JPH05315547A - 抵抗素子およびその製造方法 - Google Patents
抵抗素子およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH05315547A JPH05315547A JP12050392A JP12050392A JPH05315547A JP H05315547 A JPH05315547 A JP H05315547A JP 12050392 A JP12050392 A JP 12050392A JP 12050392 A JP12050392 A JP 12050392A JP H05315547 A JPH05315547 A JP H05315547A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- substrate
- atoms
- impurity
- region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、その抵抗値が設計値と精度よく一
致させて形成可能であり、形成後の抵抗値が安定な構造
の化合物半導体ＬＳＩの構成要素である抵抗素子および
その製造方法を提供することを目的とする。 【構成】 半絶縁性ＧａＡｓ基板１表面を含む領域に、
基板１を構成するＧａ原子の一部をｎ型不純物であるＳ
ｉ原子で置換されたｎ型活性層である抵抗体層２と、抵
抗体層２の隣接下方に基板１を構成するＧａ原子の一部
をＢｅ原子で置換させたｎ極性とは反対極性のｐ型活性
層である障壁層３と、抵抗体層２の縦方向両端近傍で抵
抗体層２に接続される第１電極４および第２電極５で構
成される。抵抗体層２と障壁層３の境界部は空乏化して
いる。
致させて形成可能であり、形成後の抵抗値が安定な構造
の化合物半導体ＬＳＩの構成要素である抵抗素子および
その製造方法を提供することを目的とする。 【構成】 半絶縁性ＧａＡｓ基板１表面を含む領域に、
基板１を構成するＧａ原子の一部をｎ型不純物であるＳ
ｉ原子で置換されたｎ型活性層である抵抗体層２と、抵
抗体層２の隣接下方に基板１を構成するＧａ原子の一部
をＢｅ原子で置換させたｎ極性とは反対極性のｐ型活性
層である障壁層３と、抵抗体層２の縦方向両端近傍で抵
抗体層２に接続される第１電極４および第２電極５で構
成される。抵抗体層２と障壁層３の境界部は空乏化して
いる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、化合物半導体を使用す
る集積回路の構成要素である抵抗素子に関するものであ
る。
る集積回路の構成要素である抵抗素子に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】化合物半導体を使用する大規模集積回路
（以後、化合物半導体ＬＳＩと呼ぶ）を構成する素子の
一つに、トランジスタ素子への印加バイアス電圧を決定
したり、回路網内での帰還量を決定するための抵抗素子
がある。従来、化合物半導体ＬＳＩ内に実装される抵抗
素子として、半絶縁化された化合物半導体材料でできた
基板の所定領域に、ｎ型またはｐ型の薄膜状活性層（以
後、抵抗層と呼ぶ）を形成することによって得られるも
のが知られている。
（以後、化合物半導体ＬＳＩと呼ぶ）を構成する素子の
一つに、トランジスタ素子への印加バイアス電圧を決定
したり、回路網内での帰還量を決定するための抵抗素子
がある。従来、化合物半導体ＬＳＩ内に実装される抵抗
素子として、半絶縁化された化合物半導体材料でできた
基板の所定領域に、ｎ型またはｐ型の薄膜状活性層（以
後、抵抗層と呼ぶ）を形成することによって得られるも
のが知られている。
【０００３】図３は、以上のようにして得られる抵抗素
子の構成図であり、図３（ａ）はこの抵抗素子の平面図
を、図３（ｂ）は縦断面図を示す。図示のとうり、半絶
縁化された基板１内に、イオン注入法によるｎ型または
ｐ型不純物注入の後、アニール法により不純物濃度を均
一化した基板表面を含む所定領域に抵抗体層２が形成さ
れる。抵抗体層２の両端には、それぞれ、第１電極４お
よび第２電極５が接続され、電圧の印加および電流の経
路に使用される。抵抗素子の形成にあたっては、注入不
純物濃度、不純物注入エネルギ、不純物注入領域を調整
して、抵抗体層の形状および平均抵抗率を決定し、意図
する抵抗値の抵抗素子を得ている。
子の構成図であり、図３（ａ）はこの抵抗素子の平面図
を、図３（ｂ）は縦断面図を示す。図示のとうり、半絶
縁化された基板１内に、イオン注入法によるｎ型または
ｐ型不純物注入の後、アニール法により不純物濃度を均
一化した基板表面を含む所定領域に抵抗体層２が形成さ
れる。抵抗体層２の両端には、それぞれ、第１電極４お
よび第２電極５が接続され、電圧の印加および電流の経
