JPH0521163A - 有機薄膜発光素子 - Google Patents
有機薄膜発光素子Info
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- JPH0521163A JPH0521163A JP3139316A JP13931691A JPH0521163A JP H0521163 A JPH0521163 A JP H0521163A JP 3139316 A JP3139316 A JP 3139316A JP 13931691 A JP13931691 A JP 13931691A JP H0521163 A JPH0521163 A JP H0521163A
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- light emitting
- group
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- thin film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】成膜性に優れる有機薄膜発光素子を得る。
【構成】電極と発光層と少なくとも正孔注入層からなる
電荷注入層を有する有機薄膜発光素子において正孔注入
層をポリスチレン樹脂で結着した正孔注入物質により構
成する。
電荷注入層を有する有機薄膜発光素子において正孔注入
層をポリスチレン樹脂で結着した正孔注入物質により構
成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は有機薄膜発光素子の正
孔注入層にかかり、特に正孔注入層の成膜性にすぐれる
発光素子に関する。
孔注入層にかかり、特に正孔注入層の成膜性にすぐれる
発光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のブラウン管に代わるフラットディ
スプレイの需要の急増に伴い、各種表示素子の開発及び
実用化が精力的に進められている。エレクトロルミネッ
センス素子（以下ＥＬ素子とする）もこうしたニ−ズに
即するものであり、特に全固体の自発発光素子として、
他のディスプレイにはない高解像度及び高視認性により
注目を集めている。現在、実用化されているものは、発
光層にＺｎＳ／Ｍｎ系を用いた無機材料からなるＥＬ素
子である。しかるに、この種の無機ＥＬ素子は発光に必
要な駆動電圧が２００Ｖ程度と高いため駆動方法が複雑
となり製造コストが高いといった問題点がある。また、
青色発光の効率が低いため、フルカラ−化が困難であ
る。
スプレイの需要の急増に伴い、各種表示素子の開発及び
実用化が精力的に進められている。エレクトロルミネッ
センス素子（以下ＥＬ素子とする）もこうしたニ−ズに
即するものであり、特に全固体の自発発光素子として、
他のディスプレイにはない高解像度及び高視認性により
注目を集めている。現在、実用化されているものは、発
光層にＺｎＳ／Ｍｎ系を用いた無機材料からなるＥＬ素
子である。しかるに、この種の無機ＥＬ素子は発光に必
要な駆動電圧が２００Ｖ程度と高いため駆動方法が複雑
となり製造コストが高いといった問題点がある。また、
青色発光の効率が低いため、フルカラ−化が困難であ
る。
【０００３】これに対して、有機材料を用いた薄膜発光
素子は、発光に必要な駆動電圧が大幅に低減でき、かつ
各種発光材料の添加によりフルカラ−化の可能性を充分
にもつことから、近年研究が活発化している。特に電極
／正孔注入層／発光層からなる積層型において、発光剤
にトリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム、正
孔注入剤に１，１’−ビス（４−Ｎ，Ｎ−ジトリアミノ
フェニル）シクロヘキサンを用いることにより、１０Ｖ
以下の印加電圧で１０００ｃｄ／ｍ2 以上高輝度が得ら
れたという報告がなされて以来開発に拍車がかけられた
