JPH05208892A - 単結晶シリコン棒の製造方法 - Google Patents
単結晶シリコン棒の製造方法Info
- Publication number
- JPH05208892A JPH05208892A JP3847492A JP3847492A JPH05208892A JP H05208892 A JPH05208892 A JP H05208892A JP 3847492 A JP3847492 A JP 3847492A JP 3847492 A JP3847492 A JP 3847492A JP H05208892 A JPH05208892 A JP H05208892A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- rotation speed
- growth
- silicon rod
- crucible
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 断面内の抵抗率分布を均一化した不純物ドー
プシリコン単結晶を得る。 【構成】 チョクラルスキー法により、不純物元素をド
ープしたシリコン単結晶を引上げる際、ルツボ回転速度
を周期的に変化させる。
プシリコン単結晶を得る。 【構成】 チョクラルスキー法により、不純物元素をド
ープしたシリコン単結晶を引上げる際、ルツボ回転速度
を周期的に変化させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は単結晶シリコン棒の製造
方法に関し、より詳しくは不純物元素をドープしたシリ
コン単結晶を得る場合に、断面内の抵抗率分布を改善さ
せることができる単結晶棒シリコン棒の製造方法に関す
る。
方法に関し、より詳しくは不純物元素をドープしたシリ
コン単結晶を得る場合に、断面内の抵抗率分布を改善さ
せることができる単結晶棒シリコン棒の製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】チョクラルスキー法（ＣＺ法）によりシ
リコン単結晶棒を引上げるには、シリコン融液を入れた
ルツボを回転させながら、種単結晶をシリコン融液中に
浸け、種単結晶にシリコンを折出させて、単結晶を成長
させ、徐々に単結晶を引上げてゆくことにより棒状に成
長した単結晶を得る。不純物をドープしたシリコン単結
晶のうち、アンチモンドープシリコン単結晶を得るに
は、アンチモンを混入させたシリコン融液を用いて、上
記と同様に引上げることが行なわれていた。
リコン単結晶棒を引上げるには、シリコン融液を入れた
ルツボを回転させながら、種単結晶をシリコン融液中に
浸け、種単結晶にシリコンを折出させて、単結晶を成長
させ、徐々に単結晶を引上げてゆくことにより棒状に成
長した単結晶を得る。不純物をドープしたシリコン単結
晶のうち、アンチモンドープシリコン単結晶を得るに
は、アンチモンを混入させたシリコン融液を用いて、上
記と同様に引上げることが行なわれていた。
【０００３】このアンチモンドープシリコン単結晶引上
げの際の操作条件としては、ルツボ回転が高速（８ｒｐ
ｍ以上）の方が、結晶を安定して製造できる。しかし、
このようにすると断面内の抵抗率分布が不均一になって
しまう。これは、特に、軸方位〈１１１〉の単結晶で顕
著となる。従って、特に、軸方位〈１１１〉のアンチモ
ンドープシリコン単結晶の断面内の抵抗率分布を均一に
する技術の確立が望まれていた。
げの際の操作条件としては、ルツボ回転が高速（８ｒｐ
ｍ以上）の方が、結晶を安定して製造できる。しかし、
このようにすると断面内の抵抗率分布が不均一になって
しまう。これは、特に、軸方位〈１１１〉の単結晶で顕
著となる。従って、特に、軸方位〈１１１〉のアンチモ
ンドープシリコン単結晶の断面内の抵抗率分布を均一に
する技術の確立が望まれていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の操作条件で
軸方位〈１１１〉のアンチモンドープシリコンの単結晶
を製造した場合について詳しく検討してみたところ、図
３に示すように結晶の中央部がファセット成長してお
り、その部分のドーパント濃度が高くなっていることが
わかった。すなわち、従来のアンチモンを混入したシリ
コン融液からの軸方位〈１１１〉の単結晶成長を行なう
と８ｒｐｍ以上の高速のルツボ回転速度における引上げ
においては結晶中央部の成長界面がフラットになり、し
かもその部分のドーパント密度が高くなっていたのであ
る。
軸方位〈１１１〉のアンチモンドープシリコンの単結晶
を製造した場合について詳しく検討してみたところ、図
３に示すように結晶の中央部がファセット成長してお
り、その部分のドーパント濃度が高くなっていることが
わかった。すなわち、従来のアンチモンを混入したシリ
コン融液からの軸方位〈１１１〉の単結晶成長を行なう
と８ｒｐｍ以上の高速のルツボ回転速度における引上げ
においては結晶中央部の成長界面がフラットになり、し
かもその部分のドーパント密度が高くなっていたのであ
