JPH05234564A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
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- JPH05234564A JPH05234564A JP4069568A JP6956892A JPH05234564A JP H05234564 A JPH05234564 A JP H05234564A JP 4069568 A JP4069568 A JP 4069568A JP 6956892 A JP6956892 A JP 6956892A JP H05234564 A JPH05234564 A JP H05234564A
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- ion
- wafer
- slow
- ion beam
- suppressor electrode
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 イオンビームの一部がそのビームライン上の
構造物に衝突することによって発生したパーティクルに
よるウェーハの汚染を低減することができるようにした
イオン注入装置を提供する。 【構成】 分析スリット６と加速管８の入口部との間に
第１のスローイオンサプレッサ電極３０を設け、かつ、
ファラデーケース２２の入口部のマスク１６のすぐ下流
側に第２のスローイオンサプレッサ電極３４を設けた。
これらのスローイオンサプレッサ電極３０および３４に
は、それぞれ、そこを通るイオンビーム２の電位よりも
例えば数百Ｖ程度の正電位をスローイオンサプレッサ電
源３２および３６によって付与するようにしている。
構造物に衝突することによって発生したパーティクルに
よるウェーハの汚染を低減することができるようにした
イオン注入装置を提供する。 【構成】 分析スリット６と加速管８の入口部との間に
第１のスローイオンサプレッサ電極３０を設け、かつ、
ファラデーケース２２の入口部のマスク１６のすぐ下流
側に第２のスローイオンサプレッサ電極３４を設けた。
これらのスローイオンサプレッサ電極３０および３４に
は、それぞれ、そこを通るイオンビーム２の電位よりも
例えば数百Ｖ程度の正電位をスローイオンサプレッサ電
源３２および３６によって付与するようにしている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、イオン注入装置に関
し、より具体的には、装置内で発生する各種パーティク
ルや不要イオンによるウェーハへの汚染を低減する手段
に関する。
し、より具体的には、装置内で発生する各種パーティク
ルや不要イオンによるウェーハへの汚染を低減する手段
に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は、従来のイオン注入装置の一例を
横から見た断面図である。このイオン注入装置は、図示
しないイオン源から引き出され、分析電磁石４および分
析スリット６を通して質量分析されたイオンビーム２
を、加速管８を通して加速し、Ｙ走査電極１２およびＸ
走査電極１４によってＹ方向（例えば垂直方向）および
Ｘ方向（例えば水平方向）に走査した後、プラテン２６
に保持されたウェーハ２４に照射してイオン注入を行う
よう構成されている。分析スリット６は分析電磁石４の
作用によって生じるビーム集束点に置かれている。加速
管８には加速電源１０から加速電圧が印加される。
横から見た断面図である。このイオン注入装置は、図示
しないイオン源から引き出され、分析電磁石４および分
析スリット６を通して質量分析されたイオンビーム２
を、加速管８を通して加速し、Ｙ走査電極１２およびＸ
走査電極１４によってＹ方向（例えば垂直方向）および
Ｘ方向（例えば水平方向）に走査した後、プラテン２６
に保持されたウェーハ２４に照射してイオン注入を行う
よう構成されている。分析スリット６は分析電磁石４の
作用によって生じるビーム集束点に置かれている。加速
管８には加速電源１０から加速電圧が印加される。
【０００３】また、ウェーハ２４にイオンビーム２を照
射することに伴ってウェーハ２４やプラテン２６から放
出される二次電子がアースへ逃げるのを防止してウェー
ハ２４に流れるビーム電流の計測を正確に行う等の目的
で、ウェーハ２４の周囲から上流側にかけてファラデー
ケース２２が設けられており、かつこのファラデーケー
ス２２の入口部上流側にサプレッサ電源２０によって負
電位にされるサプレッサ電極１８が設けられている。２
