JPH05235618A - 偏平空洞の高周波パワーディバイダ - Google Patents
偏平空洞の高周波パワーディバイダInfo
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- JPH05235618A JPH05235618A JP4113813A JP11381392A JPH05235618A JP H05235618 A JPH05235618 A JP H05235618A JP 4113813 A JP4113813 A JP 4113813A JP 11381392 A JP11381392 A JP 11381392A JP H05235618 A JPH05235618 A JP H05235618A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
- H01P5/12—Coupling devices having more than two ports
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- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
- Waveguide Aerials (AREA)
- Variable-Direction Aerials And Aerial Arrays (AREA)
- Microwave Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、構造が簡単で効率が高く、熱放散
も良好な偏平空洞型高周波パワーデバイダを提供するこ
とを目的とする。 【構成】 平行な広い壁25，27、側壁17，19、および端
部壁21，23を有する偏平空洞構造13と、入力ポート31と
一方の広い壁が偏平空洞の広い壁の１つ25の一部分と共
通している入力導波管構造15とを具備し、導波管15の広
い壁の縦の中心線35が偏平空洞構造13の側壁17，19の間
に平行で中央に配置され、前記入力導波管構造中に入力
された電磁エネルギの主要なＴＥ4,0 モードを前記空洞
構造で励起するスロットの縦の中心線42が入力導波管の
中心線35と平行であるがずれて導波管の広い壁に配置さ
れ、空洞の広い壁に複数の出力結合手段45を具備してい
ることを特徴とする。入力導波管構造15はＴ型構造にす
ることも可能である。
も良好な偏平空洞型高周波パワーデバイダを提供するこ
とを目的とする。 【構成】 平行な広い壁25，27、側壁17，19、および端
部壁21，23を有する偏平空洞構造13と、入力ポート31と
一方の広い壁が偏平空洞の広い壁の１つ25の一部分と共
通している入力導波管構造15とを具備し、導波管15の広
い壁の縦の中心線35が偏平空洞構造13の側壁17，19の間
に平行で中央に配置され、前記入力導波管構造中に入力
された電磁エネルギの主要なＴＥ4,0 モードを前記空洞
構造で励起するスロットの縦の中心線42が入力導波管の
中心線35と平行であるがずれて導波管の広い壁に配置さ
れ、空洞の広い壁に複数の出力結合手段45を具備してい
ることを特徴とする。入力導波管構造15はＴ型構造にす
ることも可能である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロ波伝送システ
ムに関し、特に強制空冷を有する比較的高いパワーが処
理可能な高周波パワーディバイダに関する。
ムに関し、特に強制空冷を有する比較的高いパワーが処
理可能な高周波パワーディバイダに関する。
【０００２】
【従来の技術】空洞パワーディバイダは、衛星マイクロ
波伝送アンテナシステムの活性位相アレイ素子とインタ
ーフェイスする最も適合した部品である。従来のＲＦパ
ワーディバイダは主に共通供給タイプである。従来技術
は、導波管Ｔ接合あるいはハイブリッドカプラを含む。
方形同軸ハイブリッドカプラはパワーディバイダとして
も使用される。
波伝送アンテナシステムの活性位相アレイ素子とインタ
