JPH05218509A - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
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- JPH05218509A JPH05218509A JP4038401A JP3840192A JPH05218509A JP H05218509 A JPH05218509 A JP H05218509A JP 4038401 A JP4038401 A JP 4038401A JP 3840192 A JP3840192 A JP 3840192A JP H05218509 A JPH05218509 A JP H05218509A
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/8506—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
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-
- H—ELECTRICITY
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 プラスチックパッケージの外部表面の導体パ
ターンをプリント基板の導体に半田付けにより実装する
際、導体パターン間で短絡が発生しないようにする。 【構成】 プリント基板等に装着する面に複数個の突起
部を設け、光半導体チップの各電極に接続される導体パ
ターンを上記突起部の表面にまで導いた。
ターンをプリント基板の導体に半田付けにより実装する
際、導体パターン間で短絡が発生しないようにする。 【構成】 プリント基板等に装着する面に複数個の突起
部を設け、光半導体チップの各電極に接続される導体パ
ターンを上記突起部の表面にまで導いた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、中央部に凹部を備えた
プラスチックパッケージの上記凹部内部の底面上に光半
導体チップが搭載され、該光半導体チップの各電極がそ
れぞれ該プラスチックパッケージ表面に設けられた上記
凹部内部の底面上から該パッケージの外部表面に達する
導体パターンに接続され、上記凹部内部に光透過性封止
樹脂が充填されてなる光半導体装置に関する。
プラスチックパッケージの上記凹部内部の底面上に光半
導体チップが搭載され、該光半導体チップの各電極がそ
れぞれ該プラスチックパッケージ表面に設けられた上記
凹部内部の底面上から該パッケージの外部表面に達する
導体パターンに接続され、上記凹部内部に光透過性封止
樹脂が充填されてなる光半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図５は従来のこの種の光半導体装置の一
例の構造を示す。中央部に凹部を備えたプラスチックパ
ッケージ１の表面に凹部内部の底面上からパッケージ１
の裏面に達する２つの導体パターン２が設けられてい
て、凹部内部の底面の一方の導体パターン２上に光半導
体チップ３がダイボンドされ、光半導体チップ３の上面
の電極と上記導体パターンとは電気的に分離した別の導
体パターン２が金線４で接続された後、パッケージ１の
凹部内部に光透過性封止樹脂５が充填されて形成され
る。この種の光半導体装置では、導体パターン２の一端
はパッケージ１の裏面に導かれていて、裏面の導体パタ
ーン２部分がプリント基板等に半田付けされて実装され
る。
例の構造を示す。中央部に凹部を備えたプラスチックパ
ッケージ１の表面に凹部内部の底面上からパッケージ１
の裏面に達する２つの導体パターン２が設けられてい
て、凹部内部の底面の一方の導体パターン２上に光半導
体チップ３がダイボンドされ、光半導体チップ３の上面
の電極と上記導体パターンとは電気的に分離した別の導
体パターン２が金線４で接続された後、パッケージ１の
凹部内部に光透過性封止樹脂５が充填されて形成され
る。この種の光半導体装置では、導体パターン２の一端
はパッケージ１の裏面に導かれていて、裏面の導体パタ
ーン２部分がプリント基板等に半田付けされて実装され
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記のようにパッケー
ジ１の裏面が平坦のままでは、プリント基板等への実装
時に、パッケージ１の裏面とプリント基板等の間に隙間
が全くないため、半田ペーストが裏面に完全に押し潰さ
れ、広範囲に広がり、半田ペーストにより電極間がショ
ートしたり、半田ペーストのキュアの際の発生ガスによ
り、パッケージ１が持ち上げられてしまったりするとい
う問題があった。そして、電極間が狭くなればなるほ
ど、電極間のショートの懸念が高まり、ファインピッチ
化（狭ピッチ化）に適さないという問題があった。本発
明は上記の問題を解決することを目的とする。
ジ１の裏面が平坦のままでは、プリント基板等への実装
時に、パッケージ１の裏面とプリント基板等の間に隙間