る。
【０００５】一方、軸方位〈１１１〉とする以外は上記
と同条件でアンチモンドープシリコン単結晶を成長させ
ると断面内の抵抗率分布は比較的均一である。そこで、
この軸方位〈１００〉の単結晶の成長状態を詳細に調べ
ると、図４に示すように結晶中央部の成長界面が下に凸
（融液側に凸）となる形で結晶が等温成長していること
がわかった。
と同条件でアンチモンドープシリコン単結晶を成長させ
ると断面内の抵抗率分布は比較的均一である。そこで、
この軸方位〈１００〉の単結晶の成長状態を詳細に調べ
ると、図４に示すように結晶中央部の成長界面が下に凸
（融液側に凸）となる形で結晶が等温成長していること
がわかった。
【０００６】上記軸方位〈１１１〉の単結晶についての
観察と軸方位〈１００〉の単結晶についての観察を対比
させることにより、軸方位〈１１１〉の単結晶では結晶
周辺部からの等温成長と、結晶中央部でのファセット成
長が同時進行していることがわかる。
観察と軸方位〈１００〉の単結晶についての観察を対比
させることにより、軸方位〈１１１〉の単結晶では結晶
周辺部からの等温成長と、結晶中央部でのファセット成
長が同時進行していることがわかる。
【０００７】本発明は上記の点を解決し、不純物をドー
プしたシリコン単結晶成長を好ましい等温成長を行わ
せ、特に、軸方位〈１１１〉の単結晶成長の場合におけ
る結晶中央部のファセット成長をなくし、断面内の抵抗
率分布を均一にすることにある。
プしたシリコン単結晶成長を好ましい等温成長を行わ
せ、特に、軸方位〈１１１〉の単結晶成長の場合におけ
る結晶中央部のファセット成長をなくし、断面内の抵抗
率分布を均一にすることにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明の単結晶シリコン棒の製造方法は、チョクラ
ルスキー法により、不純物をドープしたシリコン単結晶
を引上げる際、ルツボ回転速度を周期的に変化させるこ
とで結晶中の断面内の抵抗率分布を改善することを特徴
としている。すなわち、本発明は、結晶引上げ中にルツ
ボ回転速度を周期的に変化させ、特にルツボ回転が低速
となったとき、ルツボ底部から成長界面に直接到達する
高温の対流を誘導することで、成長界面を全体的に上に
凸とし、好ましい等温成長を行なわせ、特に軸方位〈１
１１〉の単結晶成長の場合における結晶中央部でのファ
セット成長をなくし、断面内の抵抗率分布を均一にする
ものである。
めに本発明の単結晶シリコン棒の製造方法は、チョクラ
ルスキー法により、不純物をドープしたシリコン単結晶
を引上げる際、ルツボ回転速度を周期的に変化させるこ
とで結晶中の断面内の抵抗率分布を改善することを特徴
としている。すなわち、本発明は、結晶引上げ中にルツ
ボ回転速度を周期的に変化させ、特にルツボ回転が低速
となったとき、ルツボ底部から成長界面に直接到達する
高温の対流を誘導することで、成長界面を全体的に上に
凸とし、好ましい等温成長を行なわせ、特に軸方位〈１
１１〉の単結晶成長の場合における結晶中央部でのファ
セット成長をなくし、断面内の抵抗率分布を均一にする
ものである。
【０００９】ルツボ回転速度の周期的変化は、８ｒｐｍ
以上から２ｒｐｍ以下に周期的に変化させるのが好まし
い。回転速度２ｒｐｍ以下の時に、上記ルツボ底部から
成長界面に直接到達する高温の対流が効果的に誘導さ
れ、回転速度８ｒｐｍ以上の時に結晶が異常の形状とな
らず、断面略円形の棒状になるような結晶成長が行なわ
れる。
以上から２ｒｐｍ以下に周期的に変化させるのが好まし
い。回転速度２ｒｐｍ以下の時に、上記ルツボ底部から
成長界面に直接到達する高温の対流が効果的に誘導さ
れ、回転速度８ｒｐｍ以上の時に結晶が異常の形状とな
らず、断面略円形の棒状になるような結晶成長が行なわ
れる。
【００１０】ルツボ回転速度を周期的に変化させる際の
周期Ｔは、３０秒以上１２０秒以下とするのが好まし
く、高速あるいは低速回転にある時間ｔH 、ｔL は、そ
の周期の２５〜７５％とするのが好ましい。
周期Ｔは、３０秒以上１２０秒以下とするのが好まし
く、高速あるいは低速回転にある時間ｔH 、ｔL は、そ
の周期の２５〜７５％とするのが好ましい。
【００１１】図５に上記周期Ｔと高速回転にある時間ｔ
H 、低速回転にある時間ｔL の関係の一例を示す。図５
においては、高速回転時のルツボ回転速度を８ｒｐｍと
し、低速回転時のルツボ回転速度を２ｒｐｍとし、周期
Ｔは６０秒とし、高速回転にある時間ｔH を３０秒と
し、低速回転にある時間ｔL を３０秒とした場合が示さ
れている。
H 、低速回転にある時間ｔL の関係の一例を示す。図５
においては、高速回転時のルツボ回転速度を８ｒｐｍと
し、低速回転時のルツボ回転速度を２ｒｐｍとし、周期
Ｔは６０秒とし、高速回転にある時間ｔH を３０秒と
し、低速回転にある時間ｔL を３０秒とした場合が示さ
れている。
【００１２】上記ｔH あるいはｔL が周期Ｔの２５〜７
５％となるようにすることにより、低速回転時におけ
る、結晶中央部での等温成長を可能とし、特に、軸方位
