JPH05297207A - 反射鏡 - Google Patents
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- JPH05297207A JPH05297207A JP4104400A JP10440092A JPH05297207A JP H05297207 A JPH05297207 A JP H05297207A JP 4104400 A JP4104400 A JP 4104400A JP 10440092 A JP10440092 A JP 10440092A JP H05297207 A JPH05297207 A JP H05297207A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/08—Mirrors
- G02B5/0816—Multilayer mirrors, i.e. having two or more reflecting layers
- G02B5/085—Multilayer mirrors, i.e. having two or more reflecting layers at least one of the reflecting layers comprising metal
- G02B5/0875—Multilayer mirrors, i.e. having two or more reflecting layers at least one of the reflecting layers comprising metal the reflecting layers comprising two or more metallic layers
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 銀反射鏡の保護層をＡｌ2 Ｏ3 層、ＺｒＯ2
層、ＳｉＯ2 層の３層構成とし、これらの３層の厚さを
所定の範囲とすることによりＰ偏光とＳ偏光の反射率差
を１％程度以内とする。 【構成】 この反射鏡はガラス基板１上に５〜15nm厚の
Ｃｒ層２、10〜40nm厚のＣｕ層３、500nm 厚のＡｇ層
４、49nm〜89nm厚のＡｌ2 Ｏ3 層５、37nm〜77nm厚のＺ
ｒＯ2 層６および60nm〜100nm 厚のＳｉＯ2 層７をこの
順に積層してなる。
層、ＳｉＯ2 層の３層構成とし、これらの３層の厚さを
所定の範囲とすることによりＰ偏光とＳ偏光の反射率差
を１％程度以内とする。 【構成】 この反射鏡はガラス基板１上に５〜15nm厚の
Ｃｒ層２、10〜40nm厚のＣｕ層３、500nm 厚のＡｇ層
４、49nm〜89nm厚のＡｌ2 Ｏ3 層５、37nm〜77nm厚のＺ
ｒＯ2 層６および60nm〜100nm 厚のＳｉＯ2 層７をこの
順に積層してなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は種々の光学系等において
用いられる反射鏡に関し、詳しくは銀層上に複数の保護
層を有する銀反射鏡に関するものである。
用いられる反射鏡に関し、詳しくは銀層上に複数の保護
層を有する銀反射鏡に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】種々の光学系において用いられる反射鏡
として基板上に銀層を蒸着してなる銀反射鏡が知られて
いる。
として基板上に銀層を蒸着してなる銀反射鏡が知られて
いる。
【０００３】銀反射鏡はアルミニウム反射鏡と比べて可
視光領域で反射率が高く分光反射特性に優れているため
注目されている。
視光領域で反射率が高く分光反射特性に優れているため
注目されている。
【０００４】銀反射鏡はこのような長所を有する一方で
耐久性等の強度面で問題があるため銀層上に保護層を設
けたものが知られている。
耐久性等の強度面で問題があるため銀層上に保護層を設
けたものが知られている。
【０００５】銀反射鏡の保護層としては酸化アルミニウ
ム、酸化ジルコニウムおよび二酸化ケイ素をこの順に積
層してなるものが知られており、これにより良好な反射
特性を維持しつつ耐摩耗性の向上を図ることができる。
ム、酸化ジルコニウムおよび二酸化ケイ素をこの順に積
層してなるものが知られており、これにより良好な反射
特性を維持しつつ耐摩耗性の向上を図ることができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、この銀反射