路に使用される。抵抗素子の形成にあたっては、注入不
純物濃度、不純物注入エネルギ、不純物注入領域を調整
して、抵抗体層の形状および平均抵抗率を決定し、意図
する抵抗値の抵抗素子を得ている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】半絶縁化された基板中
に形成された活性層中の不純物は、化合物半導体ＬＳＩ
のアニール後に製造過程で生じる高温プロセスで拡散す
ることが知られている。この拡散は、微視的には不純物
が置換した原子の原子面に沿って進行するが、不純物の
混入が多数の原子面に及び、かつ原子面が基板表面と斜
交差する化合物半導体へのイオン注入などの場合には、
巨視的には等方的に進行する。従来の化合物半導体ＬＳ
Ｉ中の抵抗素子では、この拡散を抑制することは不可能
であり、抵抗体層の形状および平均抵抗率の変化にとも
ない抵抗値が変化する。この抵抗値の変化は、正確な制
御が不可能であり、実装した抵抗素子の抵抗値の設計値
からの誤差となって現れていた。
に形成された活性層中の不純物は、化合物半導体ＬＳＩ
のアニール後に製造過程で生じる高温プロセスで拡散す
ることが知られている。この拡散は、微視的には不純物
が置換した原子の原子面に沿って進行するが、不純物の
混入が多数の原子面に及び、かつ原子面が基板表面と斜
交差する化合物半導体へのイオン注入などの場合には、
巨視的には等方的に進行する。従来の化合物半導体ＬＳ
Ｉ中の抵抗素子では、この拡散を抑制することは不可能
であり、抵抗体層の形状および平均抵抗率の変化にとも
ない抵抗値が変化する。この抵抗値の変化は、正確な制
御が不可能であり、実装した抵抗素子の抵抗値の設計値
からの誤差となって現れていた。
【０００５】本発明は、以上の問題点を解消するために
なされたもので、その抵抗値が設計値と精度よく一致さ
せて形成可能であり形成後の抵抗値が安定な、化合物半
導体ＬＳＩの構成要素である抵抗素子およびその製造方
法を提供することを目的とする。
なされたもので、その抵抗値が設計値と精度よく一致さ
せて形成可能であり形成後の抵抗値が安定な、化合物半
導体ＬＳＩの構成要素である抵抗素子およびその製造方
法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の抵抗素子は、抵
抗体層である基板表面を含む所定領域に形成された第１
の極性型活性層と、抵抗体層の基板内隣接部中、少なく
とも深層部を含む領域に、抵抗体層を活性化した第１の
極性型不純物が置換した原子と同一種の原子を第２の不
純物で置換し、第１の極性と反対極性であるの第２の極
性型活性層（以後、障壁層と呼ぶ）とを備える構造を有
することを特徴とする。
抗体層である基板表面を含む所定領域に形成された第１
の極性型活性層と、抵抗体層の基板内隣接部中、少なく
とも深層部を含む領域に、抵抗体層を活性化した第１の
極性型不純物が置換した原子と同一種の原子を第２の不
純物で置換し、第１の極性と反対極性であるの第２の極
性型活性層（以後、障壁層と呼ぶ）とを備える構造を有
することを特徴とする。
【０００７】また、本発明の抵抗素子の製造方法は、半
絶縁性の化合物半導体基板に、イオン注入法により、注
入領域において前記化合物半導体を構成する特定種の原
子と置き変わり、第１の極性型活性を発現させる第１の
不純物原子を注入する第１の工程と、同じくイオン注入
法により、第１の工程で注入した第１の不純物の平均到
達深さ距離より大きな平均到達深さ距離となるようなエ
ネルギを付与して、注入領域において前記の特定種の原
子と同一種の原子の一部置き変わり、第１の極性と反対
極性である第２の極性型活性を発現させる第２の不純物
を注入する第２の工程と、アニーリング法を使用して注
入した二種の不純物の注入領域の活性化を促し、基板表
面を含む基板内部領域に、第１の極性型活性を持つ抵抗
体層を、抵抗体層の基板内隣接部の内、深層部を含む領
域に第２の極性型活性を持つ障壁層を形成する第３の工
程とを有することを特徴とする。
絶縁性の化合物半導体基板に、イオン注入法により、注
入領域において前記化合物半導体を構成する特定種の原
子と置き変わり、第１の極性型活性を発現させる第１の
不純物原子を注入する第１の工程と、同じくイオン注入
法により、第１の工程で注入した第１の不純物の平均到
達深さ距離より大きな平均到達深さ距離となるようなエ
ネルギを付与して、注入領域において前記の特定種の原
子と同一種の原子の一部置き変わり、第１の極性と反対
極性である第２の極性型活性を発現させる第２の不純物
を注入する第２の工程と、アニーリング法を使用して注
入した二種の不純物の注入領域の活性化を促し、基板表
面を含む基板内部領域に、第１の極性型活性を持つ抵抗
体層を、抵抗体層の基板内隣接部の内、深層部を含む領
