JPH05259737A - 誘電体発振器 - Google Patents
誘電体発振器Info
- Publication number
- JPH05259737A JPH05259737A JP9032992A JP9032992A JPH05259737A JP H05259737 A JPH05259737 A JP H05259737A JP 9032992 A JP9032992 A JP 9032992A JP 9032992 A JP9032992 A JP 9032992A JP H05259737 A JPH05259737 A JP H05259737A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fet
- frequency
- dielectric
- oscillator
- variable reactance
- Prior art date
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- Pending
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- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 一個の発振器で、それぞれ異なる複数の発振
周波数のうちの一つを、任意に選択する。 【構成】 それぞれ異なる共振周波数を有する複数の誘
電体共振器１３，１４と、一個の能動素子としてのＦＥ
Ｔ１１と、可変リアクタンス素子１２とから成る誘電体
発振器であり、該ＦＥＴのゲート端子に、その一端が接
続されたマイクロストリップ線路１５に、前記ＦＥＴと
の接続端から、それぞれ前記共振周波数に適した電気長
を隔てた位置に、前記各誘電体共振器を磁気結合しなが
ら配設するとともに、前記ＦＥＴのソース端子に前記可
変リアクタンス素子を接続し、該可変リアクタンス素子
のタアクタンス値を変えて、前記誘電体共振器のうちの
任意の一つの誘電体共振器の共振周波数を、前記ＦＥＴ
のドレイン端子から出力させる。
周波数のうちの一つを、任意に選択する。 【構成】 それぞれ異なる共振周波数を有する複数の誘
電体共振器１３，１４と、一個の能動素子としてのＦＥ
Ｔ１１と、可変リアクタンス素子１２とから成る誘電体
発振器であり、該ＦＥＴのゲート端子に、その一端が接
続されたマイクロストリップ線路１５に、前記ＦＥＴと
の接続端から、それぞれ前記共振周波数に適した電気長
を隔てた位置に、前記各誘電体共振器を磁気結合しなが
ら配設するとともに、前記ＦＥＴのソース端子に前記可
変リアクタンス素子を接続し、該可変リアクタンス素子
のタアクタンス値を変えて、前記誘電体共振器のうちの
任意の一つの誘電体共振器の共振周波数を、前記ＦＥＴ
のドレイン端子から出力させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は誘電体発振器に関し、特
に計測器のほか、レーダ、衛星放送用受信機などに使用
される、可変リアクタンス素子を用いた誘電体発振器に
関する。
に計測器のほか、レーダ、衛星放送用受信機などに使用
される、可変リアクタンス素子を用いた誘電体発振器に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の誘電体発振器としては、
例えば図３の構成図に示すものがある。すなわち、この
誘電体発振器Ｇは、それぞれ異なる発振周波数を有する
ｎ個の誘電体発振器１，２，３…ｎと、そのｎ個の該発
振器１，２，３…ｎのうちの一つの発振周波数を選択
し、出力端から出力させるための単極多投形スイッチＳ
Ｗとから構成されている。
例えば図３の構成図に示すものがある。すなわち、この
誘電体発振器Ｇは、それぞれ異なる発振周波数を有する
ｎ個の誘電体発振器１，２，３…ｎと、そのｎ個の該発
振器１，２，３…ｎのうちの一つの発振周波数を選択
