JPH0532415A - 酸化物超電導体の製造方法 - Google Patents
酸化物超電導体の製造方法Info
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- JPH0532415A JPH0532415A JP3209829A JP20982991A JPH0532415A JP H0532415 A JPH0532415 A JP H0532415A JP 3209829 A JP3209829 A JP 3209829A JP 20982991 A JP20982991 A JP 20982991A JP H0532415 A JPH0532415 A JP H0532415A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 臨界電流の高密度化を図ることができると共
に、１個当りの浮上力を大幅に向上させることができる
大型製品の製造が可能であり、しかも単位面積当りの浮
上力を大幅に向上させることができる酸化物超電導体の
製造方法を提供する。 【構成】 ステップ１において、溶融物中に混在するＹ
2 Ｏ3 が凝集現象等をおこして不均一にまとまるのを防
止するため、ステップ１において溶融物を機械的に攪拌
してＹ2 Ｏ3 の均一分散を図ることにより、ピン止め点
となる非超電導相を超電導相の結晶中に均一に散在させ
ることができ、その結果ピン止め力（浮上力）の大幅ア
ップを図ることができる。
に、１個当りの浮上力を大幅に向上させることができる
大型製品の製造が可能であり、しかも単位面積当りの浮
上力を大幅に向上させることができる酸化物超電導体の
製造方法を提供する。 【構成】 ステップ１において、溶融物中に混在するＹ
2 Ｏ3 が凝集現象等をおこして不均一にまとまるのを防
止するため、ステップ１において溶融物を機械的に攪拌
してＹ2 Ｏ3 の均一分散を図ることにより、ピン止め点
となる非超電導相を超電導相の結晶中に均一に散在させ
ることができ、その結果ピン止め力（浮上力）の大幅ア
ップを図ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、臨界電流密度の高い
酸化物超電導体の製造方法に係り、特に超電導相内部に
微細なＲＥ2 ＢａＣｕＯ5 相とクラック発生防止用添加
剤とを略均一に分散させて製造することができる酸化物
超電導体の製造方法に関するものである。
酸化物超電導体の製造方法に係り、特に超電導相内部に
微細なＲＥ2 ＢａＣｕＯ5 相とクラック発生防止用添加
剤とを略均一に分散させて製造することができる酸化物
超電導体の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、臨界温度（Ｔｃ) が９０Ｋを越え
る超電導体、例えばＹＢa Ｃu Ｏ系酸化物超電導体の発
見により、低廉で比較的簡単に手に入れることができる
液体窒素を冷却剤として使用することが可能となってお
り、このためこのような超電導体（以下これを高温超電
導体とよぶ）に対し幅広い分野での利用方法が試みられ
ている。ところで、このような高温超電導体にあって
は、臨界温度（Ｔｃ) 以下の超電導状態で発生する臨界
電流密度（Ｊｃ）が、その温度の低下に伴って増大する
という特性を有しており、従って液体窒素雰囲気中のよ
うな比較的高温域では大きな臨界電流密度を得ることが
不可能であった。またこのような高温超電導体は、臨界
電流密度（Ｊｃ）が外部磁場の増大とともに減少すると
いう特性も有しており、このため高磁場中でも高電流密
度が保持できる、換言すれば高磁場下でも所謂クエンチ
現象をおこさぬ高品質のものを得るのが困難であった。
る超電導体、例えばＹＢa Ｃu Ｏ系酸化物超電導体の発
見により、低廉で比較的簡単に手に入れることができる