ーフェイスする最も適合した部品である。従来のＲＦパ
ワーディバイダは主に共通供給タイプである。従来技術
は、導波管Ｔ接合あるいはハイブリッドカプラを含む。
方形同軸ハイブリッドカプラはパワーディバイダとして
も使用される。
【０００３】従来のパワーディバイダの１例は、Harris
社による1987年の契約番号F19628-83-C-0115の“４４Ｇ
Ｈｚモノリシック等角活性伝送位相アレイアンテナ”と
題される文献に記載される。方形導波管プレート（並列
プレートあるいはPillbox Feed）、同軸転移に対するリ
ッジ導波管、リッジ導波管の短絡部分および出力ポート
に対する同軸から構成されるパワーディバイダが記載さ
れている。
社による1987年の契約番号F19628-83-C-0115の“４４Ｇ
Ｈｚモノリシック等角活性伝送位相アレイアンテナ”と
題される文献に記載される。方形導波管プレート（並列
プレートあるいはPillbox Feed）、同軸転移に対するリ
ッジ導波管、リッジ導波管の短絡部分および出力ポート
に対する同軸から構成されるパワーディバイダが記載さ
れている。
【０００４】従来技術の別の例は、Ball Aerospace社に
よる1989年３月の契約番号F19628-C-0109 の“２０ＧＨ
ｚモノリシック等角活性受信位相アレイアンテナ”と題
される文献に記載されている。Ball社のパワーディバイ
ダは、複合マイクロストリップカプラパワー分割回路、
導波管からＥ面への転移、および出力ポートしてマイク
ロストリップに直接接続された小型同軸ケーブルから構
成される。これら上記された通常の装置の欠点は、低い
熱放散効率、複雑な冷却システム、高い製造費用、およ
び高いＲＦ挿入損失を含む。
よる1989年３月の契約番号F19628-C-0109 の“２０ＧＨ
ｚモノリシック等角活性受信位相アレイアンテナ”と題
される文献に記載されている。Ball社のパワーディバイ
ダは、複合マイクロストリップカプラパワー分割回路、
導波管からＥ面への転移、および出力ポートしてマイク
ロストリップに直接接続された小型同軸ケーブルから構
成される。これら上記された通常の装置の欠点は、低い
熱放散効率、複雑な冷却システム、高い製造費用、およ
び高いＲＦ挿入損失を含む。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来技術の前記要素お
よび状態特性に関して、新しい、改善された偏平空洞Ｒ
Ｆパワーディバイダを提供することが本発明の主要目的
である。本発明の別の目的は、軽くあまり大型でない偏
平空洞ＲＦパワーディバイダを提供することである。本
発明の別の目的は、強制空冷され、構造が簡単である小
型の偏平空洞ＲＦパワーディバイダを提供することであ
る。本発明のさらに別の目的は、活性素子インターフェ
イスに所望の同軸出力ポートを供給する偏平空洞ＲＦパ
ワーディバイダを提供することであり、平滑な位相およ
び振幅出力を有する５％の帯域幅を有する偏平空洞ＲＦ
パワーディバイダを提供することである。本発明のさら
に別の目的は、無調整ねじあるいは整合リアクタを利用
し、１４．３５ＧＨｚで１インチ以下の非常に薄いプロ
フィルを有する偏平空洞ＲＦパワーディバイダを提供す
ることである。本発明のさらに別の目的は、限定された
領域内で１対１６のパワー分割を実行し、活性位相アレ
イ素子とのインターフェイスに適合される偏平空洞ＲＦ
パワーディバイダを提供することである。
よび状態特性に関して、新しい、改善された偏平空洞Ｒ
Ｆパワーディバイダを提供することが本発明の主要目的
である。本発明の別の目的は、軽くあまり大型でない偏
平空洞ＲＦパワーディバイダを提供することである。本
発明の別の目的は、強制空冷され、構造が簡単である小
型の偏平空洞ＲＦパワーディバイダを提供することであ
る。本発明のさらに別の目的は、活性素子インターフェ
イスに所望の同軸出力ポートを供給する偏平空洞ＲＦパ
ワーディバイダを提供することであり、平滑な位相およ
び振幅出力を有する５％の帯域幅を有する偏平空洞ＲＦ
パワーディバイダを提供することである。本発明のさら