８はビーム電流計測器である。また、このサプレッサ電
極１８の上流側には、イオンビーム２が同サプレッサ電
極１８に当たるのを防止する等の目的でマスク１６が設
けられている。
射することに伴ってウェーハ２４やプラテン２６から放
出される二次電子がアースへ逃げるのを防止してウェー
ハ２４に流れるビーム電流の計測を正確に行う等の目的
で、ウェーハ２４の周囲から上流側にかけてファラデー
ケース２２が設けられており、かつこのファラデーケー
ス２２の入口部上流側にサプレッサ電源２０によって負
電位にされるサプレッサ電極１８が設けられている。２
８はビーム電流計測器である。また、このサプレッサ電
極１８の上流側には、イオンビーム２が同サプレッサ電
極１８に当たるのを防止する等の目的でマスク１６が設
けられている。
【０００４】なお、イオンビーム２のビームライン上に
は、上述した物の他に、幾つかのアパーチャやＱレンズ
等が設けられているが、ここではその図示を省略してい
る。
は、上述した物の他に、幾つかのアパーチャやＱレンズ
等が設けられているが、ここではその図示を省略してい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のようなイオン注
入装置においては、イオンビーム２の一部がそのビーム
ライン上の構造物、例えば前述した分析電磁石４の分析
管４ａ、分析スリット６、加速管８の電極８ａ、走査電
極１２、１４、更には図示しないアパーチャやＱレンズ
等に衝突して、そこからパーティクル（汚染粒子。例え
ば電極や構造材を構成する金属原子または微粒子）が飛
び出し、その内ウェーハ２４側に向かって飛び出したも
のはウェーハ２４に到達し、これがウェーハ２４を汚染
するという問題がある。
入装置においては、イオンビーム２の一部がそのビーム
ライン上の構造物、例えば前述した分析電磁石４の分析
管４ａ、分析スリット６、加速管８の電極８ａ、走査電
極１２、１４、更には図示しないアパーチャやＱレンズ
等に衝突して、そこからパーティクル（汚染粒子。例え
ば電極や構造材を構成する金属原子または微粒子）が飛
び出し、その内ウェーハ２４側に向かって飛び出したも
のはウェーハ２４に到達し、これがウェーハ２４を汚染
するという問題がある。
【０００６】ところが従来は、このようなパーティクル
がウェーハ２４に到達するのを積極的に防止する手段は
設けられておらず、従来の対策としては、イオンビーム
２が衝突する可能性のあるところの物質をウェーハへの
汚染の影響が比較的少ない材質（例えばカーボンとかシ
リコン）にするとか、スパッタ粒子がウェーハ２４側に
向かって飛び出しにくい幾何学的構造（例えばナイフエ
ッジ状あるいは鋸歯状等）にするとかに止まっていた。
しかしこのような手段では、上記パーティクルによるウ
ェーハ２４の汚染の低減は不十分であった。
がウェーハ２４に到達するのを積極的に防止する手段は
設けられておらず、従来の対策としては、イオンビーム
２が衝突する可能性のあるところの物質をウェーハへの
汚染の影響が比較的少ない材質（例えばカーボンとかシ
リコン）にするとか、スパッタ粒子がウェーハ２４側に
向かって飛び出しにくい幾何学的構造（例えばナイフエ
ッジ状あるいは鋸歯状等）にするとかに止まっていた。
しかしこのような手段では、上記パーティクルによるウ
ェーハ２４の汚染の低減は不十分であった。
【０００７】そこでこの発明は、上記のようなパーティ
クルによるウェーハの汚染を低減することができるよう
にしたイオン注入装置を提供することを主たる目的とす
る。
クルによるウェーハの汚染を低減することができるよう
にしたイオン注入装置を提供することを主たる目的とす
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明の第１のイオン注入装置は、前述したよう
な分析スリットと加速管との間に、そこを通るイオンビ
ームの電位よりも正の電位が付与されるスローイオンサ
プレッサ電極を設けたことを特徴とする。
め、この発明の第１のイオン注入装置は、前述したよう
な分析スリットと加速管との間に、そこを通るイオンビ
ームの電位よりも正の電位が付与されるスローイオンサ
プレッサ電極を設けたことを特徴とする。
【０００９】また、この発明の第２のイオン注入装置
は、前述したようなファラデーケース入口部のマスクの
すぐ上流側またはすぐ下流側に、そこを通るイオンビー
ムの電位よりも正の電位が付与されるスローイオンサプ
レッサ電極を設けたことを特徴とする。
は、前述したようなファラデーケース入口部のマスクの
すぐ上流側またはすぐ下流側に、そこを通るイオンビー
ムの電位よりも正の電位が付与されるスローイオンサプ