液体窒素を冷却剤として使用することが可能となってお
り、このためこのような超電導体（以下これを高温超電
導体とよぶ）に対し幅広い分野での利用方法が試みられ
ている。ところで、このような高温超電導体にあって
は、臨界温度（Ｔｃ) 以下の超電導状態で発生する臨界
電流密度（Ｊｃ）が、その温度の低下に伴って増大する
という特性を有しており、従って液体窒素雰囲気中のよ
うな比較的高温域では大きな臨界電流密度を得ることが
不可能であった。またこのような高温超電導体は、臨界
電流密度（Ｊｃ）が外部磁場の増大とともに減少すると
いう特性も有しており、このため高磁場中でも高電流密
度が保持できる、換言すれば高磁場下でも所謂クエンチ
現象をおこさぬ高品質のものを得るのが困難であった。
【０００３】ところが、最近溶融状態から超電導相を生
成させることによって、サンプルに対し部分的には、高
磁場、例えば２テスラ（Ｔ）（＝２×１０4 ガウス）中
の雰囲気内であっても高電流密度、例えば２×１０4Ａ
／cm2 をこえるような高電流密度を保持することができ
る酸化物高温超電導体を得ることができるようになって
きた。
成させることによって、サンプルに対し部分的には、高
磁場、例えば２テスラ（Ｔ）（＝２×１０4 ガウス）中
の雰囲気内であっても高電流密度、例えば２×１０4Ａ
／cm2 をこえるような高電流密度を保持することができ
る酸化物高温超電導体を得ることができるようになって
きた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、先のような
方法によって製造する酸化物高温超電導体にあっては、
製造の際にマクロクラックを発生し易く、このためより
一層大きな臨界電流密度（Ｊｃ）や臨界電流（Ｉｃ）の
ものを形成するときの障害の一因となっている。また、
このような方法により酸化物高温超電導体を製造する場
合、ピン止め点となる非超電導相であるＹ2 ＢａＣｕＯ
5 相、即ちＹ(211) 相を全体に亙って均一に分散させる
のが困難であり、その結果単位体積当りの臨界電流密度
（Ｊｃ）がさらに低下する原因となっている。また、こ
のような方法により製造する酸化物高温超電導体にあっ
ては、製造の際に結晶どうしが連結し難くその分大きな
連結した結晶が得難いので、１個当りの製品として大き
く大浮上力を発生させることが可能な大型のものを製造
するのが困難である。そこで、この発明は、上記した事
情に鑑み、臨界電流の高密度化を図ることが可能である
とともに、１個当りの浮上力を大幅に向上させることが
できる大型製品の製造が可能であり、しかも単位面積当
りの浮上力を大幅に向上させることができるピン止め力
の強い高品質の酸化物超電導体の製造方法を提供するこ
とを目的とするものである。
方法によって製造する酸化物高温超電導体にあっては、
製造の際にマクロクラックを発生し易く、このためより
一層大きな臨界電流密度（Ｊｃ）や臨界電流（Ｉｃ）の
ものを形成するときの障害の一因となっている。また、
このような方法により酸化物高温超電導体を製造する場
合、ピン止め点となる非超電導相であるＹ2 ＢａＣｕＯ
5 相、即ちＹ(211) 相を全体に亙って均一に分散させる
のが困難であり、その結果単位体積当りの臨界電流密度
（Ｊｃ）がさらに低下する原因となっている。また、こ
のような方法により製造する酸化物高温超電導体にあっ
ては、製造の際に結晶どうしが連結し難くその分大きな
連結した結晶が得難いので、１個当りの製品として大き
く大浮上力を発生させることが可能な大型のものを製造
するのが困難である。そこで、この発明は、上記した事
情に鑑み、臨界電流の高密度化を図ることが可能である
とともに、１個当りの浮上力を大幅に向上させることが
できる大型製品の製造が可能であり、しかも単位面積当
りの浮上力を大幅に向上させることができるピン止め力
の強い高品質の酸化物超電導体の製造方法を提供するこ
