JPH05202478A - 基板上にコーティングを形成させる方法 - Google Patents
基板上にコーティングを形成させる方法Info
- Publication number
- JPH05202478A JPH05202478A JP4194166A JP19416692A JPH05202478A JP H05202478 A JPH05202478 A JP H05202478A JP 4194166 A JP4194166 A JP 4194166A JP 19416692 A JP19416692 A JP 19416692A JP H05202478 A JPH05202478 A JP H05202478A
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- JP
- Japan
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- substrate
- vapor
- deposition chamber
- coating
- coatings
- Prior art date
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/401—Oxides containing silicon
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- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板上にコーティングを形成させる方法を提
供する。 【構成】 本方法は、構造式〔ＲＲ’Ｓi Ｏ〕x で示さ
れるフッ素化環状シロキサンを含んで成る蒸気を、基板
を含有する堆積室内に十分量導入する工程と、高周波に
よるプラズマ放電作用によって堆積室内で前記蒸気の反
応を誘発する工程とから成る。
供する。 【構成】 本方法は、構造式〔ＲＲ’Ｓi Ｏ〕x で示さ
れるフッ素化環状シロキサンを含んで成る蒸気を、基板
を含有する堆積室内に十分量導入する工程と、高周波に
よるプラズマ放電作用によって堆積室内で前記蒸気の反
応を誘発する工程とから成る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、揮発性フッ素化環状シ
ロキサンのプラズマＣＶＤ（plasma-activated chemica
l vapor deposition) により生成した薄膜の堆積によっ
て製造されたコーティングに関する。揮発性フッ素化シ
ロキサンは、構造式〔ＲＲ’ＳｉＯ〕 X で示され、該式
中、Ｒは炭素原子数１〜６個を有するアルキル基であ
り、Ｒ’は炭素原子数３〜１０個を有するフッ素化アル
キル基であり、珪素原子に対してα位及びβ位にある炭
素は水素化されており、そしてｘは３または４である。
これら特定のコーティングは、その保護特性及び絶縁特
性故に有用である。
ロキサンのプラズマＣＶＤ（plasma-activated chemica
l vapor deposition) により生成した薄膜の堆積によっ
て製造されたコーティングに関する。揮発性フッ素化シ
ロキサンは、構造式〔ＲＲ’ＳｉＯ〕 X で示され、該式
中、Ｒは炭素原子数１〜６個を有するアルキル基であ
り、Ｒ’は炭素原子数３〜１０個を有するフッ素化アル
キル基であり、珪素原子に対してα位及びβ位にある炭
素は水素化されており、そしてｘは３または４である。
これら特定のコーティングは、その保護特性及び絶縁特
性故に有用である。
【０００２】本発明の方法は、コーティングされるべき
基板を含む堆積（反応）室に気化したシロキサンを導入
する工程と、続く高周波（ＲＦ）〔電界〕で励起したプ
ラズマによって蒸気の反応を誘発する工程からなる。こ
