JPH05301770A - レーザ用多結晶透明セラミックス - Google Patents
レーザ用多結晶透明セラミックスInfo
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 17
- 239000002223 garnet Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 claims abstract description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 15
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 28
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract description 18
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 10
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N Li2O Inorganic materials [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N Na2O Inorganic materials [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M dilithium;hydroxide Chemical compound [Li+].[Li+].[OH-] XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 description 25
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 20
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 14
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 11
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 8
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 230000001235 sensitizing effect Effects 0.000 description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- ZPDRQAVGXHVGTB-UHFFFAOYSA-N gallium;gadolinium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Gd+3] ZPDRQAVGXHVGTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 3
- 229910017493 Nd 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 2
- 238000000975 co-precipitation Methods 0.000 description 2
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 2
- -1 first Chemical compound 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFHPXMGPBXBAE-UHFFFAOYSA-N [Sc].[Gd] Chemical compound [Sc].[Gd] TVFHPXMGPBXBAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- 231100000989 no adverse effect Toxicity 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Lasers (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 単結晶のように製造上の欠点や素材そのもの
の欠点がなく、かつ発振特性に優れたレーザ用多結晶透
明セラミックスを得る。 【構成】 SiO2 ,Li2 O,Na2 O,MgO,C
aOの一種以上と、ランタニド元素及びCr、Ti元素
の一種以上とを含有し、焼結体の平均粒子径が5〜10
00μmで気孔率が1%以下のガーネット構造を有する
レーザ用多結晶透明セラミックス。
の欠点がなく、かつ発振特性に優れたレーザ用多結晶透
明セラミックスを得る。 【構成】 SiO2 ,Li2 O,Na2 O,MgO,C
aOの一種以上と、ランタニド元素及びCr、Ti元素
の一種以上とを含有し、焼結体の平均粒子径が5〜10
00μmで気孔率が1%以下のガーネット構造を有する
レーザ用多結晶透明セラミックス。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザ発振素子として