とを目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】即ち、この発明の酸化物
超電導体の製造方法は、ＲＥＢａＣｕＯ系酸化物超電導
体（ＲＥはＹを含む希土類元素）を生成するための原料
としてＢａＣＯ3 とＣｕＯとを使用し、これらが溶融す
る一定温度下で前記原料を攪拌し、この原料中に不溶融
状態で混在・分離しようとするＹ2 Ｏ3 を均一に分散さ
せたのち急冷する第１ステップと、この急冷した原料材
にクラック発生防止用の添加剤を添加し粉砕・混合して
粉砕材を形成するとともに、所定形状の成形体を成型す
る第２ステップと、前記成形体を少なくとも半溶融温度
以上に加熱・溶融して半成形体を形成する第３ステップ
と、前記半成形体を特定温度に一定時間保持するべく半
成形体全体を均一温度に加熱する第４ステップと、前記
半成形体を短時間で一定温度まで冷却させる第５ステッ
プと、この冷却させた半成形体を一定の温度勾配で一定
温度まで徐冷して超電導相（ＲＥＢa2Ｃu3ＯX ）と非超
電導相（ＲＥ2 ＢａＣｕＯX ）とを結晶成長させる第６
ステップとを有するものである。
超電導体の製造方法は、ＲＥＢａＣｕＯ系酸化物超電導
体（ＲＥはＹを含む希土類元素）を生成するための原料
としてＢａＣＯ3 とＣｕＯとを使用し、これらが溶融す
る一定温度下で前記原料を攪拌し、この原料中に不溶融
状態で混在・分離しようとするＹ2 Ｏ3 を均一に分散さ
せたのち急冷する第１ステップと、この急冷した原料材
にクラック発生防止用の添加剤を添加し粉砕・混合して
粉砕材を形成するとともに、所定形状の成形体を成型す
る第２ステップと、前記成形体を少なくとも半溶融温度
以上に加熱・溶融して半成形体を形成する第３ステップ
と、前記半成形体を特定温度に一定時間保持するべく半
成形体全体を均一温度に加熱する第４ステップと、前記
半成形体を短時間で一定温度まで冷却させる第５ステッ
プと、この冷却させた半成形体を一定の温度勾配で一定
温度まで徐冷して超電導相（ＲＥＢa2Ｃu3ＯX ）と非超
電導相（ＲＥ2 ＢａＣｕＯX ）とを結晶成長させる第６
ステップとを有するものである。
【０００６】
【作用】Ｙ2 Ｏ3 は溶融物中では沈澱したり凝集したり
する傾向が強いという現象を考慮し、第１ステップにお
いてＹ2 Ｏ3 が混在する溶融物を物理的に攪拌させるこ
とによってＹ2 Ｏ3 の凝集化等を防止することができ
る。これにより、Ｙ2 Ｏ3 はクエンチ（急冷）したアモ
ルファス中に均一に分散させることができるので、Ｙ2
Ｏ3 ＋Ｙ(211) ＋Ｌの反応の第４，第５ステップではＬ
相の中に均一なＹ(211) が生成される。また第６ステッ
プではＹ(211) ＋Ｌ→Ｙ(123) ＋Ｙ(211) の反応で、均
一に分散したＹ(211) が反応するので、未反応分である
Ｙ(211) がＹ(123) の中に均一に分散し、それがピン止
め点となる。このピン止め点におけるピン止め力は、非
超電導相Ｙ(211) を超電導相Ｙ(123) 内になるべく、微
細に均一に分散すれば強くなることが解っており、これ
によってピン止め力を大幅に増大することができるもの
である。
する傾向が強いという現象を考慮し、第１ステップにお
いてＹ2 Ｏ3 が混在する溶融物を物理的に攪拌させるこ
とによってＹ2 Ｏ3 の凝集化等を防止することができ
る。これにより、Ｙ2 Ｏ3 はクエンチ（急冷）したアモ
ルファス中に均一に分散させることができるので、Ｙ2
Ｏ3 ＋Ｙ(211) ＋Ｌの反応の第４，第５ステップではＬ
相の中に均一なＹ(211) が生成される。また第６ステッ
プではＹ(211) ＋Ｌ→Ｙ(123) ＋Ｙ(211) の反応で、均
一に分散したＹ(211) が反応するので、未反応分である
Ｙ(211) がＹ(123) の中に均一に分散し、それがピン止
め点となる。このピン止め点におけるピン止め力は、非
