JPH0549747B2

JPH0549747B2 -

Info

Publication number: JPH0549747B2
Application number: JP61071487A
Authority: JP
Inventors: Masahiro Abe; Kazuhisa Okada; Takashi Ariizumi; Masahiko Yoshino
Original assignee: Nippon Kokan Ltd
Current assignee: JFE Engineering Corp
Priority date: 1986-03-28
Filing date: 1986-03-28
Publication date: 1993-07-27
Also published as: JPS62227080A

Description

【発明の詳細な説明】

［産業上の利用分野］本発明は、連続ラインにおける化学気相蒸着
（以下、CVDと称す）法による高珪素鋼帯の製造
方法に関する。［従来の技術］電磁鋼板として高珪素鋼板が用いられている。
この種の鋼板はSiの含有量が増すほど鉄損が低減
され、Si：6.5％では、磁歪が０となり、最大透
磁率もピークとなる等最も優れた磁気特性を呈す
ることが知られている。従来、高珪素鋼板を製造する方法として、圧延
法、直接鋳造法及び滲珪法があるが、このうち圧
延法はSi含有量４％程度までは製造可能である
が、それ以上のSi含有量では加工性が著しく悪く
なるため冷間加工は困難である。また直接鋳造
法、所謂ストリツプキヤステイングは圧延法のよ
うな加工性の問題は生じないが、未だ開発途上の
技術であり、形状不良を起し易く、特に高珪素鋼
板の製造は困難である。これに対し、滲珪法は低珪素鋼を溶製して圧延
により薄板とした後、表面からSiを浸透させるこ
とにより高珪素鋼板を製造するもので、これによ
れば加工性や形状不良の問題を生じることなく高
珪素鋼板を得ることができる。［発明が解決しようとする問題点］この滲珪法は、五弓、阿部により提案され、三
谷、大西らにより詳しく検討されたものである
が、従来提案された方法はいずれも浸透処理時間
が30分以上と長く、事実上連続ラインには適用で
きないという根本的な問題がある。また処理温度
も1230℃程度と極めて高いことから浸透処理後の
薄鋼板の形状が極めて悪く、加えて処理温度が高
過ぎるためエツジ部が過加熱によつて溶解するお
それがあり、連続ラインでの安定通板が期待でき
ない。また、滲珪法では蒸着反応により鋼板面のFe
がFeCl₂等の形で放散され、これによつて板厚が
減少する。しかしこの種の処理では、雰囲気ガス
濃度分布の不均一性等の原因で蒸着（膜厚）が不
均一になり易く、この結果板厚の減り方にバラツ
キを生じ、板厚が幅方向、長手方向で不均一にな
り易いという問題がある。本発明はこのような従来技術の欠点を改善する
ためになされたもので、滲珪法を用い、連続ライ
ンにおいて短時間でしかも高品質の高珪素鋼帯を
安定して製造することができる方法の提供を目的
とする。［問題点を解決するための手段］このため本発明は鋼帯を、SiCl₄をmol分率で
５〜35％含んだ無酸化性ガス雰囲気中で、化学気
相蒸着法により1023〜1200℃の温度で連続的に滲
珪処理し、次いで、SiCl₄を含まない無酸化性ガ
ス雰囲気中でSiを鋼帯内部に略均一に拡散させる
拡散処理を施し、続く冷却過程の途中において、
鋼帯を600〜200℃で圧延により塑性加工するよう
にしたことをその基本的特徴とする。また本発明は、上記拡散処理−冷却及び圧延に
よる塑性加工後、絶縁被膜コーテイングを施し、
次いで焼付処理するようにしたことを他の基本的
特徴とする。以下、本発明の詳細を説明する。本発明において、母材たる鋼帯（出発薄鋼帯）
の成分組成は、特に限定はないが、優れた磁気特
性を得るため以下のように定めるのが好ましい。３〜6.5％Si−Fe合金の場合Ｃ：0.01％以下、Si：０〜4.0％、Mn：２％