に別の目的は、無調整ねじあるいは整合リアクタを利用
し、１４．３５ＧＨｚで１インチ以下の非常に薄いプロ
フィルを有する偏平空洞ＲＦパワーディバイダを提供す
ることである。本発明のさらに別の目的は、限定された
領域内で１対１６のパワー分割を実行し、活性位相アレ
イ素子とのインターフェイスに適合される偏平空洞ＲＦ
パワーディバイダを提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の実施例によれ
ば、偏平空洞ＲＦパワーディバイダは水平の中心線を有
する広い壁と上部および下部の縦の壁とを有する偏平空
洞構造を含む。１端部に入力ポートを有し、導波管の広
い壁に縦の中心線を有する入力導波管構造は、導波管の
広い壁が空洞の広い壁と共通であり、および偏平空洞構
造の中心線と平行であるがこの中心線とずれた縦の中心
線を有している。複数の縦の分路スロットを含んでいる
結合手段は、空洞構造中に主要なＴＥ4,0 モードを励起
するために空洞の縦の中心線に沿って共通壁に配置され
る。本発明はまた、導波管構造に沿った比較的高い定常
波を生成するために導波管構造中に配置され、各スロッ
トを励起する最大のＥ電界を供給し、それによって偏平
空洞構造の横断軸の列を励起する湾曲した導波管短絡回
路手段、およびパワーディバイダの周波数応答特性の改
善のために縦の壁に沿って偏平空洞構造中に配置された
ＲＦ吸収手段をさらに含む。出力結合手段はＲＦパワー
出力を供給するための偏平空洞構造と関連される。
ば、偏平空洞ＲＦパワーディバイダは水平の中心線を有
する広い壁と上部および下部の縦の壁とを有する偏平空
洞構造を含む。１端部に入力ポートを有し、導波管の広
い壁に縦の中心線を有する入力導波管構造は、導波管の
広い壁が空洞の広い壁と共通であり、および偏平空洞構
造の中心線と平行であるがこの中心線とずれた縦の中心
線を有している。複数の縦の分路スロットを含んでいる
結合手段は、空洞構造中に主要なＴＥ4,0 モードを励起
するために空洞の縦の中心線に沿って共通壁に配置され
る。本発明はまた、導波管構造に沿った比較的高い定常
波を生成するために導波管構造中に配置され、各スロッ
トを励起する最大のＥ電界を供給し、それによって偏平
空洞構造の横断軸の列を励起する湾曲した導波管短絡回
路手段、およびパワーディバイダの周波数応答特性の改
善のために縦の壁に沿って偏平空洞構造中に配置された
ＲＦ吸収手段をさらに含む。出力結合手段はＲＦパワー
出力を供給するための偏平空洞構造と関連される。
【０００７】本発明は、入力導波管構造がＷＲ−６２導
波管であり、入力ポートがその外端部にあるように構成
されることができる。代りに、入力導波管構造は細長い
水平部分とこの水平部分に沿って中心に配置される導波
管Ｔ接合で水平部分と接合する細長い直交パワー供給部
分を含み、入力ポートは供給部分の外端部に配置され
る。
波管であり、入力ポートがその外端部にあるように構成
されることができる。代りに、入力導波管構造は細長い
水平部分とこの水平部分に沿って中心に配置される導波
管Ｔ接合で水平部分と接合する細長い直交パワー供給部
分を含み、入力ポートは供給部分の外端部に配置され
る。
【０００８】本発明の実施例にしたがって、結合手段は
波長の４分の１の倍数の間隔を有する４つの分路スロッ
トを含み、出力手段は空洞構造中に延在し、約１．５λ
ｇの間隔を有する１６の同軸の超小型アダプタ（ＳＭ
Ａ）出力結合プローブを含んでいる。
波長の４分の１の倍数の間隔を有する４つの分路スロッ
トを含み、出力手段は空洞構造中に延在し、約１．５λ
ｇの間隔を有する１６の同軸の超小型アダプタ（ＳＭ
Ａ）出力結合プローブを含んでいる。
【０００９】このように、従来技術と対比して、ＲＦパ
ワーディバイダは平易にした冷却性能による高熱効果を
示し、製造の低価格および低いＲＦ挿入損失は従来技術
に比較して大きな進歩を与える。
ワーディバイダは平易にした冷却性能による高熱効果を
示し、製造の低価格および低いＲＦ挿入損失は従来技術
に比較して大きな進歩を与える。
【００１０】