超電導相Ｙ(211) を超電導相Ｙ(123) 内になるべく、微
細に均一に分散すれば強くなることが解っており、これ
によってピン止め力を大幅に増大することができるもの
である。
【０００７】
【実施例】以下、この発明の一実施例について添付図面
を参照しながら説明する。図１はこの発明に係る酸化物
超電導体の製造方法を示すものであり、この製造方法
は、第１ステップ１〜第７ステップ７から構成されてい
る。第１ステップ１では、ＲＥＢａＣｕＯ系酸化物超電
導体（ＲＥはイットリウム（Ｙ）を含む希土類元素）を
生成するための所定原料粉を使用し、これを一旦溶融、
例えば図２に示すように１４５０℃まで加熱溶融する。
この原料粉としては、例えば、Ｙ2 Ｏ3 ，ＢａＣＯ3 ，
ＣｕＯを原料として使用し、これらをまず夫々イットリ
ウム（Ｙ），バリウム（Ｂａ），銅（Ｃｕ）の各当量比
が１．８：２．４：３．４となるように調合して、例え
ば自動乳鉢で約３時間程度混合する。次に、この混合し
た原料を約１４００℃で加熱・溶融させる。このとき、
つまり、１４００℃でＢａＣＯ3 とＣｕＯとが溶融して
いるときに、Ｙ2 Ｏ3 は溶融せず凝集・沈澱しやすい傾
向にあるので、これを防止するため均一にそのＹ2 Ｏ3
が分散するように、例えば白金棒等で攪拌する。このよ
うにして加熱溶融された原料を銅ブロック又は双ロール
等で急冷し、固化する。
を参照しながら説明する。図１はこの発明に係る酸化物
超電導体の製造方法を示すものであり、この製造方法
は、第１ステップ１〜第７ステップ７から構成されてい
る。第１ステップ１では、ＲＥＢａＣｕＯ系酸化物超電
導体（ＲＥはイットリウム（Ｙ）を含む希土類元素）を
生成するための所定原料粉を使用し、これを一旦溶融、
例えば図２に示すように１４５０℃まで加熱溶融する。
この原料粉としては、例えば、Ｙ2 Ｏ3 ，ＢａＣＯ3 ，
ＣｕＯを原料として使用し、これらをまず夫々イットリ
ウム（Ｙ），バリウム（Ｂａ），銅（Ｃｕ）の各当量比
が１．８：２．４：３．４となるように調合して、例え
ば自動乳鉢で約３時間程度混合する。次に、この混合し
た原料を約１４００℃で加熱・溶融させる。このとき、
つまり、１４００℃でＢａＣＯ3 とＣｕＯとが溶融して
いるときに、Ｙ2 Ｏ3 は溶融せず凝集・沈澱しやすい傾
向にあるので、これを防止するため均一にそのＹ2 Ｏ3
が分散するように、例えば白金棒等で攪拌する。このよ
うにして加熱溶融された原料を銅ブロック又は双ロール
等で急冷し、固化する。
【０００８】第２ステップ２では、第１ステップ１にお
いて急冷してペレット状等に形成した原料材をさらに細
かく粉砕して全体が均一になるよう万遍なく混合させた
ならば、次の第３ステップ３以降で発生するおそれのあ
るミクロクラックを有効に防止させるため、この原料材
（粉砕材）に添加剤として例えば粉末酸化銀（Ａg2Ｏ）
等をおよそ１０重量％程度添加して１０〜１５時間混合
し、粉砕材を形成する。さらに所定形状、例えば成形型
に先の粉砕材を投入するとともに上から押圧体によって
高圧で押下して、成形体を成型し、次の第３ステップ３
で使用する炉内へ投入しやすい状態にしておく。第３ス
テップ３では、第２ステップ２において成型した成形体
（原料材）を所定の容器に搭載させたものを電気炉内に
セットし、少なくとも半溶融可能な１０１０℃〜１２０
０℃好ましくは１１００〜１２００℃になる迄、特にこ
の実施例では図２に示すように１１２０℃迄約２時間〜
３時間程度の時間をかけて加熱し、半溶融状態にする
（以下これを半成形体とよぶ）。なお、このとき使用す
る容器としては、アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）やＹＳＺ（イ
ットリウム・スタビライズド・ジルコニア）で形成した
ものが好ましい。
いて急冷してペレット状等に形成した原料材をさらに細
