が著しく低下したものとなっていた。

【００１３】即ち、下層配線１０３として、低抵抗材料
であるＡｌ、Ｍｏを用いているので、下層配線形成時に
おける、パターニング工程でのレジスト膜の形成不良や
エッチング不良などによって、下層配線１０３がプロセ
ス中で剥がれ易く、またＴａ等からなる上層配線１０４
に材質上形成されるピンホールから侵入する弗酸等のエ
ッチング液によって、下層配線１０３がエッチング時に
消失することがある。その結果、走査線１１４を構成す
る下層配線１０３の連続的な消失により列状欠陥が発生
することや、下層配線１０３と上層配線１０４の断差部
ではこの上に重ねる絶縁膜の形成が困難になること、或
はこの断差部にエッチング液が染み込んで溝ができるこ
となどを原因として、絶縁膜１０５等の層間絶縁膜が破
壊されて、走査線１１４と信号線１１６とが短絡する等
の不良が生じ、表示画面上に欠陥が発生する。

【００１４】このような欠陥は、製造工程の改善などに
より減少させることは可能であるが、完全に解消させる
ことは極めて困難であり、このために製品の製造歩留り
が低下し、特にコストの高い大型のアクティブマトリク
ス液晶表示装置では重要な問題となっていた。

【００１５】本発明はこのような従来の問題点を解決す
るものであり、低抵抗であるが耐酸性に弱い金属材料を
走査線又は信号線に用いても、表示画面上に発生する欠
陥を防止して画像品位を向上でき、しかも製造歩留りを
高めることができるアクティブマトリクス基板を提供す
ることを目的とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明のアクティブマト
リクス基板は、絶縁性基板上に複数の信号線と複数の走
査線とが交差して設けられ、該信号線と走査線とで囲ま
れた各領域に、絶縁膜を挟んで片側にゲート電極が、残
りの片側にソース電極とドレイン電極とが形成された薄
膜トランジスタが、マトリクス状に配設されたアクティ
ブマトリクス基板において、該ゲート電極が基板に近
く、該ソース電極とドレイン電極とが基板から離して形
成され、基板に近い方のゲート電極が耐酸性材料を使用
して島状に形成され、該ゲート電極の一部の上方を通
り、かつ、間に該絶縁膜又は別の絶縁膜を介して該走査
線が低抵抗材料を使用して形成され、間の絶縁膜に設け
たコンタクトホールを介してゲート電極と走査線とが電
気的に接続されており、そのことによって上記目的が達
成される。

【００１７】また、本発明のアクティブマトリクス基板
は、絶縁性基板上に複数の信号線と複数の走査線とが交
差して設けられ、該信号線と走査線とで囲まれた各領域
に、絶縁膜を挟んで片側にゲート電極が、残りの片側に
ソース電極とドレイン電極とが形成された薄膜トランジ
スタが、マトリクス状に配設されたアクティブマトリク
ス基板において、該ソース電極とドレイン電極とが基板
に近く、該ゲート電極が基板から離して形成され、基板
に近い方のソース電極が耐酸性材料を使用して島状に形
成され、該ソース電極の一部の上方を通り、かつ、間に
該絶縁膜又は別の絶縁膜を介して該信号線が低抵抗材料
を使用して形成され、間の絶縁膜に設けたコンタクトホ
ールを介してソース電極と信号線とが電気的に接続され
ており、そのことによって上記目的が達成される。

【００１８】

【作用】本発明にあっては、薄膜トランジスタが逆スタ
ガー型の場合には耐酸性材料で薄膜トランジスタのゲー
ト電極のみを形成し、その上の絶縁膜にはコンタクトホ
ールを設けておき、このコンタクトホールを介して、絶
縁膜の上の走査線をゲート電極に接続する。このため、
基板に近いゲート電極には耐酸性に優れた材料を使用で
きる。一方、その上の走査線には抵抗値の低い材料を使
用できる。

【００１９】また、薄膜トランジスタがスタガー型の場
合には耐酸性材料で薄膜トランジスタのソース電極を形
成し、その上の絶縁膜にはコンタクトホールを設けてお
き、このコンタクトホールを介して、絶縁膜の上の信号
線をソース電極に接続する。このため、基板に近いソー
ス電極には耐酸性に優れた材料を使用できる。一方、そ
の上の信号線には抵抗値の低い材料を使用できる。

