JPH053146A - Ｘ線露光法 - Google Patents
Ｘ線露光法Info
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- JPH053146A JPH053146A JP3232944A JP23294491A JPH053146A JP H053146 A JPH053146 A JP H053146A JP 3232944 A JP3232944 A JP 3232944A JP 23294491 A JP23294491 A JP 23294491A JP H053146 A JPH053146 A JP H053146A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims abstract description 37
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 12
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 claims description 2
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 6
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 abstract 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000011160 research Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- -1 argon ions Chemical class 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/7035—Proximity or contact printers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】Ｘ線露光法において、解像性を向上させるため
に、光露光法に用いられる位相シフト法の概念の適用を
検討した。その結果、Ｘ線マスクの吸収体パターン側壁
に適当な屈折率を有する材料からなる位相シフト層を設
け、干渉効果により解像性を向上させる方法を考案し
た。 【構成】本発明はＸ線露光法において、Ｘ線マスク２の
吸収体パターン５側壁に吸収体と異なる屈折率を有する
材料からなる層１４を、１層以上形成することを特徴と
する。 【効果】側壁に形成された層１４を透過したＸ線９は位
相が進み、通常部分からの透過Ｘ線６との干渉が生ず
る。この結果、Ｘ線マスク透過光の露光強度分布１０が
急峻化され、転写パターンの解像性向上を可能とした。
に、光露光法に用いられる位相シフト法の概念の適用を
検討した。その結果、Ｘ線マスクの吸収体パターン側壁
に適当な屈折率を有する材料からなる位相シフト層を設
け、干渉効果により解像性を向上させる方法を考案し
た。 【構成】本発明はＸ線露光法において、Ｘ線マスク２の
吸収体パターン５側壁に吸収体と異なる屈折率を有する
材料からなる層１４を、１層以上形成することを特徴と
する。 【効果】側壁に形成された層１４を透過したＸ線９は位
相が進み、通常部分からの透過Ｘ線６との干渉が生ず
る。この結果、Ｘ線マスク透過光の露光強度分布１０が
急峻化され、転写パターンの解像性向上を可能とした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体素子の製造方法に
係り、特に軟Ｘ線を用いてマスク上のパターンを基板上
に転写するＸ線露光法に関する。
係り、特に軟Ｘ線を用いてマスク上のパターンを基板上
に転写するＸ線露光法に関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｘ線露光法はＸ線透過支持膜と吸収体パ
ターンからなるマスクに軟Ｘ線を照射し、マスク透過光
により基板上に所望のパターンを転写する半導体製造工
程である。軟Ｘ線は、従来の光露光法に用いられる紫外
線と比べて波長が２桁程度短いため、フレネル回折の影
響を低減し高い解像性を得ることが可能となる。
ターンからなるマスクに軟Ｘ線を照射し、マスク透過光
により基板上に所望のパターンを転写する半導体製造工
程である。軟Ｘ線は、従来の光露光法に用いられる紫外
線と比べて波長が２桁程度短いため、フレネル回折の影
響を低減し高い解像性を得ることが可能となる。
【０００３】しかし、Ｘ線露光法においてもサブミクロ
