JPH05290408A - 光情報記録媒体 - Google Patents
光情報記録媒体Info
- Publication number
- JPH05290408A JPH05290408A JP4116945A JP11694592A JPH05290408A JP H05290408 A JPH05290408 A JP H05290408A JP 4116945 A JP4116945 A JP 4116945A JP 11694592 A JP11694592 A JP 11694592A JP H05290408 A JPH05290408 A JP H05290408A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- protective layer
- recording medium
- resistant protective
- heat
- optical information
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【構成】 第１耐熱保護層２、相変化型の記録層３、第
２耐熱保護層４および有機樹脂保護層６を透明樹脂基板
１上に順次積層して構成され、該記録層３にレーザ光を
照射することにより情報の記録、再生および消去を行う
光情報記録媒体において、少なくとも該第１耐熱保護層
２が、硫化亜鉛と酸化ニオブとを主成分とする混合物に
より形成されている。 【効果】 記録特性に優れていると同時に、耐久性も優
れている。
２耐熱保護層４および有機樹脂保護層６を透明樹脂基板
１上に順次積層して構成され、該記録層３にレーザ光を
照射することにより情報の記録、再生および消去を行う
光情報記録媒体において、少なくとも該第１耐熱保護層
２が、硫化亜鉛と酸化ニオブとを主成分とする混合物に
より形成されている。 【効果】 記録特性に優れていると同時に、耐久性も優
れている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光情報記録媒体に関す
る。より詳細には、本発明は、レーザ光を照射すること
により発生する記録層の相変化により情報を記録する方
式の光情報記録媒体であって、特にその記録層に隣接し
て耐熱保護層を具備する光情報記録媒体の新規な構成に
関する。
る。より詳細には、本発明は、レーザ光を照射すること
により発生する記録層の相変化により情報を記録する方
式の光情報記録媒体であって、特にその記録層に隣接し
て耐熱保護層を具備する光情報記録媒体の新規な構成に
関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、急速に処理量の増加した情報に対
してその保存技術の確立が緊急且つ不可避な課題となっ
ている。レーザ光を利用した各種の光記録媒体は、この
ような課題の解決に最も相応しいものとして注目されて
いる。即ち、光記録媒体は、一般に高密度な情報記録が
可能であり、更に、従来の磁気記録媒体と異なり記録情
報が電磁障害に強い等の優れた特徴を有している。光情
報記録媒体は、その記録方式により種々のものが開発さ
れているが、近年、記録層の相変化による反射率の変化
で情報を記録再生する相変化型と呼ばれる方式が注目さ
れている。
してその保存技術の確立が緊急且つ不可避な課題となっ
ている。レーザ光を利用した各種の光記録媒体は、この
ような課題の解決に最も相応しいものとして注目されて
いる。即ち、光記録媒体は、一般に高密度な情報記録が
可能であり、更に、従来の磁気記録媒体と異なり記録情
報が電磁障害に強い等の優れた特徴を有している。光情
報記録媒体は、その記録方式により種々のものが開発さ
れているが、近年、記録層の相変化による反射率の変化
で情報を記録再生する相変化型と呼ばれる方式が注目さ
れている。
【０００３】ところで、上述のような光情報記録媒体に
おいて、その記録層に隣接して、いわゆる耐熱保護層を
設けることが提案されている。その主な目的は以下のよ
うなものである。 書込みあるいは読み出し用のレーザ光による加熱に
より、プラスチック等により形成された基板が損傷を受
けることを防止する。 酸化等により記録層が腐食劣化することを防止す
る。 記録層の物理的な変形を防止する。 エンハンス効果によりＣ／Ｎ比を改善する。
おいて、その記録層に隣接して、いわゆる耐熱保護層を
設けることが提案されている。その主な目的は以下のよ
うなものである。 書込みあるいは読み出し用のレーザ光による加熱に
より、プラスチック等により形成された基板が損傷を受
けることを防止する。 酸化等により記録層が腐食劣化することを防止す
る。 記録層の物理的な変形を防止する。 エンハンス効果によりＣ／Ｎ比を改善する。
【０００４】
【発明が解決しようとする問題点】上記耐熱保護層の材
