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JPH05300370A - Picture processing unit - Google Patents

Picture processing unit

Info

Publication number
JPH05300370A
JPH05300370A JP4106431A JP10643192A JPH05300370A JP H05300370 A JPH05300370 A JP H05300370A JP 4106431 A JP4106431 A JP 4106431A JP 10643192 A JP10643192 A JP 10643192A JP H05300370 A JPH05300370 A JP H05300370A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
output
signal
image processing
pixel
chips
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP4106431A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kensuke Sawase
研介 澤瀬
Hiromi Ogata
弘美 緒方
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd filed Critical Rohm Co Ltd
Priority to JP4106431A priority Critical patent/JPH05300370A/en
Publication of JPH05300370A publication Critical patent/JPH05300370A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To suppress dispersion between chips by easily setting an output signal level between chips, that is, an output picture element signal level from each chip to an object value in the picture processing unit. CONSTITUTION:A signal from a picture element section 10 in which plural photodetectors are arranged in parallel is selected sequentially at an analog switch section 12 based on a control signal from a shift register 14 and outputted as a serial signal. A resistor array 18 comprising parallel connection of plural resistors is connected to an output terminal of an operational amplifier 16, the amplification factor of the operational amplifier 16 is adjusted by connecting a desired resistor to a GND terminal by wire bonding to set an output signal level to an object value.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は画像処理装置、特にアナ
ログ画素信号の出力レベルが調整可能な画像処理装置に
関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an image processing apparatus, and more particularly to an image processing apparatus capable of adjusting the output level of analog pixel signals.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、フォトトランジスタやフォト
ダイオード等の受光素子を複数個並設した画像処理装置
がFAX等に用いられている。このような画像処理装置
においては、通常受光素子が並設された画素部、この画
素部からの信号を順次切り換えて出力するためのアナロ
グスイッチ部、及びこのアナログスイッチの開閉制御を
行うための制御信号を供給するシフトレジスタ部が1チ
ップ上に形成される。
2. Description of the Related Art Conventionally, an image processing apparatus in which a plurality of light receiving elements such as phototransistors and photodiodes are arranged in parallel has been used for FAX machines and the like. In such an image processing device, a pixel unit in which light receiving elements are normally arranged in parallel, an analog switch unit for sequentially switching and outputting signals from the pixel unit, and a control for controlling opening / closing of the analog switch. A shift register unit for supplying signals is formed on one chip.

【0003】画像処理装置において正確な読み取りを可
能とするためには、同一光量を受光した場合に1チップ
内の各受光素子からの信号レベル及び各チップから出力
される信号レベル(チップ間の出力信号レベル)がほぼ
同一である必要があり、特に1チップは通常1ウエーハ
から作られるため、チップ間のばらつきを減少させるこ
とは容易ではない。
In order to enable accurate reading in the image processing apparatus, when the same amount of light is received, the signal level from each light receiving element in one chip and the signal level output from each chip (output between chips) The signal levels must be almost the same, and since one chip is usually made from one wafer, it is not easy to reduce the variation between chips.

【0004】従来において、このチップ間のばらつきを
減少させるためにはチップ間ばらつき量に応じてランク
付けし、同一ランク内にあるチップを選別して基板に実
装し、画像処理装置を構成していた。
Conventionally, in order to reduce the variation between the chips, the image processing apparatus is configured by ranking the chips in accordance with the amount of variation between the chips, selecting chips in the same rank and mounting them on a substrate. It was

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】このように、従来にお
いてはチップ間の出力信号レベルのばらつきを低減する
ためにチップの選別工程が必要となるため、歩留まりの
向上を図ることが困難であり、センサチップのコスト増
加を招く一因となっていた。
As described above, in the related art, it is difficult to improve the yield because a chip selection process is required to reduce the variation in the output signal level between chips. This has been one of the causes of increasing the cost of the sensor chip.