かく粉砕して全体が均一になるよう万遍なく混合させた
ならば、次の第３ステップ３以降で発生するおそれのあ
るミクロクラックを有効に防止させるため、この原料材
（粉砕材）に添加剤として例えば粉末酸化銀（Ａg2Ｏ）
等をおよそ１０重量％程度添加して１０〜１５時間混合
し、粉砕材を形成する。さらに所定形状、例えば成形型
に先の粉砕材を投入するとともに上から押圧体によって
高圧で押下して、成形体を成型し、次の第３ステップ３
で使用する炉内へ投入しやすい状態にしておく。第３ス
テップ３では、第２ステップ２において成型した成形体
（原料材）を所定の容器に搭載させたものを電気炉内に
セットし、少なくとも半溶融可能な１０１０℃〜１２０
０℃好ましくは１１００〜１２００℃になる迄、特にこ
の実施例では図２に示すように１１２０℃迄約２時間〜
３時間程度の時間をかけて加熱し、半溶融状態にする
（以下これを半成形体とよぶ）。なお、このとき使用す
る容器としては、アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）やＹＳＺ（イ
ットリウム・スタビライズド・ジルコニア）で形成した
ものが好ましい。
【０００９】第４ステップ４では、半成形体（原料材）
を、炉内において特定温度の範囲内で、例えば１０１０
〜１２００℃（特に１１２０℃が好ましい）で一定時間
例えば３０分〜１時間程度（この実施例ではおよそ１時
間程度）保持・加熱し、半成形体（原料材）全体が均一
温度となるようにする。このような温度下において、こ
の半成形体には次のような反応、つまり Ｙ2 Ｏ3 ＋Ｌ（Ｂa Ｏ＋Ｃu Ｏ） →Ｙ2 Ｂa Ｃu Ｏ5 ＋Ｌ が第３ステップ３でほぼ完了しており、ピン止め中心点
となるＹ(211) 相、つまり非超電導体相Ｙ2 ＢａＣｕＯ
5 相が液相（Ｌ）中に均一に微細に分散した状態になっ
ている。なお、例えば連続成形により酸化物超電導体を
製造する場合には、特定温度に設定され、かつその温度
の保持時間に応じた長さの炉を使用することで対応する
ことができる。第５ステップ５では、第４ステップ４に
てＹ2 Ｂa Ｃu Ｏ5 相が形成された半成形体（原料材）
を、図２に示すように１０１０℃乃至１２００℃の炉内
温度から１０００℃迄短時間で、例えば１０分〜３０分
程度で冷却する。これにより、ピン止め点となる適当な
微細粒径のＹ2 ＢａＣｕＯ5 相（非超電導相）が液相中
に万遍なく均一に分散した状態で極めて多数個形成され
る。
を、炉内において特定温度の範囲内で、例えば１０１０
〜１２００℃（特に１１２０℃が好ましい）で一定時間
例えば３０分〜１時間程度（この実施例ではおよそ１時
間程度）保持・加熱し、半成形体（原料材）全体が均一
温度となるようにする。このような温度下において、こ
の半成形体には次のような反応、つまり Ｙ2 Ｏ3 ＋Ｌ（Ｂa Ｏ＋Ｃu Ｏ） →Ｙ2 Ｂa Ｃu Ｏ5 ＋Ｌ が第３ステップ３でほぼ完了しており、ピン止め中心点
となるＹ(211) 相、つまり非超電導体相Ｙ2 ＢａＣｕＯ
5 相が液相（Ｌ）中に均一に微細に分散した状態になっ
ている。なお、例えば連続成形により酸化物超電導体を
製造する場合には、特定温度に設定され、かつその温度
の保持時間に応じた長さの炉を使用することで対応する
ことができる。第５ステップ５では、第４ステップ４に
てＹ2 Ｂa Ｃu Ｏ5 相が形成された半成形体（原料材）
を、図２に示すように１０１０℃乃至１２００℃の炉内
温度から１０００℃迄短時間で、例えば１０分〜３０分
程度で冷却する。これにより、ピン止め点となる適当な
微細粒径のＹ2 ＢａＣｕＯ5 相（非超電導相）が液相中
に万遍なく均一に分散した状態で極めて多数個形成され
る。
【００１０】第６ステップ６では、第５ステップ５まで
に形成された半成形体（原料材）を、例えば１０００℃
から特定温度、即ち凝固反応や固相拡散反応をおこして