域に第２の極性型活性を持つ障壁層を形成する第３の工
程とを有することを特徴とする。
【０００８】
【作用】本発明の発明者は実験により、化合物半導体中
の特定種原子を置換した不純物は、その不純物が含まれ
ることで活性化する極性と反対極性活性を、同一種の原
子を別の不純物で置換した結果として具備する層内にお
いて、またはこの層を越えては拡散しないという結果を
得ている。
の特定種原子を置換した不純物は、その不純物が含まれ
ることで活性化する極性と反対極性活性を、同一種の原
子を別の不純物で置換した結果として具備する層内にお
いて、またはこの層を越えては拡散しないという結果を
得ている。
【０００９】以上の結果に鑑み、本発明の抵抗素子によ
れば、抵抗層に含まれる不純物の拡散を厚さ方向に関し
て、抵抗体層の隣接深層部を含む領域に形成した障壁層
によって抑止するので、抵抗体層形成後の化合物半導体
集積回路製作工程および実使用における通電動作におい
ても抵抗体層の形状変化を抑制可能であり、従来に比べ
て精度良く一定の抵抗値を維持できる。
れば、抵抗層に含まれる不純物の拡散を厚さ方向に関し
て、抵抗体層の隣接深層部を含む領域に形成した障壁層
によって抑止するので、抵抗体層形成後の化合物半導体
集積回路製作工程および実使用における通電動作におい
ても抵抗体層の形状変化を抑制可能であり、従来に比べ
て精度良く一定の抵抗値を維持できる。
【００１０】また本発明の抵抗素子の製造方法によれ
ば、設計時の抵抗値を精度良く付与した抵抗素子を安定
して製造できる。
ば、設計時の抵抗値を精度良く付与した抵抗素子を安定
して製造できる。
【００１１】
【実施例】本発明の実施例を図面を参照して説明する。
図１は第１実施例に係わる抵抗素子の斜視図であり、図
１（ａ）はその平面図であり、図１（ｂ）は横断面図で
ある。この抵抗素子は、半絶縁性ＧａＡｓ基板１の表面
を含む所定領域に、基板１を構成するＧａ原子の一部を
ｎ型不純物であるＳｉ原子で置換されたｎ型活性層であ
る抵抗体層２と、抵抗体層２の隣接深層領域に基板１を
構成するＧａ原子の一部をＢｅ原子で置換させたｐ型活
性層である障壁層３と、抵抗体層２の両端近傍で抵抗体
層２に接続される第１電極４および第２電極５で構成さ
れる。ｎ型活性層とｐ型活性層の接する、抵抗体層２と
障壁層３の境界部は空乏化している。
図１は第１実施例に係わる抵抗素子の斜視図であり、図
１（ａ）はその平面図であり、図１（ｂ）は横断面図で
ある。この抵抗素子は、半絶縁性ＧａＡｓ基板１の表面
を含む所定領域に、基板１を構成するＧａ原子の一部を
ｎ型不純物であるＳｉ原子で置換されたｎ型活性層であ
る抵抗体層２と、抵抗体層２の隣接深層領域に基板１を
構成するＧａ原子の一部をＢｅ原子で置換させたｐ型活
性層である障壁層３と、抵抗体層２の両端近傍で抵抗体
層２に接続される第１電極４および第２電極５で構成さ
れる。ｎ型活性層とｐ型活性層の接する、抵抗体層２と
障壁層３の境界部は空乏化している。
【００１２】上記のような構造で抵抗素子を構成するの
で、抵抗体層２中のｎ型不純物であるＳｉ原子は、抵抗
値の変化が大きな基板表面垂直方向への拡散が、ｐ型活
性層である障壁層３によって抑止されるので、一度形成
されたこの抵抗素子の抵抗値は以後安定して維持され
る。
で、抵抗体層２中のｎ型不純物であるＳｉ原子は、抵抗
値の変化が大きな基板表面垂直方向への拡散が、ｐ型活
性層である障壁層３によって抑止されるので、一度形成
されたこの抵抗素子の抵抗値は以後安定して維持され
る。
【００１３】この抵抗素子は、図２に示す工程で製作さ
れる。
れる。
【００１４】まず、半絶縁化されたＧａＡｓ基板２の所
定表面領域下に、イオン注入法を使用して、ｎ型不純物
であるＳｉ原子のイオンを、加速エネルギ＝５０ｋｅ
Ｖ、注入イオン濃度＝２．０×１０12ｃｍ-2で注入し
て、抵抗体層となるべきｎ型注入層２１（以後、前抵抗
体層と呼ぶ）を形成する（図２（ａ））。
定表面領域下に、イオン注入法を使用して、ｎ型不純物
であるＳｉ原子のイオンを、加速エネルギ＝５０ｋｅ
Ｖ、注入イオン濃度＝２．０×１０12ｃｍ-2で注入し
て、抵抗体層となるべきｎ型注入層２１（以後、前抵抗
体層と呼ぶ）を形成する（図２（ａ））。
【００１５】次いで、前抵抗体層２１の深層に、イオン
注入法を使用して、ｐ型不純物であるＢｅ原子のイオン
を、加速エネルギ＝１００ｋｅＶ、注入イオン濃度＝
１．０×１０11ｃｍ-2で注入して、障壁層となるべきｐ
型注入層３１（以後、前障壁層と呼ぶ）を形成する（図
２（ｂ））。
注入法を使用して、ｐ型不純物であるＢｅ原子のイオン
を、加速エネルギ＝１００ｋｅＶ、注入イオン濃度＝
１．０×１０11ｃｍ-2で注入して、障壁層となるべきｐ
型注入層３１（以後、前障壁層と呼ぶ）を形成する（図
２（ｂ））。