ンの領域ではフレネル回折の影響により解像性の劣化が
生ずる。このため例えば、長谷川、他、マイクロ・エレ
クトロニック・エンジニアリング、第９巻、（１９８
９）、１２７〜１３０頁、または特開平２ー５２４１６
号において論じられているように、Ｘ線の干渉効果を利
用して解像性を向上させる試みが行なわれている。本方
法は図１(ａ)に示すように従来矩形であった吸収体パタ
ーン５の側壁を、Ｘ線の光路長を変化させるために図１
(ｂ)に示すようにテーパ形状８等に加工することを特徴
とする。この結果吸収体の側壁を透過するＸ線９の位相
が通常の透過部分からのＸ線６に対して進み、６のフレ
ネル回折による露光強度の拡がりと干渉し合うため、透
過Ｘ線の露光強度分布１０が急峻化され、解像性の向上
を図ることが可能となる。
ンの領域ではフレネル回折の影響により解像性の劣化が
生ずる。このため例えば、長谷川、他、マイクロ・エレ
クトロニック・エンジニアリング、第９巻、（１９８
９）、１２７〜１３０頁、または特開平２ー５２４１６
号において論じられているように、Ｘ線の干渉効果を利
用して解像性を向上させる試みが行なわれている。本方
法は図１(ａ)に示すように従来矩形であった吸収体パタ
ーン５の側壁を、Ｘ線の光路長を変化させるために図１
(ｂ)に示すようにテーパ形状８等に加工することを特徴
とする。この結果吸収体の側壁を透過するＸ線９の位相
が通常の透過部分からのＸ線６に対して進み、６のフレ
ネル回折による露光強度の拡がりと干渉し合うため、透
過Ｘ線の露光強度分布１０が急峻化され、解像性の向上
を図ることが可能となる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来法では、吸収
体パターンの側壁をテーパ形状等に加工することにより
解像性の向上を可能とした。しかし、サブミクロン寸法
の吸収体パターン側壁を任意の形状に加工するのは極め
て困難であった。
体パターンの側壁をテーパ形状等に加工することにより
解像性の向上を可能とした。しかし、サブミクロン寸法
の吸収体パターン側壁を任意の形状に加工するのは極め
て困難であった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記従来法の課題を解決
するため、本発明では吸収体パターンの側壁に吸収体と
異なった屈折率を有する材料からなる層を１層以上形成
することを特徴とする。
するため、本発明では吸収体パターンの側壁に吸収体と
異なった屈折率を有する材料からなる層を１層以上形成
することを特徴とする。
【０００６】
【作用】本発明において吸収体側壁に形成された層の波
長がλの軟Ｘ線に対する屈折率をｎ、線吸収係数をμと
おけば、ｎ、μはオプティカル システムズ フォーソ
フト エックスレイズ、エー．ジー．ミシェット編、プ
レナム・プレス、(１９８６）、３〜７頁、ならびにプ
ロシーディング・エーアイピー・コンファレンス、 ビ
ー．エル．ヘンケ他編、３〜７頁、によりそれぞれ次式
で与えられる。
長がλの軟Ｘ線に対する屈折率をｎ、線吸収係数をμと
おけば、ｎ、μはオプティカル システムズ フォーソ
フト エックスレイズ、エー．ジー．ミシェット編、プ
レナム・プレス、(１９８６）、３〜７頁、ならびにプ
ロシーディング・エーアイピー・コンファレンス、 ビ
ー．エル．ヘンケ他編、３〜７頁、によりそれぞれ次式
で与えられる。
【０００７】
ｎ ＝ １−δ−ｉβ ……………
μ ＝ ４πβ／λ ………………
但し
δ ＝ Ｎｒeλ2ｆ1／２π
β ＝ Ｎｒeλ2ｆ2／２π
Ｎ：側壁に形成された層の構成原子の単位体積当りの個
数、ｒe：有効電子半径ｆ1、ｆ2：側壁に形成された層
の構成原子の原子散乱因子の実部、虚部、したがって吸
収体側壁に形成された層の厚さをｔ、露光Ｘ線の強度を
Ｉ0、側壁に形成された層を透過後のＸ線の位相の進
み、ならびにＸ線の強度をφ、Ｉとおけば、φ、Ｉは次
式で与えられる。
数、ｒe：有効電子半径ｆ1、ｆ2：側壁に形成された層
の構成原子の原子散乱因子の実部、虚部、したがって吸
収体側壁に形成された層の厚さをｔ、露光Ｘ線の強度を
Ｉ0、側壁に形成された層を透過後のＸ線の位相の進
み、ならびにＸ線の強度をφ、Ｉとおけば、φ、Ｉは次
式で与えられる。
【０００８】
φ ＝ ２πδｔ／λ ……………
Ｉ ＝ I0ｅｘｐ(−μｔ) ………
したがって、吸収体側壁に形成された層を透過したＸ線
は位相がφ進み、強度がＩ／Ｉ0に減衰するため、 干渉
効果により通常の透過部分からのフレネル回折による拡
がりを打消し、マスク透過光の露光強度分布を急峻化さ