うして製造された特定のコーティングは有用な物理特性
を示す。
基板を含む堆積（反応）室に気化したシロキサンを導入
する工程と、続く高周波（ＲＦ）〔電界〕で励起したプ
ラズマによって蒸気の反応を誘発する工程からなる。こ
うして製造された特定のコーティングは有用な物理特性
を示す。
【０００３】
【従来の技術】ガスまたは化学蒸気を用いる薄膜のプラ
ズマＣＶＤは、膜形成分野または各種基板のコーティン
グ分野では周知の技法である。様々な膜を形成を可能に
する、この技法において有用な数多くの化学蒸気が知ら
れている。例えば、珪素及び炭素を含有する薄膜は、シ
ラン（Ｓi Ｈ4)−メタンまたはシラン−エチレンの混合
物、並びにテトラメチルシラン−アルゴンの混合物のプ
ラズマＣＶＤによって得ることができる。同様に、酸化
ガス（例、空気、酸素、オゾン、ＮＯ2 など）と混合し
たシラン類（例、ＳｉＨ4 、Ｈ2 ＳｉＣｌ2 など）から
酸化珪素タイプの膜を製造することが知られている。
ズマＣＶＤは、膜形成分野または各種基板のコーティン
グ分野では周知の技法である。様々な膜を形成を可能に
する、この技法において有用な数多くの化学蒸気が知ら
れている。例えば、珪素及び炭素を含有する薄膜は、シ
ラン（Ｓi Ｈ4)−メタンまたはシラン−エチレンの混合
物、並びにテトラメチルシラン−アルゴンの混合物のプ
ラズマＣＶＤによって得ることができる。同様に、酸化
ガス（例、空気、酸素、オゾン、ＮＯ2 など）と混合し
たシラン類（例、ＳｉＨ4 、Ｈ2 ＳｉＣｌ2 など）から
酸化珪素タイプの膜を製造することが知られている。
【０００４】しかしながら、今まで知られていなかった
ことは、揮発性のフッ素化環状シロキサンをプラズマＣ
ＶＤ用の原料ガスとして使用することで、珪素を含有す
るフッ素ポリマー膜が得られるということである。
ことは、揮発性のフッ素化環状シロキサンをプラズマＣ
ＶＤ用の原料ガスとして使用することで、珪素を含有す
るフッ素ポリマー膜が得られるということである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、基板上にコ
ーティングを形成させる方法に関する。本方法は、構造
式〔ＲＲ’ＳｉＯ〕X （式中、Ｒは炭素原子数１〜６個
を有する炭化水素基であり、Ｒ’は炭素原子数３〜１０
個を有するフッ素化炭化水素基であり、珪素原子に対し
てα位及びβ位にある炭素は水素化されており、そして
ｘは３または４である）で示されるフッ素化環状シロキ
サンを含んで成る蒸気を、基板を含有する堆積室内に十
分量導入する工程から成る。次いで、堆積室内の蒸気の
分解反応が、堆積室内で高周波（ＲＦ）により励起され
たプラズマの放電作用によって誘発される。
ーティングを形成させる方法に関する。本方法は、構造
式〔ＲＲ’ＳｉＯ〕X （式中、Ｒは炭素原子数１〜６個
を有する炭化水素基であり、Ｒ’は炭素原子数３〜１０
個を有するフッ素化炭化水素基であり、珪素原子に対し
てα位及びβ位にある炭素は水素化されており、そして
ｘは３または４である）で示されるフッ素化環状シロキ
サンを含んで成る蒸気を、基板を含有する堆積室内に十
分量導入する工程から成る。次いで、堆積室内の蒸気の
分解反応が、堆積室内で高周波（ＲＦ）により励起され
たプラズマの放電作用によって誘発される。
【０００６】本発明はまた、前記方法によって製造され
た特定のコーティングにも関する。
た特定のコーティングにも関する。
【０００７】
【課題を解決するための手段、作用、及び効果】本発明
は、特定のコーティングがフッ素化環状シロキサンの蒸
気から形成されうるという発見に基づくものである。高
周波により励起されたプラズマ放電がシロキサン蒸気の
反応を誘発し、続いて基板表面にポリマー膜堆積物を形
成させると、基板上にコーティングが形成される。本方