【0006】本発明は上記従来技術の有する課題に鑑み
なされたものであり、その目的は、チップ間の出力信号
レベル、すなわち各チップからの出力画素信号レベルを
目標値に容易に設定することによりチップ間のばらつき
を抑制した高コストパフォーマンスの画像処理装置を提
供することにある。
The present invention has been made in view of the above problems of the prior art, and an object thereof is to easily set an output signal level between chips, that is, an output pixel signal level from each chip to a target value. An object of the present invention is to provide a high cost performance image processing apparatus in which variations between chips are suppressed.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項1に係る画像処理装置は、複数の受光素子を
並設してなる画素部を同一基板上に1列状に配設し、前
記画素部からの出力増幅率を個々の画素部単位で変化さ
せることを特徴とする。
In order to achieve the above object, an image processing apparatus according to a first aspect of the present invention is arranged such that a plurality of light receiving elements are arranged side by side in a row on a single substrate. However, the output amplification factor from the pixel unit is changed for each pixel unit.

【0008】また、上記目的を達成するために請求項2
に係る画像処理装置は、複数の受光素子を並設してなる
画素部からの信号を切り換え制御して出力し、この出力
信号を増幅回路で増幅し画素信号として出力する画像処
理装置において、複数の抵抗が並列接続されてなる抵抗
アレイのいずれかの抵抗を前記増幅回路に接続すること
により前記増幅回路の増幅率を変化させることを特徴と
する。
Further, in order to achieve the above object, a second aspect is provided.
An image processing apparatus according to the above-mentioned image processing apparatus, wherein a signal from a pixel portion having a plurality of light receiving elements arranged in parallel is switched and output, and the output signal is amplified by an amplifier circuit and output as a pixel signal The amplification factor of the amplification circuit is changed by connecting one of the resistances of the resistance array in which the resistances are connected in parallel to the amplification circuit.

【0009】[0009]

【作用】このように、本発明の画像処理装置は、各画素
部からの出力画素信号レベルが目標値となるように抵抗
アレイを用いて増幅回路の増幅率を調整するものであ
る。
As described above, the image processing apparatus of the present invention adjusts the amplification factor of the amplifier circuit by using the resistor array so that the output pixel signal level from each pixel section becomes the target value.

【0010】すなわち、抵抗アレイのいずれかの抵抗を
接地して所望の抵抗を増幅回路に接続することにより増
幅率を画素部毎に調整する。
That is, one of the resistors in the resistor array is grounded and a desired resistor is connected to the amplifier circuit to adjust the amplification factor for each pixel portion.

【0011】[0011]

【実施例】以下、図面を用いながら本発明に係る画像処
理装置の好適な実施例を説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the image processing apparatus according to the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0012】図1には本実施例における画像処理装置の
センサチップの回路図が示されている。画素部10には
複数の受光素子(フォトダイオードやフォトトランジス
タ)が並設されており、これら受光素子には電圧Vddが
印加されている。各受光素子に原稿の濃淡に応じた光が
入射すると、各受光素子は入射光量に応じた電圧を出力
する。そして、画素部10からの信号はアナログスイッ
チ部12に入力される。このアナログスイッチ部12は
各受光素子に接続された複数のトランジスタから構成さ
れており、これらのトランジスタを順次ON/OFF制
御することにより各受光素子からの信号を切り換えてシ
リアル出力とする。トランジスタのON/OFF制御は
シフトレジスタ14にて行われる。すなわち、シフトレ
ジスタ14に制御信号SI 及びクロックCLKを入力
し、この制御信号SI をトランジスタのベースに供給す
ることにより各トランジスタを順にON/OFFする。
FIG. 1 shows a circuit diagram of a sensor chip of the image processing apparatus in this embodiment. A plurality of light receiving elements (photodiodes and phototransistors) are arranged in parallel in the pixel section 10, and a voltage Vdd is applied to these light receiving elements. When light corresponding to the light and shade of a document enters each light receiving element, each light receiving element outputs a voltage according to the amount of incident light. Then, the signal from the pixel unit 10 is input to the analog switch unit 12. The analog switch section 12 is composed of a plurality of transistors connected to each light receiving element. By sequentially controlling ON / OFF of these transistors, the signal from each light receiving element is switched to be a serial output. The ON / OFF control of the transistor is performed by the shift register 14. That is, by inputting the control signal SI and the clock CLK to the shift register 14 and supplying the control signal SI to the base of the transistor, each transistor is turned ON / OFF in order.