せることが可能となる。特に、側壁に形成された層を透
過したＸ線の位相が、通常の部分を透過したＸ線の位相
の２分の１波長の整数倍進むことにより、干波の効果は
大きくなる。また、通常の透過部分からの透過Ｘ線の回
折による拡がりの強度が、、式で与えられる側壁層
からの位相が２分の１波長の整数倍進んだ透過Ｘ線の強
度と等しい場合、干渉の効果はより大きくなる。さらに
本発明は、干渉性の良好なアンジュレータ放射光、Ｘ線
レーザ、プラズマＸ線源等をＸ線源に用いることにより
実施することが可能である。
は位相がφ進み、強度がＩ／Ｉ0に減衰するため、 干渉
効果により通常の透過部分からのフレネル回折による拡
がりを打消し、マスク透過光の露光強度分布を急峻化さ
せることが可能となる。特に、側壁に形成された層を透
過したＸ線の位相が、通常の部分を透過したＸ線の位相
の２分の１波長の整数倍進むことにより、干波の効果は
大きくなる。また、通常の透過部分からの透過Ｘ線の回
折による拡がりの強度が、、式で与えられる側壁層
からの位相が２分の１波長の整数倍進んだ透過Ｘ線の強
度と等しい場合、干渉の効果はより大きくなる。さらに
本発明は、干渉性の良好なアンジュレータ放射光、Ｘ線
レーザ、プラズマＸ線源等をＸ線源に用いることにより
実施することが可能である。
【０００９】吸収体側壁に形成される層は化学気相成長
法、蒸着法、エピタキシー法、塗布法、ないしはラング
ミュア・ブロジェット膜などの有機薄膜の積層等により
簡便に形成できる。また、ベリリウム、ホウ素、シリコ
ン、チタン、タンタル、タングステン等の原子番号が４
から８２までの元素ならびにそれらの化合物、および水
素化物、炭化物、窒化物、酸化物等により構成すること
が可能である。また、本層は構成材料ならびに組成を変
えることにより屈折率を変化させることが可能である。
さらに図２のように屈折率の異なった層１４を積層させ
ることにより、透過Ｘ線の位相９を幅方向に変化させる
ことが可能である。
法、蒸着法、エピタキシー法、塗布法、ないしはラング
ミュア・ブロジェット膜などの有機薄膜の積層等により
簡便に形成できる。また、ベリリウム、ホウ素、シリコ
ン、チタン、タンタル、タングステン等の原子番号が４
から８２までの元素ならびにそれらの化合物、および水
素化物、炭化物、窒化物、酸化物等により構成すること
が可能である。また、本層は構成材料ならびに組成を変
えることにより屈折率を変化させることが可能である。
さらに図２のように屈折率の異なった層１４を積層させ
ることにより、透過Ｘ線の位相９を幅方向に変化させる
ことが可能である。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例を図３、図４ならびに
図５により説明する。
図５により説明する。
【００１１】〈実施例１〉図３(ａ)においてＸ線マスク
２は厚さが３μｍの窒化シリコン膜４、ならびに厚さ
０．７μｍ、透過部分の線幅１１が０．３５μｍで配列
されたタングステン吸収体パターン５から構成される。
次に図３(ｂ)に示すようにＸ線マスク２上に酸化タンタ
ル膜１２を化学気相成長法ないしは斜め蒸着法により
０．１２５μｍの厚さに堆積した後、図３(ｃ)に示すよ
うにアルゴン・イオン１３の照射を行なって吸収体パタ
ーン５の側壁以外に堆積した酸化タンタル膜１２を除去
し、幅が０．１２５μｍの側壁層１４を形成した。
２は厚さが３μｍの窒化シリコン膜４、ならびに厚さ
０．７μｍ、透過部分の線幅１１が０．３５μｍで配列
されたタングステン吸収体パターン５から構成される。
次に図３(ｂ)に示すようにＸ線マスク２上に酸化タンタ
ル膜１２を化学気相成長法ないしは斜め蒸着法により
０．１２５μｍの厚さに堆積した後、図３(ｃ)に示すよ
うにアルゴン・イオン１３の照射を行なって吸収体パタ
ーン５の側壁以外に堆積した酸化タンタル膜１２を除去
し、幅が０．１２５μｍの側壁層１４を形成した。
【００１２】次に図４のように、アンジュレータ放射光
１７により干渉性が良好で、かつ波長が１．２ｎｍの露
光Ｘ線１を用いて、１μｍ厚のレジスト１９を塗布した
ウェハ１８にギャップ２０が１０μｍの条件で吸収体パ
ターン５の転写を行なった。その結果、側壁に形成され
た層１４を透過したＸ線９は位相が２分の１波長進み露
光強度分布が急峻化されたため、現像後のレジストパタ
ーンは線幅が０．１μｍ、アスペクト比が１０の矩形の
形状が得られた。なお、側壁以外に堆積した酸化タンタ
ル膜１４は厚さが０．１２５μｍと薄くＸ線の吸収が少
ないため、除去を行なわない場合でもＸ線の露光が可能
であった。
１７により干渉性が良好で、かつ波長が１．２ｎｍの露