法に用いられる化学蒸気または原料ガスは、フッ素化環
状シロキサンから成る。より詳細には、原料ガスは、構
造式〔ＲＲ’ＳｉＯ〕X （式中、Ｒは炭素原子数１〜６
個を有する炭化水素基であり、Ｒ’は炭素原子数３〜１
０個を有するフッ素化炭化水素基であり、珪素原子に対
してα位及びβ位にある炭素は水素化されており、そし
てｘは３または４である）で示されるフッ素化環状シロ
キサンである。このような物質の例として、2, 4, 6 −
トリ（3, 3, 3 −トリフルオロプロピル）−2, 4, 6 −
トリメチルシクロトリシロキサン、及び 2，4, 6−トリ
（３, 3, 4, 4, 5, 6, 6, 6 −ノナフルオロヘキシル）
−２, 4, 6−トリメチルシクロトリシロキサンが挙げら
れる。本発明の用途に好ましいシロキサンは、２, 4, 6
−トリ（３, 3, 3−トリフルオロプロピル）−２, 4, 6
−トリメチルシクロトリシロキサンである。これらのシ
ロキサンやその製造方法は周知であり、そして多くのシ
ロキサンが市販されている。
は、特定のコーティングがフッ素化環状シロキサンの蒸
気から形成されうるという発見に基づくものである。高
周波により励起されたプラズマ放電がシロキサン蒸気の
反応を誘発し、続いて基板表面にポリマー膜堆積物を形
成させると、基板上にコーティングが形成される。本方
法に用いられる化学蒸気または原料ガスは、フッ素化環
状シロキサンから成る。より詳細には、原料ガスは、構
造式〔ＲＲ’ＳｉＯ〕X （式中、Ｒは炭素原子数１〜６
個を有する炭化水素基であり、Ｒ’は炭素原子数３〜１
０個を有するフッ素化炭化水素基であり、珪素原子に対
してα位及びβ位にある炭素は水素化されており、そし
てｘは３または４である）で示されるフッ素化環状シロ
キサンである。このような物質の例として、2, 4, 6 −
トリ（3, 3, 3 −トリフルオロプロピル）−2, 4, 6 −
トリメチルシクロトリシロキサン、及び 2，4, 6−トリ
（３, 3, 4, 4, 5, 6, 6, 6 −ノナフルオロヘキシル）
−２, 4, 6−トリメチルシクロトリシロキサンが挙げら
れる。本発明の用途に好ましいシロキサンは、２, 4, 6
−トリ（３, 3, 3−トリフルオロプロピル）−２, 4, 6
−トリメチルシクロトリシロキサンである。これらのシ
ロキサンやその製造方法は周知であり、そして多くのシ
ロキサンが市販されている。
【０００８】上述のシロキサンは、本発明の方法におい
て蒸気として使用される。これらの蒸気は、シロキサン
を通常約５０〜２００℃の間の温度に加熱することによ
って一般に得られる。次いで、こうして得られた蒸気
は、不活性運搬ガス（例、アルゴン、ヘリウムなど）の
ような別のガスで、または薄膜の組成を改変できる別の
ガスで希釈することが普通である。代わりの方法とし
て、約５０〜２００℃の温度に加熱された液状シロキサ
ンの蒸気で、アルゴンまたはヘリウムのような運搬ガス
を飽和させることができる。
て蒸気として使用される。これらの蒸気は、シロキサン
を通常約５０〜２００℃の間の温度に加熱することによ
って一般に得られる。次いで、こうして得られた蒸気
は、不活性運搬ガス（例、アルゴン、ヘリウムなど）の
ような別のガスで、または薄膜の組成を改変できる別の
ガスで希釈することが普通である。代わりの方法とし
て、約５０〜２００℃の温度に加熱された液状シロキサ
ンの蒸気で、アルゴンまたはヘリウムのような運搬ガス
を飽和させることができる。
【０００９】堆積室内に導入されるガスの全圧は、プラ
ズマの放電を促進し且つ適当なコーティング堆積速度を
提供する水準で制御されるべきである。圧力は、プラズ
マに用いられる特定の周波数に依存して、幅広い範囲内
で変化しうる。一般に、全圧１．３３〜約１３３３ Pａ