レッサ電極を設けたことを特徴とする。
【００１０】更に、この発明の第３のイオン注入装置
は、前述したような分析スリットと加速管との間に、そ
こを通るイオンビームの電位よりも正の電位が付与され
る第１のスローイオンサプレッサ電極を設け、かつ前記
マスクのすぐ上流側またはすぐ下流側に、そこを通るイ
オンビームの電位よりも正の電位が付与される第２のス
ローイオンサプレッサ電極を設けたことを特徴とする。
は、前述したような分析スリットと加速管との間に、そ
こを通るイオンビームの電位よりも正の電位が付与され
る第１のスローイオンサプレッサ電極を設け、かつ前記
マスクのすぐ上流側またはすぐ下流側に、そこを通るイ
オンビームの電位よりも正の電位が付与される第２のス
ローイオンサプレッサ電極を設けたことを特徴とする。
【００１１】
【作用】イオンビームの一部がそのビームライン上の構
造物に衝突することによって発生するパーティクルに
は、正に帯電している（正イオン化している）ものが多
い。これには、イオンビームによるスパッタあるいは微
粒子の放出時に帯電しているものもあるし、スパッタあ
るいは微粒子放出後にイオンビーム中のイオンと衝突す
ることによって帯電するものもある。
造物に衝突することによって発生するパーティクルに
は、正に帯電している（正イオン化している）ものが多
い。これには、イオンビームによるスパッタあるいは微
粒子の放出時に帯電しているものもあるし、スパッタあ
るいは微粒子放出後にイオンビーム中のイオンと衝突す
ることによって帯電するものもある。
【００１２】特に、分析スリット部は、イオンビームが
一番絞られる所であるので、パーティクルがイオンビー
ム中のイオンと衝突して電離される確率が高く、しかも
これが一旦加速管によって加速されると、ウェーハに到
達するのを防止するのは困難である。
一番絞られる所であるので、パーティクルがイオンビー
ム中のイオンと衝突して電離される確率が高く、しかも
これが一旦加速管によって加速されると、ウェーハに到
達するのを防止するのは困難である。
【００１３】上記第１のイオン注入装置によれば、この
ような加速管の上流側で発生して未だ加速されていない
正帯電のパーティクル（これをこの明細書ではスローイ
オンと呼ぶが、この場合のイオンという語には、この明
細書では、通常の狭義のイオンの他に微粒子の帯電した
ものも含めている）を、正電位が付与されるスローイオ
ンサプレッサ電極の電界によって追い返して、それが加
速管に入るのを阻止することができる。その結果、その
ようなパーティクルによるウェーハの汚染を低減するこ
とができる。
ような加速管の上流側で発生して未だ加速されていない
正帯電のパーティクル（これをこの明細書ではスローイ
オンと呼ぶが、この場合のイオンという語には、この明
細書では、通常の狭義のイオンの他に微粒子の帯電した
ものも含めている）を、正電位が付与されるスローイオ
ンサプレッサ電極の電界によって追い返して、それが加
速管に入るのを阻止することができる。その結果、その
ようなパーティクルによるウェーハの汚染を低減するこ
とができる。
【００１４】また、上記第２のイオン注入装置によれ
ば、加速管の出口からファラデーケース入口部のマスク
までの間で発生した正帯電のパーティクル（スローイオ
ン）を、正電位が付与されるスローイオンサプレッサ電
極の電界によって追い返して、それがウェーハの方へ進
むのを阻止することができる。その結果、そのようなパ
ーティクルによるウェーハの汚染を低減することができ
る。
ば、加速管の出口からファラデーケース入口部のマスク
までの間で発生した正帯電のパーティクル（スローイオ
ン）を、正電位が付与されるスローイオンサプレッサ電
極の電界によって追い返して、それがウェーハの方へ進
むのを阻止することができる。その結果、そのようなパ
ーティクルによるウェーハの汚染を低減することができ
る。
【００１５】更に、上記第３のイオン注入装置によれ
ば、加速管の上流側で発生した正帯電のパーティクルと
加速管の下流側で発生した正帯電のパーティクルの両方
を、正電位がそれぞれ付与される第１および第２のスロ
ーイオンサプレッサ電極の電界でそれぞれ追い返して、
それらがウェーハに到達するのを阻止することができ
る。従って、パーティクルによるウェーハの汚染をより
確実に低減することができる。
ば、加速管の上流側で発生した正帯電のパーティクルと
加速管の下流側で発生した正帯電のパーティクルの両方
を、正電位がそれぞれ付与される第１および第２のスロ
ーイオンサプレッサ電極の電界でそれぞれ追い返して、
それらがウェーハに到達するのを阻止することができ
る。従って、パーティクルによるウェーハの汚染をより
