JPH05243419A - Ppga用樹脂封止金型 - Google Patents
Ppga用樹脂封止金型Info
- Publication number
- JPH05243419A JPH05243419A JP7519092A JP7519092A JPH05243419A JP H05243419 A JPH05243419 A JP H05243419A JP 7519092 A JP7519092 A JP 7519092A JP 7519092 A JP7519092 A JP 7519092A JP H05243419 A JPH05243419 A JP H05243419A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- resin
- ppga
- plate
- sealing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 PPGA基板の樹脂封止を、金型を用いたト
ランスファーモールド封止にて行なうことにより、高信
頼性化,工程短縮化及びコストダウン化を図る。 【構成】 下金型2の上面にPPGA基板9を載置し、
更にその上面にプレート3を介在させて、上金型1と下
金型2とをクランプする。樹脂はランナー8を経由し、
プレート3の上面からプレート3の一部に形成されたゲ
ート7を通過してキャビティー6に充填される。樹脂充
填後は、ゲート7部をブレイクすることによりランナー
8とキャビティー6を分割し、PPGA基板9からプレ
ート3を分離させることにより高精度なパッケージが成
形されたPPGA基板が得られる。
ランスファーモールド封止にて行なうことにより、高信
頼性化,工程短縮化及びコストダウン化を図る。 【構成】 下金型2の上面にPPGA基板9を載置し、
更にその上面にプレート3を介在させて、上金型1と下
金型2とをクランプする。樹脂はランナー8を経由し、
プレート3の上面からプレート3の一部に形成されたゲ
ート7を通過してキャビティー6に充填される。樹脂充
填後は、ゲート7部をブレイクすることによりランナー
8とキャビティー6を分割し、PPGA基板9からプレ
ート3を分離させることにより高精度なパッケージが成
形されたPPGA基板が得られる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、PPGA用樹脂封止金
型に関し、特に熱硬化性樹脂を用いたトランスファーモ
ールド封止金型に関する。
型に関し、特に熱硬化性樹脂を用いたトランスファーモ
ールド封止金型に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のPPGAの樹脂封止には、トラン
スファーモールド方式は用いられておらず、一般的に液
状樹脂のポッティング方式が用いられていた。
スファーモールド方式は用いられておらず、一般的に液
状樹脂のポッティング方式が用いられていた。
【0003】図3に従来の封止装置の概略説明図を示
す。半導体ペレット10及び枠11が固着されたPPG
A基板9は、図示しないローダーにより、自動的にポッ
ティングステージまで供給・搬送され、ポッティング後
はアンローダーにより自動的に搬送・収納される。
す。半導体ペレット10及び枠11が固着されたPPG
A基板9は、図示しないローダーにより、自動的にポッ
ティングステージまで供給・搬送され、ポッティング後
はアンローダーにより自動的に搬送・収納される。
【0004】ポッティングステージでは、PPGA基板
9が概略位置決めされ、半導体ペレット10の搭載部上
方に、シリンジ13が位置するように配設されている。
樹脂14はシリンジ13内に供給しておき、シリンジ1
3は枠11内を軌跡15に沿って移動しながら、ディス
ペンサ16によりコントロールされた圧力と時間で一定
量だけポッティングされる。
9が概略位置決めされ、半導体ペレット10の搭載部上
方に、シリンジ13が位置するように配設されている。
樹脂14はシリンジ13内に供給しておき、シリンジ1
3は枠11内を軌跡15に沿って移動しながら、ディス
ペンサ16によりコントロールされた圧力と時間で一定
量だけポッティングされる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】この従来の樹脂ポッテ
ィング装置では、高温常圧の2液性液状樹脂にて封止を
行なうため、高温,高圧の溶融樹脂にてトランスファー
モールド封止を行なうプラスティックパッケージと比較
して耐湿性の面にて若干劣る。
ィング装置では、高温常圧の2液性液状樹脂にて封止を
行なうため、高温,高圧の溶融樹脂にてトランスファー
モールド封止を行なうプラスティックパッケージと比較
して耐湿性の面にて若干劣る。
【0006】また、2液性樹脂を使用するため、時間経
過とともに、樹脂粘度が変化し、ポッティング量を一定
に保つことが非常に困難である。更に、シリンジ内の樹
脂残量によっても、シリンジ内圧が刻々と変化するた
め、樹脂ポッティング量のバラツキを大きくさせる要因
となる。
過とともに、樹脂粘度が変化し、ポッティング量を一定