【００１６】引き続き、アニ−ルを施して、前抵抗体層
２１内のＧａ原子を置換したＳｉ原子分布および前障壁
層３１内のＧａ原子を置換したＢｅ原子分布を平滑化
し、設計時に意図した形状と抵抗率を持つ抵抗体層２お
よび、抵抗体層２の表面垂直方向への変形を抑止する障
壁層３を形成する。この平滑化過程で抵抗体層２と障壁
層３の境界部は空乏化する。この後、抵抗体層２の両端
でこの層と接続する第１電極４および第２電極５を形成
する（図２（ｃ））。
２１内のＧａ原子を置換したＳｉ原子分布および前障壁
層３１内のＧａ原子を置換したＢｅ原子分布を平滑化
し、設計時に意図した形状と抵抗率を持つ抵抗体層２お
よび、抵抗体層２の表面垂直方向への変形を抑止する障
壁層３を形成する。この平滑化過程で抵抗体層２と障壁
層３の境界部は空乏化する。この後、抵抗体層２の両端
でこの層と接続する第１電極４および第２電極５を形成
する（図２（ｃ））。
【００１７】つぎに、第２実施例に関して説明する。第
２実施例の抵抗素子の構成図は第１実施例と同一であ
り、抵抗体層２の不純物原子種と活性型および障壁層３
の不純物原子種が異なる。この抵抗素子では、抵抗体層
２の不純物原子種はＢｅであり、活性型はｐ型である。
また、障壁層３の不純物原子種はＳｉであり、活性型は
ｎ型である。
２実施例の抵抗素子の構成図は第１実施例と同一であ
り、抵抗体層２の不純物原子種と活性型および障壁層３
の不純物原子種が異なる。この抵抗素子では、抵抗体層
２の不純物原子種はＢｅであり、活性型はｐ型である。
また、障壁層３の不純物原子種はＳｉであり、活性型は
ｎ型である。
【００１８】上記のような構造で抵抗素子を構成するの
で、抵抗体層２中のｐ型不純物であるＢｅ原子は、抵抗
値の変化が大きな基板表面垂直方向への拡散が、ｎ型活
性層である障壁層３によって抑止されるので、第１実施
例と同様に、一度形成されたこの抵抗素子の抵抗値は以
後安定して維持される。
で、抵抗体層２中のｐ型不純物であるＢｅ原子は、抵抗
値の変化が大きな基板表面垂直方向への拡散が、ｎ型活
性層である障壁層３によって抑止されるので、第１実施
例と同様に、一度形成されたこの抵抗素子の抵抗値は以
後安定して維持される。
【００１９】この抵抗素子の製造工程は、図２で示され
る第１実施例の製造工程と同様であり、注入する不純物
イオン種、加速エネルギ、および注入イオン濃度が異な
る。前抵抗体層２１を形成する際には、Ｂｅ原子イオン
を、加速エネルギ＝１０ｋｅＶ、注入イオン濃度＝２．
０×１０13ｃｍ-2で基板に注入する。また、前障壁層３
１を形成する際には、Ｓｉ原子イオンを、加速エネルギ
＝１００ｋｅＶ、注入イオン濃度＝２．０×１０11ｃｍ
-2で基板に注入する。
る第１実施例の製造工程と同様であり、注入する不純物
イオン種、加速エネルギ、および注入イオン濃度が異な
る。前抵抗体層２１を形成する際には、Ｂｅ原子イオン
を、加速エネルギ＝１０ｋｅＶ、注入イオン濃度＝２．
０×１０13ｃｍ-2で基板に注入する。また、前障壁層３
１を形成する際には、Ｓｉ原子イオンを、加速エネルギ
＝１００ｋｅＶ、注入イオン濃度＝２．０×１０11ｃｍ
-2で基板に注入する。
【００２０】本発明は、上記実施例に限定されるもので
はなく、様々な変形が可能である。
はなく、様々な変形が可能である。
【００２１】例えば、第１実施例、第２実施例の基板材
料である化合物半導体は、ＧａＡｓ以外にＩｎＰなどを
使用してもよいし、注入不純物種は、Ｓｉ原子とＢｅ原
子の組み合わせ以外に、例えばＳｎ原子とＢｅ原子の組
み合わせのような，基板材料の化合物半導体を構成する
原子種の内、同一種の原子を置換し異なる活性型を生じ
させる１組の原子を、基板材料等を考慮して使用しても
よい。また、障壁層は抵抗体層に隣接した深層領域での
みでなく、隣接領域全体に形成してもよい。
料である化合物半導体は、ＧａＡｓ以外にＩｎＰなどを
使用してもよいし、注入不純物種は、Ｓｉ原子とＢｅ原
子の組み合わせ以外に、例えばＳｎ原子とＢｅ原子の組
み合わせのような，基板材料の化合物半導体を構成する
原子種の内、同一種の原子を置換し異なる活性型を生じ
させる１組の原子を、基板材料等を考慮して使用しても
よい。また、障壁層は抵抗体層に隣接した深層領域での
みでなく、隣接領域全体に形成してもよい。
【００２２】
【発明の効果】以上、詳細に説明した通り本発明の抵抗
素子によれば、抵抗形成後の化合物半導体ＬＳＩ製作工
程および実使用における通電動作においても、精度良く
一定の抵抗値を維持できるので、ＬＳＩが安定して動作
可能となる。また本発明の抵抗素子の製造方法によれ
ば、設計時の抵抗値を精度良く付与した抵抗素子を安定
して製造できるとともに、ひいては化合物半導体ＬＳＩ
の品質を向上できる。
素子によれば、抵抗形成後の化合物半導体ＬＳＩ製作工