完全に結晶成長する８００℃迄図２に示すように一定の
冷却速度、例えば０．５〜１．０℃／時のような徐冷を
行う。これにより、次のような反応、つまり ２Ｙ2 ＢａＣｕＯ5 ＋Ｌ（３ＢａＣｕＯ2 ＋２ＣｕＯ） →２ＹＢａ2 Ｃｕ3 ＯX ＋Ｙ2 ＢａＣｕＯ5 がおこり、Ｙ(123) 相、つまり超電導相ＹＢa2Ｃu3ＯX
が大きく、かつ確実に結晶成長するとともに、隣り合う
結晶どうしが連結し、より一層大きく連結した結晶が形
成されるのである。なお、このとき微細分散した未反応
分のＹ2 ＢａＣｕＯ5 が結晶中にピン止め点として残留
し、これが外部磁場内でピン止め力を発生する。第７ス
テップ７では、第６ステップ６にて形成した超電導相に
応力が残らないように徐冷し、例えば６００℃以下で炉
内へ酸素（Ｏ2 ）を充分吹込み酸化させて酸素アニール
を行う。このようにして、常温まで徐冷していくと、所
望の形状の酸化物超電導体が形成される。従って、この
実施例によれば、超電導相の結晶中においてピン止め点
となる非超電導相が均一に、しかも多数、つまり単位面
積当りの非超電導相数が従来のものに比べ大幅に増大す
るので、単位面積当りのピン止め力も大幅に増大する。
に形成された半成形体（原料材）を、例えば１０００℃
から特定温度、即ち凝固反応や固相拡散反応をおこして
完全に結晶成長する８００℃迄図２に示すように一定の
冷却速度、例えば０．５〜１．０℃／時のような徐冷を
行う。これにより、次のような反応、つまり ２Ｙ2 ＢａＣｕＯ5 ＋Ｌ（３ＢａＣｕＯ2 ＋２ＣｕＯ） →２ＹＢａ2 Ｃｕ3 ＯX ＋Ｙ2 ＢａＣｕＯ5 がおこり、Ｙ(123) 相、つまり超電導相ＹＢa2Ｃu3ＯX
が大きく、かつ確実に結晶成長するとともに、隣り合う
結晶どうしが連結し、より一層大きく連結した結晶が形
成されるのである。なお、このとき微細分散した未反応
分のＹ2 ＢａＣｕＯ5 が結晶中にピン止め点として残留
し、これが外部磁場内でピン止め力を発生する。第７ス
テップ７では、第６ステップ６にて形成した超電導相に
応力が残らないように徐冷し、例えば６００℃以下で炉
内へ酸素（Ｏ2 ）を充分吹込み酸化させて酸素アニール
を行う。このようにして、常温まで徐冷していくと、所
望の形状の酸化物超電導体が形成される。従って、この
実施例によれば、超電導相の結晶中においてピン止め点
となる非超電導相が均一に、しかも多数、つまり単位面
積当りの非超電導相数が従来のものに比べ大幅に増大す
るので、単位面積当りのピン止め力も大幅に増大する。
【００１１】
【発明の効果】以上説明してきたように、この発明に係
る酸化物超電導体の製造方法によれば、溶融時に機械的
に攪拌操作を行うことにより、Ｙ2 Ｏ3 を溶融物の中に
均一に分散させることができる。これにより、溶融物の
中で溶けず、沈澱・凝集し、大きなかたまりとなる傾向
があるＹ2Ｏ3 が均一に分散されることにより、最終的
にピン止め点となる非超電導相（Ｙ(211) 相）が結晶中
に微細分散することになる。このようにして、非超電導
相（Ｙ(211) 相）を均一に、微細分散すれば、ピン止め
力が大幅に向上することが判明しており、その結果浮上
力（外部磁場による）の大幅な増大を図ることができ、
極めて高品質の酸化物超電導体を製造できる。
る酸化物超電導体の製造方法によれば、溶融時に機械的
に攪拌操作を行うことにより、Ｙ2 Ｏ3 を溶融物の中に
均一に分散させることができる。これにより、溶融物の
中で溶けず、沈澱・凝集し、大きなかたまりとなる傾向
があるＹ2Ｏ3 が均一に分散されることにより、最終的
にピン止め点となる非超電導相（Ｙ(211) 相）が結晶中
に微細分散することになる。このようにして、非超電導
相（Ｙ(211) 相）を均一に、微細分散すれば、ピン止め
力が大幅に向上することが判明しており、その結果浮上
力（外部磁場による）の大幅な増大を図ることができ、