好適に使用されガーネット構造を有する、イットリウム
・アルミニウム・ガーネット(YAG),ガドリニウム
・ガリウム・ガーネット(GGG),ガドリニウム・ス
カンジウム・ガリウム・ガーネット(GSGG)等のレ
ーザ用多結晶透明セラミックスに関する。
好適に使用されガーネット構造を有する、イットリウム
・アルミニウム・ガーネット(YAG),ガドリニウム
・ガリウム・ガーネット(GGG),ガドリニウム・ス
カンジウム・ガリウム・ガーネット(GSGG)等のレ
ーザ用多結晶透明セラミックスに関する。
【0002】
【従来の技術】YAGに代表されるガーネット構造の固
体レーザは、その市場の約95%を占め、半導体の微細
加工、鋼材やセラミックスの切断及び熱処理、医療用レ
ーザメス等多岐に応用され、近年ではSHG(第二高調
波)素子を用いて波長変換したグリーンやブルーレーザ
が、光磁気記録材料の書込み操作用としても用いられて
いる。
体レーザは、その市場の約95%を占め、半導体の微細
加工、鋼材やセラミックスの切断及び熱処理、医療用レ
ーザメス等多岐に応用され、近年ではSHG(第二高調
波)素子を用いて波長変換したグリーンやブルーレーザ
が、光磁気記録材料の書込み操作用としても用いられて
いる。
【0003】ところでYAGは発光に関与する元素とし
て、Ndやその他の発光元素を添加したものが、チョコ
ラルスキー法やブリッジマン・ストックバーガー法等で
製造されているが、それらはいずれも単結晶である。
て、Ndやその他の発光元素を添加したものが、チョコ
ラルスキー法やブリッジマン・ストックバーガー法等で
製造されているが、それらはいずれも単結晶である。
【0004】このような方法で単結晶YAGを製造する
場合、育成温度が約2000°Cを必要とし、かつ育成
速度が0.2〜0.3mm/hrと極めて遅い。このこ
とから1本の単結晶を製造するのに約1ケ月を要し、且
つ製造された単結晶YAGの発光元素が均一とはなり難
い。特にNd元素を添加するものに限っては単結晶を育
成する際、ホスト材料中の発光元素を均一に分散させる
ことが難しいばかりでなく、その濃度も1原子%程度が
限界となっている。このことからたとえ単結晶YAGを
製造したとしても、レーザ材料として使用できるのはご
く一部である。また単結晶育成技術では極めて高価なイ
リジウム坩堝が必要なため、製造される単結晶YAGが
高価であることは勿論、生産性の面でも十分満足すべき
ものではない。
場合、育成温度が約2000°Cを必要とし、かつ育成
速度が0.2〜0.3mm/hrと極めて遅い。このこ
とから1本の単結晶を製造するのに約1ケ月を要し、且
つ製造された単結晶YAGの発光元素が均一とはなり難
い。特にNd元素を添加するものに限っては単結晶を育
成する際、ホスト材料中の発光元素を均一に分散させる
ことが難しいばかりでなく、その濃度も1原子%程度が
限界となっている。このことからたとえ単結晶YAGを
製造したとしても、レーザ材料として使用できるのはご
く一部である。また単結晶育成技術では極めて高価なイ
リジウム坩堝が必要なため、製造される単結晶YAGが
高価であることは勿論、生産性の面でも十分満足すべき
ものではない。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明が解決すべき課
題は、単結晶のように製造上の欠点や素材そのものの欠
点がなく、かつ発振特性に優れたレーザ用多結晶透明セ
ラミックスを得ることにある。
題は、単結晶のように製造上の欠点や素材そのものの欠
点がなく、かつ発振特性に優れたレーザ用多結晶透明セ
ラミックスを得ることにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明のガーネット構造
のレーザ用多結晶透明セラミックスは、SiO2 ,Li
2 O,Na2 O,MgO,CaOの一種以上と、ランタ
ニド元素及びCr、Ti元素の一種以上とを含有し、焼
結体の平均粒子径が5〜1000μmで気孔率を1%以
下とすることによって上記課題を解決したものである。
のレーザ用多結晶透明セラミックスは、SiO2 ,Li
2 O,Na2 O,MgO,CaOの一種以上と、ランタ
ニド元素及びCr、Ti元素の一種以上とを含有し、焼
結体の平均粒子径が5〜1000μmで気孔率を1%以
下とすることによって上記課題を解決したものである。
【0007】
【作用】本発明のレーザ用多結晶透明セラミックスは、
YAG,GGG,GSGG等の適切な粒度の原料粉末を
使用し、これにSiO2 ,Li2 O,Na2 O,Mg
O,CaOの一種以上、さらにランタニド元素及びC
r、Ti元素の発光元素又は増感元素を一種又は二種以
上含有し、適正な条件下で焼結を行なうことで、レーザ
発振機能を付加された透明な高密度焼結体を得ることが
できる。
YAG,GGG,GSGG等の適切な粒度の原料粉末を
使用し、これにSiO2 ,Li2 O,Na2 O,Mg
O,CaOの一種以上、さらにランタニド元素及びC
r、Ti元素の発光元素又は増感元素を一種又は二種以
上含有し、適正な条件下で焼結を行なうことで、レーザ
発振機能を付加された透明な高密度焼結体を得ることが
できる。
【0008】YAGの場合、まず純度99重量%、好ま
しくは99.9重量%以上のY2 O3 、Al2 O3 を用
い、さらに発光元素や増感元素となるランタニド元素の