程および実使用における通電動作においても、精度良く
一定の抵抗値を維持できるので、ＬＳＩが安定して動作
可能となる。また本発明の抵抗素子の製造方法によれ
ば、設計時の抵抗値を精度良く付与した抵抗素子を安定
して製造できるとともに、ひいては化合物半導体ＬＳＩ
の品質を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１の抵抗素子の平面図および横断面図で
ある。
ある。
【図２】図１に示す抵抗素子の製造工程図である。
【図３】従来の抵抗素子の平面図および横断面図であ
る。
る。
１…半絶縁性化合物半導体基板，２…抵抗体層，２１…
前抵抗体層，３…障壁層，３１…前障壁層，４…第１電
極，５…第２電極。
前抵抗体層，３…障壁層，３１…前障壁層，４…第１電
極，５…第２電極。
Claims (2)
- 【請求項１】 半絶縁化された化合物半導体材料からな
る基板の表面を含む第１の領域内で、前記化合物半導体
を構成する特定種の原子の一部が第１の不純物原子に置
き換えられることにより形成された、第１の極性型活性
を持つ第１の層と、 前記第１の領域に隣接する前記基板内の領域の内、少な
くとも前記第１の領域の深層部を含む第２の領域内で、
前記特定種の原子と同一種の原子の一部が第２の不純物
原子に置き換えられることにより形成された、第２の極
性型活性を持つ第２の層と、 を備えることを特徴とする抵抗素子。 - 【請求項２】 半絶縁化された化合物半導体を材料とす
る基板に、イオン注入法により、注入領域において前記
化合物半導体を構成する特定種の原子と置き換わり、第
１の極性型活性を発現させる第１の不純物原子を注入す
る第１の工程と、 前記基板に、イオン注入法により、前記第１の不純物を
注入した前記基板表面領域を含む基板表面領域を対象と
して、注入領域において前記特定種の原子と同一種の原
子の一部と置き換わり、第２の極性型活性を発現させる
第２の不純物を、前記第１の不純物の平均到達深さより
大きな平均到達深さとなるようなエネルギで注入する第
２の工程と、 アニーリング法により、前記基板中の前記二種の不純物
の注入領域を活性化する第３の工程と、 を有することを特徴とする抵抗素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12050392A JPH05315547A (ja) | 1992-05-13 | 1992-05-13 | 抵抗素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12050392A JPH05315547A (ja) | 1992-05-13 | 1992-05-13 | 抵抗素子およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05315547A true JPH05315547A (ja) | 1993-11-26 |
Family
ID=14787812
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12050392A Pending JPH05315547A (ja) | 1992-05-13 | 1992-05-13 | 抵抗素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05315547A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1158584A2 (en) * | 2000-05-24 | 2001-11-28 | Sony Corporation | Semiconductor device having semiconductor resistance element and fabrication method thereof |
-
1992
- 1992-05-13 JP JP12050392A patent/JPH05315547A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1158584A2 (en) * | 2000-05-24 | 2001-11-28 | Sony Corporation | Semiconductor device having semiconductor resistance element and fabrication method thereof |
| US6667538B2 (en) * | 2000-05-24 | 2003-12-23 | Sony Corporation | Semiconductor device having semiconductor resistance element and fabrication method thereof |
