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JPH05232424A - Liquid crystalline compound, composition and display device - Google Patents

Liquid crystalline compound, composition and display device

Info

Publication number
JPH05232424A
JPH05232424A JP3647392A JP3647392A JPH05232424A JP H05232424 A JPH05232424 A JP H05232424A JP 3647392 A JP3647392 A JP 3647392A JP 3647392 A JP3647392 A JP 3647392A JP H05232424 A JPH05232424 A JP H05232424A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
ferroelectric liquid
crystal composition
compound
substrates
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3647392A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Makoto Shiomi
誠 塩見
Mitsuhiro Kouden
充浩 向殿
Tokihiko Shinomiya
時彦 四宮
Tomoaki Kuratate
知明 倉立
Tsunako Taniguchi
維子 谷口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP3647392A priority Critical patent/JPH05232424A/en
Publication of JPH05232424A publication Critical patent/JPH05232424A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

PURPOSE:To obtain a high contrast by using a specific liquid crystal compsn. and oriented films having a high pretilt angle. CONSTITUTION:The novel compds. expressed by formula and the liquid crystal compsn. 7 contg. at least one kind of these compds. are formed. Transparent electrodes 2a, 2b are respectively formed on the opposite surfaces of a pair of light translucent substrates 9, 10. Insulating films covering the respective transparent electrodes 2a, 2b are formed and the org. oriented films 4a, 4b covering these films are formed. The liquid crystal 7 is packed between a pair of the light translucent substrates 9, 10. A pair of the substrates 9, 10 having the oriented films 4a, 4b subjected to an orientation treatment are so disposed to face each other that the orientation treatment directions of the oriented films 4a, 4b are approximately parallel with each other. The liquid crystal compsn. expressed by formula is incorporated between these substrates 9 and 10. The pretilt angle at the boundary between the oriented films 4a, 4b and the liquid crystal compsn. 7 is preferably 8 deg.. In the formula, R1 and R2 may be the same or different and denote an alkyl group having 1 to 15c of a straight chain or branched chain; m, n denote an integer of 0 or 1.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、液晶性化合物、これを
含む液晶組成物および液晶素子に関する。
FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a liquid crystal compound, a liquid crystal composition containing the same and a liquid crystal device.

【0002】[0002]

【従来の技術】現在、液晶表示素子は時計、電卓はもと
より、ワープロ、パソコンなどのOA機器、ポケットテ
レビ、など幅広い分野において用いられるが、一般に広
く用いられている液晶表示素子はネマティック相を利用
したものである。ネマティック液晶を用いた液晶表示装
置としては、ツィストネマティック型(Twisted Nemati
c TN型)液晶表示装置、スーパーツイステッド型(Supe
rtwistedBirefrengence Effect 、SBE 型)液晶表示装
置などがある。
2. Description of the Related Art At present, liquid crystal display devices are used in a wide range of fields such as timepieces, calculators, office automation equipment such as word processors and personal computers, pocket televisions, etc., but generally used liquid crystal display devices utilize a nematic phase. It was done. As a liquid crystal display device using nematic liquid crystal, a twisted nematic type (Twisted Nemati
c TN type liquid crystal display device, Super twisted type (Supe
rtwistedBirefrengence Effect, SBE type) liquid crystal display device.

【0003】しかしながらツイステッドネマティック型
液晶表示素子では、走査線数の増加とともに駆動マージ
ンが狭くなり、十分なコントラストが得られなくなると
いう欠点が存在するため、大容量の表示素子を作ること
は困難である。このTN型液晶表示素子を改良するた
め、スーパーツイステッドネマティック(STN)型液
晶表示素子、ダブルレイヤースーパーツイステッドネマ
ティック(DSTN)型液晶表示素子が開発されている
が、ライン数の増加と共にコントラスト、応答速度が低
下するので、現状では800 ×1024ライン程度の表示容量
が限界である。
However, in the twisted nematic liquid crystal display element, there is a drawback that the driving margin becomes narrower as the number of scanning lines increases and a sufficient contrast cannot be obtained, so that it is difficult to make a large-capacity display element. .. In order to improve this TN type liquid crystal display element, a super twisted nematic (STN) type liquid crystal display element and a double layer super twisted nematic (DSTN) type liquid crystal display element have been developed. However, the display capacity of 800 × 1024 lines is currently the limit.

【0004】一方、基板上に薄膜トランジスタ(TF
T)を配列したアクティブマトリックス方式の液晶表示
素子も開発され、1000×1000ライン等の大容量表示が可
能になったが、製造プロセスが長く、歩留りの低下も生
じやすく、製造コストが非常に高くなるという欠点を有
している。またこの方式は、半導体の移動度による制約
などから、2000×2000ラインなどの大容量表示素子を作
製することは困難と考えられている。
On the other hand, a thin film transistor (TF) is formed on the substrate.
An active matrix type liquid crystal display device in which T) is arranged has also been developed, and it has become possible to display a large capacity such as 1000 × 1000 lines, but the manufacturing process is long, the yield is likely to decrease, and the manufacturing cost is very high. It has the drawback that In addition, it is considered that this method is difficult to manufacture a large-capacity display element such as 2000 × 2000 lines due to restrictions such as semiconductor mobility.

【0005】しかしながら、世の中における表示装置に
対する要求はますます高解像度の方向に向かっており、
とくに、DTP(esk op ublishi
ng)、EWS(ngineering ork
tation)などの分野ではWYIWYG(ha
ou ee hat ou
t)という概念がさかんに強調されている。これは、プ
リントアウトされるものと同一のものを表示装置に表示
させようという概念である。現在のレーザープリンタの
解像度は400 DPI(400 dot/inch)程度であ
るので、WYSIWYGの概念を実現するためには少な
くともA4サイズ以上で、2000×2000以上の解像度を有
する表示装置が求められている。
However, the demand for display devices in the world is becoming higher and higher,
In particular, DTP (D esk T op P ublishi
ng), EWS (E ngineering W ork
In fields such as Station, WYIWYG ( W ha
t y ou s ee i s w hat y ou g e
The concept of t) is vigorously emphasized. This is a concept of displaying the same as the one printed out on the display device. Since the resolution of the current laser printer is about 400 DPI (400 dot / inch), in order to realize the concept of WYSIWYG, a display device having at least A4 size or more and 2000 × 2000 or more resolution is required. ..

【0006】2000×2000ライン以上という大容量表示の
可能な液晶素子として有望視されているのが強誘電性液
晶表示素子(N.A.Clark S.T.Lager
wall,Appl.Phys.Lett.,36,899
(1980);特開昭56−107216;米国特許第4367924 号)
である。この液晶表示素子は、液晶分子の誘電異方性を
利用する電界効果型の前記ネマティック液晶表示装置と
は異なり、強誘電性液晶の自発分極の極性と電界の極性
とが整合するように分子がスイッチングする液晶表示素
子である。
A ferroelectric liquid crystal display element (NA Clark ST Lager) is promising as a liquid crystal element capable of displaying a large capacity of 2000 × 2000 lines or more.
wall, Appl. Phys. Lett. , 36 , 899
(1980); JP-A-56-107216; U.S. Pat. No. 4367924)
Is. This liquid crystal display element is different from the field effect type nematic liquid crystal display device that utilizes the dielectric anisotropy of liquid crystal molecules, and the molecules are arranged so that the polarities of the spontaneous polarization of the ferroelectric liquid crystal and the polarity of the electric field are matched. It is a switching liquid crystal display element.

【0007】強誘電性液晶素子はキラルスメクチックC
相、キラルスメクチックF相、キラルスメクチックI相
などの強誘電性液晶を利用するものである。これらの強
誘電性液晶はらせん構造を有しているが、これら強誘電
性液晶をそのらせんピッチよりセル厚の薄い液晶セルに
挟持すると、らせん構造がほどけることが開示されてい
る。実際には、図1に示すように、液晶分子がスメクチ
ック層法線にたいして傾き角θだけ傾いて安定する領域
と、逆方向にθだけ傾いて安定する領域とが混在する状
態が実現できることがその後の研究で明らかとなってい
る。これに、図1において紙面に垂直な方向に電界を印
加することにより、液晶分子とその自発分極の向きを一
様に揃えることができ、印加する電界の極性を切り替え
ることによって2状態間のスイッチングを行うことがで
きる。このスイッチングに伴い、セル内の強誘電性液晶
では、複屈折光が変化するので2つの偏光子間に上記強
誘電性液晶素子を挟むことによって、透過光を制御する
ことができる。さらに、電圧の印加を停止しても液晶分
子の配向は、界面の配向規制力によって電圧印加停止前
の状態に維持されるので、メモリ効果も得ることができ
る。また、スイッチング駆動に必要な時間は、液晶の自
発分極と電界が直接作用するためにμse cのオーダー
の高速応答を得ることができる。
Ferroelectric liquid crystal elements are chiral smectic C
Phase, chiral smectic F phase, chiral smectic I phase, and other ferroelectric liquid crystals are used. Although these ferroelectric liquid crystals have a helical structure, it is disclosed that when these ferroelectric liquid crystals are sandwiched between liquid crystal cells having a cell thickness smaller than the helical pitch, the helical structure is unraveled. Actually, as shown in FIG. 1, it is possible to realize a state in which a region in which liquid crystal molecules are inclined and stabilized by an angle θ with respect to the smectic layer normal and a region in which liquid crystal molecules are inclined and stabilized by θ in the opposite direction are mixed. Research has revealed. By applying an electric field in the direction perpendicular to the paper surface in FIG. 1, the directions of the liquid crystal molecules and their spontaneous polarization can be made uniform, and switching between the two states can be performed by switching the polarity of the applied electric field. It can be performed. With this switching, the birefringent light changes in the ferroelectric liquid crystal in the cell, so that the transmitted light can be controlled by sandwiching the ferroelectric liquid crystal element between two polarizers. Further, even if the voltage application is stopped, the alignment of the liquid crystal molecules is maintained in the state before the voltage application is stopped by the alignment regulating force of the interface, so that the memory effect can be obtained. In addition, since the spontaneous polarization of the liquid crystal and the electric field directly act on the time required for the switching drive, a high-speed response on the order of μsec can be obtained.