〈１１１〉の単結晶の成長の場合におけるファセット成
長を防止する対流と高速回転時における結晶の安定は成
長をバランスよく確保でき、断面的の抵抗率分布を均一
にするとともに、良好な形状にすることが可能となる。
５％となるようにすることにより、低速回転時におけ
る、結晶中央部での等温成長を可能とし、特に、軸方位
〈１１１〉の単結晶の成長の場合におけるファセット成
長を防止する対流と高速回転時における結晶の安定は成
長をバランスよく確保でき、断面的の抵抗率分布を均一
にするとともに、良好な形状にすることが可能となる。
【００１３】本発明においては、軸方位〈１１１〉の単
結晶成長において特に著しい効果を発現する。すなわ
ち、ルツボ回転速度を例えば８ｒｐｍで一定にして引上
げた場合に生じていた図３に示すような、結晶中央部で
のファセット成長によりもたらされたフラットな成長界
面が、ルツボ回転速度を８ｒｐｍと２ｒｐｍで図５に示
すように周期的に変化させることにより、図１に示すよ
うに、成長界面を全体に上に凸な形状とし、軸方位〈１
１１〉の単結晶成長において特に著しく生じていたファ
セット成長をなくし、等温成長を可能にし、断面内の抵
抗率分布を均一にすることができる。
結晶成長において特に著しい効果を発現する。すなわ
ち、ルツボ回転速度を例えば８ｒｐｍで一定にして引上
げた場合に生じていた図３に示すような、結晶中央部で
のファセット成長によりもたらされたフラットな成長界
面が、ルツボ回転速度を８ｒｐｍと２ｒｐｍで図５に示
すように周期的に変化させることにより、図１に示すよ
うに、成長界面を全体に上に凸な形状とし、軸方位〈１
１１〉の単結晶成長において特に著しく生じていたファ
セット成長をなくし、等温成長を可能にし、断面内の抵
抗率分布を均一にすることができる。
【００１４】上記においては、ドーパントとしてアンチ
モンを使用した場合を例にとって説明したが、本発明は
成長界面形状を変えることにより断面内の抵抗率分布を
均一化するものであるため、他のドーパント、例えば砒
素、リン、アルミニウム、ボロン、ガリウム、インジウ
ム等に対しても適用可能なことは自明である。
モンを使用した場合を例にとって説明したが、本発明は
成長界面形状を変えることにより断面内の抵抗率分布を
均一化するものであるため、他のドーパント、例えば砒
素、リン、アルミニウム、ボロン、ガリウム、インジウ
ム等に対しても適用可能なことは自明である。
【００１５】
【作用】単結晶引上げ中にルツボ回転速度を周期的に変
化させ、特にルツボ回転が低速となったとき、ルツボ底
部から成長界面に直接到達する高温の対流を誘導するこ
とで成長界面を上に凸にし、より好ましい等温成長を可
能にし、ドーパントが成長結晶中に均一に取り込まれる
ようになる。本発明の方法により軸方位〈１１１〉の単
結晶を成長させると、成長界面は全体に上に凸の形状に
なるとともにファセット成長が防止される。また、本発
明の方法により軸方位〈１００〉の単結晶を成長させる
と、ルツボ回転速度一定の場合にみられる中央部にあっ
た下に凸の界面部はなくなり、全体が上に凸の界面とす
ることができる。これにより、不純物元素をドーパント
したシリコン単結晶棒を引上げる際に、断面内の抵抗率
分布を均一化することが可能となる。
化させ、特にルツボ回転が低速となったとき、ルツボ底
部から成長界面に直接到達する高温の対流を誘導するこ
とで成長界面を上に凸にし、より好ましい等温成長を可
能にし、ドーパントが成長結晶中に均一に取り込まれる
ようになる。本発明の方法により軸方位〈１１１〉の単
結晶を成長させると、成長界面は全体に上に凸の形状に
なるとともにファセット成長が防止される。また、本発
明の方法により軸方位〈１００〉の単結晶を成長させる
と、ルツボ回転速度一定の場合にみられる中央部にあっ
た下に凸の界面部はなくなり、全体が上に凸の界面とす
ることができる。これにより、不純物元素をドーパント
したシリコン単結晶棒を引上げる際に、断面内の抵抗率
分布を均一化することが可能となる。
【００１６】
【実施例】次に実施例を挙げて本発明を説明する。 実施例１ ドーパントとしてアンチモンを使用し、直径４インチの
アンチモンドープシリコン単結晶棒をチョクラルスキー
法にて引上げた。引上げの際にルツボ回転速度を図５に
示すように周期的変化させた。高速回転時のルツボ回転
速度を８ｒｐｍとし、低速回転時のルツボ回転速度を２
ｒｐｍとし、周期Ｔは６０秒とし、高速回転にある時間
ｔH を３０秒とし、低速回転にある時間ｔL を３０秒と
した。得られた単結晶棒を成長軸に垂直な断面が出るよ
うに多数個に切断し、この断面内の抵抗率分布を測定
し、図６に示すような、軸方向の長さにおける半径方向
の抵抗率分布を求めた。図６から明らかなように、軸方
向に垂直な断面及び軸方向に平行な断面の両断面内の抵
抗率分布は１０％以下である。
アンチモンドープシリコン単結晶棒をチョクラルスキー
法にて引上げた。引上げの際にルツボ回転速度を図５に
示すように周期的変化させた。高速回転時のルツボ回転
速度を８ｒｐｍとし、低速回転時のルツボ回転速度を２