（０．０１〜約１０torr）が堆積処理に好ましい条件を
提供する。全圧６．６７〜１３３．３ Pａが好ましく、
全圧約１３．３ Pａが最も好ましい。
ズマの放電を促進し且つ適当なコーティング堆積速度を
提供する水準で制御されるべきである。圧力は、プラズ
マに用いられる特定の周波数に依存して、幅広い範囲内
で変化しうる。一般に、全圧１．３３〜約１３３３ Pａ
（０．０１〜約１０torr）が堆積処理に好ましい条件を
提供する。全圧６．６７〜１３３．３ Pａが好ましく、
全圧約１３．３ Pａが最も好ましい。
【００１０】プラズマ放電を含有する室内に導入される
化学蒸気量は、上述の減圧条件に適合する分圧を提供す
るのに十分でなければならない。その結果、導入される
べき蒸気量を調節して、室内の全圧を１．３３〜約１３
３３ Pａ、好ましくは６．６７〜１３３．３ Pａとすべ
きである。本方法は、静的条件下で行うことができる
が、通常は、堆積室内のある部分に制御された量の蒸気
を連続的に導入する一方、別の部分を減圧にしてプラズ
マ放電領域内に蒸気の流れを生み出す方法が好ましい。
室内に蒸気圧約１．３３〜１３３３ Pａを提供するのに
十分量の蒸気を連続的に導入し、一方でキャリヤーガ
ス、ガス生成物、または他の変性ガスを対応する速度で
堆積室内から連続的に排出する。
化学蒸気量は、上述の減圧条件に適合する分圧を提供す
るのに十分でなければならない。その結果、導入される
べき蒸気量を調節して、室内の全圧を１．３３〜約１３
３３ Pａ、好ましくは６．６７〜１３３．３ Pａとすべ
きである。本方法は、静的条件下で行うことができる
が、通常は、堆積室内のある部分に制御された量の蒸気
を連続的に導入する一方、別の部分を減圧にしてプラズ
マ放電領域内に蒸気の流れを生み出す方法が好ましい。
室内に蒸気圧約１．３３〜１３３３ Pａを提供するのに
十分量の蒸気を連続的に導入し、一方でキャリヤーガ
ス、ガス生成物、または他の変性ガスを対応する速度で
堆積室内から連続的に排出する。
【００１１】次いで、堆積室内に導入された蒸気はＲＦ
によるプラズマ放電を受ける。一般にこの放電は無線周
波数約１〜１００ MHz、出力１〜１０００Ｗを供給する
ＡＣ発生器によって作り出される。特に好ましいプラズ
マ条件は、無線周波数約１３．５６〜２７MHz 及び出力
約２０〜２００Ｗである。
によるプラズマ放電を受ける。一般にこの放電は無線周
波数約１〜１００ MHz、出力１〜１０００Ｗを供給する
ＡＣ発生器によって作り出される。特に好ましいプラズ
マ条件は、無線周波数約１３．５６〜２７MHz 及び出力
約２０〜２００Ｗである。
【００１２】堆積室内の基板温度を制御して、膜の堆積
を促進することが一般的である。一般に、室温から約３
００℃以下の範囲が用いられる。
を促進することが一般的である。一般に、室温から約３
００℃以下の範囲が用いられる。
【００１３】本発明に影響を及ぼすことなく堆積室を改
変することもできる。例えば、基板から離れた場所でプ
ラズマ放電にシロキサン蒸気を暴露させ、ついでその反
応生成物を基板上に向けさせることができる。同様に、
放電の形状は二極管または三極管反応器の形状であるこ
と、及び／または基板は堆積の際に印加されたＲＦによ
り誘発された負分極（「バイアス電圧」として理解され
る）で維持されることができる。このような負分極（バ
イアス電圧）は０〜−１００Ｖの間で変化しうる。
変することもできる。例えば、基板から離れた場所でプ
ラズマ放電にシロキサン蒸気を暴露させ、ついでその反
応生成物を基板上に向けさせることができる。同様に、
放電の形状は二極管または三極管反応器の形状であるこ
と、及び／または基板は堆積の際に印加されたＲＦによ
り誘発された負分極（「バイアス電圧」として理解され
る）で維持されることができる。このような負分極（バ
イアス電圧）は０〜−１００Ｖの間で変化しうる。