【0008】以上のようにこの強誘電性液晶素子の特徴
としては双安定性、メモリー性、高速応答性などを挙げ
ることができる。そこで、この強誘電性液晶を利用して
マルチプレックス駆動方式による走査線の数が多い高解
像度の液晶表示装置を構成すること可能であり、また薄
膜トランジスタなのアクティブ素子を必要としないこと
から、製造コストも上がらないという利点を有する。加
えて、強誘電性液晶素子は視覚が広いという長所も兼ね
備えており、WYSIWYGの概念を実現する大容量表
示様の素子として大いに有望視されている。
As described above, the characteristics of this ferroelectric liquid crystal device include bistability, memory property, and high-speed response. Therefore, it is possible to construct a high-resolution liquid crystal display device having a large number of scanning lines by a multiplex drive system by using this ferroelectric liquid crystal, and since an active element such as a thin film transistor is not required, the manufacturing cost is reduced. It has the advantage of not increasing. In addition, the ferroelectric liquid crystal device has the advantage that it has a wide visual field, and it is highly promising as a large-capacity display-like device that realizes the concept of WYSIWYG.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】強誘電性液晶素子は上
記のような長所を有しているが1000×1000本以上の走査
線を有する大容量表示素子においてフリッカのない高コ
ントラストの表示を行おうとする次のような問題点が生
じてくる。すなわち、フリッカのない表示を行うため一
つの手法は16.7msec(60Hz)以内に1画面を書き
換えることであるが、この場合には強誘電性液晶材料に
非常に早い応答速度が要求される。例えば、走査線が10
00本の表示素子の場合、次の式から分かるように8.4 μ
secという高速応答が要求される。 16.7(msec)÷1000÷2=8.4 μsec (ここで、2で割っているのは、強誘電性液晶の場合、
書込みに最低2パスル必要だからである。)
Ferroelectric liquid crystal devices have the advantages described above, but display high-contrast display without flicker in large-capacity display devices having 1000 × 1000 or more scanning lines. The following problems will arise. That is, one method for displaying without flicker is to rewrite one screen within 16.7 msec (60 Hz). In this case, the ferroelectric liquid crystal material is required to have a very high response speed. For example, 10 scan lines
In the case of 00 display elements, as can be seen from the following equation, 8.4 μ
A high-speed response of sec is required. 16.7 (msec) ÷ 1000 ÷ 2 = 8.4 μsec (Here, dividing by 2 is for ferroelectric liquid crystal,
This is because writing requires at least 2 pulses. )

【0010】しかしながら、強誘電性液晶材料の改良に
よって、求められる応答速度を実現するのは現状では決
して容易ではない。しかも、より大容量の表示素子を作
成する場合には、応答速度をさらに速くしなければなら
ないということを考え合わせると、液晶材料の高速化に
よって大容量化を図るのはかなり困難であることが容易
に想像できる。
However, it is not easy at present to realize the required response speed by improving the ferroelectric liquid crystal material. In addition, considering that the response speed must be further increased when producing a display device having a larger capacity, it is quite difficult to increase the capacity by increasing the speed of the liquid crystal material. You can easily imagine.

【0011】このような問題点を解決するための有力な
手法として、部分書換えと呼ばれる手法(神辺、電子情
報通信学会専門講習会講演論文集「オプトエレクトロニ
クス」−液晶表示と関連材料−、1990年1月、p18〜2
6)が提案されている。この手法は画面を書き換える必
要のあるところだけアクセスする手法である。これによ
り、グラフィックスを表示する上で高速性を要求される
マウスの移動などに追随できる表示素子が可能となる。
As a powerful technique for solving such a problem, a technique called partial rewriting (Kanbe, Proc. Of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers Special Workshop, "Optoelectronics" -Liquid Crystal Display and Related Materials-, 1990) January, p18-2
6) is proposed. This method is a method to access only where the screen needs to be rewritten. As a result, it becomes possible to provide a display element that can follow the movement of the mouse, which requires high speed in displaying graphics.

【0012】しかしながら、この部分書き換え法を用い
てフリッカのない表示を得ようとする場合、書き換えを
行わない画素にも書込み電圧の1/3のバイアス電圧が
印加される(以下、この駆動法を1/3バイアス駆動法
と呼ぶ)。この駆動法は例えば、特開昭64−59389 にお
いて提案されているが、この1/3バイアス法を用いた
場合の最大の問題は、書き換えを行わない画素にも1/
3のバイアス電圧が印加され、このバイアス電圧のため
に書き換えを行わない画素の分子の揺らぎが生じ、コン
トラストが低下するということである。例えば、部分書
き換え法を用いて試作した強誘電性液晶ディスプレイは
わずか5:1のコントラストして得られていない(神
辺、電子情報通信学会専門講習会講演論文集「オプトエ
レクトロニクス」−液晶表示と関連材料−、1990年1
月、p18〜26)。また、本発明者らもこれまで種々の強
誘電性液晶組成物を種々の構成の液晶素子と組み合わせ
て表示素子を作成してきたが、1/3バイアス駆動法を
用いて表示を行ったとき得られたコントラストの値は1.
5 〜8程度であり、商品としてははなはだ不満足なもの
でしかなかった。
However, in order to obtain a display without flicker by using this partial rewriting method, a bias voltage which is ⅓ of the writing voltage is applied to the pixels which are not rewritten (hereinafter, this driving method will be used). Called 1/3 bias driving method). This driving method has been proposed in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 64-59389, but the biggest problem in using the 1/3 bias method is 1 / n
A bias voltage of 3 is applied, and this bias voltage causes fluctuations in the molecules of pixels that are not rewritten, resulting in a decrease in contrast. For example, the ferroelectric liquid crystal display prototyped using the partial rewriting method has not been obtained with a contrast of only 5: 1 (Kanbe, IEICE Technical Seminar, "Optoelectronics" -related to liquid crystal display. Materials-1990 1
Mon, p18-26). Further, the present inventors have produced a display device by combining various ferroelectric liquid crystal compositions with liquid crystal devices having various configurations, but it was obtained when a display was performed using the 1/3 bias driving method. The contrast value is 1.
It was about 5 to 8 and was a very unsatisfactory product.

【0013】このようなコントラストの問題を解決する
には、適切な液晶材料を適切な構成の強誘電性液晶素子
に適用することが必要である。このような観点から、コ
ントラストの向上に有用な新規な液晶性化合物、これを
用いた液晶組成物及び液晶素子が求められることにな
る。実用的な強誘電性液晶組成物は、通常複数の成分を
混合して作製される。ときには、その成分として、スメ
クチックC相を示さない化合物や、まったく液晶相を示
さない化合物が用いられることもある。強誘電性液晶組
成物に求められる性質としては、適切な素子構造と組み
合わせて高コントラストを実現できるだけでなく、次の
ような性質をあげることができる。すなわち、応答速度
が速いことが求められ、この点から、低粘性が求められ
る。応答速度を速くするためには、自発分極を増大化す
ることも有用ではあるが、強誘電性液晶素子の良好な双
安定性を得るために、強誘電性液晶素子に適用した場合
良好な配向性を得るためには、強誘電性液晶組成物の相
系列が重要であり、一般にはINAC(Isotrop
ic−Nematic−Smectic −Smec
tic )相系列がもっとも好ましい。ネマティック
相およびスメクティックC相におけるらせんピッチが長
いことも良好な配向性を得るために必要である。室温を
中心に対して安定であること、着色がないこと、粘度が
高くないこと、スメクチックC相において適切なチルト
角を有していることなども求められる。
In order to solve such a problem of contrast, it is necessary to apply an appropriate liquid crystal material to a ferroelectric liquid crystal device having an appropriate constitution. From such a viewpoint, a novel liquid crystal compound useful for improving contrast, a liquid crystal composition using the same, and a liquid crystal element are required. A practical ferroelectric liquid crystal composition is usually prepared by mixing a plurality of components. At times, a compound that does not exhibit a smectic C phase or a compound that does not exhibit a liquid crystal phase at all may be used as the component. The properties required for the ferroelectric liquid crystal composition include not only the high contrast achieved by combining with an appropriate device structure, but also the following properties. That is, the response speed is required to be high, and from this point, low viscosity is required. Increasing the spontaneous polarization is also useful for increasing the response speed, but in order to obtain good bistability of the ferroelectric liquid crystal device, it is possible to obtain good alignment when applied to the ferroelectric liquid crystal device. In order to obtain the property, the phase sequence of the ferroelectric liquid crystal composition is important, and in general, INAC (Isotrop)
ic-Nematic-Smectic A- Smec
The tic C ) phase series is most preferred. A long helical pitch in the nematic phase and smectic C phase is also necessary for obtaining good orientation. It is also required to be stable around room temperature, not colored, not to have a high viscosity, and to have an appropriate tilt angle in the smectic C phase.