【００２０】

【実施例】本発明の実施例について以下に説明する。

【００２１】図３は本実施例のアクティブマトリクス基
板を示す斜視図、図４はそのアクティブマトリクス基板
を示す平面図、図１（図４のＡ−Ａ線による断面図）及
び図２（図４のＢ−Ｂ線による断面図）はそれぞれ本実
施例のアクティブマトリクス基板を備えたアクティブマ
トリクス液晶表示装置を示す。このアクティブマトリク
ス基板は、図１及び図２に示すようにガラス等からなる
絶縁性基板１上の全面にわたり保護膜２が形成されてい
る。この保護膜２は、基板１の耐酸性を向上すべく設け
られ、例えばＴａ₂Ｏ₅等を使用して膜厚を４０００オン
グストロームとしている。

【００２２】上記保護膜２の上には、複数の走査線１４
が縦方向に平行に配線され、これら走査線１４とは交差
する状態で、Ｔｉ、Ａｌ又はＭｏ等からなる複数の信号
線１６が横方向に配線されている。上記走査線１４と信
号線１６とで囲まれた領域内には、ＩＴＯ等からなる絵
素電極１７がマトリクス状に配置され、それぞれの絵素
電極１７にはスイッチング素子としての薄膜トランジス
タ１８が接続されている。上記絵素電極１７と一部対向
する状態で、各走査線１４と平行に蓄積容量用配線１５
が形成され、蓄積容量用配線１５と絵素電極１７との相
対向する部分で蓄積容量部が構成される。

【００２３】上記走査線１４は、図１中の３に相当し、
薄膜トランジスタ１８を構成するゲート電極４の一部の
上を通り、かつ間に絶縁膜５を介して形成されていると
共に、前記絶縁膜５に設けたコンタクトホールを介して
電気的に接続されている。この走査線１４は低抵抗材料
であるＡｌ等からなり、膜厚を３０００オングストロー
ムとしている。上記ゲート電極４は、耐酸性に優れたＴ
ａやＣｒ等を使用して、例えば平面視で矩形状をした島
状に形成され、膜厚を１０００オングストロームとして
いる。また、上記絶縁膜５は、前記ゲート電極４が形成
された基板１上のほぼ全面にわたり形成され、材質には
窒化シリコンＳｉＮ_xや酸化ケイ素ＳｉＯ₂等が使用さ
れ、膜厚は３０００オングストロームとしている。

【００２４】図１において、走査線１４（又は３）の右
側には、薄膜トランジスタ１８が形成されている。この
薄膜トランジスタ１８部分は、図２に示すように、前記
保護膜２で覆われた基板１上であって、ゲート電極４の
上方部分に、真性半導体非晶質シリコンａ−Ｓｉ（ｉ）
や多結晶シリコン等からなる半導体層６と、窒化シリコ
ンＳｉＮ_xや酸化ケイ素ＳｉＯ₂等からなるチャンネル保
護膜７とが積層形成されている。半導体層６は膜厚を１
０００オングストロームとしており、チャンネル保護膜
７は膜厚を３０００オングストロームとしている。

【００２５】更に、かかる基板１上には、２つに分断さ
れてｎ型半導体非晶質シリコンａ−Ｓｉ（ｎ⁺）層８
ａ、８ｂが形成されている。ｎ型半導体非晶質シリコン
ａ−Ｓｉ（ｎ⁺）層８ａ、８ｂは共に膜厚を５００オン
グストロームとしている。各ｎ型半導体非晶質シリコン
ａ−Ｓｉ（ｎ⁺）層８ａと８ｂとの上には、Ｔｉ、Ａｌ
又はＭｏ等からなるソース電極９ａ及びドレイン電極９
ｂが形成されている。ソース電極９ａ及びドレイン電極
９ｂは、共に膜厚を３０００オングストロームとしてい
る。