し、出力端から出力させるための単極多投形スイッチＳ
Ｗとから構成されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の誘電体発振器にあっては、選択すべき、異な
る発振周波数の数だけの発振器が必要であり、その数が
増えるほど単極多投形スイッチＳＷも複雑になるととも
に、回路全体が複雑化し、消費電力も大きくなるという
問題点があった。
うな従来の誘電体発振器にあっては、選択すべき、異な
る発振周波数の数だけの発振器が必要であり、その数が
増えるほど単極多投形スイッチＳＷも複雑になるととも
に、回路全体が複雑化し、消費電力も大きくなるという
問題点があった。
【０００４】他方、選択されない周波数の発振器の出力
の抑圧の度合いは、前記スイッチＳＷの特に高周波的な
絶縁特性で決まり、選択された周波数以外の発振器出力
を完全に抑制することは困難であるという問題点もあっ
た。
の抑圧の度合いは、前記スイッチＳＷの特に高周波的な
絶縁特性で決まり、選択された周波数以外の発振器出力
を完全に抑制することは困難であるという問題点もあっ
た。
【０００５】本発明はかかる点に鑑みなされたもので、
その目的は前記問題点を解消し、一個の発振器で、それ
ぞれ異なる複数の発振周波数のうちの一つを、任意に選
択できる誘電体発振器を提供することにある。
その目的は前記問題点を解消し、一個の発振器で、それ
ぞれ異なる複数の発振周波数のうちの一つを、任意に選
択できる誘電体発振器を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
の本発明の構成は、それぞれ異なる共振周波数を有する
複数の誘電体共振器と、一個の能動素子と、可変リアク
タンス素子とから成る誘電体発振器であって、その詳し
い構成は次のとおりである。
の本発明の構成は、それぞれ異なる共振周波数を有する
複数の誘電体共振器と、一個の能動素子と、可変リアク
タンス素子とから成る誘電体発振器であって、その詳し
い構成は次のとおりである。
【０００７】（１） 前記能動素子が電界効果トランジ
スタ（以下、単にＦＥＴという）であり、該ＦＥＴのゲ
ート端子に、その一端が接続されたマイクロストリップ
線路に、前記ＦＥＴとの接続端から、それぞれ前記共振
周波数に適した電気長を隔てた位置に、前記各誘電体共
振器を磁気結合しながら配設するとともに、前記ＦＥＴ
のソース端子に前記可変リアクタンス素子を接続し、該
可変リアクタンス素子のリアクタンス値を変えて、前記
誘電体共振器のうちの任意の一つの誘電体共振器の共振
周波数を、前記ＦＥＴのドレイン端子から出力させるこ
とを特徴とする。
スタ（以下、単にＦＥＴという）であり、該ＦＥＴのゲ
ート端子に、その一端が接続されたマイクロストリップ
線路に、前記ＦＥＴとの接続端から、それぞれ前記共振
周波数に適した電気長を隔てた位置に、前記各誘電体共
振器を磁気結合しながら配設するとともに、前記ＦＥＴ
のソース端子に前記可変リアクタンス素子を接続し、該
可変リアクタンス素子のリアクタンス値を変えて、前記
誘電体共振器のうちの任意の一つの誘電体共振器の共振
周波数を、前記ＦＥＴのドレイン端子から出力させるこ
とを特徴とする。
【０００８】（２） 前記能動素子がＦＥＴであり、該
ＦＥＴのゲート端子に、その一端が接続されたマイクロ
ストリップ線路に、前記ＦＥＴとの接続端から、それぞ
れ前記共振周波数に適した電気長を隔てた位置に、前記
各誘電体共振器を磁気結合しながら配設するとともに、
前記ＦＥＴのソース端子に、加える電圧の変化によって
そのリアクタンス値が変化する前記可変リアクタンス素
子を接続し、他方、前記ＦＥＴのドレイン端子側から、
出力周波数を分周する分周器と、基準周波数発振器と、
前記分周器の分周周波数と前記基準周波数発振器の基準
周波数との位相を検出する位相検出器と、該位相検出器
の検出電圧を通過させる低域フィルタとからなるフェー
ズロック（ｐｈａｓｅ ｌｏｃｋ）回路を前記可変リア