ｒｐｍとし、周期Ｔは６０秒とし、高速回転にある時間
ｔH を３０秒とし、低速回転にある時間ｔL を３０秒と
した。得られた単結晶棒を成長軸に垂直な断面が出るよ
うに多数個に切断し、この断面内の抵抗率分布を測定
し、図６に示すような、軸方向の長さにおける半径方向
の抵抗率分布を求めた。図６から明らかなように、軸方
向に垂直な断面及び軸方向に平行な断面の両断面内の抵
抗率分布は１０％以下である。
【００１７】比較例１ ルツボ回転速度を８ｒｐｍで一定とする以外は実施例１
と同様にして、抵抗率分布を求めた。その結果を図６に
併記する。図６から明らかなように断面内の抵抗率分布
は最大２０％のバラツキを示した。
と同様にして、抵抗率分布を求めた。その結果を図６に
併記する。図６から明らかなように断面内の抵抗率分布
は最大２０％のバラツキを示した。
【００１８】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、チョクラルスキー法により、不純物元素をドー
プしたシリコン単結晶を引上げる際、ルツボ回転速度を
周期的に変化させることで、成長界面を上に凸にし、好
ましい等温成長を可能にして、ドーパントが成長結晶中
に均一に取り込まれるようにし、成長結晶断面内の抵抗
率分布を均一化することができる。特に、本発明の方法
により軸方位〈１１１〉の単結晶を成長させると、ファ
セット成長が防止され、抵抗率分布の均一化の効果が顕
著に表われる。
よれば、チョクラルスキー法により、不純物元素をドー
プしたシリコン単結晶を引上げる際、ルツボ回転速度を
周期的に変化させることで、成長界面を上に凸にし、好
ましい等温成長を可能にして、ドーパントが成長結晶中
に均一に取り込まれるようにし、成長結晶断面内の抵抗
率分布を均一化することができる。特に、本発明の方法
により軸方位〈１１１〉の単結晶を成長させると、ファ
セット成長が防止され、抵抗率分布の均一化の効果が顕
著に表われる。
【図１】本発明の方法により軸方位〈１１１〉の単結晶
成長を行なった場合における成長界面の断面形状を示す
説明図である。
成長を行なった場合における成長界面の断面形状を示す
説明図である。
【図２】本発明の方法により軸方位〈１００〉の単結晶
成長を行なった場合における成長界面の断面形状を示す
説明図である。
成長を行なった場合における成長界面の断面形状を示す
説明図である。
【図３】ルツボ回転速度を一定にして軸方位〈１１１〉
の単結晶成長を行なった場合における成長界面の断面形
状を示す説明図である。
の単結晶成長を行なった場合における成長界面の断面形
状を示す説明図である。
【図４】ルツボ回転速度を一定にして軸方位〈１００〉
の単結晶成長を行なった場合における成長界面の断面形
状を説明図である。
の単結晶成長を行なった場合における成長界面の断面形
状を説明図である。
【図５】本発明の方法におけるルツボ回転速度を周期的
に変化させる場合の一例を示すグラフである。
に変化させる場合の一例を示すグラフである。
【図６】実施例及び比較例で得られるアンチモンドープ
シリコン単結晶棒の断面の抵抗率分布を示すグラフであ
る。
シリコン単結晶棒の断面の抵抗率分布を示すグラフであ
る。
Claims (6)
- 【請求項１】 チョクラルスキー法により、不純物元素
をドープしたシリコン単結晶を引上げる際、ルツボ回転
速度を周期的に変化させることで結晶中の断面内の抵抗
率分布を改善することを特徴とする単結晶シリコン棒の
製造方法。 - 【請求項２】 ルツボ回転速度の周期的変化が８ｒｐｍ
以上の回転速度と２ｒｐｍ以下の回転速度との周期的な
増減により行なわれる請求項１記載の単結晶シリコン棒
の製造方法。 - 【請求項３】 ルツボ回転速度を周期的に変化させる際
の周期が３０秒以上１２０秒以下であり、高速あるいは
低速回転にある時間は、その周期の２５〜７５％である
請求項１記載の単結晶シリコン棒の製造方法。 - 【請求項４】 単結晶が軸方位〈１１１〉の単結晶であ
る請求項１〜３のいずれか１項に記載の単結晶シリコン
棒の製造方法。 - 【請求項５】 不純物元素がアンチモンである請求項１
〜５のいずれか１項に記載の単結晶シリコン棒の製造方
法。 - 【請求項６】 不純物元素が砒素、リン、アルミニウ
ム、ボロン、ガリウム、またはインジウムである請求項
１〜５のいずれか１項に記載の単結晶シリコン棒の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4038474A JP2795030B2 (ja) | 1992-01-29 | 1992-01-29 | 単結晶シリコン棒の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4038474A JP2795030B2 (ja) | 1992-01-29 | 1992-01-29 | 単結晶シリコン棒の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05208892A true JPH05208892A (ja) | 1993-08-20 |