【実施例】図１および図２を参照すると、偏平空洞構造
13および入力導波管構造15を有する偏平空洞高周波パワ
ーディバイダが示されている。偏平空洞構造13は狭い上
部の縦の端部壁17、それと平行の狭い下部の縦の端部壁
19、狭い左側の端部壁21、および狭い右側の端部壁23を
含む。この構造はまた、内部の広い壁25および外部の広
い壁27を有する。
13および入力導波管構造15を有する偏平空洞高周波パワ
ーディバイダが示されている。偏平空洞構造13は狭い上
部の縦の端部壁17、それと平行の狭い下部の縦の端部壁
19、狭い左側の端部壁21、および狭い右側の端部壁23を
含む。この構造はまた、内部の広い壁25および外部の広
い壁27を有する。
【００１１】入力導波管構造15はＷＲ−６２構成であ
り、構造15の外端部に入力ポート31を有し、通常の導波
管フランジ33を備えている。導波管は、内部の広い壁25
と共有し、共通壁39と呼ばれる内部導波管壁37および導
波管の中心線35をさらに含む。図１に見られるように、
導波管の中心線35は偏平空洞の構造13の上部と下部の縦
の端部壁（17および19）の間の中心に平行に配置され
る。
り、構造15の外端部に入力ポート31を有し、通常の導波
管フランジ33を備えている。導波管は、内部の広い壁25
と共有し、共通壁39と呼ばれる内部導波管壁37および導
波管の中心線35をさらに含む。図１に見られるように、
導波管の中心線35は偏平空洞の構造13の上部と下部の縦
の端部壁（17および19）の間の中心に平行に配置され
る。
【００１２】４つの縦の結合スロット41は、約１４．３
５ＧＨｚの動作周波数で０．００８９インチの導波管の
中心線35から片寄ったスロットの縦の中心線42に沿って
共通壁39に供給される。スロット41は１．５λｇに間隔
が隔てられ、λｇはＷＲ−６２導波管の波長である。こ
の構造において、スロットが配置される縦のスロット中
心線42が導波管内部の広い壁と一致する場合は放射しな
い。０．００８９インチの片寄った位置は、この特定の
構造を経験的にテストすることによって最適にされる。
５ＧＨｚの動作周波数で０．００８９インチの導波管の
中心線35から片寄ったスロットの縦の中心線42に沿って
共通壁39に供給される。スロット41は１．５λｇに間隔
が隔てられ、λｇはＷＲ−６２導波管の波長である。こ
の構造において、スロットが配置される縦のスロット中
心線42が導波管内部の広い壁と一致する場合は放射しな
い。０．００８９インチの片寄った位置は、この特定の
構造を経験的にテストすることによって最適にされる。
【００１３】規則的な直線の縁部短絡より帯域幅が広い
通常の湾曲した導波管短絡回路構造43は、ＷＲ−６２導
波管15に沿って高い定常波を生成するために入力ポート
31から最後のスロット41' を越えたλｇ／４の位置に配
置される。４つのスロット41は４分の１波長の倍数の間
隔を有しているため、最大のＥ電界が各スロットを励起
するために生ずる。励起されたスロットは、次にこの場
合に０．３３インチである偏平空洞の深さの横断軸の列
を励起する。
通常の湾曲した導波管短絡回路構造43は、ＷＲ−６２導
波管15に沿って高い定常波を生成するために入力ポート
31から最後のスロット41' を越えたλｇ／４の位置に配
置される。４つのスロット41は４分の１波長の倍数の間
隔を有しているため、最大のＥ電界が各スロットを励起
するために生ずる。励起されたスロットは、次にこの場
合に０．３３インチである偏平空洞の深さの横断軸の列
を励起する。
【００１４】仮想壁（ゼロのＥ電界であり、示されてい
ない）は、空洞13のそれぞれ励起されたスロットの列の
間に存在する。仮想壁は、導波管の部分と同様の偏平空
洞内の上部あるいは下部にＲＦ伝播を維持する。しかし
ながら、仮想壁は実際の固体の導電性の壁と完全に同じ
ではないため、高次のモードが励起する。
ない）は、空洞13のそれぞれ励起されたスロットの列の
間に存在する。仮想壁は、導波管の部分と同様の偏平空
洞内の上部あるいは下部にＲＦ伝播を維持する。しかし
ながら、仮想壁は実際の固体の導電性の壁と完全に同じ