クタンス素子に接続し、前記分周器の分周比を変えて、
前記誘電体共振器のうち任意の一つの誘電体共振器の共
振周波数を、前記ＦＥＴのドレイン端子から出力させる
ことを特徴とする。
ＦＥＴのゲート端子に、その一端が接続されたマイクロ
ストリップ線路に、前記ＦＥＴとの接続端から、それぞ
れ前記共振周波数に適した電気長を隔てた位置に、前記
各誘電体共振器を磁気結合しながら配設するとともに、
前記ＦＥＴのソース端子に、加える電圧の変化によって
そのリアクタンス値が変化する前記可変リアクタンス素
子を接続し、他方、前記ＦＥＴのドレイン端子側から、
出力周波数を分周する分周器と、基準周波数発振器と、
前記分周器の分周周波数と前記基準周波数発振器の基準
周波数との位相を検出する位相検出器と、該位相検出器
の検出電圧を通過させる低域フィルタとからなるフェー
ズロック（ｐｈａｓｅ ｌｏｃｋ）回路を前記可変リア
クタンス素子に接続し、前記分周器の分周比を変えて、
前記誘電体共振器のうち任意の一つの誘電体共振器の共
振周波数を、前記ＦＥＴのドレイン端子から出力させる
ことを特徴とする。
【０００９】
【作用】以上のように本発明は構成されているので、選
択すべき異なる発振周波数の数が増えても、マイクロス
トリップ線路上に配設される各誘電体共振器と、能動素
子のＦＥＴとの電気長を最適化するとともに、可変リア
クタンス素子のリアクタンス値を変えたり、又は前記Ｆ
ＥＴから前記可変リアクタンス素子に接続されるフェー
ズロック回路のなかの分周器の分周比を変えるだけで、
任意の一つの前記共振器の共振周波数を選択し、前記Ｆ
ＥＴから出力させることができる。しかも、選択されな
い他の発振周波数は発振されないので、前記ＦＥＴの出
力に全く現れない。
択すべき異なる発振周波数の数が増えても、マイクロス
トリップ線路上に配設される各誘電体共振器と、能動素
子のＦＥＴとの電気長を最適化するとともに、可変リア
クタンス素子のリアクタンス値を変えたり、又は前記Ｆ
ＥＴから前記可変リアクタンス素子に接続されるフェー
ズロック回路のなかの分周器の分周比を変えるだけで、
任意の一つの前記共振器の共振周波数を選択し、前記Ｆ
ＥＴから出力させることができる。しかも、選択されな
い他の発振周波数は発振されないので、前記ＦＥＴの出
力に全く現れない。
【００１０】
【実施例】以下、図面に基づいて本発明の好適な実施例
を例示的に詳しく説明する。
を例示的に詳しく説明する。
【００１１】（第１実施例）図１は本発明の誘電体発振
器の第１実施例を示す構成回路図で、能動素子としてＦ
ＥＴ１１、可変リアクタンス素子としてバラクタ（所
謂、可変容量ダイオード）１２及びそれぞれ異なる共振
周波数ｆ1 ，ｆ2 を有する二つの誘電体共振器１３，１
４を用いた二周波数のうち、一周波数を選択して切り換
える例である。
器の第１実施例を示す構成回路図で、能動素子としてＦ
ＥＴ１１、可変リアクタンス素子としてバラクタ（所
謂、可変容量ダイオード）１２及びそれぞれ異なる共振
周波数ｆ1 ，ｆ2 を有する二つの誘電体共振器１３，１
４を用いた二周波数のうち、一周波数を選択して切り換
える例である。
【００１２】図において、伝送線路には５０Ωマイクロ
ストリップ線路１５，１６を用い、線路１５の一端はＦ
ＥＴ１１のゲート端子に、他端は５０Ω終端抵抗器１７
に接続されているとともに、該マイクロストリップ線路
１５上に前記誘電体共振器１３，１４が配設され、磁気
的に結合されている。
ストリップ線路１５，１６を用い、線路１５の一端はＦ
ＥＴ１１のゲート端子に、他端は５０Ω終端抵抗器１７
に接続されているとともに、該マイクロストリップ線路
１５上に前記誘電体共振器１３，１４が配設され、磁気
的に結合されている。
【００１３】前記バラクタ１２は、前記ＦＥＴ１１のソ
ース端子に接続されており、その静電容量を可変にする
ための制御電圧は、逆印加電圧入力端子１７から加えら
れる。１８，１９は直流阻止コンデンサ、２０，２１は