以下、その他不可避不純物は極力低い方が望ま
しい。センダスト合金の場合Ｃ：0.01％以下、Si：４％以下、Al：３〜８
％、Ni：４％以下、Mn：２％以下、Cr，Ti
などの耐食性を増す元素５％以下、その他の不
可避不純物は極力低い方が望ましい。鋼帯は熱間圧延−冷間圧延により得られるもの
に限らず、直接鋳造・急冷凝固法により得られた
ものでもよい。なお、上述したように鋼帯はCVD処理により
板厚が減少するものであり、このため最終製品板
厚に対し減少板厚分を付加した板厚のものを用い
る必要がある。本発明は、このような鋼帯にCVD法による滲
珪処理−拡散処理を施すことにより高珪素鋼帯を
得るものである。第１図は本発明法を実施するための連続処理ラ
インを示すもので、１は加熱炉、２はCVD処理
炉、３は拡散処理炉、４は冷却炉である。鋼帯Ｓは加熱炉１でCVD処理温度またはその
近傍まで無酸化加熱された後、CVD処理炉２に
導かれ、SiCl₄を含む無酸化性ガス雰囲気中で
CVD法による滲珪処理が施される。SiCl₄を含む
無酸化性ガスとは、中性或いは還元性ガスを意味
し、SiCl₄のキヤリアガスとしてはAr，N₂，He，
H₂，CH₄等を使用することができる。これらキ
ヤリアガスのうち、排ガスの処理性を考慮した場
合、H₂，CH₄等はHClを発生させその処理の必
要性が生じる難点があり、このような問題を生じ
ないAr，He，N₂が望ましく、さらに材料の窒化
を防止するという観点からすればこれらのうちで
も特にAr，Heが最も好ましい。 CVD処理における鋼帯表面の主反応は、 5Fe＋SiCl₄→Fe₃Si＋2FeCl₂↑ である。Si1原子が鋼帯面に蒸着してFe₃Si層を形
成し、Fe2原子がFeCl₂となり、FeCl₂の沸点1023
℃以上の温度において気体状態で鋼帯表面から放
散される。したがつて、Si原子量が28.086、Fe原
子量が55.847であることから、鋼帯は質量減少
し、これに伴い板厚も減少することになる。ちな
みに、Si3％鋼帯を母材とし、CVD処理でSi6.5％
鋼帯を製造すると、質量は8.7％減少し、板厚は
約7.1％減少する。従来法においてCVD処理に時間がかかり過ぎ
るのは、そのCVD処理条件に十分な検討が加え
られていなかつたことによるものと考えられる。
本発明者等が検討したところでは、CVD処理を
迅速に行うための要素には次のようなものがある
ことが判つた。雰囲気ガス中のSiCl₄濃度の適正化。処理温度の適正化。 SiCl₄の鋼帯表面への拡散及びFeCl₂の鋼帯表
面からの放散の促進。このため本発明ではCVD処理における雰囲気
ガス中のSi濃度及び処理温度を規定するものであ
る。まず、CVD処理における無酸化性ガス雰囲気
中のSiCl₄濃度をmol分率で５〜35％に規定し、
このような雰囲気中で鋼帯を連続的にCVD処理
する。雰囲気中のSiCl₄が５％未満であると期待する
Si富化効果が得られず、また、例えば鋼帯のSiを
1.0％富化するために５分以上も必要となる等、
処理に時間がかかり過ぎ、連続プロセス化するこ
とが困難となる。一方、SiCl₄を35％を超えて含有させても界面
における反応が律速になり、それ以上のSi富化効
果が期待できなくなる。またCVD処理では、SiCl₄濃度が高いほど所謂
カーケンダールボイドと称する大きなボイドが生
成し易い。このボイドはSiCl₄濃度が15％程度ま
ではほとんど見られないが、15％をこえると生成
しはじめる。しかし、SiCl₄濃度が35％以下では、
ボイドが生成してもCVD処理に引き続き行われ
る拡散処理によりほぼ完全に消失させることがで
きる。換言すればSiCl₄濃度が35％を超えるとボ
イドの生成が著しく、拡散処理後でもボイドが残
留してしまう。第１３図はSicl₄20％の雰囲気で
CVD処理した直後の鋼帯断面を示すもので、蒸
着層にはボイドがみられる。第１４図はこの鋼帯
を1200℃×20minの拡散処理した後の断面を示す
ものであり、CVD処理直後のボイドはほぼ完全