【００２６】ソース電極９ａの上には、ソース電極９ａ
と同一材料からなる信号線１６が形成され、ソース電極
９ａは信号線１６と電気的に接続されている。この信号
線１６と前記走査線１４との交差部分の間には、図５に
示すように、材質が窒化シリコンＳｉＮ_x等からなり、
膜厚を３０００オングストロームとした絶縁膜１９を形
成した。この絶縁膜１９により、信号線１６と走査線１
４とが短絡するのを防止してある。一方のドレイン電極
９ｂの上からそれを外れた箇所にわたり、ＩＴＯ等から
なる絵素電極１０が形成されており、絵素電極１０とド
レイン電極９ｂとは電気的に接続されている。絵素電極
１０は、膜厚を１０００オングストロームとしている。

【００２７】更に、かかる基板１の上には、全面にわた
り窒化シリコンＳｉＮ_x等からなる保護膜１１、及び配
向膜１２がこの順に形成されている。保護膜１１は、膜
厚を３０００オングストロームとしている。

【００２８】以上のように本実施例のアクティブマトリ
クス基板は構成されており、その等か回路としては図６
にされる。この図において、Ｘ₁、Ｘ₂、…、Ｘ_n-1、Ｘ_n
は信号線を示し、Ｙ₁、Ｙ₂、…、Ｙ_n-1、Ｙ_nは走査線
を、Ｚ₁、Ｚ₂、…、Ｚ_n-1、Ｚ_nは蓄積容量用配線をそれ
ぞれ示す。

【００２９】一方、このアクティブマトリクス基板と対
向配設される対向基板は、図１及び図２に示すように、
ガラス基板２１上にＩＴＯ等からなる対向電極２４、カ
ラーフィルター２３、ブラックストライプ２２及び配向
膜２５が形成されている。この対向基板と本実施例のア
クティブマトリクス基板との間には、液晶１３が封入さ
れて、アクティブマトリクス液晶表示装置が形成されて
いる。

【００３０】したがって、上述のように構成された本実
施例のアクティブマトリクス基板においては、走査線１
４の上には、ほぼ全面に形成され、このためエッチング
等が不要な保護膜１１及び配向膜１２が形成されるだけ
なので、耐酸性に弱いが低抵抗材料あるＴｉ、Ａｌ又は
Ｍｏ等を走査線１４に使用することができるので、信号
の遅延を防止できる。また、抵抗値が低いため、走査線
１４の幅を狭くすることができ、これにより信号線１６
と交差する面積が小さくなって、寄生容量を小さくでき
る。更に、この走査線１４に対して絶縁膜５と反対側に
あり、基板１に近いゲート電極４が絶縁膜５に形成した
コンタクトホールを介して電気的に接続されるので、ゲ
ート電極４は耐酸性に優れた材料で形成できる。このた
め、ゲート電極４は製造プロセス中に剥がれにくくな
り、又ピンホールの形成がないため消失しにくくなる。
よって、本実施例のアクティブマトリクス基板を使用し
て組み立てた表示装置においては、表示画面上に欠陥が
発生しにくく、画像品位を向上できると共に、製造歩留
りを高めることが可能となる。

【００３１】なお、上記実施例では走査線１４とゲート
電極４との間の絶縁膜５としては、薄膜トランジスタ１
８のソース電極９ａ及びドレイン電極９ｂと、ゲート電
極４とを絶縁するための絶縁膜５と同じものを使用して
いるが、別に形成した絶縁膜を使用してもよい。

【００３２】また、上記実施例においては薄膜トランジ
スタを逆スタガー型としているが、本発明はこの型の薄
膜トランジスタに限らず、スタガー型の薄膜トランジス
タを備えたアクティブマトリクス基板にも同様に適用で
きる。この場合には、基板１側にソース電極９ａ及びド
レイン電極９ｂが形成され、その上に絶縁膜５を挟んで
ゲート電極４が形成される構成となるが、基板１側のソ
ース電極９ａに耐酸性材料を使用して形成し、このソー
ス電極９ａと電気的に接続し、かつ低抵抗材料を使用し
て信号線１６を形成すればよい。

【００３３】更に、上記実施例では図６に示す蓄積容量
を備えた蓄積容量方式のアクティブマトリクス基板に適
用しているが、本発明はこれに限らず、図７に示す付加
容量方式のアクティブマトリクス基板にも同様にして適
用できる。