| JP2795030B2 JP2795030B2 (ja) | 1998-09-10 |
Family
ID=12526254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4038474A Expired - Lifetime JP2795030B2 (ja) | 1992-01-29 | 1992-01-29 | 単結晶シリコン棒の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2795030B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000073542A1 (fr) * | 1999-05-28 | 2000-12-07 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Monocristal de czochralski dope au ga et son procede de fabrication |
| WO2004003265A1 (ja) * | 2002-07-01 | 2004-01-08 | Sumitomo Titanium Corporation | シリコン単結晶材料とその製造方法 |
| WO2008038693A1 (fr) * | 2006-09-29 | 2008-04-03 | Sumco Techxiv Corporation | procédé d'injection de gaz dopant |
| WO2008114822A1 (ja) * | 2007-03-19 | 2008-09-25 | Mnk-Sog Silicon, Inc. | シリコンインゴットの製造方法および製造装置 |
| JP2014509584A (ja) * | 2011-03-28 | 2014-04-21 | エルジー シルトロン インコーポレイテッド | 単結晶インゴットの製造方法およびこれによって製造された単結晶インゴットとウェハ |
| WO2018105317A1 (ja) * | 2016-12-09 | 2018-06-14 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶製造方法及びシリコン単結晶ウェーハ |
| CN114381799A (zh) * | 2021-12-31 | 2022-04-22 | 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 | 消除重掺锑管道的方法 |
| CN117702268A (zh) * | 2023-02-23 | 2024-03-15 | 隆基绿能科技股份有限公司 | 一种单晶硅棒及其制得的硅片、电池和电池组件 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6317291A (ja) * | 1986-07-09 | 1988-01-25 | Seiji Kumakawa | 結晶成長方法及びその装置 |
| JPH03164495A (ja) * | 1989-11-24 | 1991-07-16 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | アンチモンドープ単結晶シリコンの育成方法 |
-
1992
- 1992-01-29 JP JP4038474A patent/JP2795030B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6317291A (ja) * | 1986-07-09 | 1988-01-25 | Seiji Kumakawa | 結晶成長方法及びその装置 |
| JPH03164495A (ja) * | 1989-11-24 | 1991-07-16 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | アンチモンドープ単結晶シリコンの育成方法 |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000073542A1 (fr) * | 1999-05-28 | 2000-12-07 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Monocristal de czochralski dope au ga et son procede de fabrication |
| US6815605B1 (en) | 1999-05-28 | 2004-11-09 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Silicon single crystal and wafer doped with gallium and method for producing them |