【0014】本発明はこのような状況においてなされた
ものであり、高コントラストの実用的な強誘電性液晶組
成物を作製する上で有用な新規な液晶性化合物、及び液
晶組成物、並びに液晶表示装置を提供することを目的と
する。
The present invention has been made under such circumstances, and a novel liquid crystal compound, a liquid crystal composition, and a liquid crystal display useful for producing a practical high-contrast ferroelectric liquid crystal composition. The purpose is to provide a device.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】この発明は下式(I);The present invention provides the following formula (I);

【0016】[0016]

【化2】 (式中、R1 およびR2 は同一または異なって、直鎖ま
たは分枝鎖で1〜15の炭素を有するアルキル基を示
し、mおよびnはそれぞれ独立に0または1の整数を示
す。)で示される新規な化合物、及びその化合物を少な
くとも一種含有することを特徴とする液晶組成物、並び
に一対の透光性基板の対向しあう表面にそれぞれ透明電
極を形成し、それぞれの透明電極を被覆する絶縁膜を形
成し、それを被覆する有機配向膜を形成し、一対の透光
性基板間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、
配向処理された配向膜を有する一対の基板を、該配向膜
の配向処理方向が略平行となるように対向配置させ、こ
の基板間に上記の液晶組成物を少なくとも一種含有する
ことを特徴とする強誘電性液晶表示装置を提供する。
[Chemical 2] (In the formula, R 1 and R 2 are the same or different and each represents a linear or branched alkyl group having 1 to 15 carbon atoms, and m and n each independently represent an integer of 0 or 1.) A novel compound represented by, and a liquid crystal composition characterized by containing at least one compound thereof, and forming transparent electrodes respectively on the surfaces facing each other of the pair of translucent substrates, each transparent electrode is coated In the liquid crystal display device, an insulating film is formed, an organic alignment film that covers the insulating film is formed, and liquid crystal is filled between a pair of transparent substrates.
A pair of substrates having alignment films that have been subjected to alignment treatment are arranged to face each other so that the alignment treatment directions of the alignment films are substantially parallel, and at least one liquid crystal composition described above is contained between the substrates. Provided is a ferroelectric liquid crystal display device.

【0017】ここで、式(I)で表される化合物のう
ち、R1 は好ましくは直鎖の5〜12の炭素を有するア
ルキル基を示し、さらに好ましくは直鎖の7〜9の炭素
を有するアルキル基を示す。具体的には−C7 15、−
8 17、−C9 19である。またR2 は好ましくは直
鎖の3〜10の炭素を有するアルキル基を示し、さらに
好ましくは直鎖の4〜6の炭素を有するアルキル基を示
す。具体的には−C4 9 、−C5 11、−C6 13
ある。ここで、mは好ましくは1であり、nは好ましく
は0である。
Here, the compound of formula (I)
Chi, R1Is preferably a straight-chain 5-12 carbon atom.
A rukyl group, more preferably linear 7 to 9 carbons
Represents an alkyl group having. Specifically, -C7H15,-
C8H17, -C9H19Is. Also R2Is preferably straight
An alkyl group having 3 to 10 carbons in the chain is shown, and
Preferably, a linear alkyl group having 4 to 6 carbon atoms is shown.
You Specifically, -CFourH 9, -CFiveH11, -C6H13so
is there. Where m is preferably 1 and n is preferably
Is 0.

【0018】これらを組み合わせた具体的な化合物とし
ては、2−シアノ−4−ブチルフェニル 4−オクチル
オキシベンゾエート、2−シアノ−4−ペンチルフェニ
ル4−オクチルオキシベンゾエート、2−シアノ−4−
ヘキシルフェニル 4−オクチルオキシベンゾエート、
2−シアノ−4−ペンチルフェニル 4−ヘプチルオキ
シベンゾエートや2−シアノ−4−ペンチルフェニル
4−ノナニルオキシベンゾエートが挙げられる。
Specific compounds obtained by combining these include 2-cyano-4-butylphenyl 4-octyloxybenzoate, 2-cyano-4-pentylphenyl 4-octyloxybenzoate and 2-cyano-4-.
Hexylphenyl 4-octyloxybenzoate,
2-Cyano-4-pentylphenyl 4-heptyloxybenzoate and 2-cyano-4-pentylphenyl
4-nonanyloxy benzoate is mentioned.

【0019】式(I)で表される化合物は例えば、始め
に2−シアノ−4−アルキルフェノールを水酸化ナトリ
ウムと反応させてナトリウムアルコキシドを得る。これ
とは別に、4−アルコキシ安息香酸を5塩化リンと反応
させて酸クロリドとした後、ピリジン存在下のトルエン
溶媒中で前記ナトリウムアルコキシドと反応させること
により、所望のエステル化合物得ることができる。
The compound represented by the formula (I) is obtained, for example, by first reacting 2-cyano-4-alkylphenol with sodium hydroxide to obtain a sodium alkoxide. Separately from this, a desired ester compound can be obtained by reacting 4-alkoxybenzoic acid with phosphorus pentachloride to form an acid chloride and then reacting with the sodium alkoxide in a toluene solvent in the presence of pyridine.

【0020】式(I)で表される化合物は必ずしもスメ
クチックC相を示さないが、スメクチックA相及びネマ
ティック相を示しやすく、他の化合物と混合してINA
C相系列を実現する上で有用な材料と言える。また、融
点もそれぞれ高くなく、他の化合物との混合が容易であ
る。化学的にも光に対しても安定であり、着色もない。
The compound represented by the formula (I) does not necessarily show a smectic C phase, but it is apt to show a smectic A phase and a nematic phase, and it is mixed with another compound to form INA.
It can be said that it is a useful material for realizing the C-phase series. Moreover, the melting points are not high, and it is easy to mix with other compounds. It is stable both chemically and to light and is free of color.

【0021】ついで液晶組成物に本発明の化合物を用い
る条件について述べる。式(I)で表される化合物は種
々の化合物と適度な割合で組み合わせることにより、種
々の液晶組成物に適用できる。特に、強誘電性液晶組成
物を作る場合に有用である。強誘電性液晶組成物を作る
場合に組み合わせるとよい化合物として、例えば、化学
式(II)、(III)で表される化合物をあげることができ
る。
Next, conditions for using the compound of the present invention in the liquid crystal composition will be described. The compound represented by formula (I) can be applied to various liquid crystal compositions by combining with various compounds in an appropriate ratio. In particular, it is useful when making a ferroelectric liquid crystal composition. Examples of the compounds that may be combined when the ferroelectric liquid crystal composition is prepared include the compounds represented by the chemical formulas (II) and (III).

【0022】[0022]

【化3】 [Chemical 3]

【0023】[0023]

【化4】 本発明の強誘電性液晶組成物は、上記化合物(I)を、
上記の強誘電性液晶や組成物と混合して調製することが
できる。とくに相系列がINACとなるように、調製す
るのが適している。通常、化合物(I)の含有量は、全
体で10wt%以上、上記化合物(I)群に含まれる単
品1成分あたりでは全体の20wt%以下とするのが好
ましい。
[Chemical 4] The ferroelectric liquid crystal composition of the present invention comprises the compound (I)
It can be prepared by mixing with the above-mentioned ferroelectric liquid crystal or composition. In particular, it is suitable to prepare so that the phase sequence is INAC. Usually, the content of the compound (I) is preferably 10 wt% or more as a whole, and 20 wt% or less of the whole one component contained in the compound (I) group.