料としてはエンハンス効果によりＣ／Ｎ比を向上させる
ために屈折率が基板材料よりも高く、高融点で熱膨張率
が小さいものが用いられ、特にZnＳとSiＯ2 の混合物が
耐熱保護層の材料として好ましいとの報告がある。即
ち、光情報記録媒体に要求される特性としては、 記録消去再生特性が良好であること、 記録消去の繰り返しの信頼性が良好であること、 高温高湿度等の耐久性が良好であること 等が挙げられる。これに対して、記録膜としてTeGeSbを
用い、耐熱保護層としてZnＳとSiＯ2 の混合物を用いた
光情報記録媒体は、上記の条件およびを何れもほぼ
満足している。
料としてはエンハンス効果によりＣ／Ｎ比を向上させる
ために屈折率が基板材料よりも高く、高融点で熱膨張率
が小さいものが用いられ、特にZnＳとSiＯ2 の混合物が
耐熱保護層の材料として好ましいとの報告がある。即
ち、光情報記録媒体に要求される特性としては、 記録消去再生特性が良好であること、 記録消去の繰り返しの信頼性が良好であること、 高温高湿度等の耐久性が良好であること 等が挙げられる。これに対して、記録膜としてTeGeSbを
用い、耐熱保護層としてZnＳとSiＯ2 の混合物を用いた
光情報記録媒体は、上記の条件およびを何れもほぼ
満足している。
【０００５】しかしながら、上記の条件については依
然として問題が残っている。即ち、上記の材料により作
製された光情報記録媒体に対して温湿度サイクル試験や
高温高湿度試験を行うと、その降温時に透明樹脂基板と
耐熱保護層の間にブリスター（水膨れ）が発生するとい
う問題がある。
然として問題が残っている。即ち、上記の材料により作
製された光情報記録媒体に対して温湿度サイクル試験や
高温高湿度試験を行うと、その降温時に透明樹脂基板と
耐熱保護層の間にブリスター（水膨れ）が発生するとい
う問題がある。
【０００６】そこで、本発明は、上記従来技術の問題点
を解決し、温湿度サイクル試験等での耐久性が良好な光
情報記録媒体を提供することをその目的としている。
を解決し、温湿度サイクル試験等での耐久性が良好な光
情報記録媒体を提供することをその目的としている。
【０００７】
【問題を解決するための手段】即ち、本発明に従うと、
第１耐熱保護層、相変化型の記録層、第２耐熱保護層お
よび有機樹脂保護層を透明樹脂基板上に順次積層して構
成され、該記録層にレーザ光を照射することにより情報
の記録、再生および消去を行う光情報記録媒体におい
て、該第１耐熱保護層が、硫化亜鉛と酸化ニオブとを主
成分とする混合物により形成されていることを特徴とす
る光情報記録媒体が提供される。
第１耐熱保護層、相変化型の記録層、第２耐熱保護層お
よび有機樹脂保護層を透明樹脂基板上に順次積層して構
成され、該記録層にレーザ光を照射することにより情報
の記録、再生および消去を行う光情報記録媒体におい
て、該第１耐熱保護層が、硫化亜鉛と酸化ニオブとを主
成分とする混合物により形成されていることを特徴とす
る光情報記録媒体が提供される。
【０００８】
【作用】本発明に係る光情報記録媒体は、その記録層に
隣接して設けられる耐熱保護層が、硫化亜鉛と酸化ニオ
ブとを主成分とする混合物により形成されている点に主
要な特徴がある。
隣接して設けられる耐熱保護層が、硫化亜鉛と酸化ニオ
ブとを主成分とする混合物により形成されている点に主
要な特徴がある。
【０００９】即ち、耐熱保護層の材料としてZnＳとSiＯ
2 との混合物を使用した光情報記録媒体は、記録感度や
繰り返し記録特性の点では優れているが、温度／湿度サ
イクルに曝されるとブリスタが発生し、耐久性の点では
必ずしも優れていなかった。そこで、ブリスタ発生の原
因について詳細な検討を繰り返した結果、この種の材料
により形成された耐熱保護層は透明樹脂基板との間の接
着性が低く、このために急速な温度変化が生じたときに
ブリスタが発生することが判明した。
2 との混合物を使用した光情報記録媒体は、記録感度や
繰り返し記録特性の点では優れているが、温度／湿度サ
イクルに曝されるとブリスタが発生し、耐久性の点では
必ずしも優れていなかった。そこで、ブリスタ発生の原
因について詳細な検討を繰り返した結果、この種の材料
により形成された耐熱保護層は透明樹脂基板との間の接
着性が低く、このために急速な温度変化が生じたときに
ブリスタが発生することが判明した。
【００１０】そこで、透明樹脂基板の直上に装荷される
第１耐熱保護層の材料を広範に検討した結果、硫化亜鉛
と酸化ニオブとを主成分とする混合物が優れた特性を有
することを見出し本発明が完成された。
第１耐熱保護層の材料を広範に検討した結果、硫化亜鉛
と酸化ニオブとを主成分とする混合物が優れた特性を有
することを見出し本発明が完成された。
【００１１】尚、上記材料により形成された第１耐熱保
護層に対して、熱特性や膜の緻密さを調整する目的で、
10モル％以下のSiＯ2 を含有させることができる。ただ