が全くないため、半田ペーストが裏面に完全に押し潰さ
れ、広範囲に広がり、半田ペーストにより電極間がショ
ートしたり、半田ペーストのキュアの際の発生ガスによ
り、パッケージ１が持ち上げられてしまったりするとい
う問題があった。そして、電極間が狭くなればなるほ
ど、電極間のショートの懸念が高まり、ファインピッチ
化（狭ピッチ化）に適さないという問題があった。本発
明は上記の問題を解決することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の光半導体装置
は、基板に実装する際に基板に装着される面と基板との
間に隙間ができるように基板に装着される側の面に複数
個の突起部を設け、光半導体チップの各電極に接続され
る導体パターンを上記突起部のいずれかの表面にまで導
き、突起部表面を覆う導体パターンをプリント基板等の
導体に半田付けして実装することとし、半田ペーストが
押し潰されて基板上の不要な領域に広がらない構造とし
たものである。
は、基板に実装する際に基板に装着される面と基板との
間に隙間ができるように基板に装着される側の面に複数
個の突起部を設け、光半導体チップの各電極に接続され
る導体パターンを上記突起部のいずれかの表面にまで導
き、突起部表面を覆う導体パターンをプリント基板等の
導体に半田付けして実装することとし、半田ペーストが
押し潰されて基板上の不要な領域に広がらない構造とし
たものである。
【０００５】図１は本発明の一実施例を示す説明図で、
図１（ａ）は断面構造を、図１（ｂ）は裏面構造を示
す。図において１，２，３，４，５は図５の同一符号と
同一又は相当するものを示し、６はパッケージ１の裏面
に設けられた半球状の突起部である。
図１（ａ）は断面構造を、図１（ｂ）は裏面構造を示
す。図において１，２，３，４，５は図５の同一符号と
同一又は相当するものを示し、６はパッケージ１の裏面
に設けられた半球状の突起部である。
【０００６】パッケージ１の裏面の四隅にそれぞれ半球
状の突起部６が設けられ、２個の電極を備えた光半導体
チップ３が搭載され、光半導体チップ３の各電極に接続
された導体パターン２がそれぞれ凹部内部の底面上から
突起部６の表面に達するように配設されている例であ
る。半球状の突起部６表面を覆う導体パターン２をプリ
ント基板等に半田付けする際、図２に示すように、半田
ペーストが押し潰されて不要な領域に広がることがな
く、確実に付着される。図において７はプリント基板、
８は半田ペーストである。
状の突起部６が設けられ、２個の電極を備えた光半導体
チップ３が搭載され、光半導体チップ３の各電極に接続
された導体パターン２がそれぞれ凹部内部の底面上から
突起部６の表面に達するように配設されている例であ
る。半球状の突起部６表面を覆う導体パターン２をプリ
ント基板等に半田付けする際、図２に示すように、半田
ペーストが押し潰されて不要な領域に広がることがな
く、確実に付着される。図において７はプリント基板、
８は半田ペーストである。
【０００７】突起部６が上記のような形状の場合、実装
時にパッケージ１の姿勢を安定に保つためには、突起部
６は少なくとも３個必要であり、搭載光半導体チップの
電極が２個の場合、表面に電極導出用導体パターン２を
設ける必要のない突起部６ができる。この場合、図１
（ｂ）に示すようにこれら突起部６を覆う導体パターン
を設けておき、全ての突起部を半田付けする方法を採る
と、より確実な装着が得られる。
時にパッケージ１の姿勢を安定に保つためには、突起部
６は少なくとも３個必要であり、搭載光半導体チップの
電極が２個の場合、表面に電極導出用導体パターン２を
設ける必要のない突起部６ができる。この場合、図１
（ｂ）に示すようにこれら突起部６を覆う導体パターン
を設けておき、全ての突起部を半田付けする方法を採る
と、より確実な装着が得られる。
【０００８】従来、この種の光半導体装置は、裏面をプ
リント基板等に装着し、基板上方の空間のみを動作対象
とする実装方法が採られてきたが、基板下方の空間を動
作対象とする構成とした方が都合がよい場合がある。こ
の場合、基板の光半導体装置の動作領域に対応する部分
を開口し、パッケージの凹部の周りの側壁部上面を基板
に装着して実装する方法を採ればよい。図３はパッケー
ジの凹部の周りの側壁部上面を基板に装着して実装する
本発明の一実施例を示す説明図で、図３（ａ）は断面と
凹部内部の構造を、図３（ｂ）は実装状態を示す。図に
おいて１，２，３，４，５，７，８は図１及び図２の同
一符号と同一又は相当するものを示し、６ａはパッケー
ジ１の凹部の周りの側壁上面に設けられた帯状の突起部
である。光半導体チップ３の各電極に接続された導体パ
ターン２はそれぞれ対向する両側壁上面に設けられた突
起部６ａ表面を覆う状態に配設されていて、この突起部
６ａを覆う導体パターン２がプリント基板７等の導体に
半田付けされて実装される。突起部６ａが上記のような
形状の場合は、２個の突起部６ａによって実装の際のパ
ッケージ１の姿勢が十分安定に保たれる。そして、図２