鏡の偏光特性の良否は、Ｐ偏光反射率とＳ偏光反射率の
差により判断され、この差が大きいと偏光成分に応じて
入射光の反射率が大きく変化してしまうことから、特に
可視領域においては上記反射率の差は１％程度以内とす
るのが好ましい。
鏡の偏光特性の良否は、Ｐ偏光反射率とＳ偏光反射率の
差により判断され、この差が大きいと偏光成分に応じて
入射光の反射率が大きく変化してしまうことから、特に
可視領域においては上記反射率の差は１％程度以内とす
るのが好ましい。
【０００７】しかしながら、銀層上に上述した保護層を
積層すると上記反射率の差が１％程度より大きくなって
しまうおそれがある。
積層すると上記反射率の差が１％程度より大きくなって
しまうおそれがある。
【０００８】本発明はこのような事情に鑑みなされたも
ので、可視領域において、Ｐ偏光とＳ偏光の反射率差を
１％程度以内とし得る３層構成の保護膜を有する反射鏡
を提供することを目的とするものである。
ので、可視領域において、Ｐ偏光とＳ偏光の反射率差を
１％程度以内とし得る３層構成の保護膜を有する反射鏡
を提供することを目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の反射鏡は、基板
上に銀層、酸化アルミニウム層、酸化ジルコニウム層お
よび二酸化ケイ素層をこの順に積層してなる反射鏡であ
って、前記酸化アルミニウム層の厚さを49nm以上89nm以
下に、前記酸化ジルコニウム層の厚さを37nm以上77nm以
下に、前記二酸化ケイ素層の厚さを60nm以上100nm 以下
の厚さに設定してなることを特徴とするものである。
上に銀層、酸化アルミニウム層、酸化ジルコニウム層お
よび二酸化ケイ素層をこの順に積層してなる反射鏡であ
って、前記酸化アルミニウム層の厚さを49nm以上89nm以
下に、前記酸化ジルコニウム層の厚さを37nm以上77nm以
下に、前記二酸化ケイ素層の厚さを60nm以上100nm 以下
の厚さに設定してなることを特徴とするものである。
【００１０】なお、上記構成は上記基板と上記銀層の
間、および銀層と酸化アルミニウム層の間に他の層を設
けることを排除することを意味するものではない。
間、および銀層と酸化アルミニウム層の間に他の層を設
けることを排除することを意味するものではない。
【００１１】
【作用】上記構成によれば、銀反射鏡の保護層として厚
さが49nm以上89nm以下の酸化アルミニウム層、厚さが37
nm以上77nm以下の酸化ジルコニウム層および厚さが60nm
以上100nm 以下の二酸化ケイ素層をこの順に積層してい
る。
さが49nm以上89nm以下の酸化アルミニウム層、厚さが37
nm以上77nm以下の酸化ジルコニウム層および厚さが60nm
以上100nm 以下の二酸化ケイ素層をこの順に積層してい
る。
【００１２】上記３層の厚さの範囲においては、可視領
域の入射光に対して偏光特性が良好となっている。すな
わち、本発明者等の実験結果によれば３層の厚みを上記
範囲に設定すれば可視領域においてＰ偏光とＳ偏光の反
射率の差を１％程度以内とすることができる。したがっ
て、本発明の反射鏡によれば、保護層を設けることによ
る偏光特性の低下を防止することができる。
域の入射光に対して偏光特性が良好となっている。すな
わち、本発明者等の実験結果によれば３層の厚みを上記
範囲に設定すれば可視領域においてＰ偏光とＳ偏光の反
射率の差を１％程度以内とすることができる。したがっ
て、本発明の反射鏡によれば、保護層を設けることによ
る偏光特性の低下を防止することができる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。
【００１４】図１は、本発明の実施例に係る反射鏡の層
構成を示す概略図である。この反射鏡はガラス基板１上
に５〜15nm厚のＣｒ層２、10〜40nm厚のＣｕ層３、100n
m 厚のＡｇ層４、49nm〜89nm厚のＡｌ2 Ｏ3 （酸化アル
ミニウム）層５、37nm〜77nm厚のＺｒＯ2 （酸化ジルコ
ニウム、屈折率1.98）層６および60nm〜100nm 厚のＳｉ
Ｏ2 （二酸化ケイ素）層７をこの順に積層してなるもの
である。
構成を示す概略図である。この反射鏡はガラス基板１上
に５〜15nm厚のＣｒ層２、10〜40nm厚のＣｕ層３、100n
m 厚のＡｇ層４、49nm〜89nm厚のＡｌ2 Ｏ3 （酸化アル