光Ｘ線１を用いて、１μｍ厚のレジスト１９を塗布した
ウェハ１８にギャップ２０が１０μｍの条件で吸収体パ
ターン５の転写を行なった。その結果、側壁に形成され
た層１４を透過したＸ線９は位相が２分の１波長進み露
光強度分布が急峻化されたため、現像後のレジストパタ
ーンは線幅が０．１μｍ、アスペクト比が１０の矩形の
形状が得られた。なお、側壁以外に堆積した酸化タンタ
ル膜１４は厚さが０．１２５μｍと薄くＸ線の吸収が少
ないため、除去を行なわない場合でもＸ線の露光が可能
であった。
【００１３】〈実施例２〉図３(ｂ)において、実施例１
と同様のＸ線マスク２に、酸化タンタル膜１２を化学気
相成長法により組成をＴａからＴａ2Ｏ5まで連続的に変
化させて、Ｘ線マスク２全面に０．１２５μｍの厚さに
堆積を行った。さらに図３(ｃ)に示すように、アルゴン
・イオン１３の照射により吸収体パターン５の側壁以外
に堆積した酸化タンタル膜１２を除去し、側壁層１４を
形成した。
と同様のＸ線マスク２に、酸化タンタル膜１２を化学気
相成長法により組成をＴａからＴａ2Ｏ5まで連続的に変
化させて、Ｘ線マスク２全面に０．１２５μｍの厚さに
堆積を行った。さらに図３(ｃ)に示すように、アルゴン
・イオン１３の照射により吸収体パターン５の側壁以外
に堆積した酸化タンタル膜１２を除去し、側壁層１４を
形成した。
【００１４】次に、図４のように露光Ｘ線１に波長が
１．２ｎｍの軟Ｘ線を用いて、１．５μｍ厚のレジスト
１９を塗布したウェハ１８にギャップ２０が１５μｍの
条件で吸収体パターン５の転写を行なった。その結果、
側壁に形成された層１４を透過した軟Ｘ線９の位相は０
から２分の１波長まで連続的に進み露光強度分布が急峻
化されたため、現像後のレジストパターンは線幅が０．
１５μｍ、アスペクト比が１０の矩形の形状が得られ
た。
１．２ｎｍの軟Ｘ線を用いて、１．５μｍ厚のレジスト
１９を塗布したウェハ１８にギャップ２０が１５μｍの
条件で吸収体パターン５の転写を行なった。その結果、
側壁に形成された層１４を透過した軟Ｘ線９の位相は０
から２分の１波長まで連続的に進み露光強度分布が急峻
化されたため、現像後のレジストパターンは線幅が０．
１５μｍ、アスペクト比が１０の矩形の形状が得られ
た。
【００１５】〈実施例３〉本実施例では、吸収体パター
ンが透過Ｘ線の位相が２分の１波長の整数倍進む側壁層
のみから構成されるＸ線マスクを用いて露光を行い、マ
スクパターンの倍周期のパターン形成を行った。
ンが透過Ｘ線の位相が２分の１波長の整数倍進む側壁層
のみから構成されるＸ線マスクを用いて露光を行い、マ
スクパターンの倍周期のパターン形成を行った。
【００１６】図５においてＸ線マスク２は厚さが３μｍ
の窒化シリコン膜４、ならびに厚さ１．６μｍ、線幅が
０．１μｍ、周期が０．２μｍで配列されたシリコンか
らなる吸収体パターン５から構成される。次に露光Ｘ線
１に波長が１．０ｎｍの軟Ｘ線を用いて、１．０μｍ厚
のレジスト１９を塗布したウェハ１８にギャップ２０が
１０μｍの条件で吸収体パターン５の転写を行なった。
その結果、吸収体パターン５を透過したＸ線９の位相は
２分の１波長進み、通常の透過部分からのＸ線６との境
界では位相が反転し強度の打消しが生ずるため、マスク
透過光は吸収体パターン５の倍周期の露光強度分布１０
が得られ、この結果０．１μｍ周期、アスペクト比が１
０の矩形のライン／スペース形状が得られた。
の窒化シリコン膜４、ならびに厚さ１．６μｍ、線幅が
０．１μｍ、周期が０．２μｍで配列されたシリコンか
らなる吸収体パターン５から構成される。次に露光Ｘ線
１に波長が１．０ｎｍの軟Ｘ線を用いて、１．０μｍ厚
のレジスト１９を塗布したウェハ１８にギャップ２０が
１０μｍの条件で吸収体パターン５の転写を行なった。
その結果、吸収体パターン５を透過したＸ線９の位相は
２分の１波長進み、通常の透過部分からのＸ線６との境
界では位相が反転し強度の打消しが生ずるため、マスク
透過光は吸収体パターン５の倍周期の露光強度分布１０
が得られ、この結果０．１μｍ周期、アスペクト比が１
０の矩形のライン／スペース形状が得られた。
【００１７】
【発明の効果】以上、本発明によれば、Ｘ線露光法にお
いてＸ線の干渉効果による解像性の向上を簡便な方法で
実現できる。
いてＸ線の干渉効果による解像性の向上を簡便な方法で
実現できる。
【図１】従来法の概念図
【図２】本発明の概念図
【図３】本発明の実施法の概念図
【図４】本発明による露光法の概念図
【図５】本発明による露光法の概念図
１…露光Ｘ線、２…Ｘ線マスク、３…支持枠、４…Ｘ線