| KR100676459B1 (ko) * | 1999-05-28 | 2007-01-31 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | Ｇａ첨가 ＣＺ 단결정 및 웨이퍼 그리고 그 제조방법 |
| WO2004003265A1 (ja) * | 2002-07-01 | 2004-01-08 | Sumitomo Titanium Corporation | シリコン単結晶材料とその製造方法 |
| WO2008038693A1 (fr) * | 2006-09-29 | 2008-04-03 | Sumco Techxiv Corporation | procédé d'injection de gaz dopant |
| WO2008114822A1 (ja) * | 2007-03-19 | 2008-09-25 | Mnk-Sog Silicon, Inc. | シリコンインゴットの製造方法および製造装置 |
| JP2014509584A (ja) * | 2011-03-28 | 2014-04-21 | エルジー シルトロン インコーポレイテッド | 単結晶インゴットの製造方法およびこれによって製造された単結晶インゴットとウェハ |
| WO2018105317A1 (ja) * | 2016-12-09 | 2018-06-14 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶製造方法及びシリコン単結晶ウェーハ |
| JP2018095489A (ja) * | 2016-12-09 | 2018-06-21 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶製造方法及びシリコン単結晶ウェーハ |
| KR20190092417A (ko) | 2016-12-09 | 2019-08-07 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 실리콘 단결정 제조방법 및 실리콘 단결정 웨이퍼 |
| DE112017005704T5 (de) | 2016-12-09 | 2019-09-26 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Verfahren zum Herstellen eines Silizium-Einkristalls und Silizium-Einkristallwafer |
| US11053606B2 (en) | 2016-12-09 | 2021-07-06 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method of producing silicon single crystal, and silicon single crystal wafer |
| DE112017005704B4 (de) | 2016-12-09 | 2024-05-23 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Verfahren zum Herstellen eines Silizium-Einkristalls und Silizium-Einkristallwafer |
| CN114381799A (zh) * | 2021-12-31 | 2022-04-22 | 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 | 消除重掺锑管道的方法 |
| CN117702268A (zh) * | 2023-02-23 | 2024-03-15 | 隆基绿能科技股份有限公司 | 一种单晶硅棒及其制得的硅片、电池和电池组件 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2795030B2 (ja) | 1998-09-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6472040B1 (en) | Semi-pure and pure monocrystalline silicon ingots and wafers | |
| JP5831436B2 (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
| US6461582B2 (en) | Single-crystal rod and process for its production | |
| US5902394A (en) | Oscillating crucible for stabilization of Czochralski (CZ) silicon melt | |
| JPH05208892A (ja) | 単結晶シリコン棒の製造方法 | |
| JP2004307305A (ja) | シリコン単結晶及び単結晶育成方法 | |