（Appl.Phys.Lett.51,913,(1987)) 。
素子は、発光に必要な駆動電圧が大幅に低減でき、かつ
各種発光材料の添加によりフルカラ−化の可能性を充分
にもつことから、近年研究が活発化している。特に電極
／正孔注入層／発光層からなる積層型において、発光剤
にトリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム、正
孔注入剤に１，１’−ビス（４−Ｎ，Ｎ−ジトリアミノ
フェニル）シクロヘキサンを用いることにより、１０Ｖ
以下の印加電圧で１０００ｃｄ／ｍ2 以上高輝度が得ら
れたという報告がなされて以来開発に拍車がかけられた
（Appl.Phys.Lett.51,913,(1987)) 。
【０００４】現在広く研究されている該有機発光素子の
具体的な構造ならびに材料につき、図面を使って、以下
に説明する。図１は積層構造型の典型的な構造断面図で
ある（発光は図中の矢印に示す方向に進む）。ガラス等
の透明基板１上に金、ニッケル等の半透膜やインジウム
スズ酸化物（ＩＴＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ2 ）等の透明
導電膜からなる正極２を抵抗加熱蒸着、電子ビ−ム蒸
着、スパッタ法により形成する。該電極２は、透明性を
持たせるために、１００〜３０００Åの厚さにすること
が望ましい。次に正孔注入層３、発光層４と順次有機薄
膜を成膜する。
具体的な構造ならびに材料につき、図面を使って、以下
に説明する。図１は積層構造型の典型的な構造断面図で
ある（発光は図中の矢印に示す方向に進む）。ガラス等
の透明基板１上に金、ニッケル等の半透膜やインジウム
スズ酸化物（ＩＴＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ2 ）等の透明
導電膜からなる正極２を抵抗加熱蒸着、電子ビ−ム蒸
着、スパッタ法により形成する。該電極２は、透明性を
持たせるために、１００〜３０００Åの厚さにすること
が望ましい。次に正孔注入層３、発光層４と順次有機薄
膜を成膜する。
【０００５】正孔注入物質としては、上記１，１’−ビ
ス（４−Ｎ，Ｎ−ジトリアミノフェニル）シクロヘキサ
ン等のジアミン系化合物の他に、ヒドラゾン系化合物、
スチルベン系化合物等が用いられている。また、発光物
質には、上記トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミ
ニウム等の金属錯体化合物の他に、ジスチリルベンゼン
化合物、ペリレン系化合物等が用いられている。両層と
もにスピンコ−ト、キャスティング、ＬＢ法、抵抗加熱
蒸着、電子ビ−ム蒸着等により成膜できるが、現在のと
ころ発光特性面で優れていることから抵抗加熱蒸着法が
主流である。また、両層の膜厚は、抵抗加熱蒸着法にお
いては、それぞれ２００〜３０００Å、好適には３００
〜１５００Åである。最後に負極５を蒸着にて形成す
る。なお、該電極５用材料としては仕事関数の小さいＭ
ｇ，Ｍｇ／Ａｇ，Ｉｎ，Ｃａ，Ａｌ等が用いられる。
ス（４−Ｎ，Ｎ−ジトリアミノフェニル）シクロヘキサ
ン等のジアミン系化合物の他に、ヒドラゾン系化合物、
スチルベン系化合物等が用いられている。また、発光物
質には、上記トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミ
ニウム等の金属錯体化合物の他に、ジスチリルベンゼン
化合物、ペリレン系化合物等が用いられている。両層と
もにスピンコ−ト、キャスティング、ＬＢ法、抵抗加熱
蒸着、電子ビ−ム蒸着等により成膜できるが、現在のと
ころ発光特性面で優れていることから抵抗加熱蒸着法が
主流である。また、両層の膜厚は、抵抗加熱蒸着法にお
いては、それぞれ２００〜３０００Å、好適には３００
〜１５００Åである。最後に負極５を蒸着にて形成す
る。なお、該電極５用材料としては仕事関数の小さいＭ