に消失している。これに対し第１５図はSiCl₄40
％でCVD処理し、その後拡散処理した鋼帯の断
面を示すもので、ボイドが層状に残留しているこ
とが判る。 CVD処理温度は1023〜1200℃の範囲とする。
CVD処理反応は鋼帯表面における反応であるか
ら、この処理温度は厳密には鋼帯表面温度であ
る。 CVD処理による反応生成物であるFeCl₂の沸点
は1023℃であり、この温度以下ではFeCl₂が鋼帯
表面から気体状態で放散されず、鋼帯表面に液体
状に付着して蒸着反応を阻害してしまう。本発明
者らが行つた基礎実験の結果では、このFeCl₂の
沸点を境に、単位時間当りのSiの富化割合が著し
く異なり、1023℃以下では蒸着速度が小さいため
連続プロセスへの適用は困難である。このため処
理温度の下限は1023℃とする。一方、上限を1200℃と規定する理由は次の通り
である。Fe₃Siの融点は、第４図に示すFe−Si状
態図から明らかなように1250℃であるが、発明者
等の実験によれば、1250℃より低い1230℃程度で
処理した場合でも、鋼帯表面が部分的に溶解し、
また、鋼帯エツジ部分が過加熱のため溶解する。
このように1250℃以下でも鋼帯が溶解するのは、
鋼帯表面ではFe₃Si相当のSi濃度14.5％以上にSi
が蒸着されているためであると推定される。これ
に対し処理温度が1200℃以下であれば鋼帯表面は
溶解は全く認められず、また、エツジの過加熱
も、鋼帯中心部の平均温度を1200℃とすること
で、1220℃程度におさえることが可能であり、微
量な溶解で済むことが実験的に確認できた。以上
の理由から、CVD処理温度は1023℃〜1200℃と
規定する。以上のようにしてCVD処理された鋼帯Ｓは、
引き続き拡散炉３に導かれSiCl₄を含まない無酸
化性ガス雰囲気中で拡散処理される。すなわち、
CVD処理直後では、鋼帯表面近くはSi濃度が高
く、中心部分では母材Si濃度のままであり、これ
を均熱・拡散処理し均一Si濃度とする必要があ
る。この拡散処理は、鋼帯表面を酸化させない為
に、無酸化雰囲気中で行う必要が有り、また高温
で行うほど処理時間が少なくて済む。この拡散処理は、一定温度で行つてもよいが、
第４図のFe−Si状態図から判るように、拡散の
進行とともに鋼帯表層部のSi濃度が減少しその融
点が上がることから、拡散の進行に伴い鋼帯を溶
解させない程度に徐々に昇温させる（例えば複数
段階で昇温させる）ことにより、拡散を促進させ
ることができる。例えば6.5％Si鋼の場合、エツ
ジ部の過加熱を考慮しても1400℃までの昇温が可
能である。このような拡散処理後、鋼帯Ｓは冷却炉４で冷
却され、しかる後捲取られるが、本発明ではこの
冷却途中で、温間状態で圧延による塑性加工を行
う。第３図はこのための冷却炉の具体的な構造例
を示すもので、冷却炉４の途中には中間室８が設
けられ、この中間室８にスキンパスミル９が配設
されている。このような設備によれば、拡散炉３
を出た鋼帯Ｓは冷却炉４の前部冷却室４１で温間
状態まで冷却された後、中間室８のスキンパスミ
ル９で圧延され、最終冷却されることなく温間状
態でそのまま捲取られるか、或いは引き続き後部
冷却室４２で室温まで冷却された後捲取られる。上述したようにCVD処理では蒸着反応により
鋼帯面のFeがFeCl₂の形で放散され、その分板厚
が減少することになるが、CVD処理炉２内での
雰囲気ガス濃度分布の不均一によりSi蒸着が不均
一になり易く、このためCVD処理−拡散処理後
の鋼帯Ｓの幅方向、長手方向で板厚にバラツキで
生じている。そこで本発明では温間状態にある鋼
帯Ｓに圧延（スキンパス圧延または通常圧延）を
施すことにより、板厚を均一化するものであり、
かかる圧延により形状矯正と表面粗さの調整も合
せて行うことができる。なお、圧延はスキンパス
圧延のような軽圧下ではなく、板厚の減少を目的
としてより大ききな圧下量（通常の圧延）で行つ
てもよい。本発明は高珪素鋼帯を製造対象とする