ではないため、高次のモードが励起する。
【００１５】これらの不所望なモード状態を抑制する技
術は、偏平空洞の２つの縦の壁、すなわち上部の縦の壁
17および下部の縦の壁19に沿って通常のＲＦ吸収材料44
の薄いストリップを配置することである。この技術は、
−３ｄＢにパワーディバイダの全挿入損失を増加する
が、各放射素子の利得をふやすために使用される通常の
簡単なＲＦ増幅器（示されていない）が存在するため重
要ではない。これらの増幅器は、以下に記載されるよう
に、いかなる周波数特性に対するパワーレベルおよび出
力ポート間の出力振幅変動をも克服するために通常の自
動利得制御（ＡＧＣ）回路を備えている。
術は、偏平空洞の２つの縦の壁、すなわち上部の縦の壁
17および下部の縦の壁19に沿って通常のＲＦ吸収材料44
の薄いストリップを配置することである。この技術は、
−３ｄＢにパワーディバイダの全挿入損失を増加する
が、各放射素子の利得をふやすために使用される通常の
簡単なＲＦ増幅器（示されていない）が存在するため重
要ではない。これらの増幅器は、以下に記載されるよう
に、いかなる周波数特性に対するパワーレベルおよび出
力ポート間の出力振幅変動をも克服するために通常の自
動利得制御（ＡＧＣ）回路を備えている。
【００１６】この実施例において、１６の出力ポート45
は偏平空洞構造13の外部の広い壁27を横切って対称に分
布される。出力ポート45は、ＲＦエネルギ出力を結合す
る偏平空洞中に挿入されているλ0 /4のプローブ長を有
する通常のＳＭＡプローブをそれぞれ含む。これらのポ
ートは、Ｘ，Ｙ軸上で１．５λｇの間隔が有している。
は偏平空洞構造13の外部の広い壁27を横切って対称に分
布される。出力ポート45は、ＲＦエネルギ出力を結合す
る偏平空洞中に挿入されているλ0 /4のプローブ長を有
する通常のＳＭＡプローブをそれぞれ含む。これらのポ
ートは、Ｘ，Ｙ軸上で１．５λｇの間隔が有している。
【００１７】本発明の第２の実施例にしたがって図３お
よび図４に示されるように、本発明の対称的な供給の状
態は改善される。偏平空洞ＲＦパワーディバイダ101
は、偏平空洞構造103 および入力導波管構造105 を具備
する。図３に見られるように、入力導波管105 は２つの
主な部分、水平部分107 およびそれと直交している入力
部分109 を含む。これら２つの導波管部分は水平部分10
7 の長さに沿って中央に配置された通常の隔壁111'を有
する導波管接合部111 で接合する。
よび図４に示されるように、本発明の対称的な供給の状
態は改善される。偏平空洞ＲＦパワーディバイダ101
は、偏平空洞構造103 および入力導波管構造105 を具備
する。図３に見られるように、入力導波管105 は２つの
主な部分、水平部分107 およびそれと直交している入力
部分109 を含む。これら２つの導波管部分は水平部分10
7 の長さに沿って中央に配置された通常の隔壁111'を有
する導波管接合部111 で接合する。
【００１８】湾曲した導波管短絡構造113 （構造43と同
様である）は、水平部107 の各端部に配置される。第１
の実施例における材料45と同様のＲＦ吸収材料115 は、
上部の縦の壁117 および下部の縦の壁119 に沿って配置
される。本発明の第１の実施例のように、４つの縦のス
ロット121 は前記のような同じ理由で導波管部分の中心
線125 から０．０８９インチ片寄った導波管の中心線12
3 に沿って配置されている。
様である）は、水平部107 の各端部に配置される。第１
の実施例における材料45と同様のＲＦ吸収材料115 は、
上部の縦の壁117 および下部の縦の壁119 に沿って配置
される。本発明の第１の実施例のように、４つの縦のス
ロット121 は前記のような同じ理由で導波管部分の中心
線125 から０．０８９インチ片寄った導波管の中心線12
3 に沿って配置されている。
【００１９】入力導波管フランジ129 を通る入力ポート
127 に結合された入力エネルギは、入力導波管部分109
に沿って内部へ伝播し、通常のＴ結合111 によって等し