に保つことが非常に困難である。更に、シリンジ内の樹
脂残量によっても、シリンジ内圧が刻々と変化するた
め、樹脂ポッティング量のバラツキを大きくさせる要因
となる。
【0007】このような樹脂ポッティング量のバラツキ
は、樹脂硬化時に半導体ペレットに与える残留応力のバ
ラツキを生み、極端にバラツキの大きいものに関して
は、ペレットクラックまで発生し、配線のリーク(絶
縁)不良等の原因となる。
は、樹脂硬化時に半導体ペレットに与える残留応力のバ
ラツキを生み、極端にバラツキの大きいものに関して
は、ペレットクラックまで発生し、配線のリーク(絶
縁)不良等の原因となる。
【0008】本発明の目的は、高信頼性化,工程短縮化
及びコストダウンを図るPPGA用樹脂封止金型を提供
することにある。
及びコストダウンを図るPPGA用樹脂封止金型を提供
することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係るPPGA用樹脂封止金型は、PPGA
用基板上に搭載された半導体ペレットを該基板と電気的
に接続した後に樹脂により封止するための封止金型にお
いて、基板と溶融樹脂流路との間に少なくとも1枚以上
のプレートを介在し、樹脂供給部から半導体ペレット搭
載部に至るまで溶融樹脂が該基板表面に接触しないよう
に形成された樹脂流路を備えたものである。
め、本発明に係るPPGA用樹脂封止金型は、PPGA
用基板上に搭載された半導体ペレットを該基板と電気的
に接続した後に樹脂により封止するための封止金型にお
いて、基板と溶融樹脂流路との間に少なくとも1枚以上
のプレートを介在し、樹脂供給部から半導体ペレット搭
載部に至るまで溶融樹脂が該基板表面に接触しないよう
に形成された樹脂流路を備えたものである。
【0010】
【作用】PPGA基板と溶融樹脂流路との間に少なくと
も1枚以上のプレートを介在し、樹脂供給部から半導体
ペレット搭載部に至るまで溶融樹脂がPPGA基板の表
面に接触しないようにする。
も1枚以上のプレートを介在し、樹脂供給部から半導体
ペレット搭載部に至るまで溶融樹脂がPPGA基板の表
面に接触しないようにする。
【0011】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【0012】(実施例1)図1は、本発明の実施例1に
係る封入金型を示す縦断面図である。
係る封入金型を示す縦断面図である。
【0013】図1において、上金型1と下金型2は対に
なっており、下金型2にはゲージピン5が埋設されてい
る。
なっており、下金型2にはゲージピン5が埋設されてい
る。
【0014】PPGA基板9及びプレート3は、あらか
じめ型開き時に下金型2上に載置され、ゲージピン5に
より位置出しされている。
じめ型開き時に下金型2上に載置され、ゲージピン5に
より位置出しされている。
【0015】そして、型締後、図示しない樹脂タブレッ
ト投入部より樹脂を高圧プランジャーにてメインランナ
ー(図示せず)、ランナー8及びゲート7を通して圧入
する。キャビティ6が全て充填されたら、90秒〜15
0秒程度、キュアのため、そのまま放置しておき、タイ
ムアップ後、型開きを行なう。
ト投入部より樹脂を高圧プランジャーにてメインランナ
ー(図示せず)、ランナー8及びゲート7を通して圧入
する。キャビティ6が全て充填されたら、90秒〜15
0秒程度、キュアのため、そのまま放置しておき、タイ
ムアップ後、型開きを行なう。
【0016】型開き時には、キャビティ6部の樹脂が上
金型1に付着しないようにエジェクターピン4にて強制
的に下方に突き出され、PPGA基板9は、プレート3
及びランナー8,ゲート7と共に、下金型側に残る。
金型1に付着しないようにエジェクターピン4にて強制
的に下方に突き出され、PPGA基板9は、プレート3
及びランナー8,ゲート7と共に、下金型側に残る。
【0017】型開きが完了した後は、ゲート7部をブレ
イクすることにより、キャビティ6とランナー8とを分
割し、更にプレート3をPPGA基板9から剥がし取る
ことにより、PPGA基板9上にトランスファーモール
ドされたパッケージが成形される。
イクすることにより、キャビティ6とランナー8とを分
割し、更にプレート3をPPGA基板9から剥がし取る
ことにより、PPGA基板9上にトランスファーモール
ドされたパッケージが成形される。
【0018】(実施例2)図2は、本発明の実施例2に
係る封入金型を示す縦断面図である。図2において、上
金型1,下金型2の機構及び動作は、実施例1と同様の
ため省略する。
係る封入金型を示す縦断面図である。図2において、上
金型1,下金型2の機構及び動作は、実施例1と同様の
ため省略する。
【0019】本実施例では、プレート3がPPGA基板
9を上面から完全に覆うような箱型になっているため、
PPGA基板9の表面のみならず、側面をも完全にラン
ナー8との接触から防ぐことができる。
9を上面から完全に覆うような箱型になっているため、
PPGA基板9の表面のみならず、側面をも完全にラン
ナー8との接触から防ぐことができる。
【0020】したがって、PPGA基板9の側面には、
一切樹脂付着が発生しない高品質な成形が可能となる。