ｇ，Ｍｇ／Ａｇ，Ｉｎ，Ｃａ，Ａｌ等が用いられる。
【０００６】図２は他の素子構造をしめす断面図であ
る。（発光は図の矢印に示す方向に進む）。ガラス等の
透明基板１上に金、ニッケル等の半透膜やインジウムス
ズ酸化物（ＩＴＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ2 ）等の透明導
電膜からなる正極２を、図１と同様に形成し、正孔注入
層３，発光層４さらに電子注入層５の３層を成膜する。
該電子注入剤については、ジフェノキノン系化合物、ペ
リレン系化合物、オキサジアゾ−ル系化合物等が用いら
れている。該正孔注入層３，発光層４および電子注入層
５の膜厚はすべて上記図１の場合と同様にそれぞれ２０
０〜３０００Å，好適には３００〜１５００Åである。
最後に負極６をＭｇ，Ｍｇ／Ａｇ，Ｉｎ，Ｃａ，Ａｌ等
を用いて蒸着する。
る。（発光は図の矢印に示す方向に進む）。ガラス等の
透明基板１上に金、ニッケル等の半透膜やインジウムス
ズ酸化物（ＩＴＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ2 ）等の透明導
電膜からなる正極２を、図１と同様に形成し、正孔注入
層３，発光層４さらに電子注入層５の３層を成膜する。
該電子注入剤については、ジフェノキノン系化合物、ペ
リレン系化合物、オキサジアゾ−ル系化合物等が用いら
れている。該正孔注入層３，発光層４および電子注入層
５の膜厚はすべて上記図１の場合と同様にそれぞれ２０
０〜３０００Å，好適には３００〜１５００Åである。
最後に負極６をＭｇ，Ｍｇ／Ａｇ，Ｉｎ，Ｃａ，Ａｌ等
を用いて蒸着する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】この様に、有機材料を
用いた薄膜発光素子は低電圧駆動やフルカラ−化の可能
性等を強く示唆しているものの、性能面で解決しなけれ
ばならない課題が多く残されている。特に１万時間程度
の長時間駆動に伴う特性劣化の問題は乗り越えなければ
ならないハ−ドルである。また、該有機薄膜の膜厚は１
μｍ以下であるため、成膜性が良好で、成膜中にピンホ
−ル等の電気的欠陥を生じないこと、さらには、薄膜で
あるがために、発光時に素子に加わる電界及び／または
電流により短絡しない様な材料開発および成膜法の検討
が必要である。特に、抵抗加熱蒸着膜においては電気的
欠陥が発生しやすく、かつ発光時に短絡しやすいといっ
た問題がある。さらには、量産性の観点から、大量製造
が容易で安価な有機材料の開発や素子形成方法の改良等
も重要な技術課題である。
用いた薄膜発光素子は低電圧駆動やフルカラ−化の可能
性等を強く示唆しているものの、性能面で解決しなけれ
ばならない課題が多く残されている。特に１万時間程度
の長時間駆動に伴う特性劣化の問題は乗り越えなければ
ならないハ−ドルである。また、該有機薄膜の膜厚は１
μｍ以下であるため、成膜性が良好で、成膜中にピンホ
−ル等の電気的欠陥を生じないこと、さらには、薄膜で
あるがために、発光時に素子に加わる電界及び／または
電流により短絡しない様な材料開発および成膜法の検討
が必要である。特に、抵抗加熱蒸着膜においては電気的
欠陥が発生しやすく、かつ発光時に短絡しやすいといっ
た問題がある。さらには、量産性の観点から、大量製造
が容易で安価な有機材料の開発や素子形成方法の改良等
も重要な技術課題である。
【０００８】この発明は上述の点に鑑みてなされその目
的は樹脂分散膜におけるバインダを開発することにより
成膜性に優れる有機薄膜発光素子を提供することにあ
る。
的は樹脂分散膜におけるバインダを開発することにより
成膜性に優れる有機薄膜発光素子を提供することにあ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上述の目的はこの発明に
よれば、正極と負極とからなる一対の電極と、その間に
はさまれた発光層と電荷注入層とを有し、電荷注入層は
