JPH05251605A - Lead frame and manufacturing method thereof - Google Patents
Lead frame and manufacturing method thereofInfo
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- JPH05251605A JPH05251605A JP4048682A JP4868292A JPH05251605A JP H05251605 A JPH05251605 A JP H05251605A JP 4048682 A JP4048682 A JP 4048682A JP 4868292 A JP4868292 A JP 4868292A JP H05251605 A JPH05251605 A JP H05251605A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】インナリードが微細で、形状の変更が容易であ
るリードフレームと新しい加工技術によるその製造方法
を提供する。
【構成】多ピンリードフレームにおいて、ダイパッド１
およびアウタリードがエッチング法またはプレス法で形
成され、かつ、リードの先端部がレーザ加工で形成され
てなることを特徴とする多ピンリードフレームとその製
造方法。
(57) [Summary] (Modified) [Purpose] To provide a lead frame having fine inner leads, whose shape can be easily changed, and a manufacturing method thereof by a new processing technique. [Structure] In multi-pin lead frame, die pad 1
And a multi-pin lead frame, characterized in that the outer leads are formed by an etching method or a pressing method, and the tips of the leads are formed by laser processing.
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、ＩＣを搭載するリード
フレームとその製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a lead frame on which an IC is mounted and a method for manufacturing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ＩＣの大容量化、高機能化は続いてお
り、ＩＣを搭載するリードフレームにもさまざまな要求
が出て来ている。その１つに多ピン化がある。パッケー
ジの大きさを一定にして、ピン数が増えれば当然ながら
ピン間のピッチが小さくなり、それにつれてピンの幅、
ピン間のギャップも小さくなる。2. Description of the Related Art As the capacity and functionality of ICs continue to increase, various demands are emerging for lead frames on which ICs are mounted. One of them is the increase in the number of pins. If the size of the package is kept constant and the number of pins increases, the pitch between the pins will naturally decrease and the width of the pins,
The gap between the pins is also smaller.
【０００３】多ピン化の要求は止まるところを知らず、
最先端技術のロジック系ＩＣに対しては最新の加工技術
が必要となる。The demand for higher pin counts never stops,
The latest processing technology is required for the most advanced logic ICs.
【０００４】現在のエッチングおよびプレス加工での限
界加工寸法は表１のようである。Table 1 shows the limit processing dimensions in the current etching and press working.
【０００５】図２は、現在多ピンリードフレームとして
代表的なＱＦＰ（Quad Flat Package ）用リードフレー
ムの１４４ピンの例である。ダイパッド１には、チップ
が搭載され、インナリード２の先端とチップとはワイヤ
ボンドで接続される。さらに、アウタリード３はプリン
ト基板の回路に半田接合される。FIG. 2 shows an example of a 144-pin lead frame for a QFP (Quad Flat Package), which is currently a typical multi-pin lead frame. A chip is mounted on the die pad 1, and the tip of the inner lead 2 and the chip are connected by wire bonding. Further, the outer leads 3 are soldered to the circuit of the printed circuit board.
【０００６】 [0006]
【０００７】ＱＦＰリードフレームにおいて、インナリ
ード２の先端部分が最もピッチが小さくパターン加工上
の律速点となっている。In the QFP lead frame, the tip portion of the inner lead 2 has the smallest pitch and is the rate-determining point in pattern processing.
【０００８】図３に示すように、リードは先に行く程細
くなり、リードピッチも小さくなる。As shown in FIG. 3, the lead becomes thinner and the lead pitch becomes smaller.
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】インナリード先端部の
ピッチ寸法が加工限界に達するとインナリードはそれ以
上長くすることができない。従って、この場合はチップ
とリード先端の距離が長くなり、長い距離をワイヤボン
ドすることになる。金ワイヤによるコスト増、ボンディ
ング時間の延長等ばかりでなく、ワイヤとワイヤが接触
して短絡するような重大欠陥の原因となり、不良率を増
大させる結果となる。When the pitch dimension of the inner lead tip reaches the processing limit, the inner lead cannot be lengthened any further. Therefore, in this case, the distance between the chip and the tip of the lead becomes long, and a long distance is wire-bonded. Not only does the cost increase due to the gold wire and the bonding time is extended, but it also causes a serious defect such as a short circuit due to contact between wires, resulting in an increase in the defective rate.