【0024】化合物(I)全体の含有量が10wt%未
満であると1/3バイアス駆動でコントラストの改善効
果が不充分であり、単品1成分あたりの含有量が20w
t%を超えるとINAC相系列をしめさず、そのため配
向不良が生じるので適当でない。かかる本発明の強誘電
性液晶組成物には、本発明の意図する効果が阻害されな
い限り、種々の添加剤が配合されていてもよい。例え
ば、配向性向上の点で、末端にフルオロアルキル基を有
する他の液晶性化合物や液晶相溶性化合物が配合(通
常、0.01〜1wt%)されていてもよい。
When the total content of the compound (I) is less than 10 wt%, the effect of improving the contrast is insufficient by the 1/3 bias driving, and the content per single component is 20 w.
If it exceeds t%, the INAC phase series is not exhibited, and thus orientation failure occurs, which is not suitable. Various additives may be added to the ferroelectric liquid crystal composition of the present invention as long as the effects intended by the present invention are not impaired. For example, from the viewpoint of improving the orientation, another liquid crystal compound having a fluoroalkyl group at the terminal or a liquid crystal compatible compound may be blended (usually 0.01 to 1 wt%).

【0025】なお、強誘電性液晶組成物はキラルなスメ
クチック相を示す必要があり、適切な構造の光学活性化
合物を含む必要があるのは言うまでもないし、化合物
(II)、(III)以外の適切な化合物を添加してよいのも言
うまでもない。また、本発明の化合物が、ネマティック
液晶組成物、スメクチックA液晶組成物、反強誘電性液
晶組成物など種々の液晶組成物に適用可能なのは言うま
でもない。
It is needless to say that the ferroelectric liquid crystal composition needs to exhibit a chiral smectic phase and needs to include an optically active compound having an appropriate structure, and it is appropriate to use a compound other than the compounds (II) and (III). It goes without saying that various compounds may be added. Needless to say, the compound of the present invention can be applied to various liquid crystal compositions such as a nematic liquid crystal composition, a smectic A liquid crystal composition and an antiferroelectric liquid crystal composition.

【0026】本発明の化合物を含む液晶組成物は種々の
液晶素子に適用できるが、次に、式(I)で表される化
合物を含む強誘電性液晶組成物を強誘電性液晶素子に適
用して高コントラストを実現する例として、少なくとも
電極および一軸配向処理が施された配向膜が形成された
一対の絶縁精基板間に強誘電性液晶を狭持してなる液晶
素子において、一対の基板の一軸配向処理の方向が平行
であり、駆動される液晶相がキラルスメクチックC相で
あり、該キラルスメクチックC相においてスメクチック
層構造が『く』の字に折れ曲がったシェブロン構造をと
っており、駆動温度領域において、一軸配向処理方向に
発生するライトニング欠陥とその欠陥の後方に発性する
ヘアピン欠陥に囲まれた領域の内側、もしくは、一軸配
向処理方向に発生するヘアピン欠陥とその欠陥の後方に
発生するライトニング欠陥に囲まれた領域の外側に発生
する配向状態を用い、かつその配向状態がユニフォーム
であり、前記強誘電性液晶が式(I)で表される化合物
を少なくとも一種含有することを特徴とする強誘電性液
晶素子について述べる。
The liquid crystal composition containing the compound of the present invention can be applied to various liquid crystal elements. Next, the ferroelectric liquid crystal composition containing the compound represented by the formula (I) is applied to the ferroelectric liquid crystal element. As an example of realizing a high contrast by using a pair of substrates in a liquid crystal device in which a ferroelectric liquid crystal is sandwiched between a pair of insulating precision substrates on which at least electrodes and an alignment film subjected to uniaxial alignment treatment are formed. The directions of the uniaxial alignment treatment are parallel, the driven liquid crystal phase is a chiral smectic C phase, and the smectic layer structure in the chiral smectic C phase has a chevron structure bent in a V shape. In the temperature range, it occurs inside the area surrounded by the lightning defect that occurs in the uniaxial orientation treatment direction and the hairpin defect that occurs behind the defect, or in the uniaxial orientation treatment direction. The alignment state generated outside the region surrounded by the hairpin defect and the lightning defect generated behind the defect is a uniform state, and the ferroelectric liquid crystal is represented by the formula (I). A ferroelectric liquid crystal device characterized by containing at least one compound containing

【0027】一般に、キラルスメクチックC層における
層構造は、一般的は図2(a) に示すような『く』の字に
おれまがったフェブロン構造を有していると言われてい
る。層の折れ曲がる方向には図2(a) に示すように、二
通りの方向がある。このとき層の折れ曲がりの方向が変
化する所には、ジグザグ欠陥と呼ばれる配向欠陥が生じ
る。図2(b) はジグザグ欠陥を偏光顕微鏡で観察したと
きの模式図であるが、ジグザグ欠陥はライトニング欠陥
と呼ばれる欠陥と、ヘアピン欠陥と呼ばれる欠陥とに分
類することができる。これまでの研究の結果、層構造が
<<>>となっている部分がライトニング欠陥に対応してお
り、層構造が>><<となっている部分がヘアピン欠陥に対
応していることが明らかとなっている(N. Hiji
et al.,Jpn. Appl. Phys.,27, L1
(1988). )。ラビング方向とプレチルト角θP の関係
は図2に示すとおりであり、上記の2つの配向はラビン
グ方向との関係からC1配向、C2配向と呼ばれるてい
る(神辺、電子情報通信学会専門講習会講演論文集「オ
プトエレクトロニクス」−液晶表示と関連材料−、1990
年1月、p18〜26)。ラビング軸と層の折れ曲がり方向
が同じである場合をC1配向(シェブロン1)、逆であ
る場合をC2配向(シェブロン2)と定義されている。
Generally, it is said that the layer structure of the chiral smectic C layer has a febron structure which is generally in the shape of a dogleg as shown in FIG. 2 (a). There are two directions in which the layers bend, as shown in Fig. 2 (a). At this time, an alignment defect called a zigzag defect occurs at a place where the bending direction of the layer changes. FIG. 2B is a schematic diagram when observing the zigzag defect with a polarization microscope. The zigzag defect can be classified into a defect called a lightning defect and a defect called a hairpin defect. As a result of previous research, the layer structure
It has been clarified that the part with <<>> corresponds to the lightning defect and the part with the layer structure >><< corresponds to the hairpin defect (N. Hiji).
et al., Jpn. Appl. Phys., 27, L1.
(1988).). The relationship between the rubbing direction and the pretilt angle θ P is shown in Fig. 2, and the above two orientations are called the C1 orientation and the C2 orientation because of the relationship with the rubbing direction (Kanbe, IEICE Technical Seminar Lecture Proceedings "Optoelectronics" -Liquid Crystal Display and Related Materials-, 1990
January 18th, p18-26). The case where the rubbing axis and the bending direction of the layer are the same is defined as C1 orientation (chevron 1), and the opposite case is defined as C2 orientation (chevron 2).

【0028】さて、プレチルト角θP を大きくすると、
C1配向とC2配向での液晶分子の配向状態の差が顕著
になってゆき、8°以上という大きな値を示す配向膜を
用いると、高温側のC1配向においては、明確な消光位
置を示す領域と消光する位置を示さない領域とが観察さ
れ、低温側のC2配向では、明確な消光位置を示す領域
のみが観察される。ユニフォーム配向とツイスト配向と
を消光位の有無によって区別することが一般に認められ
ているので、(福田、竹添、「強誘電性液晶の構造と物
性」、コロナ社、1990年、p327 )、今ここでC1配向
で消光位を示すものをC1U(C1ユニフォーム)配
向、C1配向で消光位を示さないものをC1T(C1ツ
イスト)配向と呼ぶことにする。C2配向については一
種類の配向しか得られなかったので、C2配向とのみ標
記することにする。
Now, when the pretilt angle θ P is increased,
The difference in the alignment state of the liquid crystal molecules between the C1 orientation and the C2 orientation becomes remarkable, and when an alignment film showing a large value of 8 ° or more is used, a clear extinction position is obtained in the C1 orientation on the high temperature side. And a region showing no extinction position are observed, and in the C2 orientation on the low temperature side, only a region showing a clear extinction position is observed. It is generally accepted that the uniform orientation and the twist orientation are distinguished by the presence or absence of an extinction position (Fukuda, Takezoe, “Structure and Physical Properties of Ferroelectric Liquid Crystals”, Corona Publishing Co., Ltd., 1990, p327), now here. In the above, the one exhibiting the extinction position in the C1 orientation will be called C1U (C1 uniform) orientation, and the one not exhibiting the extinction position in the C1 orientation will be called C1T (C1 twist) orientation. Since only one type of C2 orientation was obtained, only the C2 orientation will be described.

【0029】図3(b) に示すような1/3バイアスの電
圧波形を印加したとき、得られるコントラストは次のよ
うになり、C1U配列のみが実用的な高いコントラスト
を実現できる。 C1U>C2>>C1T 本発明の化合物(I)を含む化合物を含む強誘電性液晶
組成物は、プレチルト角の大きな配向膜と組み合せたと
き、C1U配向を示し易く、1/3バイアス駆動での良
好なコントラストを与える。
When a voltage waveform of 1/3 bias as shown in FIG. 3 (b) is applied, the obtained contrast is as follows, and only the C1U array can realize a practically high contrast. C1U> C2 >> C1T The ferroelectric liquid crystal composition containing the compound containing the compound (I) of the present invention, when combined with an alignment film having a large pretilt angle, tends to show C1U alignment, and is driven by 1/3 bias. Gives good contrast.