酸化物(La2 O3 ,Ce2 O3 、Pr6 O11,Nd2
O3 ,Pm2 O3 ,Sm2 O3 ,Eu2 O3 ,Gd2 O
3 ,Tb2 O3 ,Dy2 O3 ,Ho2 O3 ,Er
2 O3 、Tm2 O3 ,Yb2 O3 ,Lu2 O3 )及びT
iO2 ,Cr2 O3 などの酸化物をガーネット組成とな
るように秤量する。または、アルコキシド法や共沈法な
どによって予め組成的に均一な湿式合成粉末を用いる。
これにSiO2 ,Li2 O ,Na2 O,MgO,Ca
Oの酸化物成分を一種以上適量添加する。ここで、Y2
O3 及びAl2 O3 の純度が99重量%未満では不純物
の作用によって良品のレーザ材料を得ることが困難とな
る。また、焼結体の平均粒子径や密度として特許請求の
範囲のものを得るためには、原料粉末の一次粒径が1μ
m以下のAl2 O3 及びY2 O3 を使用することが好ま
しい。
しくは99.9重量%以上のY2 O3 、Al2 O3 を用
い、さらに発光元素や増感元素となるランタニド元素の
酸化物(La2 O3 ,Ce2 O3 、Pr6 O11,Nd2
O3 ,Pm2 O3 ,Sm2 O3 ,Eu2 O3 ,Gd2 O
3 ,Tb2 O3 ,Dy2 O3 ,Ho2 O3 ,Er
2 O3 、Tm2 O3 ,Yb2 O3 ,Lu2 O3 )及びT
iO2 ,Cr2 O3 などの酸化物をガーネット組成とな
るように秤量する。または、アルコキシド法や共沈法な
どによって予め組成的に均一な湿式合成粉末を用いる。
これにSiO2 ,Li2 O ,Na2 O,MgO,Ca
Oの酸化物成分を一種以上適量添加する。ここで、Y2
O3 及びAl2 O3 の純度が99重量%未満では不純物
の作用によって良品のレーザ材料を得ることが困難とな
る。また、焼結体の平均粒子径や密度として特許請求の
範囲のものを得るためには、原料粉末の一次粒径が1μ
m以下のAl2 O3 及びY2 O3 を使用することが好ま
しい。
【0009】SiO2 ,Li2 Oなどの酸化物成分は、
その量が適切である限り多結晶体の微構造を改善すると
共に、異相(焼結体中に残存するYAlO3 やAl2 O
3 など)を排除するため、材料の透明度(ホスト材料の
透明度)を向上させ、結果的にレーザの発振効率を向上
させる。一方これら酸化物を添加した場合にも、酸化物
中のカチオンにはdやf電子等の電子構造が存在せず、
レーザ発振特性には殆ど悪影響を与えない。但し、これ
らの元素はYAGセラミックス中の原子価が3価のイオ
ンであるAl3+及びY3+と置換するが、1価元素のL
i,Na、2価元素のMg,Ca、及び4価元素のSi
はそれぞれ価数がAlやYとは異なる。このため、単純
な系の原子レベルでは、多結晶体中の結晶の電荷を保つ
ためアニオン又はカチオンサイトへ格子欠陥を生じる。
この欠陥量は比較的少ないレベルでは光学的特性を劣化
させることはないが、余りにも多過ぎるとホスト材料の
格子欠陥に伴う変色等の影響が生じることとなる。従っ
て、これらの元素を添加する場合は、できるだけ少なく
添加することと、価数の異なる元素をうまく組み合わせ
る(例えば2価と4価を等量ずつ添加する等)ことで、
より良い光学特性を有するホスト材料を得ることがで
き、これらの酸化物の添加量は、0.005〜1.0重
量%の範囲にあることが望ましい。
その量が適切である限り多結晶体の微構造を改善すると
共に、異相(焼結体中に残存するYAlO3 やAl2 O
3 など)を排除するため、材料の透明度(ホスト材料の
透明度)を向上させ、結果的にレーザの発振効率を向上
させる。一方これら酸化物を添加した場合にも、酸化物
中のカチオンにはdやf電子等の電子構造が存在せず、
レーザ発振特性には殆ど悪影響を与えない。但し、これ
らの元素はYAGセラミックス中の原子価が3価のイオ
ンであるAl3+及びY3+と置換するが、1価元素のL
i,Na、2価元素のMg,Ca、及び4価元素のSi
はそれぞれ価数がAlやYとは異なる。このため、単純
な系の原子レベルでは、多結晶体中の結晶の電荷を保つ
ためアニオン又はカチオンサイトへ格子欠陥を生じる。
この欠陥量は比較的少ないレベルでは光学的特性を劣化
させることはないが、余りにも多過ぎるとホスト材料の
格子欠陥に伴う変色等の影響が生じることとなる。従っ
て、これらの元素を添加する場合は、できるだけ少なく
添加することと、価数の異なる元素をうまく組み合わせ
る(例えば2価と4価を等量ずつ添加する等)ことで、
より良い光学特性を有するホスト材料を得ることがで
き、これらの酸化物の添加量は、0.005〜1.0重
量%の範囲にあることが望ましい。
【0010】この配合粉末に、アルコール等の有機溶媒
又は蒸留水を加え、ポットミル中で混合し、この混合さ
れた粉末を減圧下又は常圧下で乾燥させる。得られた粉
末は一軸プレスまたはコールドアイソスタティックプレ
ス(CIP)などで成形した後に焼結を行なう。焼結の
手段も特に限定されるものではないが、真空焼結の場合
は、1600〜1850°Cの温度範囲、ホットプレス
(HP)やホットアイソスタティックプレス(HIP)
の場合は1400〜1850°Cの温度範囲で適正な焼
結時間処理することによって目的とする焼結体が得られ
る。また酸素ガスや水素ガス中で焼結することも可能で
あり、それらの焼結方法を組み合わせることによっても