【００１４】本発明の方法によって堆積されたコーティ
ングの性質及び特性は幅広い範囲にわたり変化しうる。
例えば、基板温度、基板に印加する負分極電圧、印加出
力、供給ガス、放電形状などのような条件を変更するこ
とによって、コーティングを改変することができる。後
述の実施例は、これら堆積条件のいくつかを示す。
ングの性質及び特性は幅広い範囲にわたり変化しうる。
例えば、基板温度、基板に印加する負分極電圧、印加出
力、供給ガス、放電形状などのような条件を変更するこ
とによって、コーティングを改変することができる。後
述の実施例は、これら堆積条件のいくつかを示す。
【００１５】得られるコーティングは、約０．０２〜２
マイクロメートルの範囲の様々な厚みで製造されること
ができる。
マイクロメートルの範囲の様々な厚みで製造されること
ができる。
【００１６】本発明により得られる膜またはコーティン
グは、炭素、珪素、酸素、水素、及びフッ素を含有し、
以下のおよその原子パーセント（Ｘ線光電子分光写真法
（ＸＰＳ）で測定）： 炭素；３０〜６０％ 珪素；１０〜２５％ 酸素；１０〜３５％ フッ素；１０〜３６．５％ を示す。
グは、炭素、珪素、酸素、水素、及びフッ素を含有し、
以下のおよその原子パーセント（Ｘ線光電子分光写真法
（ＸＰＳ）で測定）： 炭素；３０〜６０％ 珪素；１０〜２５％ 酸素；１０〜３５％ フッ素；１０〜３６．５％ を示す。
【００１７】さらに、ＸＰＳでは定量できないが赤外分
光分析（ＦＴＩＲ型）におけるＣ−Ｈシグナルによって
確認されるように、コーティング中には水素も存在す
る。特に注目すべきことは、赤外分光分析（ＦＴＩＲ）
がＳｉ−ＦまたはＳｉ−Ｈをコーティング中に存在する
ものとしては示さないという事実である。
光分析（ＦＴＩＲ型）におけるＣ−Ｈシグナルによって
確認されるように、コーティング中には水素も存在す
る。特に注目すべきことは、赤外分光分析（ＦＴＩＲ）
がＳｉ−ＦまたはＳｉ−Ｈをコーティング中に存在する
ものとしては示さないという事実である。
【００１８】これらのコーティングは、多くの望ましい
特性、例えば高い硬度、非常に低い気孔率、基板への良
好な付着性、高い屈折率、疎水性、良好な絶縁特性、透
明性、及び無着色性を示す。例えば、ガラス基板に堆積
させたこれらのコーティングの硬度は、ＡＳＴＭ Ｄ３
６３３鉛筆試験による測定で２Ｂ〜９Ｈであり；シリコ
ンウェハーに堆積させたその硬度は２Ｈ〜４Ｈであっ
た。Ｈ範囲に分類される膜は耐引掻性が高い。同様に、
膜で被覆したガラス基板上に付着した一滴の水の接触角
により測定した疎水性は７５°〜９５°の間であった。
膜はまた良好な誘電特性をも示し、ガラス基板上に堆積
した場合、比導電率約０．７×１０-9〜約１７×１０-9
ohm-1・cm-1を示す。最後に、コーティングの屈折率
は、ガラス基板の可視領域における測定で約１．８０〜
２．０であった。
特性、例えば高い硬度、非常に低い気孔率、基板への良
好な付着性、高い屈折率、疎水性、良好な絶縁特性、透
明性、及び無着色性を示す。例えば、ガラス基板に堆積
させたこれらのコーティングの硬度は、ＡＳＴＭ Ｄ３
６３３鉛筆試験による測定で２Ｂ〜９Ｈであり；シリコ
ンウェハーに堆積させたその硬度は２Ｈ〜４Ｈであっ
た。Ｈ範囲に分類される膜は耐引掻性が高い。同様に、
膜で被覆したガラス基板上に付着した一滴の水の接触角
により測定した疎水性は７５°〜９５°の間であった。
膜はまた良好な誘電特性をも示し、ガラス基板上に堆積
した場合、比導電率約０．７×１０-9〜約１７×１０-9
ohm-1・cm-1を示す。最後に、コーティングの屈折率
は、ガラス基板の可視領域における測定で約１．８０〜
２．０であった。
【００１９】これらの特徴が本発明のコーティングに同
時に存在する場合、本コーティングは、各種の基板、例