【0030】図4は本発明の液晶素子の一例を示す断面
図である。ガラス基板1a上に複数本の透明電極2aが
互いに平行となるようにストライプ状に配列して形成さ
れ、この上に絶縁膜3a、配向膜4aが形成され、配向
膜4aにはラビングによる一軸配向処理がほどこされ
て、基板9が形成される。一方、もう片側のガラス基板
1b上にも同様の条件で複数本の透明電極2bが、互い
に平行となるようにストライプ状に配列して形成され、
その上に絶縁膜3b、配向膜4bが形成され、配向膜4
bにはラビング配向処理がほどこされ基板10が形成され
る。
FIG. 4 is a sectional view showing an example of the liquid crystal element of the present invention. A plurality of transparent electrodes 2a are arranged in a stripe pattern on a glass substrate 1a so as to be parallel to each other, and an insulating film 3a and an alignment film 4a are formed on the transparent electrode 2a. The alignment film 4a is uniaxially aligned by rubbing. Processing is performed to form the substrate 9. On the other hand, on the other side of the glass substrate 1b, a plurality of transparent electrodes 2b are formed in stripes so as to be parallel to each other under the same conditions.
The insulating film 3b and the alignment film 4b are formed thereon, and the alignment film 4
The substrate 10 is formed by subjecting b to the rubbing orientation treatment.

【0031】ついで、この基板10は、もう一方の基板9
と互いに配向膜4a,4bが対向し合い、互いの透明電
極2a,2bが直交し、ラビング方向がほぼ一致するよ
うにし、1.5 〜3μm程度の間隔を隔ててシール部材6
で貼り合わせる。これらの基板9,10間に強誘電性液晶
を介在させて液晶セル11が作成される。更に、このセル
の上下に偏光軸をほぼ直交させた偏光板12a, 12bを配
置し、偏光板の一方の偏光軸をセルの液晶のどちらか一
方の光軸にほぼ一致させて液晶表示装置とする。
Next, this substrate 10 is the other substrate 9
And the alignment films 4a and 4b are opposed to each other, the transparent electrodes 2a and 2b are orthogonal to each other, and the rubbing directions are substantially the same, and the seal member 6 is spaced at an interval of about 1.5 to 3 μm.
Stick together. A liquid crystal cell 11 is produced by interposing a ferroelectric liquid crystal between these substrates 9 and 10. Furthermore, polarizing plates 12a and 12b whose polarization axes are substantially orthogonal to each other are arranged above and below the cell, and one polarization axis of the polarizing plates is made to substantially coincide with one of the optical axes of the liquid crystals of the cell to form a liquid crystal display device. To do.

【0032】もちろん、一般式(I)を少なくとも一種
含む液晶組成物を用いることのできる液晶素子は上記の
強誘電性液晶素子に限られるものではなく、他の構成の
強誘電性液晶素子、あるいはネマティックIを利用した
液晶素子(TN, STN, DSTN, など)、スメクチ
ックA相を利用した液晶素子(熱書込み、エレクトロニ
ック、など)、反強誘電性液晶素子などに適用できるこ
とは言うまでもない。
Of course, the liquid crystal element for which the liquid crystal composition containing at least one of the general formula (I) can be used is not limited to the above-mentioned ferroelectric liquid crystal element, but a ferroelectric liquid crystal element having another structure, or It goes without saying that the present invention can be applied to liquid crystal elements using nematic I (TN, STN, DSTN, etc.), liquid crystal elements using smectic A phase (thermal writing, electronic, etc.), and antiferroelectric liquid crystal elements.

【0033】[0033]

【実施例】【Example】

実施例1 p−(p’−オクチルオキシフェニル)−安息香酸−
(2−シアノ−4−ペンチル)−フェニルの合成 p−(p’−オクチルオキシフェニル)−安息香酸0.7
g(0.0024モル)に五塩化リン0.6 g(0.0029モル)を
加え、約80℃に加熱して反応させた。生成したPOC
3 および過剰の五塩化リンを減圧留去し、p−(p’
−オクチルオクシフェニル)−安息香酸クロリドを得
た。これをトルエン10mlに溶解し、4−ペンチル)
−フェニル0.7 g(0.0030モル)とピリジン(脱塩化水
素剤)1mlを加えた、室温で10時間放置した後、7
0℃に3時間保った後、室温まで冷却した。その後、氷
と塩酸を加え、エーテルで抽出した。エーテル層をNa
HCO3 水溶液、次いで水で洗い、Na2 SO4 で乾燥
した。エーテルを留去し、残留物を高速液体クロマトグ
ラフィー(ウォーターズ製マルチプレット3000液体クロ
マトグラフィー;C−18シリカゲルカラム;溶媒メタ
ノール+クロロホルム(8:2))で精製し、エタノー
ルより再結晶して、目的とするp−(p’−オクチルオ
キシフェニル)−安息香酸−(2−シアノ−4−ペンチ
ル)−フェニルを得た。この化合物の赤外吸収スペクト
ルを図5に示す。このスペクトルより、官能基、不飽和
結合などが特定でき、標記構造の化合物であることが分
かった。また、この化合物はN相を示し、その転移温度
はK68℃〜129℃Iであった。
Example 1 p- (p'-octyloxyphenyl) -benzoic acid-
Synthesis of (2-cyano-4-pentyl) -phenyl p- (p'-octyloxyphenyl) -benzoic acid 0.7
0.6 g (0.0029 mol) of phosphorus pentachloride was added to g (0.0024 mol), and the mixture was heated to about 80 ° C. and reacted. Generated POC
l 3 and the excess phosphorus pentachloride was distilled off under reduced pressure, p- (p '
-Octyloctiphenyl) -benzoic acid chloride was obtained. This is dissolved in 10 ml of toluene, 4-pentyl)
-0.7 g (0.0030 mol) of phenyl and 1 ml of pyridine (dehydrochlorinating agent) were added, and the mixture was allowed to stand at room temperature for 10 hours, then 7
After keeping at 0 ° C. for 3 hours, it was cooled to room temperature. Then, ice and hydrochloric acid were added, and the mixture was extracted with ether. The ether layer is Na
It was washed with an aqueous HCO 3 solution, then with water, and dried over Na 2 SO 4 . The ether was distilled off, the residue was purified by high performance liquid chromatography (Waters Multiplet 3000 liquid chromatography; C-18 silica gel column; solvent methanol + chloroform (8: 2)) and recrystallized from ethanol. The target p- (p'-octyloxyphenyl) -benzoic acid- (2-cyano-4-pentyl) -phenyl was obtained. The infrared absorption spectrum of this compound is shown in FIG. From this spectrum, functional group, unsaturated bond, etc. could be identified, and it was found that the compound had the above-mentioned structure. Further, this compound exhibited an N phase, and its transition temperature was K68 ° C to 129 ° CI.

【0034】本化合物はスメクテイック相を示さないが
液晶組成物の成分として有用である。さらに本発明の実
施例に利用した化合物を表1に示す。
This compound does not exhibit a smectic phase, but is useful as a component of a liquid crystal composition. The compounds used in the examples of the present invention are shown in Table 1.

【0035】[0035]

【表1】 [Table 1]

【0036】[0036]

【表2】 [Table 2]

【0037】[0037]

【表3】 [Table 3]

【0038】実施例2 表1の化合物を用いて、表2に示す組成の液晶組成物N
o.201を作成した。
Example 2 A liquid crystal composition N having the composition shown in Table 2 was prepared using the compounds shown in Table 1.
o. 201 was created.

【0039】[0039]

【表4】 この液晶組成物の転移温度は以下の通りであった。 この液晶組成物は室温でINAC相系列を示した。[Table 4] The transition temperature of this liquid crystal composition was as follows. This liquid crystal composition showed the INAC phase series at room temperature.

【0040】実施例3 2枚のガラス基板上のそれぞれに1000Åの厚さのITO
膜を形成し、その上に500 ÅのSiO2 絶縁膜を形成
し、これに表3の配向膜をスピンコーターにて400 Åの
厚みに形成し、この後レーヨン系の布を用いてラビング
による一軸配向処理を行った。これらの基板を、ラビン
グ方向が反平行となるように厚さ20μmで貼り合わせ
て液晶セルを作製した。これにメルク社製ネマチック液
晶E−8を注入し、磁場容量法を用いて液晶分子の基板
からのプレチルト角を測定した。結果を表3に示す。
Example 3 1000 Å thick ITO on each of two glass substrates
A film is formed, a 500 Å SiO 2 insulating film is formed on the film, and the alignment film shown in Table 3 is formed on the film with a spin coater to a thickness of 400 Å, and then a rayon cloth is used for rubbing. Uniaxial orientation treatment was performed. A liquid crystal cell was produced by bonding these substrates with a thickness of 20 μm so that the rubbing directions were anti-parallel. A nematic liquid crystal E-8 manufactured by Merck & Co., Inc. was injected into this, and the pretilt angle of the liquid crystal molecules from the substrate was measured using the magnetic field capacitance method. The results are shown in Table 3.