もので、このため鋼帯Ｓの温度が200〜600℃の温
間状態で圧延を行う。第１６図は拡散処理後のSi
濃度が6.5％の鋼帯の圧延温度と圧延による伸び
との関係を示すもので、鋼帯温度が200℃未満で
は所望の塑性加工性が得られないことが判る。鋼帯Ｓは通常、常温ないし300℃までの温間状
態で捲取られ、一般にSi含有量が多く（例えば
4.0％以下）、板厚が比較的厚い鋼帯は温間で捲取
ることが好ましい。したがつて、鋼帯Ｓは熱間状
態から冷却炉４で上記温度域まで冷却された後圧
延による塑性加工が施され、そのまま温間状態で
捲取られるか、或いは室温で捲取る場合には、上
記圧延後、冷却炉後段で室温まで最終冷却され、
しかる後捲取られる。なお、実ラインにおいてはミルの上流に板厚
計、プロフイル計を設け、これによる板厚、板形
状の検出に基づきミルが制御される。 CVD処理速度を鋼帯の連続処理を可能ならし
めるまで高めるには、上述したように雰囲気ガス
中のSiCl₄濃度と処理温度の適正化を図ることが
必要であるが、これに加え鋼帯表面へのSiCl₄拡
散とFeCl₂の鋼帯表面からの放散とを促進するこ
とによりCVD処理速度をより高めることが可能
となる。従来では、CVD処理で反応ガスを大きく流動
させると、蒸着層にボイドが発生し、また蒸着層
の純度も低下するとされ、このためガス流動は必
要最小限にとどめるという考え方が定着してい
た。しかし本発明者等の研究では、このようにガ
ス流動が抑えられることにより、反応ガスの母材
界面への拡散移動、及び反応副生成物の界面表層
からの離脱がスムースに行われず、このため処理
に長時間を要すること、さらにはガス流動が抑え
られるためCVD処理炉内の反応ガス濃度に分布
を生じ、この結果蒸着膜厚の不均一化を招くこと
が判つた。そして、このような事実に基づきさらに検討を
加えた結果、CVD処理炉において吹込ノズルに
より雰囲気ガスを被処理材に吹付け、或いはフア
ン等により雰囲気を強制循環させることにより
SiCl₄の鋼帯表面への拡散及び反応生成物たる
FeCl₂の鋼帯表面からの放散を著しく促進し、高
い蒸着速度でしかも蒸着膜の不均一化を抑えつつ
CVD処理できることが判つた。このようなCVD処理性の向上は、吹付ノズル
により雰囲気ガスを鋼帯表面に吹付ける方法が特
に有効である。第５図はこのノズル吹付方式によ
る実施状況を示すもので、CVD処理炉２内に鋼
帯Ｓに面して吹付ノズル５が配置され、鋼帯表面
にSiCl₄を含む雰囲気ガスが吹付けられる。第６
図イ及びロは、吹付ノズル５による吹付状況を示
すもので、イに示すように鋼帯面に対して直角
に、或いはロに示すように斜め方向から吹付ける
ことができる。このようなノズル吹付による単位時間当りのSi
富化割合は、ガスの鋼帯表面に対する衝突流速の
増大に比例して大きくなるが、流速を過剰に大き
くしても界面における反応律速となるためそれ以
上のSi富化効果は期待できない。一般的には、
5Nm／sec以下の流速で十分な効果が得られる。また本発明では、上記拡散処理−冷却及び圧延
による塑性加工後、鋼帯に連続的に絶縁被膜コー
テイングを施し、焼付処理後捲取るようにするこ
とができる。第２図はこのための連続処理ライン
を示すもので、６はコーテイング装置、７は焼付
炉である。電磁鋼板は通常積層状態で使用され、この場合
積層される各鋼板はそれぞれ絶縁される必要があ
る。このため電磁鋼板には絶縁皮膜コーテイング
が施される。Si含有量が4.0％以上の鋼帯は、常
温状態ではぜい性材料であり、ほとんど塑性変形
しない。このため絶縁皮膜コーテイングをCVD
処理ラインと別ラインで行つた場合、コイルの捲
戻し、捲取り時に鋼帯が破断するおそれがある。
そこで、本発明は拡散処理−冷却及び圧延による
塑性加工後、鋼帯Ｓにコーテイング装置６で絶縁
塗料を塗布し、次いで塗装焼付炉７で焼付処理す
る。絶縁塗料としては、無機系、有機系の適宜な
ものを用いることができる。無機系塗料として
は、例えばリン酸マグネシウム、無水クロム酸、
シリカゾル等が、また有機系塗料としてはプラス