極めて高品質の酸化物超電導体を製造できる。
【図１】この発明に係る酸化物超電導体の製造方法を示
す工程図である。
す工程図である。
【図２】図１による方法で酸化物超電導体を形成すると
きの各ステップにおける温度の時間的推移を示すグラフ
である。
きの各ステップにおける温度の時間的推移を示すグラフ
である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 39/24 ＺＡＡ Ｚ 8728−4Ｍ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 ＲＥＢａＣｕＯ系酸化物超電導体（ＲＥ
はＹを含む希土類元素）を生成するための原料としてＢ
ａＣＯ3 とＣｕＯとを使用し、これらが溶融する一定温
度下で前記原料を攪拌し、この原料中に不溶融状態で混
在・分離しようとするＹ2 Ｏ3 を均一に分散させたのち
急冷する第１ステップと、 この急冷した原料材にクラック発生防止用の添加剤を添
加し粉砕・混合して粉砕材を形成するとともに、所定形
状の成形体を成型する第２ステップと、 前記成形体を少なくとも半溶融温度以上に加熱・溶融し
て半成形体を形成する第３ステップと、 前記半成形体を特定温度に一定時間保持するべく半成形
体全体を均一温度に加熱する第４ステップと、 前記半成形体を短時間で一定温度まで冷却させる第５ス
テップと、 この冷却させた半成形体を一定の温度勾配で一定温度ま
で徐冷して超電導相（ＲＥＢa2Ｃu3ＯX ）と非超電導相
（ＲＥ2 ＢａＣｕＯX ）とを結晶成長させる第６ステッ
プとを有する酸化物超電導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3209829A JPH0532415A (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 酸化物超電導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3209829A JPH0532415A (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 酸化物超電導体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0532415A true JPH0532415A (ja) | 1993-02-09 |
Family
ID=16579311
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3209829A Pending JPH0532415A (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 酸化物超電導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0532415A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114678200A (zh) * | 2020-05-20 | 2022-06-28 | 阿里巴巴集团控股有限公司 | 电感元件的制备方法、设备、电感元件及超导电路 |
-
1991
- 1991-07-26 JP JP3209829A patent/JPH0532415A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114678200A (zh) * | 2020-05-20 | 2022-06-28 | 阿里巴巴集团控股有限公司 | 电感元件的制备方法、设备、电感元件及超导电路 |
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