ミニウム）層５、37nm〜77nm厚のＺｒＯ2 （酸化ジルコ
ニウム、屈折率1.98）層６および60nm〜100nm 厚のＳｉ
Ｏ2 （二酸化ケイ素）層７をこの順に積層してなるもの
である。
【００１５】上記Ｃｒ層２およびＣｕ層３は上記ガラス
基板１とＡｇ層４の密着性を強化するための密着強化層
として作用する。また、上記Ａｇ層４は入射光を反射す
るための層である。上記Ａｌ2 Ｏ3 層５はこのＡｇ層４
の耐久性を向上させるための保護層である。また、Ｚｒ
Ｏ2 層６はＡｇ層４の耐久性向上のための保護層である
とともに反射特性を良好とするための高屈折率誘電体層
である。さらに、最上層のＳｉＯ2 層７は耐摩耗性を向
上させるための保護層である。
基板１とＡｇ層４の密着性を強化するための密着強化層
として作用する。また、上記Ａｇ層４は入射光を反射す
るための層である。上記Ａｌ2 Ｏ3 層５はこのＡｇ層４
の耐久性を向上させるための保護層である。また、Ｚｒ
Ｏ2 層６はＡｇ層４の耐久性向上のための保護層である
とともに反射特性を良好とするための高屈折率誘電体層
である。さらに、最上層のＳｉＯ2 層７は耐摩耗性を向
上させるための保護層である。
【００１６】次に、図１に示す層構成の反射鏡を製造す
る方法について説明する。
る方法について説明する。
【００１７】まず、清浄化したガラス基板１を保持具に
取り付け、これを真空槽内に挿入し、固定する。真空槽
内を無加熱状態で１×10-6Torr程度となるまで真空排気
する。
取り付け、これを真空槽内に挿入し、固定する。真空槽
内を無加熱状態で１×10-6Torr程度となるまで真空排気
する。
【００１８】この後、電子ビーム蒸着法を用い、ガラス
基板１上に５〜15nm厚のＣｒ層２を形成する。次に、抵
抗加熱蒸着法を用い、このＣｒ層２上に10〜40nm厚のＣ
ｕ層３を形成する。
基板１上に５〜15nm厚のＣｒ層２を形成する。次に、抵
抗加熱蒸着法を用い、このＣｒ層２上に10〜40nm厚のＣ
ｕ層３を形成する。
【００１９】この後、抵抗加熱蒸着法を用い、このＣｕ
層３上に500nm 厚のＡｇ層４を形成する。次に、電子ビ
ーム蒸着法を用い、このＡｇ層４上に49nm〜89nm厚のＡ
ｌ2Ｏ3 層５を形成する。
層３上に500nm 厚のＡｇ層４を形成する。次に、電子ビ
ーム蒸着法を用い、このＡｇ層４上に49nm〜89nm厚のＡ
ｌ2Ｏ3 層５を形成する。
【００２０】この後、上記真空槽を、上記ガラス基板１
の温度が300 ℃となるように加熱する。この加熱処理に
より、この後に形成されるＺｒＯ2 層６およびＳｉＯ2
層７の強度を高めることができる。
の温度が300 ℃となるように加熱する。この加熱処理に
より、この後に形成されるＺｒＯ2 層６およびＳｉＯ2
層７の強度を高めることができる。
【００２１】なお、これよりも前の段階で加熱処理を行
なうとＡｇ層４やＣｕ層３等の金属層が結晶化してくも
り現象（白濁）が生じ、光反射率が低下するので好まし
くない。
なうとＡｇ層４やＣｕ層３等の金属層が結晶化してくも
り現象（白濁）が生じ、光反射率が低下するので好まし
くない。
【００２２】この後、電子ビーム蒸着法を用い、上記Ａ
ｌ2 Ｏ3 層５上に37nm〜77nm厚のＺｒＯ2 層６を形成す
る。
ｌ2 Ｏ3 層５上に37nm〜77nm厚のＺｒＯ2 層６を形成す
る。
【００２３】最後に、電子ビーム蒸着法を用い、このＺ
ｒＯ2 層６上に60nm〜100nm 厚のＳｉＯ2 層７を形成す
る。
ｒＯ2 層６上に60nm〜100nm 厚のＳｉＯ2 層７を形成す
る。
【００２４】なお、本発明の反射鏡としては上述した実
施例のものに限られるものではない。
施例のものに限られるものではない。
【００２５】例えば、ガラス基板１を金属基板やプラス
チック基板に代えることも可能である。
チック基板に代えることも可能である。
【００２６】また、Ｃｒ層２およびＣｕ層３は適宜省略
することも可能である。
することも可能である。
【００２７】さらに、各層を形成する蒸着方法としては
上述した方法に限られず、例えば上述した説明で、層を
形成する際に、電子ビーム蒸着法を用いているものにつ
いてはこれに代えて抵抗加熱蒸着法を用いてもよいし、
抵抗加熱蒸着法を用いているものについてはこれに代え
て電子ビーム蒸着法を用いてもよい。
上述した方法に限られず、例えば上述した説明で、層を
形成する際に、電子ビーム蒸着法を用いているものにつ