に示すように、半田ペースト８が基板７上に不要な領域
に広がることなく、確実に半田付けされる。
リント基板等に装着し、基板上方の空間のみを動作対象
とする実装方法が採られてきたが、基板下方の空間を動
作対象とする構成とした方が都合がよい場合がある。こ
の場合、基板の光半導体装置の動作領域に対応する部分
を開口し、パッケージの凹部の周りの側壁部上面を基板
に装着して実装する方法を採ればよい。図３はパッケー
ジの凹部の周りの側壁部上面を基板に装着して実装する
本発明の一実施例を示す説明図で、図３（ａ）は断面と
凹部内部の構造を、図３（ｂ）は実装状態を示す。図に
おいて１，２，３，４，５，７，８は図１及び図２の同
一符号と同一又は相当するものを示し、６ａはパッケー
ジ１の凹部の周りの側壁上面に設けられた帯状の突起部
である。光半導体チップ３の各電極に接続された導体パ
ターン２はそれぞれ対向する両側壁上面に設けられた突
起部６ａ表面を覆う状態に配設されていて、この突起部
６ａを覆う導体パターン２がプリント基板７等の導体に
半田付けされて実装される。突起部６ａが上記のような
形状の場合は、２個の突起部６ａによって実装の際のパ
ッケージ１の姿勢が十分安定に保たれる。そして、図２
に示すように、半田ペースト８が基板７上に不要な領域
に広がることなく、確実に半田付けされる。
【０００９】上記のような実装方法が採られる場合は、
基板７とパッケージ１の装着する側の面との間に間隔を
とる必要がなく、図４（ａ），（ｂ）に示すように、突
起部６ｂが基板７に設けられた穴９に挿し込まれて半田
付けされる実装方法によってもよい。この場合は、突起
部６ｂは帯状にする必要がなく、又、２つの突起部６ｂ
を異なる形状にして、実装の際方向性を間違えることの
ない構造にすることもできる。
基板７とパッケージ１の装着する側の面との間に間隔を
とる必要がなく、図４（ａ），（ｂ）に示すように、突
起部６ｂが基板７に設けられた穴９に挿し込まれて半田
付けされる実装方法によってもよい。この場合は、突起
部６ｂは帯状にする必要がなく、又、２つの突起部６ｂ
を異なる形状にして、実装の際方向性を間違えることの
ない構造にすることもできる。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
電極間の間隔を狭くすることが可能となり、かつ、安定
した半田付けが可能になり、また、動作方向をプリント
基板等の下方に向けて容易に実装できるようになる。ま
た、突起部の形状を変えて、実装の際の方向性の間違い
を防止する効果もある。
電極間の間隔を狭くすることが可能となり、かつ、安定
した半田付けが可能になり、また、動作方向をプリント
基板等の下方に向けて容易に実装できるようになる。ま
た、突起部の形状を変えて、実装の際の方向性の間違い
を防止する効果もある。
【図１】本発明の一実施例を示す説明図である。
【図２】図１に示す実施例の突起部の効果を示す説明図
である。
である。
【図３】本発明の他の実施例を示す説明図である。
【図４】本発明のその他の実施例を示す説明図である。
【図５】従来のこの種の光半導体装置の一例の構造を示
す説明図である。
す説明図である。
１ プラスチックパッケージ ２ 導体パターン ３ 光半導体チップ ４ 金線 ５ 光透過性封止樹脂 ６ 突起部 ７ プリント基板 ８ 半田ペースト ９ 穴
Claims (1)
- 【請求項１】 中央部に凹部を備えたプラスチックパッ
ケージの上記凹部内部の底面上に光半導体チップが搭載
され、該光半導体チップの各電極がそれぞれ該プラスチ
ックパッケージ表面に設けられた上記凹部内部の底面上
から該プラスチックパッケージの外部表面に達する導体
パターンに接続された後、上記凹部内部に光透過性封止
樹脂が充填されてなる光半導体装置において、 基板に実装する際に基板に装着される面に複数個の突起
部が設けられ、光半導体チップの各電極に接続された導
体パターンが上記突起部の表面にまで導かれ、導体パタ
ーンを基板の導体部に半田付けされることを特徴とする
光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4038401A JPH05218509A (ja) | 1992-01-30 | 1992-01-30 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4038401A JPH05218509A (ja) | 1992-01-30 | 1992-01-30 | 光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05218509A true JPH05218509A (ja) | 1993-08-27 |
Family
ID=12524275