| US6902992B2 (en) | 2000-05-24 | 2005-06-07 | Sony Corporation | Method of fabricating semiconductor device having semiconductor resistance element |
| EP1158584A3 (en) * | 2000-05-24 | 2007-01-03 | Sony Corporation | Semiconductor device having semiconductor resistance element and fabrication method thereof |
| JP4599660B2 (ja) * | 2000-05-24 | 2010-12-15 | ソニー株式会社 | 半導体抵抗素子を有する半導体装置とその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE3752191T2 (de) | Selbstausrichtender Feldeffekttransistor für ultrahohe Frequenz und Methode zur Herstellung desselben | |
| US4242691A (en) | MOS Semiconductor device | |
| US4283236A (en) | Method of fabricating lateral PNP transistors utilizing selective diffusion and counter doping | |
| DE69324630T2 (de) | Dotierungsverfahren, Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| US5227315A (en) | Process of introduction and diffusion of platinum ions in a slice of silicon | |
| JPS61181161A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6399577A (ja) | 金属半導体電界効果トランジスタ | |
| JPS61501807A (ja) | 集積回路電極形成方法 | |
| US4432008A (en) | Gold-doped IC resistor region | |
| DE3685842T2 (de) | Verfahren zur herstellung eines ohmischen kontaktes auf einem iii-v halbleiter und hergestelltes halbleiterzwischenprodukt. | |
| JPH05315547A (ja) | 抵抗素子およびその製造方法 | |
| USH291H (en) | Fully ion implanted junction field effect transistor | |
| DE1803026C3 (de) | Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| US4089103A (en) | Monolithic integrated circuit device construction methods | |
| US6902992B2 (en) | Method of fabricating semiconductor device having semiconductor resistance element | |
| DE2627922A1 (de) | Halbleiterbauteil | |
| JP3189847B2 (ja) | 化合物半導体集積回路 | |
| JPH07254641A (ja) | 高抵抗領域及び低抵抗領域を有するＡｌＧａＡｓ半導体デバイス製作方法 | |
| JPS62198162A (ja) | Ｍｏｓトランジスタ及びその製造方法 | |
| JP2709086B2 (ja) | 半導体装置の電極形成方法 | |
| JPS63226922A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0226781B2 (ja) | ||
| JP3119168B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH0132669B2 (ja) | ||
| KR100260363B1 (ko) | 반도체 소자의 게이트 전극 및 그 형성방법 |