透過支持膜、５…吸収体パターン、６…透過Ｘ線、７…
透過Ｘ線の露光強度分布、８…テーパー形状の吸収体パ
ターン、９…吸収体側壁の透過Ｘ線、１０…異なった位
相の透過Ｘ線の干渉による露光強度分布、１２…堆積
膜、１３…アルゴン・イオン、１４…吸収体パターンの
側壁に形成された層、１５…電子蓄積リング、１６…電
子、１７…アンジュレータ放射光、１８…シリコン基
板、１９…レジスト、２０…マスクーウェハ・ギャッ
プ。
透過支持膜、５…吸収体パターン、６…透過Ｘ線、７…
透過Ｘ線の露光強度分布、８…テーパー形状の吸収体パ
ターン、９…吸収体側壁の透過Ｘ線、１０…異なった位
相の透過Ｘ線の干渉による露光強度分布、１２…堆積
膜、１３…アルゴン・イオン、１４…吸収体パターンの
側壁に形成された層、１５…電子蓄積リング、１６…電
子、１７…アンジュレータ放射光、１８…シリコン基
板、１９…レジスト、２０…マスクーウェハ・ギャッ
プ。
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(72)発明者 老泉 博昭
東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地
株式会社日立製作所中央研究所内
(72)発明者 曽我 隆
東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地
株式会社日立製作所中央研究所内
(72)発明者 山本 清二
東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地
株式会社日立製作所中央研究所内
(72)発明者 落合 勲
東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地
株式会社日立製作所中央研究所内
Claims (9)
- 【請求項１】Ｘ線透過支持膜と吸収体パターンからなる
マスク、フレネル輪帯等のＸ線光学素子にＸ線を照射
し、透過光により基板上に所望のパターンを形成するＸ
線露光法において、吸収体パターンの側壁に吸収体と異
なる屈折率を有する材料からなる層を１層以上形成する
ことを特徴とするＸ線露光法。 - 【請求項２】請求項１に記載のＸ線露光法において、吸
収体パターンの側壁に形成された層の屈折率が、隣接し
た層毎に異なっていることを特徴とするＸ線露光法。 - 【請求項３】請求項１または２に記載のＸ線露光法にお
いて、吸収体パターンの側壁に形成された層の形状が、
矩形ないしはテーパ形状であることを特徴とするＸ線露
光法。 - 【請求項４】請求項１、２または３に記載のＸ線露光法
において、吸収体パターンの側壁への層の形成を化学気
相成長法、蒸着法、エピタキシー法、塗布法、ないしは
有機薄膜の積層を用いて行うことを特徴とするＸ線露光
法。 - 【請求項５】請求項１、２、３または４に記載のＸ線露
光法において、吸収体側壁に形成された層を透過したＸ
線の位相が２分の１波長の整数倍進むことを特徴とする
Ｘ線露光法。 - 【請求項６】請求項１、２、３、４または５に記載のＸ
線露光法において、吸収体側壁に形成された層が原子番
号が４から８２までの元素ならびにそれらの化合物、お
よび水素化物、炭化物、窒化物、酸化物等により構成さ
れることを特徴とするＸ線露光法。 - 【請求項７】請求項１、２、３、４、５または６に記載
のＸ線露光法において、Ｘ線光源に干渉性の良好なアン
ジュレータ放射光、Ｘ線レーザ、プラズマＸ線源等を用
いることを特徴とするＸ線露光法。 - 【請求項８】請求項１、２、３、４、５、６または７に
記載のＸ線露光法を用いた露光装置ならびに分析装置。 - 【請求項９】請求項１、２、３、４、５、６、７または
８に記載のＸ線露光法を用いて形成された転写パターン
ならびに半導体素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3232944A JPH053146A (ja) | 1991-04-19 | 1991-09-12 | Ｘ線露光法 |
| US07/909,309 US5372916A (en) | 1991-09-12 | 1992-07-06 | X-ray exposure method with an X-ray mask comprising phase shifter sidewalls |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8811091 | 1991-04-19 | ||
| JP3-88110 | 1991-04-19 | ||