いてはこれに代えて抵抗加熱蒸着法を用いてもよいし、
抵抗加熱蒸着法を用いているものについてはこれに代え
て電子ビーム蒸着法を用いてもよい。
【００２８】ところで、銀反射鏡は保護層を設けること
により偏光特性が劣化する傾向にあるが、上記実施例に
おいては、Ａｌ2 Ｏ3 層５の厚みを49nm〜89nmに、Ｚｒ
Ｏ2層６の厚みを37nm〜77nm、さらにＳｉＯ2 層７の厚
みを60nm〜100nm に設定しているのでＰ偏光とＳ偏光の
反射率差を１％程度以内とすることができる。
により偏光特性が劣化する傾向にあるが、上記実施例に
おいては、Ａｌ2 Ｏ3 層５の厚みを49nm〜89nmに、Ｚｒ
Ｏ2層６の厚みを37nm〜77nm、さらにＳｉＯ2 層７の厚
みを60nm〜100nm に設定しているのでＰ偏光とＳ偏光の
反射率差を１％程度以内とすることができる。
【００２９】次に、上記Ａｌ2 Ｏ3 層５の厚さを69nm
に、上記ＺｒＯ2 層６の厚さを57nmに各々設定し、Ｓｉ
Ｏ2 層７の厚さを40nmから120nm までの間で10nm毎に設
定した際における各々の分光反射率特性を図２〜10に示
す。
に、上記ＺｒＯ2 層６の厚さを57nmに各々設定し、Ｓｉ
Ｏ2 層７の厚さを40nmから120nm までの間で10nm毎に設
定した際における各々の分光反射率特性を図２〜10に示
す。
【００３０】すなわちＳｉＯ2 層７の厚さを40nmとした
場合を図２に、50nmとした場合を図３に、60nmとした場
合を図４に、70nmとした場合を図５に、80nmとした場合
を図６に、90nmとした場合を図７に、100nm とした場合
を図８に、110nm とした場合を図９に、120nm とした場
合を図10に示す。
場合を図２に、50nmとした場合を図３に、60nmとした場
合を図４に、70nmとした場合を図５に、80nmとした場合
を図６に、90nmとした場合を図７に、100nm とした場合
を図８に、110nm とした場合を図９に、120nm とした場
合を図10に示す。
【００３１】なお、図２〜10には分光反射特性を示す３
本の曲線が表わされている。記号Ｓが付されている曲線
はＳ偏光成分の反射率を、記号Ｐが付されている曲線は
Ｐ偏光成分の反射率を、これら両曲線の中間に位置する
曲線はＳ偏光成分とＰ偏光成分両者の反射率の平均値を
表わす曲線である。また、全ての図面は入射角度を45°
に設定した場合について示している。
本の曲線が表わされている。記号Ｓが付されている曲線
はＳ偏光成分の反射率を、記号Ｐが付されている曲線は
Ｐ偏光成分の反射率を、これら両曲線の中間に位置する
曲線はＳ偏光成分とＰ偏光成分両者の反射率の平均値を
表わす曲線である。また、全ての図面は入射角度を45°
に設定した場合について示している。
【００３２】この図２〜10によれば、曲線Ｓと曲線Ｐの
長波長側の接点（もしくは交叉点）がＳｉＯ2 層７の厚
みが増加するにしたがって短波長側に移動し、２つの交
叉点に挟まれる波長領域の偏光反射率差が小さくなる。
しかしながら、ＳｉＯ2 層７が100nm 以上となると長波
長側の接点（もしくは交叉点）より長波長側において曲
線Ｓと曲線Ｐの開きが大きくなる部分が可視領域となる
ので良好な偏光特性を得ることが困難となる。
長波長側の接点（もしくは交叉点）がＳｉＯ2 層７の厚
みが増加するにしたがって短波長側に移動し、２つの交
叉点に挟まれる波長領域の偏光反射率差が小さくなる。
しかしながら、ＳｉＯ2 層７が100nm 以上となると長波
長側の接点（もしくは交叉点）より長波長側において曲
線Ｓと曲線Ｐの開きが大きくなる部分が可視領域となる
ので良好な偏光特性を得ることが困難となる。
【００３３】すなわち、ＳｉＯ2 層７が60nm〜100nm の
範囲の場合に偏光特性が良好（Ｓ偏光とＰ偏光の反射率
差が１％程度以内）となる。
範囲の場合に偏光特性が良好（Ｓ偏光とＰ偏光の反射率
差が１％程度以内）となる。
【００３４】次に、Ａｌ2 Ｏ3 層５の厚さを49nm、69n
m、89nmと変化させ、またＺｒＯ2 層６の厚さを37nm、5
7nm、77nmと変化させた各々の場合において、ＳｉＯ2
層７の厚さを60nm、80nm、100nm と変化させて上記２つ
の偏光の反射率差を測定し、その結果を下記表１，２，
３に示した。
m、89nmと変化させ、またＺｒＯ2 層６の厚さを37nm、5
7nm、77nmと変化させた各々の場合において、ＳｉＯ2