確実に低減することができる。
【００１６】
【実施例】図１は、この発明の一実施例に係るイオン注
入装置を横から見た断面図である。図３の従来例と同一
または相当する部分には同一符号を付し、以下において
は当該従来例との相違点を主に説明する。
入装置を横から見た断面図である。図３の従来例と同一
または相当する部分には同一符号を付し、以下において
は当該従来例との相違点を主に説明する。
【００１７】この実施例においては、より大きな効果を
得るために、前述したような分析スリット６と加速管８
の入口部との間に第１のスローイオンサプレッサ電極３
０を設け、かつ、ファラデーケース２２の入口部のマス
ク１６のすぐ下流側に、即ちマスク１６とサプレッサ電
極１８との間に第２のスローイオンサプレッサ電極３４
を設けている。
得るために、前述したような分析スリット６と加速管８
の入口部との間に第１のスローイオンサプレッサ電極３
０を設け、かつ、ファラデーケース２２の入口部のマス
ク１６のすぐ下流側に、即ちマスク１６とサプレッサ電
極１８との間に第２のスローイオンサプレッサ電極３４
を設けている。
【００１８】スローイオンサプレッサ電極３０は、イオ
ンビーム２が当たらないようにその形状に合わせた開口
部を有するものであり、その全体形状は例えば図１に示
すような板状でも良いし、図２に示すような角筒状でも
良いし、更には円筒状、平行平板状等でも良いが、でき
るだけそこを通過するイオンビーム２の形状に合ったも
のが好ましい。
ンビーム２が当たらないようにその形状に合わせた開口
部を有するものであり、その全体形状は例えば図１に示
すような板状でも良いし、図２に示すような角筒状でも
良いし、更には円筒状、平行平板状等でも良いが、でき
るだけそこを通過するイオンビーム２の形状に合ったも
のが好ましい。
【００１９】このスローイオンサプレッサ電極３０と加
速管８の入口部等との間には前者を正側にして第１のス
ローイオンサプレッサ電源３２が接続されており、これ
によって、このスローイオンサプレッサ電極３０に、そ
こを通るイオンビーム２の電位（即ち接地電位より加速
電源１０の電圧分だけ上がった電位）よりも例えば数百
Ｖ程度の正電位を付与するようにしている。
速管８の入口部等との間には前者を正側にして第１のス
ローイオンサプレッサ電源３２が接続されており、これ
によって、このスローイオンサプレッサ電極３０に、そ
こを通るイオンビーム２の電位（即ち接地電位より加速
電源１０の電圧分だけ上がった電位）よりも例えば数百
Ｖ程度の正電位を付与するようにしている。
【００２０】スローイオンサプレッサ電極３４は、イオ
ンビーム２が当たらない開口部、即ちこの例ではマスク
１６の開口部より少し（より具体的にはイオンビーム２
の走査による広がり分だけ）大きい開口部を有する板状
のものである。
ンビーム２が当たらない開口部、即ちこの例ではマスク
１６の開口部より少し（より具体的にはイオンビーム２
の走査による広がり分だけ）大きい開口部を有する板状
のものである。
【００２１】このスローイオンサプレッサ電極３４とア
ース間には前者を正側にして第２のスローイオンサプレ
ッサ電源３６が接続されており、それによって、このス
ローイオンサプレッサ電極３４に、そこを通るイオンビ
ーム２の電位（即ち接地電位）よりも例えば数百Ｖ程度
の正電位を付与するようにしている。
ース間には前者を正側にして第２のスローイオンサプレ
ッサ電源３６が接続されており、それによって、このス
ローイオンサプレッサ電極３４に、そこを通るイオンビ
ーム２の電位（即ち接地電位）よりも例えば数百Ｖ程度
の正電位を付与するようにしている。
【００２２】イオンビーム２の一部がそのビームライン
上の前述したような構造物に衝突することによって発生
するパーティクルには、正に帯電している（正イオン化
している）ものが多い。これには、イオンビーム２によ
るスパッタ時に帯電しているものもあるし、スパッタ後
にイオンビーム２中のイオンと衝突することによって帯
電するものもある。
上の前述したような構造物に衝突することによって発生
するパーティクルには、正に帯電している（正イオン化
している）ものが多い。これには、イオンビーム２によ
るスパッタ時に帯電しているものもあるし、スパッタ後
にイオンビーム２中のイオンと衝突することによって帯
電するものもある。
【００２３】特に、分析スリット６の部分は、分析電磁
石４によってイオンビーム２が一番絞られる所であるの
で、パーティクルがイオンビーム２中のイオンと衝突し
て電離される確率が高く、しかもこれが一旦加速管８に
よって加速されると、ウェーハ２４に到達する（注入さ