電子注入層と正孔注入層のうちの少なくとも正孔注入層
からなり、この際正孔注入層は正孔注入物質とポリスチ
レン樹脂からなるとする事により達成される。
よれば、正極と負極とからなる一対の電極と、その間に
はさまれた発光層と電荷注入層とを有し、電荷注入層は
電子注入層と正孔注入層のうちの少なくとも正孔注入層
からなり、この際正孔注入層は正孔注入物質とポリスチ
レン樹脂からなるとする事により達成される。
【００１０】ジアミン系化合物の具体例が化学式Ｉ−１
ないし化学式Ｉ−１４にヒドラゾン系化合物が化学式II
−１ないし化学式II−２１にスチルベン系化合物が化学
式III-１ないし化学式III-４に示される。
ないし化学式Ｉ−１４にヒドラゾン系化合物が化学式II
−１ないし化学式II−２１にスチルベン系化合物が化学
式III-１ないし化学式III-４に示される。
【００１１】
【化５】
【００１２】
【化６】
【００１３】
【化７】
【００１４】
【化８】
【００１５】
【化９】
【００１６】
【作用】発光層と正孔注入層を積層してなる有機薄膜発
光素子において、該正孔注入層に正孔注入物質とポリス
チレン樹脂バインダ−の分散膜を用いることにより、良
好な膜形成可能で、膜中に発生するピンホ−ル等の電気
的欠陥が少なく、発光時に素子にかかる電界または電流
により発生する短絡現象を防げるといった作用があると
ともに、発光特性においても良好な結果をもたらす。ま
た、該正孔注入物質として、ジアミン系化合物、ヒドラ
ゾン系化合物及びスチルベン系化合物が良好な結果をも
たらす。
光素子において、該正孔注入層に正孔注入物質とポリス
チレン樹脂バインダ−の分散膜を用いることにより、良
好な膜形成可能で、膜中に発生するピンホ−ル等の電気
的欠陥が少なく、発光時に素子にかかる電界または電流
により発生する短絡現象を防げるといった作用があると
ともに、発光特性においても良好な結果をもたらす。ま
た、該正孔注入物質として、ジアミン系化合物、ヒドラ
ゾン系化合物及びスチルベン系化合物が良好な結果をも
たらす。
【００１７】
【実施例】次にこの発明の実施例を図面に基づいて説明
する。この発明において、正孔注入層として導入した正
孔注入物質とポリスチレンバインダ−からなる分散膜
は、両者を適当な有機溶媒中に溶解せしめてなる塗液を
用いて、スピンコ−ト、キャスティング等により形成さ
れる。該塗液の配合時における正孔注入物質の、正孔注
入物質とポリスチレンバインダ−全量に占める重量比は
３０〜８０％、好適には４０〜７０％である。また、該
正孔注入層分散膜の膜厚は、５００〜３０００Å、好適
には８００〜２０００Åである。
する。この発明において、正孔注入層として導入した正
孔注入物質とポリスチレンバインダ−からなる分散膜
は、両者を適当な有機溶媒中に溶解せしめてなる塗液を
用いて、スピンコ−ト、キャスティング等により形成さ
れる。該塗液の配合時における正孔注入物質の、正孔注
入物質とポリスチレンバインダ−全量に占める重量比は
３０〜８０％、好適には４０〜７０％である。また、該
正孔注入層分散膜の膜厚は、５００〜３０００Å、好適
には８００〜２０００Åである。
【００１８】実施例１
膜厚〜１０００ÅのＩＴＯを設けた５０ｍｍ角のガラス
を基板とし該基板をスピンコ−タにセットした後、前記
ジアミン系化合物のうちＩ−１で示した化合物１重量
部、ポリスチレン樹脂１重量部をジクロロメタン５００
重量部にて溶解させた塗液を用いて、回転数５０００ｒ
ｐｍにて該基板上に〜１０００Åスピンコ−トし、正孔
注入層とした。次に、該正孔注入層をコ−トした基板を
抵抗加熱蒸着装置内にセットし、発光層を形成した。成
膜に際して、真空槽内は６×１０-6Ｔｏｒｒまで減圧し
た。発光剤には、（８−ヒドロキシキノリン）アルミニ
ウムを用い、ボ−ト温度１００〜３００0 Ｃの範囲で加
熱し、成膜速度を２Å／秒の条件下で６００Å形成し
た。最後に、試料を真空槽から取り出し、直径５ｍｍの
ドットパタ−ン１６個からなるステンレス製マスクを取