チツク樹脂等が用いられる。塗料はロールコータ
方式、スプレー方式等により鋼帯Ｓに塗布され、
無機系塗料の場合には約800℃程度、有機系塗料
の場合には200〜300℃程度で焼付処理する。なお前記加熱炉１では無酸化加熱が行われるも
のであり、このため電気間接加熱、誘導加熱、ラ
ジアントチユーブ間接加熱、直火還元加熱等の加
熱方式を単独または適当に組み合せた加熱方法が
採られる。なお、間接加熱方式を採る場合、加熱
に先立ち電気洗浄等の前処理が行われる。前処理
を含めた加熱方式として例えば次のようなものを
採用できる。前処理−〔予熱〕−電気間接加熱（または誘導
加熱）前処理−〔予熱〕−ラジアントチユーブ加熱−
電気間接加熱（または誘導加熱）〔予熱〕−直火還元加熱−電気間接加熱（ま
たは誘導加熱）前処理−〔予熱〕−ラジアントチユーブ間接加
熱（セラミツクラジアントチユーブ方式）〔予熱〕−直火還元加熱また、冷却炉４での冷却方式に特に限定はな
く、ガスジエツト冷却、ミスト冷却、放射冷却等
の各種冷却方式を単独または組合せた形で採用す
ることができる。本発明は、6.5％Si鋼帯のような珪素含有量が
極めて高い鋼帯の製造に好適なものであることは
以上述べた通りであるが、従来、圧延法で製造す
る場合に変形が多く歩留りが悪かつたSi：２〜４
％程度の高珪素鋼帯も容易に製造できる利点があ
る。［実施例］ Γ実施例１小型のCVD処理炉−拡散処理炉を用い、CVD
処理性に対するSiCl₄濃度及びCVD処理温度の影
響を調べた。その結果を第７図及び第８図に示
す。図中、Ａが雰囲気法、すなわちノズル吹付を行
わないでCVD処理した場合、またＢがノズル吹
付法、すなわち第５図に示すように雰囲気ガスを
鋼帯面に0.5m／Ｓの流速で吹き付けつつCVD処
理した場合を示す。なお、Si富化割合とは、母材
当初のSi濃度に対するCVD処理−拡散処理後の
Si増加分を示す。これによれば、SiCl₄濃度５％以上、CVD処理
温度1023℃以上において大きなSi富化効果が得ら
れている。また同じ条件でも、吹付ノズルにより
雰囲気ガスを吹付ける方法の場合、単に雰囲気中
で鋼帯を通板せしめる場合に較べ格段に優れたSi
富化効果（CVD処理性）が得られていることが
判る。第９図は同様のCVD処理炉−拡散処理炉を用
い、雰囲気法Ａとノズル吹付法Ｂの蒸着時間と鋼
帯中Si濃度（拡散処理後のSi濃度）との関係を、
Si：３％、板厚0.5mmの鋼帯をSiCl₄濃度21％、処
理温度1150℃でCVD処理した場合について調べ
たものである。なお、ノズル吹付法では、スリツ
トノズルにより鋼帯に対し垂直方向から
0.2Nm／secの流速で雰囲気ガスを吹付けた。同
図から判るように、6.5％Si鋼とするために雰囲
気法Ａでは７分かかるのに対し、ノズル吹付法Ｂ
では1.5分で処理することができた。第１０図はこのようにして得られた鋼帯の磁気
特性を示すもので、いずれの場合も良好な結果が
得られている。第１１図はノズル吹付法における衝突ガス流速
と鋼帯のSi富化割合（拡散処理後の割合）との関
係を示すものであり、所定レベルまでは衝突ガス
流速に比例して鋼帯のSi富化割合が増大してい
る。 Γ実施例２第１図に示す連続プロセスに第３図のスキンパ
スミルを組み込んだプロセスラインにおいて、板
厚0.33mmのSi3.5％含有鋼帯を母材とし、25mpm
のラインスピードにより、目標板厚0.30mm、幅
900mmのSi6.5％含有鋼帯を製造した。この際、次
の４条件によりそれぞれ鋼帯を製造した。Ａ） CVD処理を、Ar80％、、SiCl₄20％の雰囲
気中で実施し、スキンパス圧延を実施しない。Ｂ）Ａと同様のCVD処理を行いスキンパス圧
延を実施する。Ｃ） CVD処理を、Ar80％、SiCl₄20％の反応ガ
スをノズル吹付法で鋼帯に対し、0.3Nm／sec
のガス流速で衝突させることにより実施し、ス
キンパス圧延を実施しない。Ｄ） CVD処理をＣ）と同様に行い、スキンパ
ス圧延を実施した。第１表は、これらの各ケースのサンプルについ