れる）のを防止するのは困難である。
石４によってイオンビーム２が一番絞られる所であるの
で、パーティクルがイオンビーム２中のイオンと衝突し
て電離される確率が高く、しかもこれが一旦加速管８に
よって加速されると、ウェーハ２４に到達する（注入さ
れる）のを防止するのは困難である。
【００２４】上記第１のスローイオンサプレッサ電極３
０は、このような加速管８の上流側で発生して未だ加速
されていない正帯電のパーティクル（スローイオン）
を、正電界によって追い返して、それが加速管８に入る
のを阻止することができる。その結果、そのようなパー
ティクルによるウェーハ２４の汚染を低減することがで
きる。特に、低エネルギーでウェーハ２４に到達したパ
ーティクルは洗えば除去できるが、高エネルギーでウェ
ーハ２４に到達したパーティクルはウェーハ表面に注入
されているから洗っても除去することができず、従って
このスローイオンサプレッサ電極３０によって高エネル
ギーのパーティクルがウェーハ２４に到達るのを防止す
る効果は大きい。
０は、このような加速管８の上流側で発生して未だ加速
されていない正帯電のパーティクル（スローイオン）
を、正電界によって追い返して、それが加速管８に入る
のを阻止することができる。その結果、そのようなパー
ティクルによるウェーハ２４の汚染を低減することがで
きる。特に、低エネルギーでウェーハ２４に到達したパ
ーティクルは洗えば除去できるが、高エネルギーでウェ
ーハ２４に到達したパーティクルはウェーハ表面に注入
されているから洗っても除去することができず、従って
このスローイオンサプレッサ電極３０によって高エネル
ギーのパーティクルがウェーハ２４に到達るのを防止す
る効果は大きい。
【００２５】上記第２のスローイオンサプレッサ電極３
４は、加速管８の出口からマスク１６までの間で発生し
た正帯電のパーティクル（スローイオン）を正電界によ
って追い返して、それがウェーハ２４の方へ進むのを阻
止することができる。その結果、そのようなパーティク
ルによるウェーハ２４の汚染を低減することができる。
４は、加速管８の出口からマスク１６までの間で発生し
た正帯電のパーティクル（スローイオン）を正電界によ
って追い返して、それがウェーハ２４の方へ進むのを阻
止することができる。その結果、そのようなパーティク
ルによるウェーハ２４の汚染を低減することができる。
【００２６】勿論上記のようなスローイオンサプレッサ
電極３０および３４は、金属イオンのみでなく、それ以
外の例えば有機物イオン粒子、正に帯電した粉体粒子等
も阻止することができるので、それらのパーティクルの
ウェーハ２４への付着低減にも効果がある。
電極３０および３４は、金属イオンのみでなく、それ以
外の例えば有機物イオン粒子、正に帯電した粉体粒子等
も阻止することができるので、それらのパーティクルの
ウェーハ２４への付着低減にも効果がある。
【００２７】なお、第２のスローイオンサプレッサ電極
３４は、上記例とは反対にマスク１６のすぐ上流側に設
けても良く、そのようにしても上記例と同様の効果が得
られる。この場合は、当該スローイオンサプレッサ電極
３４の開口部は、マスク１６の開口部より少し（より具
体的にはイオンビーム２の走査による広がり分だけ）小
さくすることができる。またこの場合は、イオンビーム
２に対して正電位のスローイオンサプレッサ電極３４が
むき出しになるので、イオンビーム２中の電子がスロー
イオンサプレッサ電極３４に吸引されてイオンビーム２
が発散するのを防止するために、このスローイオンサプ
レッサ電極３４のすぐ上流側に、その開口部より少し小
さい開口部を持つ接地電位の板（遮蔽マスク）を設ける
のが好ましい。
３４は、上記例とは反対にマスク１６のすぐ上流側に設
けても良く、そのようにしても上記例と同様の効果が得
られる。この場合は、当該スローイオンサプレッサ電極
３４の開口部は、マスク１６の開口部より少し（より具
体的にはイオンビーム２の走査による広がり分だけ）小
さくすることができる。またこの場合は、イオンビーム
２に対して正電位のスローイオンサプレッサ電極３４が
むき出しになるので、イオンビーム２中の電子がスロー
イオンサプレッサ電極３４に吸引されてイオンビーム２
が発散するのを防止するために、このスローイオンサプ
レッサ電極３４のすぐ上流側に、その開口部より少し小
さい開口部を持つ接地電位の板（遮蔽マスク）を設ける
のが好ましい。
【００２８】また、以上においては、ウェーハ２４を固
定しておいてイオンビーム２をＸＹ方向に走査するイオ
ン注入装置を例に説明したが、この発明はそれに限定さ
れるものではなく、例えばイオンビーム２を固定してお
いて複数枚のウェーハ２４を装着したウェーハディスク