層７の厚さを60nm、80nm、100nm と変化させて上記２つ
の偏光の反射率差を測定し、その結果を下記表１，２，
３に示した。
【００３５】この反射率差が全可視領域において１％以
内の場合には○、可視領域の一部で１％を若干越える場
合には△の印を付した。
内の場合には○、可視領域の一部で１％を若干越える場
合には△の印を付した。
【００３６】
【表１】
【００３７】
【表２】
【００３８】
【表３】
【００３９】上記３つの表から明らかなように、Ａｌ2
Ｏ3 層５の厚み、ＺｒＯ2 層６の厚みおよびＳｉＯ2 層
７の厚みを上述した如く各々変化させた各場合において
２つの偏光の反射率差を１％程度以内とすることができ
る。
Ｏ3 層５の厚み、ＺｒＯ2 層６の厚みおよびＳｉＯ2 層
７の厚みを上述した如く各々変化させた各場合において
２つの偏光の反射率差を１％程度以内とすることができ
る。
【００４０】また、ＳｉＯ2 層７の厚さが80nmおよび10
0nm の場合には、Ａｌ2 Ｏ3 層５の厚さが89nmでＺｒＯ
2 層６の厚さが77nmのときに上記反射率差が１％程度よ
り大きくなるが、Ａｌ2 Ｏ3 層５の厚さを若干小さくす
るか、ＺｒＯ2 層６の厚さを若干小さくすることによっ
て１％程度以内の反射率差とすることが可能である。
0nm の場合には、Ａｌ2 Ｏ3 層５の厚さが89nmでＺｒＯ
2 層６の厚さが77nmのときに上記反射率差が１％程度よ
り大きくなるが、Ａｌ2 Ｏ3 層５の厚さを若干小さくす
るか、ＺｒＯ2 層６の厚さを若干小さくすることによっ
て１％程度以内の反射率差とすることが可能である。
【００４１】なお、上述した実施例について下記の如き
膜強度試験を行なったがＳｉＯ2 層７の表面に傷は生じ
なかった。
膜強度試験を行なったがＳｉＯ2 層７の表面に傷は生じ
なかった。
【００４２】すなわち、この試験方法は、清浄なチーズ
クロスを１ポンドの力で反射鏡表面に押圧し、この表面
上で一方向に25往復させ、その後反射鏡表面の傷を目視
により検査する方法である。
クロスを１ポンドの力で反射鏡表面に押圧し、この表面
上で一方向に25往復させ、その後反射鏡表面の傷を目視
により検査する方法である。
【００４３】
【発明の効果】以上に説明した如く本発明の反射鏡によ
れば、３つの保護層の厚みを各々所定の値に設定するこ
とによりＰ偏光とＳ偏光の反射率差を１％程度以内とす
ることができ、３層構造の保護層により膜強度の強化を
図りつつ偏光特性を良好なものとすることができる。
れば、３つの保護層の厚みを各々所定の値に設定するこ
とによりＰ偏光とＳ偏光の反射率差を１％程度以内とす
ることができ、３層構造の保護層により膜強度の強化を
図りつつ偏光特性を良好なものとすることができる。
【図１】本発明の実施例に係る反射鏡の層構成を示す概
略図
略図
【図２】Ａｌ2 Ｏ3 層、ＺｒＯ2 層、ＳｉＯ2 層の層厚
が各々69nm、57nm、40nmの場合の分光特性を示すグラフ
が各々69nm、57nm、40nmの場合の分光特性を示すグラフ
【図３】Ａｌ2 Ｏ3 層、ＺｒＯ2 層、ＳｉＯ2 層の層厚
が各々69nm、57nm、50nmの場合の分光特性を示すグラフ
が各々69nm、57nm、50nmの場合の分光特性を示すグラフ
【図４】Ａｌ2 Ｏ3 層、ＺｒＯ2 層、ＳｉＯ2 層の層厚
が各々69nm、57nm、60nmの場合の分光特性を示すグラフ
が各々69nm、57nm、60nmの場合の分光特性を示すグラフ
【図５】Ａｌ2 Ｏ3 層、ＺｒＯ2 層、ＳｉＯ2 層の層厚
が各々69nm、57nm、70nmの場合の分光特性を示すグラフ
が各々69nm、57nm、70nmの場合の分光特性を示すグラフ
【図６】Ａｌ2 Ｏ3 層、ＺｒＯ2 層、ＳｉＯ2 層の層厚
が各々69nm、57nm、80nmの場合の分光特性を示すグラフ
が各々69nm、57nm、80nmの場合の分光特性を示すグラフ
【図７】Ａｌ2 Ｏ3 層、ＺｒＯ2 層、ＳｉＯ2 層の層厚
が各々69nm、57nm、90nmの場合の分光特性を示すグラフ
が各々69nm、57nm、90nmの場合の分光特性を示すグラフ
【図８】Ａｌ2 Ｏ3 層、ＺｒＯ2 層、ＳｉＯ2 層の層厚
が各々69nm、57nm、100nm の場合の分光特性を示すグラ
フ
が各々69nm、57nm、100nm の場合の分光特性を示すグラ
フ
【図９】Ａｌ2 Ｏ3 層、ＺｒＯ2 層、ＳｉＯ2 層の層厚
が各々69nm、57nm、110nm の場合の分光特性を示すグラ