し、SiＯ2 の含有量が10モル％を越えた場合は直下の透
明樹脂基板との接着性が劣化してブリスタの発生等を招
くので、SiＯ2 の含有量は10モル％以下の範囲に限定さ
れる。
護層に対して、熱特性や膜の緻密さを調整する目的で、
10モル％以下のSiＯ2 を含有させることができる。ただ
し、SiＯ2 の含有量が10モル％を越えた場合は直下の透
明樹脂基板との接着性が劣化してブリスタの発生等を招
くので、SiＯ2 の含有量は10モル％以下の範囲に限定さ
れる。
【００１２】以下、実施例を挙げて本発明をより具体的
に説明するが、以下の開示は本発明の一実施例に過ぎ
ず、本発明の技術的範囲を何ら限定するものではない。
に説明するが、以下の開示は本発明の一実施例に過ぎ
ず、本発明の技術的範囲を何ら限定するものではない。
【００１３】
【実施例】図１は本発明に係る光情報記録媒体の物理的
な構成を示す断面図である。
な構成を示す断面図である。
【００１４】同図に示すように、この光情報記録媒体
は、透明樹脂基板１上に順次積層された第１耐熱保護層
２、相変化型の記録層３、第２耐熱保護層４および有機
樹脂保護層６から構成されている。
は、透明樹脂基板１上に順次積層された第１耐熱保護層
２、相変化型の記録層３、第２耐熱保護層４および有機
樹脂保護層６から構成されている。
【００１５】ここで、透明樹脂基板１は、一般にディス
ク状であるが、カード状やドラム状であってもよい。透
明樹脂基板１は、ポリカーボネイト樹脂、ポリメチルメ
タクリレート樹脂、エポキシ樹脂、アモルファスポリオ
レフィン樹脂等を好ましく用いることができる。
ク状であるが、カード状やドラム状であってもよい。透
明樹脂基板１は、ポリカーボネイト樹脂、ポリメチルメ
タクリレート樹脂、エポキシ樹脂、アモルファスポリオ
レフィン樹脂等を好ましく用いることができる。
【００１６】また、相変化型の記録層３は、レーザ光を
照射することにより相変化して屈折率ｎや消衰係数ｋが
大きく変化し、更に、この相変化が可逆的で記録／消去
の繰り返しが可能な材料が用いられる。具体的には、Te
GeSb、TeSb、TeGeSn、TeSeSn等のTe系媒体や、InSbTe、
InSe、InSb、InSbSe等のIn系媒体を例示することができ
るが、これに限定されない。
照射することにより相変化して屈折率ｎや消衰係数ｋが
大きく変化し、更に、この相変化が可逆的で記録／消去
の繰り返しが可能な材料が用いられる。具体的には、Te
GeSb、TeSb、TeGeSn、TeSeSn等のTe系媒体や、InSbTe、
InSe、InSb、InSbSe等のIn系媒体を例示することができ
るが、これに限定されない。
【００１７】尚、耐熱保護層の屈折率は、ＣＮ比、記録
感度等の記録特性を良好に維持するために、 1.8〜2.2
の範囲内とすることが好ましい。
感度等の記録特性を良好に維持するために、 1.8〜2.2
の範囲内とすることが好ましい。
【００１８】図２は本発明に係る光情報記録媒体の他の
物理的な構成を示す図である。尚、図２において、図１
と共通の構成要素には共通の参照番号を付している。
物理的な構成を示す図である。尚、図２において、図１
と共通の構成要素には共通の参照番号を付している。
【００１９】同図に示すように、この光情報記録媒体
は、図１に示した光情報記録媒体の構成に対して、更
に、第２耐熱保護層４と有機樹脂保護層６との間に反射
層５を付加した構成となっている。
は、図１に示した光情報記録媒体の構成に対して、更
に、第２耐熱保護層４と有機樹脂保護層６との間に反射
層５を付加した構成となっている。
【００２０】ここで、反射層５の材料としては、Al、A
u、Ag、NiCr等を主成分とした高反射率金属を好ましく
例示することができる。
u、Ag、NiCr等を主成分とした高反射率金属を好ましく
例示することができる。
【００２１】〔作製例１〕直径 130mmのポリカーボネイ
ト樹脂製スパイラル溝付ディスク基板を使用して図１に
示した構造の光情報記録媒体を作製した。
ト樹脂製スパイラル溝付ディスク基板を使用して図１に
示した構造の光情報記録媒体を作製した。
【００２２】直径 150mmのZnＳターゲット上に直径20m
m、厚さ５mmの Nb2Ｏ5 タブレット８個をのせた複合タ
ーゲットを用いてＲＦスパッタリング法により基板上に
第１耐熱保護層を形成した。
m、厚さ５mmの Nb2Ｏ5 タブレット８個をのせた複合タ
ーゲットを用いてＲＦスパッタリング法により基板上に
第１耐熱保護層を形成した。
【００２３】尚、成膜前の到達真空度は５×10-6torr以
下で、成膜は４ｍtorrのアルゴンガスの存在下で行い、
屈折率は 2.1で、膜厚は 120nmであった。
下で、成膜は４ｍtorrのアルゴンガスの存在下で行い、
屈折率は 2.1で、膜厚は 120nmであった。
【００２４】また、ＥＰＭＡの分析の結果、ZnＳ： Nb2