て、板厚偏差（目標板厚に対する増減）及び表面
粗さを測定した結果を示したもので、スキンパス
圧延を実施することにより板厚が精度良く均一化
していることが判る。

【表】 Γ実施例３第１図に示す連続プロセスで板厚0.35mm、板幅
900mm、Si：3.5％含有鋼帯を母材とし、ラインス
ピード25mpmでSi：6.5％含有鋼帯を製造した。
なお、CVD処理炉では、吹付ノズル方式により、
ArをキヤリアガスとしたSiCl₄濃度20mol％の雰
囲気ガスを、鋼板に対し0.3Nm／secのガス流速
で吹き付けた。第１２図はこの場合の熱サイクルを示すもの
で、本実施例では拡散処理時に1200℃から1320℃
の２段昇熱を実施した。この結果、W_10/50：
0.55W／Kgという極めて低鉄損の良質な6.5％Si鋼
帯を製造できた。［発明の効果］以上述べた本発明によれば連続ラインにおいて
短時間でCVD処理を行うことができ、また1200
℃以下の温度でCVD処理を行うため鋼帯の形状
不良やエツジ部溶解等の問題を生じさせることが
なく、しかも均一な板厚の鋼板を得ることがで
き、このためラインの長大化を招くことなく高品
質の高珪素鋼板を能率的に製造することができ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図はそれぞれ本発明法を実施す
るための連続処理ラインを示す説明図である。第
３図は第１図及び第２図における冷却炉の具体的
構成例を示す説明図である。第４図はFe−Si系
状態図である。第５図及び第６図イ，ロはノズル
吹付方式によるCVD処理状況を示すもので、第
５図は全体説明図、第６図イ及びロはそれぞれノ
ズル吹付方法を示す説明図である。第７図は
CVD処理におけるガス中SiCl₄濃度と鋼帯Si富化
割合との関係、第８図はCVD処理温度と鋼帯Si
富化割合との関係をそれぞれ示すものである。第
９図は本発明におけるSi蒸着時間と鋼帯中Si濃度
との関係を、雰囲気法及びノズル吹付法で比較し
て示したものである。第１０図は本発明法により
得られた鋼帯の磁気特性を雰囲気法によるものと
ノズル吹付法によるもので比較して示したもので
ある。第１１図はノズル吹付法によるCVD処理
において、雰囲気ガスの鋼帯に対する衝突ガス流
速と鋼帯Si富化割合との関係を示すものである。
第１２図は本発明実施例における熱サイクルを示
すものである。第１３図ないし第１５図は本発明
材及び比較材たる鋼帯断面の金属組織を示す顕微
鏡拡大写真であり、第１３図はSiCl₄：20％の雰
囲気でCVD処理した直後の組織、第１４図はそ
の鋼帯を拡散熱処理した後の組織、第１５図は
SiCl₄：40％でCVD処理し、その後拡散処理した
後の組織を示している。第１６図は拡散処理後の
鋼帯の圧延温度と圧延による伸びとの関係を示す
ものである。図において、１は加熱炉、２はCVD処理炉、
３は拡散処理炉、４は冷却炉、６はコーテイング
装置、７は焼付炉、９はスキンパスミル、Ｓは鋼
帯である。

Claims

【特許請求の範囲】１鋼帯を、SiCl₄をmol分率で５〜35％含んだ
無酸化性ガス雰囲気中で、化学気相蒸着法により
1023〜1200℃の温度で連続的に滲珪処理し、次い
で、SiCl₄を含まない無酸化性ガス雰囲気中でSi
を鋼帯内部に略均一に拡散させる拡散処理を施
し、続く冷却過程の途中において鋼帯を600〜200
℃で圧延により塑性加工することを特徴とする連
続ラインにおける高珪素鋼帯の製造方法。２鋼帯を、SiCl₄をmol分率で５〜35％含んだ
無酸化性ガス雰囲気中で、化学相蒸着法により
1023〜1200℃の温度で連続的に滲珪処理し、次い
で、SiCl₄を含まない無酸化性ガス雰囲気中でSi
を鋼帯内部に略均一に拡散させる拡散処理を施
し、続く冷却過程の途中において鋼帯を600〜200
℃で圧延により塑性加工し、次いで絶縁皮膜コー
テイング及び焼付処理することを特徴とする連続
ラインにおける高珪素鋼帯の製造方法。