ＦＥＴ１１のバイアス用コイル、２２は整合用のオープ
ンスタブ、２３は５０Ωの負荷抵抗器である。
ース端子に接続されており、その静電容量を可変にする
ための制御電圧は、逆印加電圧入力端子１７から加えら
れる。１８，１９は直流阻止コンデンサ、２０，２１は
ＦＥＴ１１のバイアス用コイル、２２は整合用のオープ
ンスタブ、２３は５０Ωの負荷抵抗器である。
【００１４】本実施例の誘電体発振器は負性抵抗発振器
の原理に基づいており、前記ＦＥＴ１１に帰還回路を付
加することで、該ＦＥＴ１１の出力インピーダンスが負
性抵抗を示すことを利用している。
の原理に基づいており、前記ＦＥＴ１１に帰還回路を付
加することで、該ＦＥＴ１１の出力インピーダンスが負
性抵抗を示すことを利用している。
【００１５】図１において、前記ＦＥＴ１１のゲート端
子に接続されている前記誘電体共振器１３，１４及びソ
ース端子に接続されている前記バラクタ１２が帰還回路
を形成している。
子に接続されている前記誘電体共振器１３，１４及びソ
ース端子に接続されている前記バラクタ１２が帰還回路
を形成している。
【００１６】そして、前記マイクロストリップ１５上に
おける、前記ＦＥＴ１１のゲート端子からの電気長
θ1 ，θ2 の値を最適値にすることにより、前記バラク
タ１２の帰還静電容量がそれぞれｃ1 のとき周波数がｆ
1 ，ｃ2 のとき周波数がｆ2 で負性抵抗が得られるよう
になっている。
おける、前記ＦＥＴ１１のゲート端子からの電気長
θ1 ，θ2 の値を最適値にすることにより、前記バラク
タ１２の帰還静電容量がそれぞれｃ1 のとき周波数がｆ
1 ，ｃ2 のとき周波数がｆ2 で負性抵抗が得られるよう
になっている。
【００１７】（第２実施例）図２は本発明の第２実施例
を示す構成回路図で、図１と同一部材には同一符号を付
して説明を省略する。図２において、３１は発振出力の
一部を取り出す結合器で、その取り出された出力周波数
ｆ0 は分周器３２によって１／Ｎ（ただし、Ｎは分周
比）に分周され、ｆ0 ／Ｎの周波数が位相検出器３３の
一方の入力端に入力される。
を示す構成回路図で、図１と同一部材には同一符号を付
して説明を省略する。図２において、３１は発振出力の
一部を取り出す結合器で、その取り出された出力周波数
ｆ0 は分周器３２によって１／Ｎ（ただし、Ｎは分周
比）に分周され、ｆ0 ／Ｎの周波数が位相検出器３３の
一方の入力端に入力される。
【００１８】この位相検出器３３の他方の入力端には、
基準周波数発振器３４からの基準周波数ｆs が入力さ
れ、ここで、前記ｆ0 ／Ｎの周波数が、該基準周波数ｆ
s と位相比較される。前記ｆ0 ／Ｎ周波数と基準周波数
ｆs との間に位相差があるときは、その位相差に応じた
直流電圧が、該位相検出器３３から出力される。
基準周波数発振器３４からの基準周波数ｆs が入力さ
れ、ここで、前記ｆ0 ／Ｎの周波数が、該基準周波数ｆ
s と位相比較される。前記ｆ0 ／Ｎ周波数と基準周波数
ｆs との間に位相差があるときは、その位相差に応じた
直流電圧が、該位相検出器３３から出力される。
【００１９】この位相検出器３３から出力された直流電
圧は、ループフィルタ（低域フィルタ）３５を通過し
て、逆印加電圧入力端子１７に入力される。この電圧は
バラクタ１２の静電容量を変えて、最終的には、発振器
全体の発振出力周波数をｆ0 でロックする。
圧は、ループフィルタ（低域フィルタ）３５を通過し
て、逆印加電圧入力端子１７に入力される。この電圧は
バラクタ１２の静電容量を変えて、最終的には、発振器
全体の発振出力周波数をｆ0 でロックする。
【００２０】前記結合器３１から前記逆印加電圧入力端
子１７までの回路により、所謂フェーズロック（ｐｈａ
ｓｅ ｌｏｃｋ）回路３６を形成し、該回路３６のなか
の前記分周器３２の分周比Ｎを変えることにより、前記
誘電体共振器１３，１４のそれぞれの周波数ｆ1 ，ｆ2
のいずれかの周波数を選択して、フェーズロックされた
発振周波数ｆ1 又はｆ2 の出力を得ることができる。