フ
が各々69nm、57nm、110nm の場合の分光特性を示すグラ
フ
【図１０】Ａｌ2 Ｏ3 層、ＺｒＯ2 層、ＳｉＯ2 層の層
厚が各々69nm、57nm、120nm の場合の分光特性を示すグ
ラフ
厚が各々69nm、57nm、120nm の場合の分光特性を示すグ
ラフ
１ ガラス基板 ２ Ｃｒ層 ３ Ｃｕ層 ４ Ａｇ層 ５ Ａｌ2 Ｏ3 層 ６ ＺｒＯ2 層 ７ ＳｉＯ2 層
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に銀層、酸化アルミニウム層、酸
化ジルコニウム層および二酸化ケイ素層をこの順に積層
してなる反射鏡であって、 前記酸化アルミニウム層の厚さを49nm以上89nm以下に、
前記酸化ジルコニウム層の厚さを37nm以上77nm以下に、
前記二酸化ケイ素層の厚さを60nm以上100nm 以下の厚さ
に設定してなることを特徴とする反射鏡。
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|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|---|
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-
1992
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Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7868961B2 (en) | 1996-10-22 | 2011-01-11 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal panel substrate, liquid crystal panel, and electronic device and projection display device using the same |
| US7872728B1 (en) | 1996-10-22 | 2011-01-18 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal panel substrate, liquid crystal panel, and electronic device and projection display device using the same |
| US7158205B2 (en) | 1996-10-22 | 2007-01-02 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal panel substrate, liquid crystal panel, and electronic device and projection display device using the same |
| US7184105B2 (en) | 1996-10-22 | 2007-02-27 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal panel substrate, liquid crystal panel, and electronic device and projection display device having the same |
| US7324171B2 (en) | 1996-10-22 | 2008-01-29 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal panel substrate, liquid crystal panel, and electronic device and projection display device using the same |
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| JP2010535286A (ja) * | 2007-08-02 | 2010-11-18 | セコ コーポレイション リミテッド | 乾式真空蒸着を用いた多層薄膜の製造方法 |
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