【００１０】また、エッチング法においては、プレス法
であればなおさらのことであるが、わずかな部分的なパ
ターン変更であっても、エッチングマスクの修正または
プレス金型の修正から行わなければならない。Further, in the etching method, even if it is the pressing method, even a slight partial pattern change has to be performed from the correction of the etching mask or the press die.
【００１１】本発明の目的は、前記従来技術の欠点を解
消し、インナリードが微細で、形状の変更が容易である
リードフレームと新しい加工技術によるその製造方法を
提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to solve the above-mentioned drawbacks of the prior art and to provide a lead frame having a fine inner lead whose shape can be easily changed, and a manufacturing method thereof by a new processing technique.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の第１の態様によれば、多ピンリードフレーム
において、ダイパッドおよびアウタリードがエッチング
法またはプレス法で形成され、かつ、リードの先端部が
レーザ加工で形成されてなることを特徴とする多ピンリ
ードフレームが提供される。According to a first aspect of the present invention to achieve the above object, in a multi-pin lead frame, a die pad and an outer lead are formed by an etching method or a pressing method, and Provided is a multi-pin lead frame having a tip portion formed by laser processing.
【００１３】また、本発明の第２の態様によれば、ＩＣ
チップを搭載するリードフレームにおいて、全体をエッ
チング法またはプレス打抜き法で加工した後、微細加工
部分をレーザで追加工することを特徴とするリードフレ
ームの製造方法が提供される。According to a second aspect of the present invention, an IC
A lead frame manufacturing method is provided, wherein a lead frame on which a chip is mounted is entirely processed by an etching method or a press punching method, and then a finely processed portion is additionally processed by a laser.
【００１４】以下に本発明を、図面を参照しながらさら
に詳細に説明する。本発明のリードフレームの材質は、
特に限定はなく、４２Ｎｉ−Ｆｅ合金、銅合金を代表的
に挙げることができる。The present invention will be described in more detail below with reference to the drawings. The material of the lead frame of the present invention is
There is no particular limitation, and a 42Ni—Fe alloy and a copper alloy can be typically mentioned.
【００１５】本発明のリードフレームのインナリードの
長さは、特に限定はなく、図１に示すダイパッド１に搭
載されるチップの大きさが異なっても、また多ピンを要
求されるＱＦＰ用リードフレームの場合においても、イ
ンナリード２の先端がダイパッド１に近接した形状の微
細パターンに形成されている。The length of the inner lead of the lead frame of the present invention is not particularly limited, and even if the size of the chip mounted on the die pad 1 shown in FIG. Even in the case of a frame, the tips of the inner leads 2 are formed in a fine pattern having a shape close to the die pad 1.
【００１６】前記リードフレームを用いることによりワ
イヤボンディングの長さを短縮でき、ボンディングコス
トの低減が図れる。By using the lead frame, the length of wire bonding can be shortened and the bonding cost can be reduced.
【００１７】本発明によれば、前記リードフレームの板
厚に対するインナリード２先端近傍のピッチ、幅および
すき間の限界は、それぞれエッチングの場合の６０〜８
０％程度まで小さくすることが可能である。According to the present invention, the limits of the pitch, width and gap near the tips of the inner leads 2 with respect to the plate thickness of the lead frame are 60 to 8 in the case of etching, respectively.
It is possible to reduce it to about 0%.