| Shibata et al. | Observation of edge-facets in< 100> InP crystals grown by LEC method | |
| JP2688137B2 (ja) | シリコン単結晶の引上げ方法 | |
| JPH09255485A (ja) | シリコン単結晶の製造方法および種結晶 | |
| KR102514915B1 (ko) | 잉곳 품질을 향상시키기 위한 실리콘 용융물에서의 도펀트 농도 제어 | |
| JP4207577B2 (ja) | Ｐドープシリコン単結晶の製造方法 | |
| JPH11130592A (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
| US5089082A (en) | Process and apparatus for producing silicon ingots having high oxygen content by crucible-free zone pulling, silicon ingots obtainable thereby and silicon wafers produced therefrom | |
| JP3927786B2 (ja) | 単結晶の製造方法 | |
| US5976246A (en) | Process for producing silicon single crystal | |
| JP3141975B2 (ja) | 不純物添加シリコン単結晶の育成方法 | |
| JP2003246695A (ja) | 高濃度にドーピングされたシリコン単結晶の製造方法 | |
| US5458083A (en) | Growth method for a rod form of single oxide crystal | |
| JP4218460B2 (ja) | 単結晶製造用黒鉛ヒーター及び単結晶製造装置ならびに単結晶製造方法 | |
| JP2001199789A (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
| JP2005067927A (ja) | シリコン種結晶およびシリコン単結晶の製造方法 | |
| JPH04305091A (ja) | 単結晶引上方法及びその装置 | |
| JP2001199788A (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
| RU2177513C1 (ru) | Способ выращивания монокристаллов кремния | |
| JP3633212B2 (ja) | 単結晶成長方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 10 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080626 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080626 Year of fee payment: 10 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 10 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080626 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 11 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090626 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 12 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100626 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100626 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 13 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110626 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110626 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120626 Year of fee payment: 14 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 14 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120626 |