【0013】そして、アナログスイッチ部12からの出
力信号はチップ内蔵のOPアンプ16を含む非反転増幅
回路に入力する。ここで、本実施例において特徴的なこ
とは、この増幅回路での増幅率を調整するための抵抗ア
レイ18がOPアンプ16の出力端子に接続されている
ことである。この抵抗アレイ18は異なる抵抗値を有す
る複数個(実施例では4個)の抵抗を並列に接続して構
成される。従って、これら抵抗の端子S1 〜S4 (ワイ
ヤボンディング端子)のいずれかを選択して接地すれ
ば、抵抗アレイ18内の選択された抵抗とOPアンプ1
6の出力端に同様に接続されている抵抗Rとで定まる電
圧レベルがOPアンプ16の反転入力端子に入力するの
で、選択抵抗を変化させることによりOPアンプ16の
増幅率を所望の値に調整することができる。
The output signal from the analog switch section 12 is input to a non-inverting amplifier circuit including an OP amplifier 16 built in the chip. Here, what is characteristic of this embodiment is that the resistor array 18 for adjusting the amplification factor in this amplifier circuit is connected to the output terminal of the OP amplifier 16. The resistor array 18 is configured by connecting a plurality of (four in the embodiment) resistors having different resistance values in parallel. Therefore, if any one of these resistor terminals S1 to S4 (wire bonding terminals) is selected and grounded, the selected resistor in the resistor array 18 and the OP amplifier 1 are connected.
Since the voltage level determined by the resistance R similarly connected to the output terminal of 6 is input to the inverting input terminal of the OP amplifier 16, the amplification factor of the OP amplifier 16 is adjusted to a desired value by changing the selection resistance. can do.

【0014】図2には図1に示されたセンサチップを基
板上に実装した状態が示されており、また図3には図2
の実装状態の回路図が示されている。チップの入力端子
としては、前述したシフトレジスタ14に供給されるS
I 、CLK、及び画素部10に供給されるVddがあり、
出力端子としては、OPアンプ16からの出力画素信号
AO 、抵抗アレイ18の端子S1 〜S4 がある。本実施
例においては、この抵抗アレイ18の各抵抗の端子S1
〜S4 はすべて基板側のワイヤボンディング端子20に
ワイヤボンディングされている。
FIG. 2 shows a state where the sensor chip shown in FIG. 1 is mounted on a substrate, and FIG. 3 shows the state shown in FIG.
The circuit diagram of the mounting state of is shown. As the input terminal of the chip, S supplied to the shift register 14 described above.
I, CLK, and Vdd supplied to the pixel unit 10,
The output terminals include the output pixel signal AO from the OP amplifier 16 and the terminals S1 to S4 of the resistor array 18. In this embodiment, the terminal S1 of each resistor of the resistor array 18 is used.
.About.S4 are all wire-bonded to the wire-bonding terminals 20 on the substrate side.

【0015】この実装状態において、所定光量の光を受
光素子に入射させると、各チップからこの光量に応じた
画素信号が出力されるが、前述したように、各チップは
異なるウエーハから形成されるため、出力レベルには通
常ばらつきが生じている。そこで、抵抗アレイ18の各
端子S1 〜S4 が接続されているワイヤボンディング端
子20とGND端子22間を順次仮接続し(プロービン
グ)、その時の出力レベルの変動を検出する。そして、
出力レベルが目標値に最も近い値となる端子20を選択
し、その端子20とGND端子22をワイヤボンディン
グする。図2において、破線がワイヤボンディングされ
た状態を示しており、図3には端子S1と端子S3 がG
NDレベルに接続された回路構成が示されている。この
ようなワイヤボンディング工程をすべてのチップについ
て行うことにより、各チップからの出力画素レベルはす
べて目標値近傍に設定され、ばらつきを減少することが
できる。
In this mounted state, when a predetermined amount of light is incident on the light receiving element, each chip outputs a pixel signal corresponding to this amount of light. As described above, each chip is formed of a different wafer. Therefore, the output level usually varies. Therefore, the wire bonding terminal 20 to which the terminals S1 to S4 of the resistor array 18 are connected and the GND terminal 22 are sequentially temporarily connected (probing), and the fluctuation of the output level at that time is detected. And
The terminal 20 whose output level is the closest to the target value is selected, and the terminal 20 and the GND terminal 22 are wire-bonded. In FIG. 2, the broken line shows the state of wire bonding, and in FIG. 3, the terminals S1 and S3 are G
A circuit configuration connected to the ND level is shown. By performing such a wire bonding process for all the chips, the output pixel levels from each chip are all set in the vicinity of the target value, and variations can be reduced.