【0041】[0041]

【表5】 [Table 5]

【0042】実施例4 図4に示す構成の強誘電性液晶素子を作製した。ガラス
基板1a上に1000Åの厚さの複数本のITO透明電極2
aを互いに平行となるようにストライプ状の配列して形
成し、その状に絶縁膜3aとして500 ÅのSiOを形成
し、次に、配向膜4aとしてPSI−A−2001(チッソ
石油化学株式会社社製ポリイミド)をスピンコーターに
て400 Åの厚みに形成し、この後レーヨン系の布を用い
てラビングによる一軸配向処理を行い基板9を形成し
た。一方、もう片側のガラス基板1b上にも同様の条件
で処理を行い、基板10を形成した。
Example 4 A ferroelectric liquid crystal device having the structure shown in FIG. 4 was produced. A plurality of ITO transparent electrodes 2 with a thickness of 1000Å on the glass substrate 1a
a are arranged in stripes so as to be parallel to each other, and 500 Å SiO is formed as the insulating film 3a in that shape, and then PSI-A-2001 (Chiso Petrochemical Co., Ltd.) is formed as the alignment film 4a. Polyimide (manufactured by the company) was formed with a spin coater to a thickness of 400 Å, and then uniaxially oriented by rubbing with a rayon cloth to form a substrate 9. On the other hand, the glass substrate 1b on the other side was also treated under the same conditions to form the substrate 10.

【0043】ついで、この基板9ともう一方の基板10
とを、互いに配向膜4a,4bが対向し合い、互いの透
明電極2a,2bが直交し、ラビング方向がほぼ一致す
るように、1.5 μmの間隔を隔ててシリカスペーサーを
介してエポキシ樹脂製のシール部材6で貼り合わせた。
これらの基板9,10間には、真空注入法で注入口から
実施例2で作製した強誘電性液晶組成物No.201を
注入したのちアクリル系のUV硬化型の樹脂で注入口を
硬化して液晶セル11を作成した。更に、このセルの上
下に偏光軸をほぼ直交させた偏光板12a,12bを配
置し、偏光板の一方の偏光軸をセルの液晶のどちらか一
方の光軸にほぼ一致させて液晶表示装置とした。
Next, this substrate 9 and the other substrate 10
And so that the alignment films 4a and 4b face each other, the transparent electrodes 2a and 2b are orthogonal to each other, and the rubbing directions are substantially the same, the epoxy films are made of epoxy resin at intervals of 1.5 μm. The seal members 6 were used for bonding.
Between the substrates 9 and 10, the ferroelectric liquid crystal composition No. 3 manufactured in Example 2 was injected from the injection port by a vacuum injection method. After injecting 201, the injection port was cured with an acrylic UV curable resin to prepare the liquid crystal cell 11. Further, polarizing plates 12a and 12b whose polarizing axes are substantially orthogonal to each other are arranged above and below the cell, and one polarizing axis of the polarizing plate is made to substantially coincide with either optical axis of the liquid crystal of the cell and a liquid crystal display device is provided. did.

【0044】この強誘電性液晶素子の配向の様子を調べ
たところ、スメクチックC−スメクチックA転移点から
室温までの温度領域において、微小なジグザグ欠陥に囲
まれた面積的には小さなC2配向の領域を除けば、全面
C1U配向であった。これらの強誘電性液晶素子のキラ
ルスメクチックC相におけるチルト角を測定した。チル
ト角は液晶セルに±10Vの矩形波を印加し、このとき
得られる2つの消光位間の角度の1/2で定義した。チ
ルト角を温度に対してプロットした(図6)。
When the state of orientation of this ferroelectric liquid crystal element was examined, in the temperature region from the smectic C-smectic A transition point to room temperature, a region having a small C2 orientation surrounded by minute zigzag defects was found. Except for, the entire surface was C1U oriented. The tilt angle in the chiral smectic C phase of these ferroelectric liquid crystal devices was measured. The tilt angle was defined as 1/2 of the angle between the two extinction positions obtained by applying a rectangular wave of ± 10 V to the liquid crystal cell. The tilt angle was plotted against temperature (Fig. 6).

【0045】図3(a)に示す波形の電圧(V=±10
V)を印加し、メモリパルス幅を測定した。結果を図7
に示す。メモリパルス幅は双安定スイッチングさせるこ
とのできる最小のパルス幅とした。パルス幅をメモリパ
ルス幅に設定して、図3(a)の波形を印加したところ
30以上のコントラストが得られた。図3(b)に示す
1/3バイアス波形の電圧(V=±10V)を印加し、
メモリパルス幅を測定した。メモリパルス幅は双安定ス
イッチングさせることのできる最小のパルス幅とした。
結果を図7に示す。またパルス幅をメモリパルス幅に設
定して、図3(b)の波形を印加したところ、10とい
う高いコントラストが得られた。この場合、バイアス印
加時においても良好な黒状態が維持できており、バイア
ス電圧による分子の揺らぎが抑制されていることが結論
できる。
The voltage (V = ± 10) of the waveform shown in FIG.
V) was applied and the memory pulse width was measured. Figure 7
Shown in. The memory pulse width is the minimum pulse width that allows bistable switching. When the pulse width was set to the memory pulse width and the waveform of FIG. 3A was applied, a contrast of 30 or more was obtained. A voltage (V = ± 10V) having a 1/3 bias waveform shown in FIG. 3B is applied,
The memory pulse width was measured. The memory pulse width is the minimum pulse width that allows bistable switching.
The results are shown in Fig. 7. When the pulse width was set to the memory pulse width and the waveform of FIG. 3B was applied, a high contrast of 10 was obtained. In this case, it can be concluded that a good black state can be maintained even when a bias is applied, and the fluctuation of molecules due to the bias voltage is suppressed.

【0046】比較例1 実施例2で作成した液晶組成物No.201に含まれる
成分のうち、化合物No.126を比較のための取り除
いた強誘電性液晶組成物No.202を作製した。この
液晶組成物も室温でスメクチックC相を示した。この液
晶組成物No.202の組成を表2に示す。実施例4に
おける強誘電性液晶組成物No.201を比較のための
強誘電性液晶組成物No.202に置き換えるほかは実
施例4と同様にして、強誘電性液晶素子を作製した。配
向を観察したところ、メモリがツイスト状態にもどる様
子が観察され、メモリもAC点から7℃の範囲しかしな
かった。この比較例によって実施例4の組成物のメモリ
性が向上しているのが分かる。
Comparative Example 1 Liquid crystal composition No. 1 prepared in Example 2 Of the components contained in 201, compound No. No. 126 of the ferroelectric liquid crystal composition No. 126 removed for comparison. 202 was produced. This liquid crystal composition also showed a smectic C phase at room temperature. This liquid crystal composition No. The composition of 202 is shown in Table 2. The ferroelectric liquid crystal composition No. 1 in Example 4 was used. No. 201 is a ferroelectric liquid crystal composition No. for comparison. A ferroelectric liquid crystal element was produced in the same manner as in Example 4 except that the liquid crystal element was replaced with 202. When the orientation was observed, it was observed that the memory returned to the twisted state, and the memory was only in the range of 7 ° C. from the AC point. It can be seen that the memory property of the composition of Example 4 is improved by this comparative example.

【0047】比較例2 表1に示す化合物を用いて表2に示す組成の強誘電性液
晶組成物No.206〜211を作製した。実施例4に
おける強誘電性液晶組成物No.201を比較のための
強誘電性液晶組成物No.206〜211のいずれかに
置き換えるほかは実施例4と同様にして、強誘電性液晶
素子を作製した。また、実施例4における強誘電性液晶
組成物No.201を比較のための強誘電性液晶組成物
No.206〜211のいずれかに置き換える、かつ実
施例4における配向膜PSI−A−2001をPSI−S−
014 またはPVAに置き換えるほかは実施例4と同様に
して、強誘電性液晶素子を作製した。
Comparative Example 2 Ferroelectric liquid crystal composition No. 1 having the composition shown in Table 2 was prepared using the compounds shown in Table 1. 206 to 211 were produced. The ferroelectric liquid crystal composition No. 1 in Example 4 was used. No. 201 is a ferroelectric liquid crystal composition No. for comparison. A ferroelectric liquid crystal element was produced in the same manner as in Example 4 except that any of 206 to 211 was substituted. Further, the ferroelectric liquid crystal composition No. 1 in Example 4 was used. No. 201 is a ferroelectric liquid crystal composition No. for comparison. 206 to 211, and the alignment film PSI-A-2001 in Example 4 is replaced with PSI-S-.
A ferroelectric liquid crystal element was produced in the same manner as in Example 4 except that it was replaced with PVA or PVA.

【0048】これらの強誘電性液晶素子について調べた
結果を表4に示す。いずれの強誘電性液晶素子も、実施
例4で得られたような良好な結果は得られなかった。
Table 4 shows the results of investigations on these ferroelectric liquid crystal elements. Neither of the ferroelectric liquid crystal elements provided the good results as obtained in Example 4.