子１７までの回路により、所謂フェーズロック（ｐｈａ
ｓｅ ｌｏｃｋ）回路３６を形成し、該回路３６のなか
の前記分周器３２の分周比Ｎを変えることにより、前記
誘電体共振器１３，１４のそれぞれの周波数ｆ1 ，ｆ2
のいずれかの周波数を選択して、フェーズロックされた
発振周波数ｆ1 又はｆ2 の出力を得ることができる。
【００２１】なお、本発明の技術は前記実施例における
技術に限定されるものではなく、同様な機能を果す他の
態様の手段によってもよく、また本発明の技術は前記構
成の範囲内において種々の変更、付加が可能である。
技術に限定されるものではなく、同様な機能を果す他の
態様の手段によってもよく、また本発明の技術は前記構
成の範囲内において種々の変更、付加が可能である。
【００２２】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように本発明の
誘電体発振器によれば、それぞれ異なる共振周波数を有
する複数の誘電体共振器と、一個の能動素子と、可変リ
アクタンス素子とからなる発振器であって、マイクロス
トリップ線路上に配設される各共振器と、能動素子とし
てのＦＥＴとの電気長を最適化するとともに、前記可変
リアクタンス素子のリアクタンス値を変えて任意の一つ
の前記共振器の共振周波数を選択し、前記ＦＥＴから出
力させることができる。
誘電体発振器によれば、それぞれ異なる共振周波数を有
する複数の誘電体共振器と、一個の能動素子と、可変リ
アクタンス素子とからなる発振器であって、マイクロス
トリップ線路上に配設される各共振器と、能動素子とし
てのＦＥＴとの電気長を最適化するとともに、前記可変
リアクタンス素子のリアクタンス値を変えて任意の一つ
の前記共振器の共振周波数を選択し、前記ＦＥＴから出
力させることができる。
【００２３】又、前記ＦＥＴの出力側から前記可変リア
クタンス素子に、フィードバックするフェーズロック回
路のなかの分周器の分周比を変えて、同様に任意の一つ
の前記共振器の共振周波数を選択し、前記ＦＥＴから出
力させることができる。
クタンス素子に、フィードバックするフェーズロック回
路のなかの分周器の分周比を変えて、同様に任意の一つ
の前記共振器の共振周波数を選択し、前記ＦＥＴから出
力させることができる。
【００２４】このため、一個の誘電体発振器で、異なる
複数の発振周波数のうちの一つを、任意に選択すること
ができる。同時に、選択されない発振周波数は発振され
ないので、完全に抑圧され、他への影響は全くない。
複数の発振周波数のうちの一つを、任意に選択すること
ができる。同時に、選択されない発振周波数は発振され
ないので、完全に抑圧され、他への影響は全くない。
【図１】本発明の誘電体発振器の第１実施例を示す構成
回路図である。
回路図である。
【図２】本発明の第２実施例を示す構成回路図である。
【図３】従来の誘電体発振器を示す構成図である。
１１ ＦＥＴ（電界効果トランジスタ） １２ バラクタ（可変容量ダイオード） １３，１４ 誘電体共振器 １５，１６ マイクロストリップ線路 １７ 逆印加電圧入力端子 ３１ 結合器 ３２ 分周器 ３３ 位相検出器 ３４ 基準周波数発振器 ３５ 低域フィルタ ３６ フェーズロック回路 Ｎ 分周比
Claims (2)
- 【請求項１】 それぞれ異なる共振周波数を有する複数
の誘電体共振器と、一個の能動素子と、可変リアクタン
ス素子とから成る誘電体発振器であって、 前記能動素子が電界効果トランジスタ（以下、単にＦＥ
Ｔという）であり、該ＦＥＴのゲート端子に、その一端
が接続されたマイクロストリップ線路に、前記ＦＥＴと
の接続端からそれぞれ前記共振周波数に適した電気長を
隔てた位置に、前記各誘電体共振器を磁気結合しながら
配設するとともに、前記ＦＥＴのソース端子に前記可変
リアクタンス素子を接続し、 該可変リアクタンス素子のリアクタンス値を変えて、前
記誘電体共振器のうちの任意の一つの誘電体共振器の共
振周波数を、前記ＦＥＴのドレイン端子から出力させる