目的とする焼結体が得られる。
又は蒸留水を加え、ポットミル中で混合し、この混合さ
れた粉末を減圧下又は常圧下で乾燥させる。得られた粉
末は一軸プレスまたはコールドアイソスタティックプレ
ス(CIP)などで成形した後に焼結を行なう。焼結の
手段も特に限定されるものではないが、真空焼結の場合
は、1600〜1850°Cの温度範囲、ホットプレス
(HP)やホットアイソスタティックプレス(HIP)
の場合は1400〜1850°Cの温度範囲で適正な焼
結時間処理することによって目的とする焼結体が得られ
る。また酸素ガスや水素ガス中で焼結することも可能で
あり、それらの焼結方法を組み合わせることによっても
目的とする焼結体が得られる。
【0011】固体レーザとして用いるためには、焼結体
の密度が理論密度の99.0%以上(気孔率では1%以
下)を有し、且つ多結晶体を構成する平均粒子径が5〜
1000μmの範囲であることが必要である。焼結体の
密度が99.0%より低ければ、光の透過率が極端に低
下する。焼結体の相対密度に関しては同じ化学組成の単
結晶と多結晶を学振法又はX線法により測定した両者の
密度を比較することで求められる。それ以外の方法とし
ては焼結体内部に存在する気孔を顕微鏡やSEM等で表
面観察した画像を解析するこによっても求められる。ま
た焼結体の粒子径が1000μmより大きいと発光元素
を均一に固溶できなかったり、粒界部に発光元素が偏析
したりして光学的に均質で透明なものとはなりにくく、
逆に5μmより小さいと実用に供するだけの透明度が得
られない。
の密度が理論密度の99.0%以上(気孔率では1%以
下)を有し、且つ多結晶体を構成する平均粒子径が5〜
1000μmの範囲であることが必要である。焼結体の
密度が99.0%より低ければ、光の透過率が極端に低
下する。焼結体の相対密度に関しては同じ化学組成の単
結晶と多結晶を学振法又はX線法により測定した両者の
密度を比較することで求められる。それ以外の方法とし
ては焼結体内部に存在する気孔を顕微鏡やSEM等で表
面観察した画像を解析するこによっても求められる。ま
た焼結体の粒子径が1000μmより大きいと発光元素
を均一に固溶できなかったり、粒界部に発光元素が偏析
したりして光学的に均質で透明なものとはなりにくく、
逆に5μmより小さいと実用に供するだけの透明度が得
られない。
【0012】焼結体の透明度はレーザ発振させた場合の
発振効率と密接な関係があることから、できるだけ高い
ことが望ましい。この値は光吸収係数で表現できる。す
なわち、ランバート・ベールの法則、log(Io /
I)=αd 〔ここで、Io :入射光強度,I:透過光
強度(試料を透過した光の強度) ,α:光吸収係数,
d:試料厚さ〕におけるαの値が0.204cm-1、好
ましくは0.125cm-1以下に止める必要がある。ま
た、透明度は直線透過光の内部損失でも表すことがで
き、厚さ10mmの試料に直線光を照射した場合、その
内部損失は30%以下が必要である。この意味は、表面
の加工精度が同一の試料において、厚さ1mmと11m
mの試料の直線透過率の差異が30%以内ということで
ある。これ以上母材内部での吸収損失が大きいと、光の
増幅により吸収損失が大きくなりレーザ発振しないばか
りでなく、場合によっては母材の破壊にまで至る。母材
の吸収損失については発光元素の吸収がない可視波長領
域(または測定波長に対する透過率のバックグラウンド
レベル)で、試料の厚さに対して透過率をプロットした
ときの傾きによって求められる。レーザ発振効率は母材
の透明度に依存する傾向との予測はできるが、より好ま
しくはその値が20%以下(α値で表現すればα=0.
125cm-1以下)のロスに止めることが肝要である。
また、透過率の絶対値についても(試料の面粗さが0.
1μm以下のものに限って)厚さ1mmの試料が400
〜900nmの波長範囲で、発光元素等の吸収を除く部
分の直線透過率が75%以上であることも必要である。
発振効率と密接な関係があることから、できるだけ高い
ことが望ましい。この値は光吸収係数で表現できる。す
なわち、ランバート・ベールの法則、log(Io /
I)=αd 〔ここで、Io :入射光強度,I:透過光
強度(試料を透過した光の強度) ,α:光吸収係数,
d:試料厚さ〕におけるαの値が0.204cm-1、好
ましくは0.125cm-1以下に止める必要がある。ま
た、透明度は直線透過光の内部損失でも表すことがで
き、厚さ10mmの試料に直線光を照射した場合、その
内部損失は30%以下が必要である。この意味は、表面
の加工精度が同一の試料において、厚さ1mmと11m
mの試料の直線透過率の差異が30%以内ということで
ある。これ以上母材内部での吸収損失が大きいと、光の
増幅により吸収損失が大きくなりレーザ発振しないばか
りでなく、場合によっては母材の破壊にまで至る。母材
の吸収損失については発光元素の吸収がない可視波長領
域(または測定波長に対する透過率のバックグラウンド
レベル)で、試料の厚さに対して透過率をプロットした
ときの傾きによって求められる。レーザ発振効率は母材
の透明度に依存する傾向との予測はできるが、より好ま
しくはその値が20%以下(α値で表現すればα=0.
125cm-1以下)のロスに止めることが肝要である。
また、透過率の絶対値についても(試料の面粗さが0.