く分けられ、エネルギは偏平空洞103 の内部の広い壁13
3 と入力導波管構造105 の水平部分107 の内部の広い壁
135 の間の共通壁131 に配置されるそれらの対応してい
る２つの縦のスロット121 を励起する各短絡部113 によ
って反射される。
127 に結合された入力エネルギは、入力導波管部分109
に沿って内部へ伝播し、通常のＴ結合111 によって等し
く分けられ、エネルギは偏平空洞103 の内部の広い壁13
3 と入力導波管構造105 の水平部分107 の内部の広い壁
135 の間の共通壁131 に配置されるそれらの対応してい
る２つの縦のスロット121 を励起する各短絡部113 によ
って反射される。
【００２０】この設計は、一定の位相および振幅分布を
与え、周波数帯域幅は偏平空洞構造103 の外部の広い壁
139 に設けられる通常のＳＭＡプローブ137 で増加され
る。プローブは、約λ0 /4偏平空洞に挿入され前記のよ
うに空間が隔てられ、そのスロットの大きさは長さ約
０．３９５インチ、幅０．１７５インチである。１４．
３５ＧＨｚの動作周波数で、内部偏平空洞の大きさは
５．９９５λｇ×５．８０５λｇであり、幅が０．３３
インチであり、導波管の内部の幅が０．３１１インチで
あり、導波管入力ポートの開口部は０．３１１×０．６
２２インチである。さらに、ＲＦ吸収材料44および115
の最適な厚さは約０．０８０インチに形成される。
与え、周波数帯域幅は偏平空洞構造103 の外部の広い壁
139 に設けられる通常のＳＭＡプローブ137 で増加され
る。プローブは、約λ0 /4偏平空洞に挿入され前記のよ
うに空間が隔てられ、そのスロットの大きさは長さ約
０．３９５インチ、幅０．１７５インチである。１４．
３５ＧＨｚの動作周波数で、内部偏平空洞の大きさは
５．９９５λｇ×５．８０５λｇであり、幅が０．３３
インチであり、導波管の内部の幅が０．３１１インチで
あり、導波管入力ポートの開口部は０．３１１×０．６
２２インチである。さらに、ＲＦ吸収材料44および115
の最適な厚さは約０．０８０インチに形成される。
【００２１】前記述の説明から新しい改善された偏平空
洞ＲＦパワーディバイダおよび特に非常に小型で軽く、
効率的であり、パワーディバイダ内の強制空冷に適応す
る１対１６の偏平空洞ＲＦパワーディバイダが明らかに
される。上記実施例が単に本発明の原理の適用を表す多
くの特別な実施例のうちの幾つかの例示であることが理
解されるべきである。明らかに、多くの他の変化が本発
明の技術的範囲から逸脱することなしに当業者によって
容易に案出できる。
洞ＲＦパワーディバイダおよび特に非常に小型で軽く、
効率的であり、パワーディバイダ内の強制空冷に適応す
る１対１６の偏平空洞ＲＦパワーディバイダが明らかに
される。上記実施例が単に本発明の原理の適用を表す多
くの特別な実施例のうちの幾つかの例示であることが理
解されるべきである。明らかに、多くの他の変化が本発
明の技術的範囲から逸脱することなしに当業者によって
容易に案出できる。
【図１】本発明にしたがって構成される偏平空洞ＲＦパ
ワーディバイダの部分的に切開かれた側面図。
ワーディバイダの部分的に切開かれた側面図。
【図２】図１に示される偏平空洞ＲＦパワーディバイダ
の線２−２における断面図。
の線２−２における断面図。
【図３】本発明の別の実施例にしたがった偏平空洞ＲＦ
パワーディバイダの側面図。
パワーディバイダの側面図。
【図４】図３に示される偏平空洞ＲＦパワーディバイダ
の底面図。
の底面図。
13,103…偏平空洞，15,105,109…入力導波管，41,41',1
21…スロット，42,123,125…中心線，44,115…吸収材
料，101 …ＲＦパワーディバイダ。
21…スロット，42,123,125…中心線，44,115…吸収材
料，101 …ＲＦパワーディバイダ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 グレゴリー・ディー・クルーパ アメリカ合衆国、カリフォルニア州 90504、トアランス、ワンハンドレッドセ ブンティーフィフス・ストリート 4035 (72)発明者 モン・エヌ・ウォング アメリカ合衆国、カリフォルニア州 90503、トアランス、コンヤ・ドライブ 4132