りつけ、新たに抵抗加熱蒸着装置内にセットし負極とし
てＭｇ／Ａｇ（１０：１の比率）を形成した。
を基板とし該基板をスピンコ−タにセットした後、前記
ジアミン系化合物のうちＩ−１で示した化合物１重量
部、ポリスチレン樹脂１重量部をジクロロメタン５００
重量部にて溶解させた塗液を用いて、回転数５０００ｒ
ｐｍにて該基板上に〜１０００Åスピンコ−トし、正孔
注入層とした。次に、該正孔注入層をコ−トした基板を
抵抗加熱蒸着装置内にセットし、発光層を形成した。成
膜に際して、真空槽内は６×１０-6Ｔｏｒｒまで減圧し
た。発光剤には、（８−ヒドロキシキノリン）アルミニ
ウムを用い、ボ−ト温度１００〜３００0 Ｃの範囲で加
熱し、成膜速度を２Å／秒の条件下で６００Å形成し
た。最後に、試料を真空槽から取り出し、直径５ｍｍの
ドットパタ−ン１６個からなるステンレス製マスクを取
りつけ、新たに抵抗加熱蒸着装置内にセットし負極とし
てＭｇ／Ａｇ（１０：１の比率）を形成した。
【００１９】実施例２
実施例１と同様に膜厚〜１０００ÅのＩＴＯを設けた５
０ｍｍ角のガラスを基板に用い実施例１と同一材料、同
一製法、同一条件下で正孔注入層と発光層を形成する。
次に、発光層形成後、真空槽の真空を破らず、続けて電
子注入層として下記（IV）に構造式を示したペリレンテ
トラカルボン酸誘導体を、ボ−ト加熱温度１５０〜３０
０℃、成膜速度３Å／秒の条件下で７００Å形成した。
最後に、上記実施例１と同様に、試料を真空槽から取り
出し、直径５ｍｍのドットパタ−ン１６個からなるステ
ンレス製マスクを取りつけ、新たに抵抗加熱蒸着装置内
にセットし負極としてＭｇ／Ａｇ（１０：１の比率）を
形成した。
０ｍｍ角のガラスを基板に用い実施例１と同一材料、同
一製法、同一条件下で正孔注入層と発光層を形成する。
次に、発光層形成後、真空槽の真空を破らず、続けて電
子注入層として下記（IV）に構造式を示したペリレンテ
トラカルボン酸誘導体を、ボ−ト加熱温度１５０〜３０
０℃、成膜速度３Å／秒の条件下で７００Å形成した。
最後に、上記実施例１と同様に、試料を真空槽から取り
出し、直径５ｍｍのドットパタ−ン１６個からなるステ
ンレス製マスクを取りつけ、新たに抵抗加熱蒸着装置内
にセットし負極としてＭｇ／Ａｇ（１０：１の比率）を
形成した。
【００２０】
【化１０】
【００２１】以上に示した２つの実施例における有機薄
膜発光素子に、直流電圧を印加したところ、ともに緑色
（発光中心波長：５５０ｎｍ）の均一な発光が得られ
た。また、ともに該５０ｍｍ 角のガラス基板上の直径
５ｍｍのドットパタ−ン１６個のパタ−ンすべてが、短
絡現象をおこさず、発光特性ばらつき５％の範囲内にお
さまった。さらに、実施例１の素子においては、印加電
圧１５Ｖ下で、２４００ｃｄ／ｍ2 （電流密度１００ｍ
Ａ／ｃｍ2 ）、実施例２の素子においては、印加電圧１
５Ｖ下で、２５２０ｃｄ／ｍ2 （電流密度９５ｍＡ／ｃ
ｍ2 ）の高輝度発光が得られた。
膜発光素子に、直流電圧を印加したところ、ともに緑色
（発光中心波長：５５０ｎｍ）の均一な発光が得られ
た。また、ともに該５０ｍｍ 角のガラス基板上の直径
５ｍｍのドットパタ−ン１６個のパタ−ンすべてが、短
絡現象をおこさず、発光特性ばらつき５％の範囲内にお
さまった。さらに、実施例１の素子においては、印加電
圧１５Ｖ下で、２４００ｃｄ／ｍ2 （電流密度１００ｍ
Ａ／ｃｍ2 ）、実施例２の素子においては、印加電圧１
５Ｖ下で、２５２０ｃｄ／ｍ2 （電流密度９５ｍＡ／ｃ
ｍ2 ）の高輝度発光が得られた。
【００２２】実施例３
正孔注入物質に前記ヒドラゾン系化合物のうちII−６を
用いて、その他の材料製法、条件は実施例１と同一にし
て素子を形成した。上記実施例における有機発光素子
に、直流電圧を印加したところ、緑色（発光中心波長：
５５０ｎｍ）の均一な発光が得られた。また、該５０ｍ
ｍ角のガラス基板上の直径５ｍｍのドットパタ−ン１６
個のパタ−ンすべてが、短絡現象をおこさず、発光特性