一切樹脂付着が発生しない高品質な成形が可能となる。
【0021】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、PPGA
基板をプレートを用いた封止金型によって、高圧トラン
スファー方式で樹脂封止したので、耐湿性に優れたPP
GAパッケージの成形が可能となる。
基板をプレートを用いた封止金型によって、高圧トラン
スファー方式で樹脂封止したので、耐湿性に優れたPP
GAパッケージの成形が可能となる。
【0022】また、各基板間における封止樹脂量のバラ
ツキを極めて微少に抑えることができるため、ペレット
クラック等のない高品質な封止を安定して維持しつづけ
ることが容易に可能である。その結果、PCT(高度加
速寿命試験)では、288時間から384時間へ、また
HHBT(高温,高湿バイアス試験)では、1000時
間から2000時間へと、いずれも向上される。
ツキを極めて微少に抑えることができるため、ペレット
クラック等のない高品質な封止を安定して維持しつづけ
ることが容易に可能である。その結果、PCT(高度加
速寿命試験)では、288時間から384時間へ、また
HHBT(高温,高湿バイアス試験)では、1000時
間から2000時間へと、いずれも向上される。
【0023】更に、本発明の封止用金型を用いると、従
来の樹脂だめ用枠付けを行なうことなく、高精度なパッ
ケージの成形が可能であり、工程短縮及びコストダウン
が図られる。
来の樹脂だめ用枠付けを行なうことなく、高精度なパッ
ケージの成形が可能であり、工程短縮及びコストダウン
が図られる。
【図1】本発明の実施例1を示す縦断面図である。
【図2】本発明の実施例2を示す縦断面図である。
【図3】従来のPPGA封止装置を示す概略説明図であ
る。
る。
1 上金型 2 下金型 3 プレート 4 エジェクターピン 5 ゲージピン 6 キャビティ 7 ゲート 8 ランナー 9 PPGA基板 10 半導体ペレット 11 枠 12 スルーホール 13 シリンジ 14 樹脂 15 軌跡 16 ディスペンサ
Claims (1)
- 【請求項1】 PPGA用基板上に搭載された半導体ペ
レットを該基板と電気的に接続した後に樹脂により封止
するための封止金型において、 基板と溶融樹脂流路との間に少なくとも1枚以上のプレ
ートを介在し、樹脂供給部から半導体ペレット搭載部に
至るまで溶融樹脂が該基板表面に接触しないように形成
された樹脂流路を備えたことを特徴とするPPGA用樹
脂封止金型。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7519092A JPH05243419A (ja) | 1992-02-26 | 1992-02-26 | Ppga用樹脂封止金型 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7519092A JPH05243419A (ja) | 1992-02-26 | 1992-02-26 | Ppga用樹脂封止金型 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05243419A true JPH05243419A (ja) | 1993-09-21 |
Family
ID=13569034
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7519092A Pending JPH05243419A (ja) | 1992-02-26 | 1992-02-26 | Ppga用樹脂封止金型 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05243419A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100819295B1 (ko) * | 2005-04-22 | 2008-04-02 | 가부시키가이샤 덴소 | 전자 회로 장치 및 그 제조 방법 |
US7622067B2 (en) * | 2005-05-30 | 2009-11-24 | Spansion Llc | Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device |
-
1992
- 1992-02-26 JP JP7519092A patent/JPH05243419A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100819295B1 (ko) * | 2005-04-22 | 2008-04-02 | 가부시키가이샤 덴소 | 전자 회로 장치 및 그 제조 방법 |
US7622067B2 (en) * | 2005-05-30 | 2009-11-24 | Spansion Llc | Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device |
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