Claims (7)
- 【請求項１】 第１および第２の対向した平行な広い壁
および２つの対向した側壁および２つの対向した端部壁
を有する偏平空洞構造と、 電磁エネルギを受入れるための入力ポートと、前記偏平
空洞の第１の広い壁の一部分と共通の導波管の第１の広
い壁と、この第１の広い壁と向い合った第２の広い壁と
を有する入力導波管構造とを具備し、 前記導波管構造および空洞構造は、前記導波管の第１の
広い壁の縦の中心線が前記偏平空洞構造の前記側壁の間
に平行で中央に配置されるように位置され、 さらに、前記入力導波管構造中に入力された電磁エネル
ギの主要なＴＥ4,0 モードを前記空洞構造で励起するた
めに前記入力導波管の中心線に平行であり、この中心線
とずれているスロットの縦の中心線に沿って前記導波管
の第１の広い壁に配置されている複数の縦の分路スロッ
トを含んでいる結合手段と、 前記導波管構造の前記入力ポートと反対側の前記導波管
構造の１端部に配置された湾曲した導波管短絡回路手段
と、 前記空洞の第２の広い壁を通り前記偏平空洞構造からの
電磁エネルギの結合によってＲＦパワー出力を供給する
ための前記空洞の第２の広い壁に配置された複数の出力
結合手段とを具備していることを特徴とする偏平空洞Ｒ
Ｆパワーディバイダ。 - 【請求項２】 第１および第２の対向した平行な広い壁
と、２つの対向した側壁と、および２つの対向した端部
壁とを有する偏平空洞構造と、 Ｔ接合部で結合される第１および第２の導波管部分から
構成され、第２の導波管部分は１端部に電磁エネルギを
受入れるための入力ポートを有し他端部において前記Ｔ
接合部を有し、前記第１および第２の導波管部分はそれ
ぞれ前記偏平空洞の第１の広い壁の一部分と共通の導波
管の第１の広い壁およびそれら第１の広い壁と向い合っ
た第２の広い壁を有する入力導波管構造を具備し、 前記導波管および空洞構造は、前記第１の導波管部分の
広い壁の縦の中心線が前記偏平空洞構造の前記側壁の間
に平行で中央に配置されるように位置され、 さらに、前記入力導波管構造中に入力された電磁エネル
ギの主要なＴＥ4,0 モードを前記空洞構造で励起するた
めに前記第１の導波管部分の中心線に平行でこの中心線
からずれているスロットの縦の中心線に沿って前記導波
管部分の第１の広い壁に配置されている複数の縦の分路
スロットを含んでいる結合手段と、 前記第１の導波管部分の各端部に配置されている湾曲し
た導波管短絡回路手段と、 前記空洞の第２の広い壁を通り前記偏平空洞構造からの
電磁エネルギの結合によってＲＦパワー出力を供給する
ための前記空洞の第２の広い壁に配置される複数の出力
結合手段とを具備していることを特徴とする偏平空洞Ｒ
Ｆパワーディバイダ。 - 【請求項３】 前記側壁に沿った前記偏平空洞構造中に
配置されているＲＦ吸収手段をさらに具備する請求項１
あるいは２記載の偏平空洞ＲＦパワーディバイダ。 - 【請求項４】 前記結合手段が入力導波管の波長の４分
の１の倍数の間隔を有する４つの縦の分路スロットを含
む請求項１あるいは２記載の偏平空洞ＲＦパワーディバ
イダ。 - 【請求項５】 λｇを入力導波管の管内波長として、前
記出力手段が約１．５λｇの間隔を有する前記偏平空洞
構造中に延在している１６個のＳＭＡ出力結合プローブ
を具備している請求項１あるいは２記載の偏平空洞ＲＦ
パワーディバイダ。 - 【請求項６】 λ0 を自由空間波長として、前記出力結
合プローブがλ0 /4の深さに前記偏平空洞中に延在して
いる請求項５記載の偏平空洞ＲＦパワーディバイダ。 - 【請求項７】 前記湾曲した導波管短絡回路手段が前記
スロットの最も近い１つからλg /4の間隔を有し、λg
が入力導波管の管内波長である請求項１あるいは２記載
の偏平空洞ＲＦパワーディバイダ。
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