を回転および並進させるいわゆるバッチ式のイオン注入
装置や、イオンビーム２を一方向に電気的に走査しウェ
ーハ２４をそれと実質的に直交する方向に機械的に走査
するいわゆるハイブリッドスキャン方式のイオン注入装
置等にも適用することができる。
定しておいてイオンビーム２をＸＹ方向に走査するイオ
ン注入装置を例に説明したが、この発明はそれに限定さ
れるものではなく、例えばイオンビーム２を固定してお
いて複数枚のウェーハ２４を装着したウェーハディスク
を回転および並進させるいわゆるバッチ式のイオン注入
装置や、イオンビーム２を一方向に電気的に走査しウェ
ーハ２４をそれと実質的に直交する方向に機械的に走査
するいわゆるハイブリッドスキャン方式のイオン注入装
置等にも適用することができる。
【００２９】
【発明の効果】以上のようにこの発明の第１のイオン注
入装置によれば、加速管の上流側で発生して未だ加速さ
れていない正帯電のパーティクルを、正電位が付与され
るサプレッサ電極の電界によって追い返して、それが加
速管に入るのを阻止することができる。その結果、その
ようなパーティクルによるウェーハの汚染を低減するこ
とができる。
入装置によれば、加速管の上流側で発生して未だ加速さ
れていない正帯電のパーティクルを、正電位が付与され
るサプレッサ電極の電界によって追い返して、それが加
速管に入るのを阻止することができる。その結果、その
ようなパーティクルによるウェーハの汚染を低減するこ
とができる。
【００３０】また、この発明の第２のイオン注入装置に
よれば、加速管の出口からファラデーケース入口部のマ
スクまでの間で発生した正帯電のパーティクルを、正電
位が付与されるスローイオンサプレッサ電極の電界によ
って追い返して、それがウェーハの方へ進むのを阻止す
ることができる。その結果、そのようなパーティクルに
よるウェーハの汚染を低減することができる。
よれば、加速管の出口からファラデーケース入口部のマ
スクまでの間で発生した正帯電のパーティクルを、正電
位が付与されるスローイオンサプレッサ電極の電界によ
って追い返して、それがウェーハの方へ進むのを阻止す
ることができる。その結果、そのようなパーティクルに
よるウェーハの汚染を低減することができる。
【００３１】更に、この発明の第３のイオン注入装置に
よれば、加速管の上流側で発生した正帯電のパーティク
ルと加速管の下流側で発生した正帯電のパーティクルの
両方を、正電位がそれぞれ付与される第１および第２の
スローイオンサプレッサ電極の電界でそれぞれ追い返し
て、それらがウェーハに到達するのを阻止することがで
きる。従って、パーティクルによるウェーハの汚染をよ
り確実に低減することができる。
よれば、加速管の上流側で発生した正帯電のパーティク
ルと加速管の下流側で発生した正帯電のパーティクルの
両方を、正電位がそれぞれ付与される第１および第２の
スローイオンサプレッサ電極の電界でそれぞれ追い返し
て、それらがウェーハに到達するのを阻止することがで
きる。従って、パーティクルによるウェーハの汚染をよ
り確実に低減することができる。
【図１】 この発明の一実施例に係るイオン注入装置を
横から見た断面図である。
横から見た断面図である。
【図２】 図１中の分析スリットおよびスローイオンサ
プレッサ電極の一例を示す斜視図である。
プレッサ電極の一例を示す斜視図である。
【図３】 従来のイオン注入装置の一例を横から見た断
面図である。
面図である。
２ イオンビーム ６ 分析スリット ８ 加速管 １６ マスク ２２ ファラデーケース ２４ ウェーハ ３０ 第１のスローイオンサプレッサ電極 ３２ 第１のスローイオンサプレッサ電源 ３４ 第２のスローイオンサプレッサ電極 ３６ 第２のスローイオンサプレッサ電源
Claims (3)
- 【請求項１】 イオンビームを分析スリットおよびその
下流側に設けられた加速管を通してウェーハに照射する
構造のイオン注入装置において、前記分析スリットと加
速管との間に、そこを通るイオンビームの電位よりも正
の電位が付与されるスローイオンサプレッサ電極を設け
たことを特徴とするイオン注入装置。 - 【請求項２】 イオンビームを、ウェーハの周囲から上
流側にかけて設けられたファラデーケースおよびその入
口部に設けられたマスクを通してウェーハに照射する構
造のイオン注入装置において、前記マスクのすぐ上流側
またはすぐ下流側に、そこを通るイオンビームの電位よ
りも正の電位が付与されるスローイオンサプレッサ電極
を設けたことを特徴とするイオン注入装置。 - 【請求項３】 イオンビームを、分析スリットおよびそ
の下流側に設けられた加速管を通し、かつウェーハの周