ばらつき７％の範囲内におさまった。さらに、印加電圧
１５Ｖ下で、２０５０ｃｄ／ｍ2 （電流密度１２０ｍＡ
／ｃｍ2 ）の高輝度発光が得られた。
用いて、その他の材料製法、条件は実施例１と同一にし
て素子を形成した。上記実施例における有機発光素子
に、直流電圧を印加したところ、緑色（発光中心波長：
５５０ｎｍ）の均一な発光が得られた。また、該５０ｍ
ｍ角のガラス基板上の直径５ｍｍのドットパタ−ン１６
個のパタ−ンすべてが、短絡現象をおこさず、発光特性
ばらつき７％の範囲内におさまった。さらに、印加電圧
１５Ｖ下で、２０５０ｃｄ／ｍ2 （電流密度１２０ｍＡ
／ｃｍ2 ）の高輝度発光が得られた。
【００２３】実施例４
正孔注入物質に前記スチルベン系化合物のうちIII-２を
用いて、その他の材料製法、条件は実施例１と同一にし
て素子を形成した。上記実施例における有機発光素子
に、直流電圧を印加したところ、緑色（発光中心波長
：５５０ｎｍ）の均一な発光が得られた。また、該５
０ｍｍ角のガラス基板上の直径５ｍｍのドットパタ−ン
１６個のパタ−ンすべてが、短絡現象をおこさず、発光
特性ばらつき７％の範囲内におさまった。さらに、印加
電圧１５Ｖ下で、２２４０ｃｄ／ｍ2 （電流密度１１０
ｍＡ／ｃｍ2 ）の高輝度発光が得られた。
用いて、その他の材料製法、条件は実施例１と同一にし
て素子を形成した。上記実施例における有機発光素子
に、直流電圧を印加したところ、緑色（発光中心波長
：５５０ｎｍ）の均一な発光が得られた。また、該５
０ｍｍ角のガラス基板上の直径５ｍｍのドットパタ−ン
１６個のパタ−ンすべてが、短絡現象をおこさず、発光
特性ばらつき７％の範囲内におさまった。さらに、印加
電圧１５Ｖ下で、２２４０ｃｄ／ｍ2 （電流密度１１０
ｍＡ／ｃｍ2 ）の高輝度発光が得られた。
【００２４】
【発明の効果】この発明によれば、正極と負極とからな
る一対の電極と、その間にはさまれた発光層と電荷注入
層とを有し、電荷注入層は電子注入層と正孔注入層のう
ちの少なくとも正孔注入層からなり、この際正孔注入層
は正孔注入物質とポリスチレン樹脂からなるとするの
で、良好な膜形成可能で、膜中に発生するピンホ−ル等
の電気的欠陥が少なく、発光時に素子にかかる電界また
は電流により発生する短絡現象を防ぐことができ高輝度
発光性に優れる有機薄膜発光素子が得られる。
る一対の電極と、その間にはさまれた発光層と電荷注入
層とを有し、電荷注入層は電子注入層と正孔注入層のう
ちの少なくとも正孔注入層からなり、この際正孔注入層
は正孔注入物質とポリスチレン樹脂からなるとするの
で、良好な膜形成可能で、膜中に発生するピンホ−ル等
の電気的欠陥が少なく、発光時に素子にかかる電界また
は電流により発生する短絡現象を防ぐことができ高輝度
発光性に優れる有機薄膜発光素子が得られる。
【図１】積層構造型の素子の構造を示す断面図
【図２】積層構造型の素子の他の構造をしめす断面図
１ 絶縁性透明基板
２ 正極
３ 正孔注入層
４ 発光層
５ 電子注入層
６ 負極
７ 直流電源
Claims (4)
- 【請求項１】正極と負極とからなる一対の電極と、その
間にはさまれた発光層と電荷注入層とを有し、 電荷注入層は電子注入層と正孔注入層のうちの少なくと
も正孔注入層からなり、この際正孔注入層は正孔注入物
質とポリスチレン樹脂からなることを特徴とする有機薄
膜発光素子。 - 【請求項２】請求項１記載の素子において、正孔注入物
質は一般式（Ｉ）で示されるジアミン系化合物であるこ
とを特徴とする有機薄膜発光素子。 【化１】 （一般式（Ｉ）においてＡは下記一般式（IA），（IB)
又は（IC) で示される。 【化２】 Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 は、置換されてもよいアルキル
基，アリル基，アリ−ル基，アラルキル基である。また
一般式（IA），（IB) 又は（IC) においてＲ5 、Ｒ6 、
