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JPH0534319B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0534319B2
JPH0534319B2 JP62296006A JP29600687A JPH0534319B2 JP H0534319 B2 JPH0534319 B2 JP H0534319B2 JP 62296006 A JP62296006 A JP 62296006A JP 29600687 A JP29600687 A JP 29600687A JP H0534319 B2 JPH0534319 B2 JP H0534319B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
diamond
film
substrate
nucleation
present
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP62296006A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH01138198A (ja
Inventor
Kazutaka Fujii
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Electric Co Ltd filed Critical Nippon Electric Co Ltd
Priority to JP62296006A priority Critical patent/JPH01138198A/ja
Publication of JPH01138198A publication Critical patent/JPH01138198A/ja
Publication of JPH0534319B2 publication Critical patent/JPH0534319B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はダイヤモンド膜の製造方法に関し、特
にダイヤモンド結晶の高速緻密化によつてダイヤ
モンドを高速に製膜する方法に関する。
［従来の技術とその問題点］ ダイヤモンド結晶の核発生速度は、通常のシリ
コン、モリブデン等の基板上では、非常に遅いた
め、通常は基板をダイヤモンド粒子で荒らすこと
によつて、核発生密度を高め、膜状ダイヤモンド
を得ている。従つて、配線あるいは半導体回路が
組み込まれた基板は、使用できないという欠点を
有していた。
また、基板表面をプラズマないしイオンで衝撃
を与えることによつてダイヤモンドの核発生密度
を高めるという方法もあるが、この方法では、基
板のプラズマ損傷等の問題がある。
本発明の目的は、このような従来の欠点を除去
せしめ、ダイヤモンド結晶を高速で緻密化するこ
とができるダイヤモンド膜の製造方法を提供する
ことにある。
［問題点を解決するための手段］ 本発明は、平均粒径が0.1μm以下のダイヤモン
ド微結晶を含有するカーボン膜を基板上に予備製
膜した後、ダイヤモンドの製膜を行うことを特徴
とするダイヤモンド膜の製造方法である。
ダイヤモンド微結晶の大きさは、緻密化を考慮
すると小さい程良く、実用上は0.1μm以下である
ことが好ましい。
［作用］ 欠陥のない基板上では、ダイヤモンド結晶の核
発生位置が少ないので、核発生密度も小さくな
る。そこで本発明では、基板の核発生位置に関係
なく析出できるカーボン膜を析出させ、核発生位
置をこのカーボン膜とすることによつて、ダイヤ
モンド微結晶をカーボン膜析出と同時に大量に核
発生させた後に、良質のダイヤモンド結晶を製膜
する。
上記方法により、ダイヤモンドを高速に製膜で
きる。
［実施例］ 次に本発明の一実施例について説明するが、本
発明の方法はこれに限定されるものではない。
約2000℃以上に加熱したフイラメントにメタン
および水素の混合ガスを衝突させ、フイラメント
直下の加熱された無欠陥のシリコン基板上にダイ
ヤモンドを析出させた。メタンの体積率が高いほ
どダイヤモンドの結晶性が悪化することが知られ
ているので、予備製膜条件としてメタン濃度を
0.5％から５％と変化させて10分間成長させ、そ
の後メタン濃度を0.5％として、良質なダイヤモ
ンド結晶を成長させた。
その結果、予備製膜をしない場合にはほとんど
ダイヤモンドの核発生は観察されなかつた。一
方、予備製膜を行つた場合、メタン濃度が１％未
満では予備製膜を行わない時と同じ程度の核発生
数であつたが、１％以上では１時間以内にダイヤ
モンド結晶が緻密化し、膜状ダイヤモンドとなつ
た。
また、メタン濃度を１％以上とした予備製膜に
おいては、平均粒径0.1μm以下のダイヤモンド微
結晶を含有するカーボン膜が形成されていること
が確認された。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば基板の表
面状態に依存せずにダイヤモンド膜を高速に製膜
できるので、配線を施された基板、半導体回路が
組み込まれた基板等の上に直接ダイヤモンド膜を
高速に製膜することが可能である。従つてダイヤ
モンドの高熱伝導性、高電気絶縁性等を従来にな
く種々の基板に生かすことができ、その実用的価
値は極めて大きい。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 平均粒径が0.1μm以下のダイヤモンド微結晶
    を含有するカーボン膜を基板上に予備製膜した
    後、ダイヤモンドの製膜を行うことを特徴とする
    ダイヤモンド膜の製造方法。
JP62296006A 1987-11-26 1987-11-26 ダイヤモンド膜の製造方法 Granted JPH01138198A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62296006A JPH01138198A (ja) 1987-11-26 1987-11-26 ダイヤモンド膜の製造方法

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JP62296006A JPH01138198A (ja) 1987-11-26 1987-11-26 ダイヤモンド膜の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH01138198A JPH01138198A (ja) 1989-05-31
JPH0534319B2 true JPH0534319B2 (ja) 1993-05-21

Family

ID=17827912

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04219396A (ja) * 1988-07-02 1992-08-10 Sumitomo Metal Mining Co Ltd ダイヤモンド膜作成方法
WO1994016125A1 (en) * 1993-01-14 1994-07-21 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Process for vapor-phase diamond synthesis
US6068883A (en) * 1996-06-12 2000-05-30 Matushita Electric Industrial Co., Ltd. Process for forming diamond films by nucleation
JP4009090B2 (ja) * 2001-11-08 2007-11-14 株式会社神戸製鋼所 ダイヤモンド被覆非ダイヤモンド炭素部材の製造方法
JP6772995B2 (ja) * 2017-09-25 2020-10-21 株式会社Sumco Ｓｏｉウェーハの製造方法およびｓｏｉウェーハ

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61106494A (ja) * 1984-10-29 1986-05-24 Kyocera Corp ダイヤモンド被膜部材及びその製法
JPS61146793A (ja) * 1984-12-21 1986-07-04 Toshiba Corp 基板
JPS62256795A (ja) * 1986-04-30 1987-11-09 Kyocera Corp ダイヤモンド膜の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61106494A (ja) * 1984-10-29 1986-05-24 Kyocera Corp ダイヤモンド被膜部材及びその製法
JPS61146793A (ja) * 1984-12-21 1986-07-04 Toshiba Corp 基板
JPS62256795A (ja) * 1986-04-30 1987-11-09 Kyocera Corp ダイヤモンド膜の製造方法

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JPH01138198A (ja) 1989-05-31

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