Ｏ5 の存在比は70：30モル％であった。続いて、上述の
ようにして作製した耐熱保護層上に相変化記録層としTe
GeSb（組成比55：17：28原子％）を、４ｍtorrのアルゴ
ンガスの存在下でＤＣスパッタリング法により80nm成膜
した。
Ｏ5 の存在比は70：30モル％であった。続いて、上述の
ようにして作製した耐熱保護層上に相変化記録層としTe
GeSb（組成比55：17：28原子％）を、４ｍtorrのアルゴ
ンガスの存在下でＤＣスパッタリング法により80nm成膜
した。
【００２５】更に、前記した第１耐熱保護層の成膜と同
じ材料および方法で、上記相変化記録層上にも屈折率
2.1で、膜厚 120nmの第２耐熱保護層を成膜した後、最
後に、紫外線硬化性樹脂（大日本インキ製ＳＤ−17）を
スピンコート法により５μｍ塗布し、紫外線によりこれ
を硬化させて有機樹脂保護層を形成した。
じ材料および方法で、上記相変化記録層上にも屈折率
2.1で、膜厚 120nmの第２耐熱保護層を成膜した後、最
後に、紫外線硬化性樹脂（大日本インキ製ＳＤ−17）を
スピンコート法により５μｍ塗布し、紫外線によりこれ
を硬化させて有機樹脂保護層を形成した。
【００２６】以上のようにして作製した光情報記録媒体
に対して、 1800rpmで回転する媒体の中心から45mmの位
置に、波長 830nmの半導体レーザを用いて８ｍＷのパワ
ーで初期化した後、周波数 3.7ＭHz、duty22％の反復信
号を記録、再生および消去を行う操作を繰り返して実行
した。尚、情報の書込み時の記録パワーは14ｍＷ、消去
のパワーは８ｍＷ、再生パワー１ｍＷとした。
に対して、 1800rpmで回転する媒体の中心から45mmの位
置に、波長 830nmの半導体レーザを用いて８ｍＷのパワ
ーで初期化した後、周波数 3.7ＭHz、duty22％の反復信
号を記録、再生および消去を行う操作を繰り返して実行
した。尚、情報の書込み時の記録パワーは14ｍＷ、消去
のパワーは８ｍＷ、再生パワー１ｍＷとした。
【００２７】このような操作を 105回繰り返した後の再
生信号のＣ／Ｎ比を測定した結果を初期値と共に表１に
示す。
生信号のＣ／Ｎ比を測定した結果を初期値と共に表１に
示す。
【００２８】更に、この光情報記録媒体に対して、ＪＩ
Ｓ C5024 M-1に規定された温湿度サイクル試験を行った
後、光情報記録媒体の表面を光学顕微鏡により観察し
た。観察は、試験を３サイクル行った後と６サイクル行
った後とにそれぞれ実施した。観察結果は、ブリスタの
発生の有無と発生したブリスタの大きさとにより評価し
た。評価結果を表２に示す。
Ｓ C5024 M-1に規定された温湿度サイクル試験を行った
後、光情報記録媒体の表面を光学顕微鏡により観察し
た。観察は、試験を３サイクル行った後と６サイクル行
った後とにそれぞれ実施した。観察結果は、ブリスタの
発生の有無と発生したブリスタの大きさとにより評価し
た。評価結果を表２に示す。
【００２９】〔比較例１〕作製例１で使用したものと同
じ仕様のディスク基板を使用して、物理的には図１に示
した構造の光情報記録媒体を作製した。但し、第１耐熱
保護層２の材料は異るものを用いた。即ち、本比較例で
は、ZnＳおよびSiＯ2 の混合物により第１耐熱保護層２
を形成した。
じ仕様のディスク基板を使用して、物理的には図１に示
した構造の光情報記録媒体を作製した。但し、第１耐熱
保護層２の材料は異るものを用いた。即ち、本比較例で
は、ZnＳおよびSiＯ2 の混合物により第１耐熱保護層２
を形成した。
【００３０】耐熱保護層の形成は、以下のようにして行
った。まず、直径 150mmのSiＯ2 ターゲット上に直径20
mm、厚さ５mmのZnＳタブレット16個をのせた複合ターゲ
ットを用いてＲＦスパッタリング法により基板上に第１
耐熱保護層を形成した。尚、成膜前の到達真空度は５×
10-6torr以下であり、成膜処理は４ｍtorrのアルゴンガ
スの存在下で行った。こうして形成した第１耐熱保護層
の膜厚は 120nmであり、屈折率は 2.1であった。また、
ＥＰＭＡによる分析の結果、第１耐熱保護層中のZnＳ：
SiＯ2 の存在比は75：25（モル％）であった。
った。まず、直径 150mmのSiＯ2 ターゲット上に直径20
mm、厚さ５mmのZnＳタブレット16個をのせた複合ターゲ
ットを用いてＲＦスパッタリング法により基板上に第１
耐熱保護層を形成した。尚、成膜前の到達真空度は５×
10-6torr以下であり、成膜処理は４ｍtorrのアルゴンガ
スの存在下で行った。こうして形成した第１耐熱保護層
の膜厚は 120nmであり、屈折率は 2.1であった。また、
ＥＰＭＡによる分析の結果、第１耐熱保護層中のZnＳ：
SiＯ2 の存在比は75：25（モル％）であった。
【００３１】続いて、ＤＣスパッタリング法により、作