【0049】[0049]

【表6】 [Table 6]

【0050】実施例5 表1に示す化合物を用いて表2に示す組成の強誘電性液
晶組成物No.203を作製した。この液晶組成物の転
移温度は以下の通りであった。
Example 5 Ferroelectric liquid crystal composition No. 1 having the composition shown in Table 2 was prepared using the compounds shown in Table 1. 203 was produced. The transition temperature of this liquid crystal composition was as follows.

【0051】 この液晶組成物も室温でスメクチックC相を示した。実
施例4における強誘電性液晶組成物No.201を強誘
電性液晶組成物No.203に置き換えるほかは実施例
4と同様にして強誘電性液晶素子を作製した。配向を観
察したところ、スメクチックC−スメクチックA転移点
から室温までの温度領域において、微小なジグザグ欠陥
に囲まれた面積的には小さなC2配向の領域を除けば、
全面C1U配向であった。
[0051] This liquid crystal composition also showed a smectic C phase at room temperature. The ferroelectric liquid crystal composition No. 1 in Example 4 was used. 201 is a ferroelectric liquid crystal composition No. A ferroelectric liquid crystal device was produced in the same manner as in Example 4 except that the liquid crystal was replaced with 203. Observation of the orientation revealed that in the temperature range from the smectic C-smectic A transition point to room temperature, except for the area of C2 orientation surrounded by minute zigzag defects, which is small in area,
The entire surface was C1U oriented.

【0052】これらの強誘電性液晶素子のキラルスメク
チックC相におけるチルト角を測定した。チルト角は液
晶セルに±10Vの矩形波を印加し、このとき得られる
2つの消光位間の角度の1/2で定義した。チルト角を
温度に対してプロットした(図8)。図3(a)に示す
波形の電圧(V=±10V)を印加し、メモリパルス幅
を測定した。結果を図9に示す。メモリパルス幅は双安
定スイッチングさせることのできる最小のパルス幅とし
た。パルス幅をメモリパルス幅に設定して、図3(a)
の波形を印加したところ30以上のコントラストが得ら
れた。
The tilt angle in the chiral smectic C phase of these ferroelectric liquid crystal devices was measured. The tilt angle was defined as 1/2 of the angle between the two extinction positions obtained by applying a rectangular wave of ± 10 V to the liquid crystal cell. The tilt angle was plotted against temperature (Fig. 8). A voltage (V = ± 10 V) having a waveform shown in FIG. 3A was applied and the memory pulse width was measured. The results are shown in Fig. 9. The memory pulse width is the minimum pulse width that allows bistable switching. Set the pulse width to the memory pulse width, and
When a waveform of 1 was applied, a contrast of 30 or more was obtained.

【0053】図3(b)に示す1/3バイアス波形の電
圧(V=±10V)を印加し、メモリパルス幅を測定し
た。メモリパルス幅は双安定スイッチングさせることの
できる最小のパルス幅とした。結果を図9に示す。また
パルス幅をメモリパルス幅に設定して、図3(b)の波
形を印加したところ、高いコントラスト比10が得られ
た。この場合、バイアス印加時においても良好な黒状態
が維持できており、バイアス電圧による分子の揺らぎが
抑制されていることが結論できる。
A voltage (V = ± 10 V) having a 1/3 bias waveform shown in FIG. 3B was applied and the memory pulse width was measured. The memory pulse width is the minimum pulse width that allows bistable switching. The results are shown in Fig. 9. When the pulse width was set to the memory pulse width and the waveform of FIG. 3B was applied, a high contrast ratio of 10 was obtained. In this case, it can be concluded that a good black state can be maintained even when a bias is applied, and the fluctuation of molecules due to the bias voltage is suppressed.

【0054】実施例6 表1に示す化合物を用いて、表2に示す組成の強誘電性
液晶組成物No.204を作製した。この液晶組成物の
転移温度は以下の通りであった。 この液晶組成物も室温でスメクチックC相を示した。実
施例4における強誘電性液晶組成物No.201を強誘
電性液晶組成物No.204に置き換えるほかは実施例
5と同様にして、強誘電性液晶素子を作製した。配向を
観察したところ、スメクチックC−スメクチックA転移
点から室温までの温度領域において、微小なジグザグ欠
陥に囲まれた面積的には小さなC2配向の領域を除け
ば、全面C1U配向であった。
Example 6 Ferroelectric liquid crystal composition No. 1 having the composition shown in Table 2 was prepared using the compounds shown in Table 1. 204 was produced. The transition temperature of this liquid crystal composition was as follows. This liquid crystal composition also showed a smectic C phase at room temperature. The ferroelectric liquid crystal composition No. 1 in Example 4 was used. 201 is a ferroelectric liquid crystal composition No. A ferroelectric liquid crystal device was produced in the same manner as in Example 5 except that the liquid crystal element was replaced with 204. When the orientation was observed, it was found to be C1U orientation over the entire surface in the temperature range from the smectic C-smectic A transition point to room temperature, except for the area of C2 orientation surrounded by minute zigzag defects and having a small area.

【0055】これらの強誘電性液晶素子のキラルスメク
チックC相におけるチルト角を測定した。チルト角は液
晶セルに±10Vの矩形波を印加し、このとき得られる
2つの消光位間の角度の1/2で定義した。チルト角を
温度に対してプロットした(図10)。図3(a)に示
す波形の電圧(V=±10V)を印加し、メモリパルス
幅を測定した。結果を図9に示す。メモリパルス幅は双
安定スイッチングさせることのできる最小のパルス幅と
した。パルス幅をメモリパルス幅に設定して、図3
(a)の波形を印加したところ50以上のコントラスト
が得られた。
The tilt angle in the chiral smectic C phase of these ferroelectric liquid crystal devices was measured. The tilt angle was defined as 1/2 of the angle between the two extinction positions obtained by applying a rectangular wave of ± 10 V to the liquid crystal cell. The tilt angle was plotted against temperature (Fig. 10). A voltage (V = ± 10 V) having a waveform shown in FIG. 3A was applied and the memory pulse width was measured. The results are shown in Fig. 9. The memory pulse width is the minimum pulse width that allows bistable switching. Set the pulse width to the memory pulse width.
When the waveform of (a) was applied, a contrast of 50 or more was obtained.

【0056】図3(b)に示す1/3バイアス波形の電
圧(V=±10V)を印加し、メモリパルス幅を測定し
た。メモリパルス幅は双安定スイッチングさせることの
できる最小のパルス幅とした。結果を図11に示す。ま
たパルス幅をメモリパルス幅に設定して、図3(b)の
波形を印加したところ、高いコントラスト比20が得ら
れた。この場合、バイアス印加時においても良好な黒状
態が維持できており、バイアス電圧による分子の揺らぎ
が抑制されていることが結論できる。
A memory pulse width was measured by applying a voltage (V = ± 10 V) having a 1/3 bias waveform shown in FIG. 3 (b). The memory pulse width is the minimum pulse width that allows bistable switching. The results are shown in Fig. 11. When the pulse width was set to the memory pulse width and the waveform of FIG. 3B was applied, a high contrast ratio of 20 was obtained. In this case, it can be concluded that a good black state can be maintained even when a bias is applied, and the fluctuation of molecules due to the bias voltage is suppressed.

【0057】実施例7 表1に示す化合物を用いて、表2に示す組成の強誘電性
液晶組成物No.205を作製した。この液晶組成物の
転移温度は以下の通りであった。 この液晶組成物も室温でスメクチックC相を示した。実
施例4における強誘電性液晶組成物No.201を強誘
電性液晶組成物No.205に置き換えるほかは実施例
5と同様にして、強誘電性液晶素子を作製した。配向を
観察したところ、スメクチックC−スメクチックA転移
点から80度までの温度領域において、微小なジグザグ
欠陥に囲まれた面積的には小さなC2配向の領域を除け
ば、全面C1U配向であった。
Example 7 Ferroelectric liquid crystal composition No. 1 having the composition shown in Table 2 was prepared using the compounds shown in Table 1. 205 was produced. The transition temperature of this liquid crystal composition was as follows. This liquid crystal composition also showed a smectic C phase at room temperature. The ferroelectric liquid crystal composition No. 1 in Example 4 was used. 201 is a ferroelectric liquid crystal composition No. A ferroelectric liquid crystal element was produced in the same manner as in Example 5 except that 205 was substituted. When the orientation was observed, it was found to be C1U orientation over the entire surface in the temperature range from the smectic C-smectic A transition point to 80 ° C. except for the area of C2 orientation surrounded by minute zigzag defects and having a small area.