囲から上流側にかけて設けられたファラデーケースおよ
びその入口部に設けられたマスクを通してウェーハに照
射する構造のイオン注入装置において、前記分析スリッ
トと加速管との間に、そこを通るイオンビームの電位よ
りも正の電位が付与される第１のスローイオンサプレッ
サ電極を設け、かつ前記マスクのすぐ上流側またはすぐ
下流側に、そこを通るイオンビームの電位よりも正の電
位が付与される第２のスローイオンサプレッサ電極を設
けたことを特徴とするイオン注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4069568A JPH05234564A (ja) | 1992-02-19 | 1992-02-19 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4069568A JPH05234564A (ja) | 1992-02-19 | 1992-02-19 | イオン注入装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05234564A true JPH05234564A (ja) | 1993-09-10 |
Family
ID=13406518
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4069568A Pending JPH05234564A (ja) | 1992-02-19 | 1992-02-19 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05234564A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004508667A (ja) * | 2000-09-01 | 2004-03-18 | アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド | イオンビームの流れに乗った粒子の静電捕捉システム |
| JP2004508668A (ja) * | 2000-09-01 | 2004-03-18 | アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド | イオンビームの流れに乗った粒子を除去するためのシステムおよび方法 |
| JP2008128660A (ja) * | 2006-11-16 | 2008-06-05 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | イオンビーム計測装置 |
| JP2011187309A (ja) * | 2010-03-09 | 2011-09-22 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | イオンビーム照射装置 |
-
1992
- 1992-02-19 JP JP4069568A patent/JPH05234564A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004508667A (ja) * | 2000-09-01 | 2004-03-18 | アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド | イオンビームの流れに乗った粒子の静電捕捉システム |
| JP2004508668A (ja) * | 2000-09-01 | 2004-03-18 | アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド | イオンビームの流れに乗った粒子を除去するためのシステムおよび方法 |
| JP2008128660A (ja) * | 2006-11-16 | 2008-06-05 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | イオンビーム計測装置 |
| JP4605146B2 (ja) * | 2006-11-16 | 2011-01-05 | 日新イオン機器株式会社 | イオンビーム計測装置 |
| JP2011187309A (ja) * | 2010-03-09 | 2011-09-22 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | イオンビーム照射装置 |
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