製例１と同じ仕様の相変化記録層を形成した後、再び前
記した第１耐熱保護層の成膜と同じ材料および方法で、
上記相変化記録層上にも屈折率 2.1で、膜厚 120nmの第
２耐熱保護層を成膜した。最後に紫外線硬化性樹脂（大
日本インキ製ＳＤ−17）をスピンコート法により５μｍ
塗布し、紫外線によりこれを硬化させて有機樹脂保護層
を形成した。
製例１と同じ仕様の相変化記録層を形成した後、再び前
記した第１耐熱保護層の成膜と同じ材料および方法で、
上記相変化記録層上にも屈折率 2.1で、膜厚 120nmの第
２耐熱保護層を成膜した。最後に紫外線硬化性樹脂（大
日本インキ製ＳＤ−17）をスピンコート法により５μｍ
塗布し、紫外線によりこれを硬化させて有機樹脂保護層
を形成した。
【００３２】以上のようにして作製した光情報記録媒体
に対して、作製例１と同じ方法で特性および耐久性の評
価を行った。評価結果は、表１および表２に併せて示
す。
に対して、作製例１と同じ方法で特性および耐久性の評
価を行った。評価結果は、表１および表２に併せて示
す。
【００３３】〔作製例２〕作製例１と同じ仕様のディス
ク基板を使用して、図２に示した構造の光情報記録媒体
を作製した。
ク基板を使用して、図２に示した構造の光情報記録媒体
を作製した。
【００３４】直径 150mmのZnＳターゲットに直径20mm、
厚さ５mmの Nb2Ｏ5 タブレット８個と直径30mm、厚さ５
mmのSiＯ2 タブレット３個をのせた複合ターゲットを用
いてＲＦスパッタリング法により基板上に第１耐熱保護
層２を形成した。尚、成膜前の到達真空度は５×10-6to
rr以下であり、成膜処理は４ｍtorrのアルゴンガスの存
在下で行った。こうして得られた第１耐熱保護層の膜厚
は 120nmであり、屈折率は 2.0であった。また、ＥＰＭ
Ａによる分析の結果、ZnＳ： Nb2Ｏ5 ：SiＯ2の存在比
は60：30：10（モル％）であった。
厚さ５mmの Nb2Ｏ5 タブレット８個と直径30mm、厚さ５
mmのSiＯ2 タブレット３個をのせた複合ターゲットを用
いてＲＦスパッタリング法により基板上に第１耐熱保護
層２を形成した。尚、成膜前の到達真空度は５×10-6to
rr以下であり、成膜処理は４ｍtorrのアルゴンガスの存
在下で行った。こうして得られた第１耐熱保護層の膜厚
は 120nmであり、屈折率は 2.0であった。また、ＥＰＭ
Ａによる分析の結果、ZnＳ： Nb2Ｏ5 ：SiＯ2の存在比
は60：30：10（モル％）であった。
【００３５】続いて、上述のようにして作製した耐熱保
護層上に、ＤＣスパッタリング法により記録層３を成膜
した。記録層の材料はTeGeSb〔組成比55：17：28（原子
％）〕とし、４ｍtorrのアルゴンガスの存在下で膜厚25
nmまで堆積させた。
護層上に、ＤＣスパッタリング法により記録層３を成膜
した。記録層の材料はTeGeSb〔組成比55：17：28（原子
％）〕とし、４ｍtorrのアルゴンガスの存在下で膜厚25
nmまで堆積させた。
【００３６】更に、前記した第１耐熱保護層の成膜と同
じ材料および方法で、膜厚20nm、屈折率 2.0の第２耐熱
保護層を成膜した。更に、４ｍtorrのアルゴンガスの存
在下で行うＤＣスパッタリング法により、膜厚50nmのAl
薄膜により形成された反射層を成膜した。最後に、紫外
線硬化性樹脂（大日本インキ製ＳＤ−17）をスピンコー
ト法により５μｍ塗布し、紫外線によりこれを硬化させ
て有機樹脂保護層を形成した。
じ材料および方法で、膜厚20nm、屈折率 2.0の第２耐熱
保護層を成膜した。更に、４ｍtorrのアルゴンガスの存
在下で行うＤＣスパッタリング法により、膜厚50nmのAl
薄膜により形成された反射層を成膜した。最後に、紫外
線硬化性樹脂（大日本インキ製ＳＤ−17）をスピンコー
ト法により５μｍ塗布し、紫外線によりこれを硬化させ
て有機樹脂保護層を形成した。
【００３７】こうして作製した光情報記録媒体に対し
て、作製例１と同じ方法で特性および耐久性の評価を行
なった。評価結果は、表１および表２に併せて示す。
て、作製例１と同じ方法で特性および耐久性の評価を行
なった。評価結果は、表１および表２に併せて示す。
【００３８】〔比較例２〕作製例２と同じ仕様のディス
ク基板を使用して、物理的には図２に示した構造の光情
報記録媒体を作製した。ただし、ここでは、耐熱保護層
の材料を、ZnＳ、Nb2Ｏ5 およびSiＯ2 の混合物とし
た。
ク基板を使用して、物理的には図２に示した構造の光情
報記録媒体を作製した。ただし、ここでは、耐熱保護層
の材料を、ZnＳ、Nb2Ｏ5 およびSiＯ2 の混合物とし
た。
【００３９】耐熱保護層の成膜は以下のようにして行っ
た。まず、直径 150mmのZnＳターゲットに直径20mm、厚
さ５mmの Nb2Ｏ5 タブレット６個と直径30mm、厚さ５mm
のSiＯ2 タブレット５枚をのせた複合ターゲットを用