1μm以下のものに限って)厚さ1mmの試料が400
〜900nmの波長範囲で、発光元素等の吸収を除く部
分の直線透過率が75%以上であることも必要である。
【0013】一方、発光元素の均一性は焼結体で固体レ
ーザ材料を作製する際の最も大きな利点であり、特に大
型形状の大出力レーザを目的とした場合に重要な技術と
なる。その均一度については、焼結体を構成する各々の
粒子の80%以上が、濃度差が±15%の範囲(例えば
2原子%の発光元素を含むものは2±0.3%の範囲)
にあることが必要である。その濃度分布については、焼
結体の粒子の50個程度、少なくとも20個程度の粒子
をランダムに分析することによって判定する。焼結体中
の発光元素や増感元素の濃度分布はEDX(エネルギー
分散型X線分光器)やIMA(イオンマイクロアナライ
ザー)などの微小領域を計測する機器分析装置によって
容易に測定できる。
ーザ材料を作製する際の最も大きな利点であり、特に大
型形状の大出力レーザを目的とした場合に重要な技術と
なる。その均一度については、焼結体を構成する各々の
粒子の80%以上が、濃度差が±15%の範囲(例えば
2原子%の発光元素を含むものは2±0.3%の範囲)
にあることが必要である。その濃度分布については、焼
結体の粒子の50個程度、少なくとも20個程度の粒子
をランダムに分析することによって判定する。焼結体中
の発光元素や増感元素の濃度分布はEDX(エネルギー
分散型X線分光器)やIMA(イオンマイクロアナライ
ザー)などの微小領域を計測する機器分析装置によって
容易に測定できる。
【0014】レーザは元来フラッシュランプまたはLD
(レーザダイオード)で材料内部に存在する発光元素を
励起させ、これを連続して増幅することから強力なレー
ザ光が発振できる。ここで、多結晶セラミックスのよう
な粒界がある材料を励起させ、レーザ発振する場合、粒
子内部で増幅されたレーザ光が粒界部で損失(異相や結
晶欠陥等に起因する減衰)するため、多結晶体でレーザ
発振することは不可能と考えるのが一般的である。また
仮にレーザ発振したとしても、粒界部の光損失が大きい
はずであり、単結晶材料に比べ特性劣化が著しいと予測
されることから固体レーザ材料はすべて単結晶であるべ
きと考えられており、現状もその通りとなっている。多
結晶体は粒子内部の結晶欠陥(格子欠陥)のレベルは元
来単結晶より低くなるはずであるが(溶融しないた
め)、焼結過程で完璧に近い物質移動が起きにくいため
粒子内部に組織的または結晶構造的欠陥を残すこととな
る。しかしこのような不都合を回避すれば、多結晶セラ
ミックスの粒子内部の光学的特性は単結晶を上回り、レ
ーザの増幅能力は高くなる。粒界部の光損失については
否定できないが、粒界部の損失を極力低減させることに
よって実用に十分耐えうるものとなる。また、レーザ材
料としての特性はこの透過率だけが全てでなく、発光元
素の均一性、ホスト材料中の発光元素濃度、材料の歪み
など様々な因子があり、透明度を除くその他の要因につ
いては多結晶体の方が単結晶体よりも優れている可能性
が高いことから、特性全体から考えれば同等または単結
晶を凌駕するものが存在する。例えば材料の歪みに関し
て、単結晶では偏光板を通して観察したときにかなりの
残留歪みが確認できるが、多結晶体ではこのような歪み
を殆ど検出できないなど優れた特徴を有する。
(レーザダイオード)で材料内部に存在する発光元素を
励起させ、これを連続して増幅することから強力なレー
ザ光が発振できる。ここで、多結晶セラミックスのよう
な粒界がある材料を励起させ、レーザ発振する場合、粒
子内部で増幅されたレーザ光が粒界部で損失(異相や結
晶欠陥等に起因する減衰)するため、多結晶体でレーザ
発振することは不可能と考えるのが一般的である。また
仮にレーザ発振したとしても、粒界部の光損失が大きい
はずであり、単結晶材料に比べ特性劣化が著しいと予測
されることから固体レーザ材料はすべて単結晶であるべ
きと考えられており、現状もその通りとなっている。多
結晶体は粒子内部の結晶欠陥(格子欠陥)のレベルは元
来単結晶より低くなるはずであるが(溶融しないた
め)、焼結過程で完璧に近い物質移動が起きにくいため
粒子内部に組織的または結晶構造的欠陥を残すこととな
る。しかしこのような不都合を回避すれば、多結晶セラ
ミックスの粒子内部の光学的特性は単結晶を上回り、レ
ーザの増幅能力は高くなる。粒界部の光損失については
否定できないが、粒界部の損失を極力低減させることに
よって実用に十分耐えうるものとなる。また、レーザ材
料としての特性はこの透過率だけが全てでなく、発光元
素の均一性、ホスト材料中の発光元素濃度、材料の歪み
など様々な因子があり、透明度を除くその他の要因につ
いては多結晶体の方が単結晶体よりも優れている可能性
が高いことから、特性全体から考えれば同等または単結
晶を凌駕するものが存在する。例えば材料の歪みに関し
て、単結晶では偏光板を通して観察したときにかなりの