| JP3232944A JPH053146A (ja) | 1991-04-19 | 1991-09-12 | Ｘ線露光法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH053146A true JPH053146A (ja) | 1993-01-08 |
Family
ID=26429550
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3232944A Pending JPH053146A (ja) | 1991-04-19 | 1991-09-12 | Ｘ線露光法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH053146A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994017450A1 (en) * | 1993-01-21 | 1994-08-04 | Sematech, Inc. | Phase shifting mask structure with absorbing/attenuating sidewalls for improved imaging and method of fabricating phase shifters with absorbing/attenuating sidewalls |
| US5411824A (en) * | 1993-01-21 | 1995-05-02 | Sematech, Inc. | Phase shifting mask structure with absorbing/attenuating sidewalls for improved imaging |
| US5418095A (en) * | 1993-01-21 | 1995-05-23 | Sematech, Inc. | Method of fabricating phase shifters with absorbing/attenuating sidewalls using an additive process |
| US5472811A (en) * | 1993-01-21 | 1995-12-05 | Sematech, Inc. | Phase shifting mask structure with multilayer optical coating for improved transmission |
| JPH09190963A (ja) * | 1996-01-10 | 1997-07-22 | Canon Inc | マスク及びこれを用いたデバイス生産方法や露光装置 |
| US5770335A (en) * | 1995-08-02 | 1998-06-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Mask and exposure apparatus using the same |
| US7709159B2 (en) | 2005-01-21 | 2010-05-04 | Seiko Epson Corporation | Mask, mask forming method, pattern forming method, and wiring pattern forming method |
| CN103345125A (zh) * | 2013-06-27 | 2013-10-09 | 上海华力微电子有限公司 | 增强光刻工艺能力的系统及方法 |
| CN104345545A (zh) * | 2013-07-29 | 2015-02-11 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 掩膜版及其制造方法 |
| US10263355B2 (en) | 2015-08-05 | 2019-04-16 | Sumitomo Wiring Systems, Ltd. | Female terminal having a projection provided on a lower edge of a front covering wall to a position to overlap a bottom wall |
-
1991
- 1991-09-12 JP JP3232944A patent/JPH053146A/ja active Pending
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