Ｒ7 、Ｒ8 は水素原子，ハロゲン，置換されてもよいア
ルキル基，アルコキシ基、Ｘは−Ｃ（Ｒ19）（Ｒ20）−
（Ｒ19、Ｒ20は水素原子，アルキル基），─Ｏ─，─Ｓ
─，＞Ｃ6 Ｈ10である。） - 【請求項３】請求項１記載の素子において、正孔注入物
質は一般式（II）で示されるヒドラゾン系化合物である
ことを特徴とする有機薄膜発光素子。 【化３】 （ Ｒ9 は、水素原子，アルキル基，ハロゲン原子，ア
ルコキシ基をあらわし、Ｒ10、Ｒ11は、置換されてもよ
いアルキル基，アリ−ル基，アラルキル基、Ｒ12、Ｒ13
は置換されてもよいアルキル基，アリ−ル基，アラルキ
ル基，テニル基である。） - 【請求項４】請求項１記載の素子において、正孔注入物
質は一般式（III ）で示されるスチルベン系化合物であ
ることを特徴とする有機薄膜発光素子。 【化４】 （Ｒ14は、水素原子，アルキル基，ハロゲン基，アルコ
キシ基を表しＲ15、Ｒ16は、置換されてもよいアリ−ル
基，アラルキル基を表しＲ17、Ｒ18は、置換されてもよ
いアリ−ル基である。）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3139316A JPH0521163A (ja) | 1991-05-08 | 1991-06-12 | 有機薄膜発光素子 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3-101683 | 1991-05-08 | ||
| JP10168391 | 1991-05-08 | ||
| JP3139316A JPH0521163A (ja) | 1991-05-08 | 1991-06-12 | 有機薄膜発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0521163A true JPH0521163A (ja) | 1993-01-29 |
Family
ID=26442518
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3139316A Pending JPH0521163A (ja) | 1991-05-08 | 1991-06-12 | 有機薄膜発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0521163A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6033542A (en) * | 1993-07-27 | 2000-03-07 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | Electrode and its fabrication method for semiconductor devices, and sputtering target for forming electrode film for semiconductor devices |
-
1991
- 1991-06-12 JP JP3139316A patent/JPH0521163A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6033542A (en) * | 1993-07-27 | 2000-03-07 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | Electrode and its fabrication method for semiconductor devices, and sputtering target for forming electrode film for semiconductor devices |
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