【００３４】

【発明の効果】以上のように、本発明による場合は薄膜
トランジスタの電極のうち基板側に近い電極に耐酸性材
料を使用でき、この電極とコンタクトホールを介して接
続する配線に抵抗値の低い材料を使用できるため、耐酸
性に弱いが低抵抗材料を走査線あるいは信号線に用いる
ことが可能となり、走査線あるいは信号線の低抵抗化を
図れる。また、走査線あるいは信号線の配線抵抗値が低
いため、配線の幅を狭くすることができ、これにより走
査線と信号線との交差する面積が小さくなって、寄生容
量を小さくできる。更に、基板側に近い電極に耐酸性材
料を使用しているので、その電極はプロセス中に剥がれ
にくくなり、又ピンホールの形成がないため消失しにく
い。したがって、本発明基板を使用して組み立てた表示
装置においては、表示画面上に欠陥が発生しにくく、画
像品位を向上できると共に、製造歩留りを高めることが
可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本実施例のアクティブマトリクス基板を使用し
て組み立てたアクティブマトリクス液晶表示装置を示す
断面図（図４のＡ−Ａ線による断面図）。

【図２】本実施例のアクティブマトリクス基板を使用し
て組み立てたアクティブマトリクス液晶表示装置を示す
断面図（図４のＢ−Ｂ線による断面図）。

【図３】本実施例のアクティブマトリクス基板を示す斜
視図。

【図４】本実施例のアクティブマトリクス基板を示す平
面図。

【図５】本実施例のアクティブマトリクス基板における
走査線と信号線との交差部分を示す平面図。

【図６】本実施例に係る蓄積容量方式のアクティブマト
リクス基板の等価回路図。

【図７】本発明の適用が可能な付加容量方式のアクティ
ブマトリクス基板を示す等価回路図。

【図８】従来のアクティブマトリクス基板を使用して組
み立てたアクティブマトリクス液晶表示装置を示す断面
図（図１１のＣ−Ｃ線による断面図）。

【図９】従来のアクティブマトリクス基板を使用して組
み立てたアクティブマトリクス液晶表示装置を示す断面
図（図１１のＤ−Ｄ線による断面図）。

【図１０】従来のアクティブマトリクス基板を示す斜視
図。

【図１１】従来のアクティブマトリクス基板を示す平面
図。

【符号の説明】

１ガラス基板２保護膜３、１４走査線４ゲート電極５絶縁膜６半導体層７チャンネル保護膜８ａ、８ｂｎ型半導体非晶質シリコンａ−Ｓｉ（ｎ
⁺）層９ａソース電極９ｂドレイン電極１０絵素電極１１保護膜１２配向膜１６信号線１８薄膜トランジスタ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０１Ｌ 27/12 Ａ 8728−4Ｍ 29/784

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁性基板上に複数の信号線と複数の走査
線とが交差して設けられ、該信号線と走査線とで囲まれ
た各領域に、絶縁膜を挟んで片側にゲート電極が、残り
の片側にソース電極とドレイン電極とが形成された薄膜
トランジスタが、マトリクス状に配設されたアクティブ
マトリクス基板において、該ゲート電極が基板に近く、該ソース電極とドレイン電
極とが基板から離して形成され、基板に近い方のゲート
電極が耐酸性材料を使用して島状に形成され、該ゲート
電極の一部の上方を通り、かつ、間に該絶縁膜又は別の
絶縁膜を介して該走査線が低抵抗材料を使用して形成さ
れ、間の絶縁膜に設けたコンタクトホールを介してゲー
ト電極と走査線とが電気的に接続されたアクティブマト
リクス基板。
【請求項２】絶縁性基板上に複数の信号線と複数の走査
線とが交差して設けられ、該信号線と走査線とで囲まれ
た各領域に、絶縁膜を挟んで片側にゲート電極が、残り
の片側にソース電極とドレイン電極とが形成された薄膜
トランジスタが、マトリクス状に配設されたアクティブ
マトリクス基板において、該ソース電極とドレイン電極とが基板に近く、該ゲート
電極が基板から離して形成され、基板に近い方のソース
電極が耐酸性材料を使用して島状に形成され、該ソース
電極の一部の上方を通り、かつ、間に該絶縁膜又は別の
絶縁膜を介して該信号線が低抵抗材料を使用して形成さ
れ、間の絶縁膜に設けたコンタクトホールを介してソー
ス電極と信号線とが電気的に接続されたアクティブマト
リクス基板。