い、ＲＦスパッタリング法により基板上に堆積させた。
尚、成膜前の到達真空度は５×10-6torr以下であり、成
膜処理は４ｍtorrのアルゴンガスの存在下で行った。こ
うして得られた耐熱保護層の膜厚は 120nmであり、屈折
率は 2.0であった。また、ＥＰＭＡによる分析の結果、
ZnＳ： Nb2Ｏ5 ：SiＯ2 の存在比は60：25：15（モル
％）であった。
た。まず、直径 150mmのZnＳターゲットに直径20mm、厚
さ５mmの Nb2Ｏ5 タブレット６個と直径30mm、厚さ５mm
のSiＯ2 タブレット５枚をのせた複合ターゲットを用
い、ＲＦスパッタリング法により基板上に堆積させた。
尚、成膜前の到達真空度は５×10-6torr以下であり、成
膜処理は４ｍtorrのアルゴンガスの存在下で行った。こ
うして得られた耐熱保護層の膜厚は 120nmであり、屈折
率は 2.0であった。また、ＥＰＭＡによる分析の結果、
ZnＳ： Nb2Ｏ5 ：SiＯ2 の存在比は60：25：15（モル
％）であった。
【００４０】続いて、上述のようにして作製した耐熱保
護層上に作製例２と同じ仕様の記録層を形成した後、上
記第１耐熱保護層の成膜と同じ材料および方法で、第２
耐熱保護層を成膜した。第２耐熱保護層の膜厚は25nmで
あり、屈折率は 2.0であった。
護層上に作製例２と同じ仕様の記録層を形成した後、上
記第１耐熱保護層の成膜と同じ材料および方法で、第２
耐熱保護層を成膜した。第２耐熱保護層の膜厚は25nmで
あり、屈折率は 2.0であった。
【００４１】更に、４ｍtorrのアルゴンガスの存在下で
行うＤＣスパッタリング法により膜厚50nmのAl薄膜によ
る反射層を成膜した。最後に、紫外線硬化性樹脂（大日
本インキ製ＳＤ−17）をスピンコート法により５μｍ塗
布し、紫外線によりこれを硬化させて有機樹脂保護層を
形成した。
行うＤＣスパッタリング法により膜厚50nmのAl薄膜によ
る反射層を成膜した。最後に、紫外線硬化性樹脂（大日
本インキ製ＳＤ−17）をスピンコート法により５μｍ塗
布し、紫外線によりこれを硬化させて有機樹脂保護層を
形成した。
【００４２】以上のようにして作製した光情報記録媒体
に対して、作製例１と同じ方法で特性および耐久性の評
価を行なった。評価結果は表１および表２に併せて示
す。
に対して、作製例１と同じ方法で特性および耐久性の評
価を行なった。評価結果は表１および表２に併せて示
す。
【００４３】
【表１】
【００４４】
【表２】
【００４５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に従う光情
報記録媒体は、その記録特性に優れていると同時に、耐
久性も優れている。
報記録媒体は、その記録特性に優れていると同時に、耐
久性も優れている。
【図１】本発明が適用可能な光情報記録媒体の典型的な
構造を示す断面図である。
構造を示す断面図である。
【図２】本発明が適用可能な光情報記録媒体の他の構造
を示す断面図である。
を示す断面図である。
１ 透明樹脂、 ２ 第１耐熱保護層、 ３ 相変化記録層、 ４ 第２耐熱保護層、 ５ 反射層、 ６ 有機樹脂保護層
Claims (3)
- 【請求項１】第１耐熱保護層、相変化型の記録層、第２
耐熱保護層および有機樹脂保護層を透明樹脂基板上に順
次積層して構成され、該記録層にレーザ光を照射するこ
とにより情報の記録、再生および消去を行う光情報記録
媒体において、 少なくとも該第１耐熱保護層が、硫化亜鉛と酸化ニオブ
とを主成分とする混合物により形成されていることを特
徴とする光情報記録媒体。 - 【請求項２】請求項１に記載された光情報記録媒体にお
いて、前記第１耐熱保護層が、10モル％以下のSiＯ2 を
含むことを特徴とする光情報記録媒体。 - 【請求項３】請求項１または請求項２に記載された光情
報記録媒体において、前記第２耐熱保護層と前記有機樹
脂保護層との間に形成された反射層を更に備えることを
特徴とする光情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4116945A JP3034124B2 (ja) | 1992-04-09 | 1992-04-09 | 光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4116945A JP3034124B2 (ja) | 1992-04-09 | 1992-04-09 | 光情報記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05290408A true JPH05290408A (ja) | 1993-11-05 |
| JP3034124B2 JP3034124B2 (ja) | 2000-04-17 |
Family
ID=14699618