【００１８】つぎに本発明のリードフレームの製造方法
を図１に示す１６０ピンＱＦＰ用リードフレーム（ピン
数は図と異なる）を代表例として説明するが、これに限
定するものではない。リードフレームは、中央のダイパ
ッド１とこのダイパッド１の中心から外側に向けて放射
状に広がるよう配置されたインナリード２およアウタリ
ード３を有する（図２参照）。本発明の製造方法は、常
法により形成されたリードフレームの一部をレーザを用
いて追加工することを特徴としている。Next, the lead frame manufacturing method of the present invention will be described with reference to a 160-pin QFP lead frame (the number of pins is different from the figure) shown in FIG. 1 as a representative example, but the present invention is not limited to this. The lead frame has a central die pad 1 and inner leads 2 and outer leads 3 arranged so as to radially spread from the center of the die pad 1 to the outside (see FIG. 2). The manufacturing method of the present invention is characterized in that a part of the lead frame formed by a conventional method is additionally processed by using a laser.
【００１９】すなわち、まず、図１（ａ）において前記
インナリード２およびアウタリード３をエッチング法ま
たはプレス打抜き法を用いて加工成型したのち、図１
（ｂ）に符号４で示すインナリード２の先端近傍（特に
側面）をレーザ加工する。インナリード先端近傍をレー
ザ加工することにより、従来よりも微細加工が可能とな
るため、多ピン化が可能となるとともに、ボンディング
長さを、例えば従来の１／２程度に短縮することがで
き、パッケージとしての信頼性の大幅な向上とコストの
低減が図れる。本発明によれば、チップの大きさ等の条
件を変えることなく約２０％（１６０ピンクラス）ピン
数を増すことが可能である。That is, first, in FIG. 1 (a), the inner lead 2 and the outer lead 3 are processed and molded by using an etching method or a press punching method, and then, as shown in FIG.
The vicinity of the tip (in particular, the side surface) of the inner lead 2 indicated by reference numeral 4 in FIG. By performing laser processing on the vicinity of the inner lead tips, finer processing is possible as compared with the conventional method, so that the number of pins can be increased and the bonding length can be shortened to, for example, about 1/2 of that of the conventional method. The reliability of the package can be greatly improved and the cost can be reduced. According to the present invention, it is possible to increase the number of pins by about 20% (160 pin class) without changing conditions such as chip size.
【００２０】また、レーザ加工には、４２Ｎｉ−Ｆｅ合
金または銅合金を対象とすることからＹＡＧレーザが好
ましい。微細加工性等の性能は劣るが、ＣＯ2 レーザも
使用可能である。また、本発明において、レーザスポッ
ト径が現状でも５０μm 程度まで絞れるために、レーザ
加工の加工限界は切断幅（リード間隔）７０μm 程度で
ある。ＹＡＧよりも短波長側の、例えばエキシマレーザ
等が今後使用可能な場合には、さらに微細な加工を行な
うことができるようになる。For laser processing, a YAG laser is preferable because it targets a 42Ni--Fe alloy or a copper alloy. A CO 2 laser can also be used, although performance such as fine workability is poor. Further, in the present invention, since the laser spot diameter can be narrowed down to about 50 μm at present, the processing limit of laser processing is about 70 μm for the cutting width (lead interval). If an excimer laser or the like having a wavelength shorter than that of YAG can be used in the future, finer processing can be performed.
【００２１】[0021]
【実施例】以下に本発明を実施例に基づき具体的に説明
する。EXAMPLES The present invention will be specifically described below based on examples.
【００２２】（実施例１）１６０ピンＱＦＰ用リードフ
レームについて図１に符号５および４に示す部分にそれ
ぞれエッチングとレーザのハイブリッド加工を施した
（ピン数は図と異なる）。材料は、４２Ｎｉ−Ｆｅ合金
で板厚０．１５ｍｍのものを用いた。エッチングでは、
ピッチ０．２８ｍｍ、リード幅０．１５ｍｍ、リードギ
ャップ０．１３ｍｍまでの領域（符号５の部分）を加工
し、その先（符号４の部分）をレーザで加工した。レー
ザでは、ピッチ０．２２ｍｍ、リード幅０．１２ｍｍ、
リードギャップ０．１０ｍｍまで加工した。レーザは、
ＹＡＧレーザ、最高出力３００Ｗを用い０．２〜２Ｊ／
パルス、５０Ｈｚで加工した。(Embodiment 1) Regarding a lead frame for 160-pin QFP, the portions indicated by reference numerals 5 and 4 in FIG. 1 were respectively hybrid-processed by etching and laser (the number of pins is different from the figure). The material used was a 42Ni—Fe alloy with a plate thickness of 0.15 mm. In etching,
A region (a portion of reference numeral 5) up to a pitch of 0.28 mm, a lead width of 0.15 mm and a lead gap of 0.13 mm was processed, and the tip thereof (a portion of reference numeral 4) was processed by a laser. With laser, pitch 0.22mm, lead width 0.12mm,
The lead gap was processed to 0.10 mm. Laser
YAG laser, maximum output 300W, 0.2-2J /
Pulsed, processed at 50 Hz.