【0016】このように、本実施例では増幅回路に抵抗
アレイを接続し、この抵抗アレイのなかのいずれかの抵
抗をワイヤボンディング工程で選択して増幅率を変化さ
せることができるので、チップの選別工程を不要とする
ことができる。また、プロービング時にワイヤボンディ
ング端子20を用いてプロービングを行うことができる
ので、増幅率調整を容易に行うことができる。
As described above, in this embodiment, since the resistor array is connected to the amplifier circuit and one of the resistors in the resistor array can be selected in the wire bonding process to change the amplification factor, the chip It is possible to eliminate the sorting step. In addition, since the probing can be performed using the wire bonding terminal 20 during probing, the amplification factor can be easily adjusted.

【0017】なお、本実施例では抵抗アレイ18は4個
の異なる抵抗で構成したが、本発明はもちろんこれに限
定されるものではなく、同一抵抗値を有する抵抗を用い
てもよく、またその個数も適宜増減することが可能であ
る(要求される増幅率調整の精度に応じて抵抗数が増減
する)ことは言うまでもない。
In the present embodiment, the resistor array 18 is composed of four different resistors, but the present invention is not limited to this, and resistors having the same resistance value may be used, and the same. It goes without saying that the number of resistors can be appropriately increased or decreased (the number of resistors can be increased or decreased according to the required precision of amplification factor adjustment).

【0018】[0018]

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る画像
処理装置によれば、チップ間の出力信号レベル、すなわ
ち各チップからの出力画素信号レベルのばらつきがない
高コストパフォーマンスの画像処理装置が得られる効果
がある。
As described above, according to the image processing apparatus of the present invention, there is provided a high cost performance image processing apparatus in which the output signal level between chips, that is, the output pixel signal level from each chip does not vary. There is an effect to be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例のセンサチップの回路図であ
る。
FIG. 1 is a circuit diagram of a sensor chip according to an embodiment of the present invention.

【図2】同実施例におけるセンサチップを基板に実装し
た状態の説明図である。
FIG. 2 is an explanatory diagram showing a state where the sensor chip according to the embodiment is mounted on a substrate.

【図3】図2の実装状態の回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram of the mounting state of FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 画素部 12 アナログスイッチ部 14 シフトレジスタ 16 OPアンプ 18 抵抗アレイ 10 Pixel Section 12 Analog Switch Section 14 Shift Register 16 OP Amplifier 18 Resistance Array

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数の受光素子を並設してなる画素部を
同一基板上に1列状に配設し、前記画素部からの出力増
幅率を個々の画素部単位で変化させることを特徴とする
画像処理装置。
1. A pixel unit formed by arranging a plurality of light receiving elements in parallel is arranged in one row on the same substrate, and an output amplification factor from the pixel unit is changed for each pixel unit. Image processing device.
【請求項2】 複数の受光素子を並設してなる画素部か
らの信号を切り換え制御して出力し、この出力信号を増
幅回路で増幅し画素信号として出力する画像処理装置に
おいて、 複数の抵抗が並列接続されてなる抵抗アレイのいずれか
の抵抗を前記増幅回路に接続することにより前記増幅回
路の増幅率を変化させることを特徴とする画像処理装
置。
2. An image processing apparatus for switching and outputting a signal from a pixel portion formed by arranging a plurality of light receiving elements in parallel, amplifying the output signal by an amplifier circuit, and outputting the pixel signal as a pixel signal. An image processing apparatus characterized in that the amplification factor of the amplifier circuit is changed by connecting one of the resistors of a resistor array formed by connecting in parallel to the amplifier circuit.
JP4106431A 1992-04-24 1992-04-24 Picture processing unit Pending JPH05300370A (en)

Priority Applications (1)

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JP4106431A JPH05300370A (en) 1992-04-24 1992-04-24 Picture processing unit

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JP4106431A Pending JPH05300370A (en) 1992-04-24 1992-04-24 Picture processing unit

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