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4116945A Expired - Lifetime JP3034124B2 (ja) | 1992-04-09 | 1992-04-09 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3034124B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1112988A1 (en) * | 1999-12-28 | 2001-07-04 | Furuya Metal Co., Ltd. | ZnS-series sintered material and method for producing the same, target using the ZnS-series sintered material, thin film, and optical recording medium using the thin film |
| US6268034B1 (en) | 1998-08-05 | 2001-07-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium and method for producing the same, method for recording and reproducing information thereon and recording/reproducing apparatus |
| US6343062B1 (en) | 1997-09-26 | 2002-01-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | Optical disk device and optical disk for recording and reproducing high-density signals |
| US6388984B2 (en) | 1997-08-28 | 2002-05-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium and its recording and reproducing method |
| US6821707B2 (en) | 1996-03-11 | 2004-11-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium, producing method thereof and method of recording/erasing/reproducing information |
-
1992
- 1992-04-09 JP JP4116945A patent/JP3034124B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6821707B2 (en) | 1996-03-11 | 2004-11-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium, producing method thereof and method of recording/erasing/reproducing information |
| US7037413B1 (en) | 1996-03-11 | 2006-05-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium, producing method thereof and method of recording/erasing/reproducing information |
| US6388984B2 (en) | 1997-08-28 | 2002-05-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium and its recording and reproducing method |
| US6343062B1 (en) | 1997-09-26 | 2002-01-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | Optical disk device and optical disk for recording and reproducing high-density signals |
| US6268034B1 (en) | 1998-08-05 | 2001-07-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium and method for producing the same, method for recording and reproducing information thereon and recording/reproducing apparatus |