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4038401A Pending JPH05218509A (ja) | 1992-01-30 | 1992-01-30 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05218509A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002270903A (ja) * | 2001-03-08 | 2002-09-20 | Rohm Co Ltd | 裏面発光チップ型発光素子 |
| JP2002305346A (ja) * | 2001-04-05 | 2002-10-18 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| US6856017B2 (en) * | 1995-11-08 | 2005-02-15 | Fujitsu Limited | Device having resin package and method of producing the same |
| EP1717871A2 (de) * | 2005-04-15 | 2006-11-02 | Osram Opto Semiconductors GmbH | Oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement |
| US7737462B2 (en) | 2003-02-28 | 2010-06-15 | Citizen Electronics Co., Ltd | Light emitting diode and light emitting diode device including the light emitting diode element and method for manufacturing the light emitting diode |
| KR100985668B1 (ko) * | 2008-06-20 | 2010-10-05 | 서울반도체 주식회사 | 발광 장치 |
| JP2020096154A (ja) * | 2018-09-26 | 2020-06-18 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法及び発光装置 |
-
1992
- 1992-01-30 JP JP4038401A patent/JPH05218509A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6856017B2 (en) * | 1995-11-08 | 2005-02-15 | Fujitsu Limited | Device having resin package and method of producing the same |
| US7144754B2 (en) | 1995-11-08 | 2006-12-05 | Fujitsu Limited | Device having resin package and method of producing the same |
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| US7745835B2 (en) | 2003-02-28 | 2010-06-29 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Light emitting diode and light emitting diode device including the light emitting diode element and method for manufacturing the light emitting diode |
| EP1717871A2 (de) * | 2005-04-15 | 2006-11-02 | Osram Opto Semiconductors GmbH | Oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement |
| EP1717871A3 (de) * | 2005-04-15 | 2008-11-19 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH | Oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement |
| KR100985668B1 (ko) * | 2008-06-20 | 2010-10-05 | 서울반도체 주식회사 | 발광 장치 |
| JP2020096154A (ja) * | 2018-09-26 | 2020-06-18 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法及び発光装置 |
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