【0058】これらの強誘電性液晶素子のキラルスメク
チックC相におけるチルト角を測定した。チルト角は液
晶セルに±10Vの矩形波を印加し、このとき得られる
2つの消光位間の角度の1/2で定義した。チルト角を
温度に対してプロットした(図12)。図3(a)に示
す波形の電圧(V=±10V)を印加し、メモリパルス
幅を測定した。結果を図13に示す。メモリパルス幅は
双安定スイッチングさせることのできる最小のパルス幅
とした。パルス幅をメモリパルス幅に設定して、図3
(a)の波形を印加したところ20以上のコントラスト
が得られた。
The tilt angle in the chiral smectic C phase of these ferroelectric liquid crystal devices was measured. The tilt angle was defined as 1/2 of the angle between the two extinction positions obtained by applying a rectangular wave of ± 10 V to the liquid crystal cell. The tilt angle was plotted against temperature (Fig. 12). A voltage (V = ± 10 V) having a waveform shown in FIG. 3A was applied and the memory pulse width was measured. The results are shown in Fig. 13. The memory pulse width is the minimum pulse width that allows bistable switching. Set the pulse width to the memory pulse width.
When the waveform of (a) was applied, a contrast of 20 or more was obtained.

【0059】図3(b)に示す1/3バイアス波形の電
圧(V=±10V)を印加し、メモリパルス幅を測定し
た。メモリパルス幅は双安定スイッチングさせることの
できる最小のパルス幅とした。結果を図13に示す。ま
たパルス幅をメモリパルス幅に設定して、図3(b)の
波形を印加したところ、良好なメモリ状態を示した。
A memory pulse width was measured by applying a voltage (V = ± 10 V) having a 1/3 bias waveform shown in FIG. 3 (b). The memory pulse width is the minimum pulse width that allows bistable switching. The results are shown in Fig. 13. Further, when the pulse width was set to the memory pulse width and the waveform of FIG. 3B was applied, a good memory state was shown.

【0060】[0060]

【発明の効果】本発明の化合物(I)はそれほど高くな
い融点を示し、スメクチック相およびネマティック相を
示しやすく、また、化学的にも光に対しても安定であ
る。このため、化合物(I)は、液晶組成物の成分とし
て有用であり、他の化合物と組み合わせることにより、
種々の強誘電性液晶組成物をはじめ、様々な液晶組成物
を作製することができ、種々の液晶素子に適用できる。
特に、本発明の化合物(I)を含む強誘電性液晶組成物
と、プレチルト角の高い配向膜とを用いて、C1U配向
を利用した強誘電性液晶表示装置を作製した場合、1/
3バイアス駆動においても高いコントラストを得ること
ができる。
INDUSTRIAL APPLICABILITY The compound (I) of the present invention has a melting point not so high, is likely to show a smectic phase and a nematic phase, and is stable chemically and to light. Therefore, the compound (I) is useful as a component of a liquid crystal composition, and by combining it with other compounds,
Various liquid crystal compositions including various ferroelectric liquid crystal compositions can be prepared and can be applied to various liquid crystal devices.
In particular, when a ferroelectric liquid crystal display device utilizing C1U orientation is manufactured using a ferroelectric liquid crystal composition containing the compound (I) of the present invention and an orientation film having a high pretilt angle,
High contrast can be obtained even in the 3-bias drive.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】強誘電性液晶のスイッチングについて説明する
ための図である。
FIG. 1 is a diagram for explaining switching of a ferroelectric liquid crystal.

【図2】カイラルスメクチックC相のシェブロン層構造
およびC1配向、C2配向について説明するための図で
ある。
FIG. 2 is a diagram for explaining a chevron layer structure of a chiral smectic C phase, and a C1 orientation and a C2 orientation.

【図3】(a) は、0バイアスの印加電圧波形を示す図、
(b) は、1/3バイアスの印加電圧波形の一例を示す図
である。
3A is a diagram showing an applied voltage waveform of 0 bias, FIG.
(b) is a figure which shows an example of the applied voltage waveform of 1/3 bias.

【図4】本発明の強誘電性液晶素子について説明するた
めの素子の断面図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view of a device for explaining a ferroelectric liquid crystal device of the present invention.

【図5】本発明の化合物を用いた強誘電性液晶組成物の
赤外吸収スペクトルを示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing an infrared absorption spectrum of a ferroelectric liquid crystal composition using the compound of the present invention.

【図6】本発明の化合物を用いた強誘電性液晶組成物の
チルト角の温度変化を示す図である。
FIG. 6 is a graph showing changes in tilt angle with temperature of a ferroelectric liquid crystal composition using the compound of the present invention.

【図7】本発明の化合物を用いた強誘電性液晶組成物の
メモリパルス幅の温度変化を示す図である。
FIG. 7 is a graph showing a temperature change of a memory pulse width of a ferroelectric liquid crystal composition using the compound of the present invention.

【図8】本発明の化合物を用いた強誘電性液晶組成物の
チルト角の温度変化を示す図である。
FIG. 8 is a graph showing a change in tilt angle with temperature of a ferroelectric liquid crystal composition using the compound of the present invention.

【図9】本発明の化合物を用いた強誘電性液晶組成物の
メモリパルス幅の温度変化を示す図である。
FIG. 9 is a diagram showing a temperature change of a memory pulse width of a ferroelectric liquid crystal composition using the compound of the present invention.

【図10】本発明の化合物を用いた強誘電性液晶組成物
のチルト角の温度変化を示す図である。
FIG. 10 is a graph showing a change in tilt angle with temperature of a ferroelectric liquid crystal composition using the compound of the present invention.

【図11】本発明の化合物を用いた強誘電性液晶組成物
のメモリパルス幅の温度変化を示す図である。
FIG. 11 is a graph showing a temperature change of a memory pulse width of a ferroelectric liquid crystal composition using the compound of the present invention.

【図12】本発明の化合物を用いた強誘電性液晶組成物
のチルト角の温度変化を示す図である。
FIG. 12 is a graph showing a change in tilt angle with temperature of a ferroelectric liquid crystal composition using the compound of the present invention.

【図13】本発明の化合物を用いた強誘電性液晶組成物
のメモリパルス幅の温度変化を示す図である。
FIG. 13 is a diagram showing a temperature change of a memory pulse width of a ferroelectric liquid crystal composition using the compound of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1a,1b ガラス基板 2a,2b 透明電極 3a,3b 電極保護膜 4a,4b 配向膜 6 シール部材 7 液晶 9,10 基板 11 液晶セル 12a,12b 偏光板 1a, 1b Glass substrate 2a, 2b Transparent electrode 3a, 3b Electrode protective film 4a, 4b Alignment film 6 Sealing member 7 Liquid crystal 9,10 Substrate 11 Liquid crystal cell 12a, 12b Polarizing plate

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 倉立 知明 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 谷口 維子 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Tomoaki Kurata 22-22 Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka Within Sharp Co., Ltd. Inside the company

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 下式(I); 【化1】 (式中、R1 およびR2 は同一または異なって、直鎖ま
たは分枝鎖で1〜15の炭素を有するアルキル基を示
し、mおよびnはそれぞれ独立に0または1の整数を示
す。)を有する化合物。
1. The following formula (I): (In the formula, R 1 and R 2 are the same or different and each represents a linear or branched alkyl group having 1 to 15 carbon atoms, and m and n each independently represent an integer of 0 or 1.) A compound having:
【請求項2】 請求項1項記載の式(I)の化合物を少
なくとも一種含有することを特徴とする液晶組成物。
2. A liquid crystal composition comprising at least one compound of formula (I) according to claim 1.
【請求項3】 一対の透光性基板の対向しあう表面にそ
れぞれ透明電極を形成し、それぞれの透明電極を被覆す
る絶縁膜を形成し、それを被覆する配向膜を形成し、一
対の透光性基板間に液晶を充填してなる液晶表示装置に
おいて、配向処理された配向膜を有する一対の基板を、
該配向膜の配向処理方向が略平行となるように対向配置
させ、この基板間に請求項2項記載の液晶組成物を少な
くとも一種含有することを特徴とする強誘電性液晶表示
装置。
3. A transparent electrode is formed on each of the surfaces of the pair of translucent substrates facing each other, an insulating film is formed to cover each transparent electrode, and an alignment film is formed to cover the insulating film. In a liquid crystal display device in which liquid crystal is filled between optical substrates, a pair of substrates having an alignment film subjected to alignment treatment is used.
A ferroelectric liquid crystal display device, wherein the alignment films are arranged so as to face each other so that the alignment treatment directions of the alignment films are substantially parallel, and at least one liquid crystal composition according to claim 2 is contained between the substrates.
【請求項4】 配向膜と液晶組成物の界面でのプレチル
ト角が8°以上である請求項3項に記載された装置。
4. The device according to claim 3, wherein the pretilt angle at the interface between the alignment film and the liquid crystal composition is 8 ° or more.
【請求項5】 液晶組成物のチルト角が、プレチルト角
より、駆動温度領域において、5°以上大きくないこと
を特徴とする請求項3〜4項のいずれかの項に記載され
た装置
5. The device according to claim 3, wherein the tilt angle of the liquid crystal composition is not larger than the pretilt angle by 5 ° or more in the driving temperature range.
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