| EP1112988A1 (en) * | 1999-12-28 | 2001-07-04 | Furuya Metal Co., Ltd. | ZnS-series sintered material and method for producing the same, target using the ZnS-series sintered material, thin film, and optical recording medium using the thin film |
| US6656260B2 (en) | 1999-12-28 | 2003-12-02 | Kyocera Corporation | ZnS-series sintered material and method for producing the same, target using the ZnS-series sintered material, thin film, and optical recording medium using the thin film |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3034124B2 (ja) | 2000-04-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0536406B1 (en) | Optical recording medium and its manufacturing | |
| JP2002117587A (ja) | 光蓄積媒体の反射層または半反射層のための合金 | |
| JP3088168B2 (ja) | 光記録媒体およびその製造方法 | |
| EP0288354B1 (en) | Process for manufacturing an optical recording medium | |
| US5334433A (en) | Optical recording medium | |
| US7348124B2 (en) | High-density readable only optical disk | |
| JP4139740B2 (ja) | 光記録再生方法及び追記型光記録媒体 | |
| CN1249056A (zh) | 相变型光记录介质及其制造方法和记录方法 | |
| US7087284B2 (en) | High density readable only optical disc and method of preparing the same | |
| JPH11250502A (ja) | 光ディスク | |
| US20030235134A1 (en) | Optical recording/reproducing method and optical recording medium | |
| JP3034124B2 (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JP2003326848A (ja) | 追記型光記録媒体 | |
| EP1657717A1 (en) | Optical recording disc | |
| EP1199184A1 (en) | Write-once optical record medium | |
| JP2679995B2 (ja) | 情報記録用薄膜 | |
| JPH06155921A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH0582838B2 (ja) | ||
| JPH05159373A (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JPH05109115A (ja) | 光情報記録媒体 | |
| US20030099903A1 (en) | Rewritable optical information recording medium | |
| JPH10289478A (ja) | 光学式情報記録媒体及びその製造方法 | |
| JPS6120237A (ja) | 光学的情報記録媒体 | |
| JPH09115180A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP2004265540A (ja) | 光情報記録媒体およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20000201 |