残留歪みが確認できるが、多結晶体ではこのような歪み
を殆ど検出できないなど優れた特徴を有する。
【0015】また、Ndを含有した単結晶YAGは、N
dの濃度分布が不均一であるばかりでなく、その濃度は
1原子%程度までしか含有できないが、焼結による多結
晶YAGの場合であればそのNd濃度は10〜12原子
%まで含有でき、しかもその分布は極めて均一にでき
る。このことから、小型・ハイパワー等の特徴を有する
新型固体レーザへの応用も可能と考えられる。
dの濃度分布が不均一であるばかりでなく、その濃度は
1原子%程度までしか含有できないが、焼結による多結
晶YAGの場合であればそのNd濃度は10〜12原子
%まで含有でき、しかもその分布は極めて均一にでき
る。このことから、小型・ハイパワー等の特徴を有する
新型固体レーザへの応用も可能と考えられる。
【0016】
【実施例】実施例としてホスト材がYAGであるレーザ
用多結晶透明セラミックスについて述べる。
用多結晶透明セラミックスについて述べる。
【0017】Al2 O3 、Y2 O3 と発光元素及び増感
元素としてのランタニド元素及びCr,Tiを合量10
0g秤量し、さらにこれにSiO2 ,Li2 O,Na2
O,MgO,CaOの各酸化物を所定量添加し、ポット
ミル中へそれぞれの粉末とエチルアルコール300c
c、さらにアルミナボール500gを入れ、24時間混
合した。混合した粉末を500mmHgの減圧下で乾燥
し、乾燥した粉末を乳鉢で軽く再混合した。
元素としてのランタニド元素及びCr,Tiを合量10
0g秤量し、さらにこれにSiO2 ,Li2 O,Na2
O,MgO,CaOの各酸化物を所定量添加し、ポット
ミル中へそれぞれの粉末とエチルアルコール300c
c、さらにアルミナボール500gを入れ、24時間混
合した。混合した粉末を500mmHgの減圧下で乾燥
し、乾燥した粉末を乳鉢で軽く再混合した。
【0018】この粉末を直径50mm、高さ15mmの
タブレットに仮成形後、1000kg/cm2 の圧力で
ラバープレスした。
タブレットに仮成形後、1000kg/cm2 の圧力で
ラバープレスした。
【0019】この成形体を電気炉に入れ、100°C/
hrで昇温し、所定温度にて焼成後、100°C/hr
で冷却した。得られた焼結体から直径6mm、厚さ10
mmの試料を作成し、両面の面粗さを5nm、平行度を
1/8λに仕上げた。
hrで昇温し、所定温度にて焼成後、100°C/hr
で冷却した。得られた焼結体から直径6mm、厚さ10
mmの試料を作成し、両面の面粗さを5nm、平行度を
1/8λに仕上げた。
【0020】
【表1】 表1に示す実施例1〜12は、焼結温度、焼結時間、焼
成雰囲気等を選ぶことにより、焼結体の平均粒子径及び
気孔率を変化させたもので、これをLDやキセノンフラ
ッシュランプで励起した時の発振特性の結果を示す。
成雰囲気等を選ぶことにより、焼結体の平均粒子径及び
気孔率を変化させたもので、これをLDやキセノンフラ
ッシュランプで励起した時の発振特性の結果を示す。
【0021】〔比較例〕表2は、ホスト材がYAGで発
光元素を1原子%含んだ単結晶及び、特許請求の範囲外
の組成の多結晶YAGを示す。比較例1は、従来のチョ
コラルスキー法で育成された1原子%NdのYAG単結
晶で、808nmLD(300mW)で励起した時の出
力は、84mWで出力効率は28.0%であった。
光元素を1原子%含んだ単結晶及び、特許請求の範囲外
の組成の多結晶YAGを示す。比較例1は、従来のチョ
コラルスキー法で育成された1原子%NdのYAG単結
晶で、808nmLD(300mW)で励起した時の出
力は、84mWで出力効率は28.0%であった。
【0022】
【表2】 〔結果〕表1より明らかなように、本実施例のレーザ用
多結晶透明セラミックスは、Nd及び酸化物を添加した
場合、特にNdの濃度上昇に伴ってレーザ出力が高くな
っていることがわかる。実施例7,8に示すように、従
来の単結晶育成技術では添加が不可能なNd元素の高濃
度化が可能となり、従来の単結晶よりも2倍程度の高出
力化が可能となった。また、実施例10〜12はNd以
外のランタニド元素を添加した例を示しているが、いず
れもかなり高いレべルのレーザ発振効率を示した。
多結晶透明セラミックスは、Nd及び酸化物を添加した
場合、特にNdの濃度上昇に伴ってレーザ出力が高くな
っていることがわかる。実施例7,8に示すように、従
来の単結晶育成技術では添加が不可能なNd元素の高濃
度化が可能となり、従来の単結晶よりも2倍程度の高出
力化が可能となった。また、実施例10〜12はNd以
外のランタニド元素を添加した例を示しているが、いず
れもかなり高いレべルのレーザ発振効率を示した。
【0023】一方特許請求の範囲外の平均粒子径又は気
孔率を有する比較例2〜4は、発振効率が極度に低い
か、または発振しないものとなっている。特許請求範囲
の平均粒径及び気孔率を有し、SiO2 等の添加元素を
加えていない比較例5は、比較的高い発振効率を確保す