ことを特徴とする誘電体発振器。 - 【請求項２】 それぞれ異なる共振周波数を有する複数
の誘電体共振器と、一個の能動素子と、可変リアクタン
ス素子とから成る誘電体発振器であって、 前記能動素子がＦＥＴであり、該ＦＥＴのゲート端子
に、その一端が接続されたマイクロストリップ線路に、
前記ＦＥＴとの接続端からそれぞれ前記共振周波数に適
した電気長を隔てた位置に、前記各誘電体共振器を磁気
結合しながら配設するとともに、前記ＦＥＴのソース端
子に、加える電圧の変化によってそのリアクタンス値が
変化する前記可変リアクタンス素子を接続し、他方、前
記ＦＥＴのドレイン端子側から、出力周波数を分周する
分周器と、基準周波数発振器と、前記分周器の分周周波
数と前記基準周波数発振器の基準周波数との位相を検出
する位相検出器と、該位相検出器の検出電圧を通過させ
る低域フィルタとからなるフェーズロック（ｐｈａｓｅ
ｌｏｃｋ）回路を前記可変リアクタンス素子に接続
し、 前記分周器の分周比を変えて、前記誘電体共振器のうち
の任意の一つの誘電体共振器の共振周波数を、前記ＦＥ
Ｔのドレイン端子から出力させることを特徴とする誘電
体発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9032992A JPH05259737A (ja) | 1992-03-16 | 1992-03-16 | 誘電体発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9032992A JPH05259737A (ja) | 1992-03-16 | 1992-03-16 | 誘電体発振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05259737A true JPH05259737A (ja) | 1993-10-08 |
Family
ID=13995489
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9032992A Pending JPH05259737A (ja) | 1992-03-16 | 1992-03-16 | 誘電体発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05259737A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5852384A (en) * | 1996-04-25 | 1998-12-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dual band oscillator circuit using strip line resonators |
| KR100691284B1 (ko) * | 2004-10-07 | 2007-03-12 | 한국전자통신연구원 | 부성 저항의 미세 조정이 가능한 전압 제어 발진기 |
-
1992
- 1992-03-16 JP JP9032992A patent/JPH05259737A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5852384A (en) * | 1996-04-25 | 1998-12-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dual band oscillator circuit using strip line resonators |
| KR100691284B1 (ko) * | 2004-10-07 | 2007-03-12 | 한국전자통신연구원 | 부성 저항의 미세 조정이 가능한 전압 제어 발진기 |
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