【００２３】この結果、ボンディング長さを３〜４ｍｍ
から１．５〜２ｍｍと約半分にすることができパッケー
ジとしての信頼性が大幅に向上した。As a result, the bonding length is 3 to 4 mm.
From 1.5 to 2 mm, which is about half, the reliability as a package is significantly improved.
【００２４】[0024]
【発明の効果】本発明は以上説明したように構成されて
いるので、全体をエッチング法またはプレス打抜き法で
加工したのち、インナリードの先端近傍をレーザで追加
工することにより容易に超多ピンのリードフレームを得
ることができる。EFFECTS OF THE INVENTION Since the present invention is constructed as described above, it is possible to easily process an ultra-multi-pin structure by processing the whole body by an etching method or press punching method and then additionally machining the vicinity of the tips of the inner leads with a laser. Lead frame can be obtained.
【図１】 （ａ）および（ｂ）は、本発明の一実施例を
示すリード先端部の平面図である。1A and 1B are plan views of a lead tip portion showing an embodiment of the present invention.
【図２】 １４４ピンＱＦＰリードフレームの要部平面
図である。FIG. 2 is a plan view of a main part of a 144-pin QFP lead frame.
【図３】 図２のインナリード先端部（Ａで示す部分）
の拡大図である。3 is a front end portion of the inner lead shown in FIG. 2 (portion indicated by A).
FIG.
１ ダイパッド ２ インナリード ３ アウタリード ４ レーザ加工領域 ５ エッチングまたはプレス加工領域 1 die pad 2 inner lead 3 outer lead 4 laser processing area 5 etching or press processing area
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 遠 藤 裕 寿 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電線 株式会社システムマテリアル研究所内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Hirotoshi Endo 3550, Kidayo-cho, Tsuchiura-shi, Ibaraki Hitachi Cable Co., Ltd.
Claims (2)
ドおよびアウタリードがエッチング法またはプレス法で
形成され、かつ、リードの先端部がレーザ加工で形成さ
れてなることを特徴とする多ピンリードフレーム。1. A multi-pin lead frame in which a die pad and an outer lead are formed by an etching method or a pressing method, and a tip portion of the lead is formed by laser processing.
いて、全体をエッチング法またはプレス打抜き法で加工
した後、微細加工部分をレーザで追加工することを特徴
とするリードフレームの製造方法。2. A method of manufacturing a lead frame, wherein a lead frame on which an IC chip is mounted is entirely processed by an etching method or a press punching method, and then a finely processed portion is additionally processed by a laser.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4048682A JPH05251605A (en) | 1992-03-05 | 1992-03-05 | Lead frame and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4048682A JPH05251605A (en) | 1992-03-05 | 1992-03-05 | Lead frame and manufacturing method thereof |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05251605A true JPH05251605A (en) | 1993-09-28 |
Family
ID=12810093
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4048682A Withdrawn JPH05251605A (en) | 1992-03-05 | 1992-03-05 | Lead frame and manufacturing method thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05251605A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| EP0623957A4 (en) * | 1992-11-24 | 1995-04-19 | Hitachi Construction Machinery | PROCESS FOR PRODUCING A MOUNTING FRAME. |
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| US12032339B2 (en) | 2022-05-16 | 2024-07-09 | Universo S.A. | Process for blanking appliques in the field of watchmaking |
-
1992
- 1992-03-05 JP JP4048682A patent/JPH05251605A/en not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990518 |