ることができるが、同じ平均粒径及び気孔率で添加元素
を含む実施例2と比較すると発振効率が低下しているの
がわかる。
孔率を有する比較例2〜4は、発振効率が極度に低い
か、または発振しないものとなっている。特許請求範囲
の平均粒径及び気孔率を有し、SiO2 等の添加元素を
加えていない比較例5は、比較的高い発振効率を確保す
ることができるが、同じ平均粒径及び気孔率で添加元素
を含む実施例2と比較すると発振効率が低下しているの
がわかる。
【0024】なお、ここではホスト材としてYAGを用
いたもののみ示したが、GGG、GSGG等の他のガー
ネット構造のセラミックスでも同等の結果が得られた。
いたもののみ示したが、GGG、GSGG等の他のガー
ネット構造のセラミックスでも同等の結果が得られた。
【0025】
【発明の効果】本発明により結晶構造が立方晶系に属す
る多結晶透明セラミックスを用いてレーザの発振が可能
となった。材料特性上発光元素(特にNd)の高濃度
化ができる発光元素が均一となる材料の大型化が図
れるなどの特徴を有するものとなる。このため、工業的
には通常のレーザとしての用途に適する以外に、レーザ
の小型化や高出力化が可能となることから、最近話題と
なっているマイクロチップレーザとしての用途の拡大、
更には大型・均一化、更には高出力化が図れるメリット
を利用して、レーザ加工やレーザ核融合などの応用が期
待される。
る多結晶透明セラミックスを用いてレーザの発振が可能
となった。材料特性上発光元素(特にNd)の高濃度
化ができる発光元素が均一となる材料の大型化が図
れるなどの特徴を有するものとなる。このため、工業的
には通常のレーザとしての用途に適する以外に、レーザ
の小型化や高出力化が可能となることから、最近話題と
なっているマイクロチップレーザとしての用途の拡大、
更には大型・均一化、更には高出力化が図れるメリット
を利用して、レーザ加工やレーザ核融合などの応用が期
待される。
【0026】また、経済性を考慮しても、従来の単結晶
育成技術で不可欠な貴金属ルツボ(イリジウム)や高価
な単結晶育成装置が不要となり有利である。その他、焼
結法では素材の焼結に必要な温度はその融点より低く、
また焼結時間も数〜数十時間程度であるので合成に消費
される電力量も格段に少ない。更には一台の焼結炉でた
くさんの焼結体が作製できることやニアネットシェイプ
技術で素材を使用する形状に近いまま効率良く作製でき
るので、コスト、量産、経済性(希土類資源の有効利用
や電力費削減)等の利点がある。
育成技術で不可欠な貴金属ルツボ(イリジウム)や高価
な単結晶育成装置が不要となり有利である。その他、焼
結法では素材の焼結に必要な温度はその融点より低く、
また焼結時間も数〜数十時間程度であるので合成に消費
される電力量も格段に少ない。更には一台の焼結炉でた
くさんの焼結体が作製できることやニアネットシェイプ
技術で素材を使用する形状に近いまま効率良く作製でき
るので、コスト、量産、経済性(希土類資源の有効利用
や電力費削減)等の利点がある。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成4年6月3日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0007
【補正方法】変更
【補正内容】
【0007】
【作用】本発明のレーザ用多結晶透明セラミックスは、
YAG,GGG,GSGGを構成する適切な粒度の原料
粉末を使用し、これにSiO2 ,Li2 O,Na2 O,
MgO,CaOの一種以上、さらにランタニド元素及び
Cr、Ti元素の発光元素又は増感元素を一種又は二種
以上含有し、適正な条件下で焼結を行なうことで、レー
ザ発振機能を付加された透明な高密度焼結体を得ること
ができる。
YAG,GGG,GSGGを構成する適切な粒度の原料
粉末を使用し、これにSiO2 ,Li2 O,Na2 O,
MgO,CaOの一種以上、さらにランタニド元素及び
Cr、Ti元素の発光元素又は増感元素を一種又は二種
以上含有し、適正な条件下で焼結を行なうことで、レー
ザ発振機能を付加された透明な高密度焼結体を得ること
ができる。
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0008
【補正方法】変更
【補正内容】
【0008】YAGの場合、まず純度99重量%、好ま
しくは99.9重量%以上のY2 O3 、Al2 O3 を用
い、さらに発光元素や増感元素となるランタニド元素の
酸化物(La2 O3 ,CeO2 、Pr6 O11,Nd2 O
3 ,Pm2 O3 ,Sm2 O3,Eu2 O3 ,Gd
2 O3 ,Tb2 O3 ,Dy2 O3 ,Ho2 O3 ,Er2
O3、Tm2 O3 ,Yb2 O3 ,Lu2 O3 )及びTi
O2 ,Cr2 O3 などの酸化物をガーネット組成となる
ように秤量する。または、アルコキシド法や共沈法など
によって予め組成的に均一な湿式合成粉末を用いる。こ
れにSiO2 ,Li2O ,Na2 O,MgO,CaO
の酸化物成分を一種以上適量添加する。ここで、Y2 O
3 及びAl2 O3 の純度が99重量%未満では不純物の
作用によって良品のレーザ材料を得ることが困難とな
る。また、焼結体の平均粒子径や密度として特許請求の
範囲のものを得るためには、原料粉末の一次粒径が1μ
m以下のAl2 O3 及びY2 O3 を使用することが好ま
しい。
しくは99.9重量%以上のY2 O3 、Al2 O3 を用
い、さらに発光元素や増感元素となるランタニド元素の
酸化物(La2 O3 ,CeO2 、Pr6 O11,Nd2 O
3 ,Pm2 O3 ,Sm2 O3,Eu2 O3 ,Gd
2 O3 ,Tb2 O3 ,Dy2 O3 ,Ho2 O3 ,Er2
O3、Tm2 O3 ,Yb2 O3 ,Lu2 O3 )及びTi
O2 ,Cr2 O3 などの酸化物をガーネット組成となる
ように秤量する。または、アルコキシド法や共沈法など
によって予め組成的に均一な湿式合成粉末を用いる。こ
れにSiO2 ,Li2O ,Na2 O,MgO,CaO
の酸化物成分を一種以上適量添加する。ここで、Y2 O
3 及びAl2 O3 の純度が99重量%未満では不純物の
作用によって良品のレーザ材料を得ることが困難とな
る。また、焼結体の平均粒子径や密度として特許請求の
範囲のものを得るためには、原料粉末の一次粒径が1μ
m以下のAl2 O3 及びY2 O3 を使用することが好ま
しい。
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0019
【補正方法】変更
【補正内容】
【0019】この成形体を電気炉に入れ、100°C/
hrで昇温し、所定温度にて焼成後、100°C/hr
で冷却した。得られた焼結体から直径6mm、厚さ10
mmの試料を作成し、両面の面粗さを5nm、平坦度を
1/8λに仕上げた。
hrで昇温し、所定温度にて焼成後、100°C/hr
で冷却した。得られた焼結体から直径6mm、厚さ10
mmの試料を作成し、両面の面粗さを5nm、平坦度を
1/8λに仕上げた。
Claims (1)
- 【請求項1】 SiO2 ,Li2 O,Na2 O,Mg
O,CaOの一種以上と、ランタニド元素及びCr、T
i元素の一種以上とを含有し、焼結体の平均粒子径が5
〜1000μmで気孔率が1%以下のガーネット構造を
有するレーザ用多結晶透明セラミックス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10807992A JP3463941B2 (ja) | 1992-04-27 | 1992-04-27 | レーザ用多結晶透明セラミックス |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10807992A JP3463941B2 (ja) | 1992-04-27 | 1992-04-27 | レーザ用多結晶透明セラミックス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05301770A true JPH05301770A (ja) | 1993-11-16 |
JP3463941B2 JP3463941B2 (ja) | 2003-11-05 |
Family
ID=14475344
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10807992A Expired - Fee Related JP3463941B2 (ja) | 1992-04-27 | 1992-04-27 | レーザ用多結晶透明セラミックス |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3463941B2 (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1313413C (zh) * | 2005-09-29 | 2007-05-02 | 上海大学 | Cr4+:Al2O3透明激光陶瓷材料的制备方法 |
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JP2008124371A (ja) * | 2006-11-15 | 2008-05-29 | Megaopto Co Ltd | レーザー発振方法およびレーザー装置 |
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-
1992
- 1992-04-27 JP JP10807992A patent/JP3463941B2/ja not_active Expired - Fee Related
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