えばシリコンウェハー、ガラス、セラミックス、金属、
及びポリマー材をコーティングするのに有用である。例
えば、透明性及び高い硬度によって、多数のプラスチッ
ク材料、例えばポリカーボネート、ポリメタクリル酸メ
チル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテ
レフタレート、及びそれらのアロイや混合物を、有機ポ
リマーのスクリーンまたは眼鏡として使用するシート、
ラミネート、またはプレートに成形または押出した場合
に、それらを被覆する耐引掻性コーティングとして使用
することが可能である。同様に、コーティングが疎水
性、透明、及び無色である場合、それらは食料品や医薬
品の包装用材料の密封特性を改善するのに有用である。
コーティングが疎水性、透明、無色であり且つ高い屈折
率及び高い硬度を示す場合、それらは例えば建築物の正
面のような絶縁ガラスとして有用である。コーティング
が透明、無色であり且つ高い屈折率及び高い硬度を示す
場合、高屈折率を有する軟質無機ガラス製またはプラス
チック製の眼用レンズの耐引掻性コーティングとして有
用である。最後に、電気絶縁性、疎水性、及び高接着性
の良好な特性の組合わせは、コーティングを、ミクロ電
子工学用の絶縁、保護層として有用なものとする。
時に存在する場合、本コーティングは、各種の基板、例
えばシリコンウェハー、ガラス、セラミックス、金属、
及びポリマー材をコーティングするのに有用である。例
えば、透明性及び高い硬度によって、多数のプラスチッ
ク材料、例えばポリカーボネート、ポリメタクリル酸メ
チル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテ
レフタレート、及びそれらのアロイや混合物を、有機ポ
リマーのスクリーンまたは眼鏡として使用するシート、
ラミネート、またはプレートに成形または押出した場合
に、それらを被覆する耐引掻性コーティングとして使用
することが可能である。同様に、コーティングが疎水
性、透明、及び無色である場合、それらは食料品や医薬
品の包装用材料の密封特性を改善するのに有用である。
コーティングが疎水性、透明、無色であり且つ高い屈折
率及び高い硬度を示す場合、それらは例えば建築物の正
面のような絶縁ガラスとして有用である。コーティング
が透明、無色であり且つ高い屈折率及び高い硬度を示す
場合、高屈折率を有する軟質無機ガラス製またはプラス
チック製の眼用レンズの耐引掻性コーティングとして有
用である。最後に、電気絶縁性、疎水性、及び高接着性
の良好な特性の組合わせは、コーティングを、ミクロ電
子工学用の絶縁、保護層として有用なものとする。
【００２０】
【実施例】当該技術分野の専門家が本発明を容易に理解
できるように、以下に非限定的な実施例を記載する。
できるように、以下に非限定的な実施例を記載する。
【００２１】実施例１ 二極管形プラズマ反応器の接地電極の上部に研磨ガラス
基板を配置し、１３．５６MHz の高周波発生器に接続し
た。２, 4, 6−トリ（３, 3, 3−トリフルオロプロピ
ル）−２, 4, 6−トリメチルシクロトリシロキサンを５
０℃に加熱し、そして流速６標準cc／分のアルゴンで運
搬して反応器内に導入した。基板温度は３０℃に維持
し、反応器内圧力は１３．３３ Pａに維持した。プラズ
マ放電を５０Ｗで開始し、そしてレーザーインターフェ
ロメトリーを用いて膜厚を連続的に監視した。１５分後
給電を中断した。
基板を配置し、１３．５６MHz の高周波発生器に接続し
た。２, 4, 6−トリ（３, 3, 3−トリフルオロプロピ
ル）−２, 4, 6−トリメチルシクロトリシロキサンを５
０℃に加熱し、そして流速６標準cc／分のアルゴンで運
搬して反応器内に導入した。基板温度は３０℃に維持
し、反応器内圧力は１３．３３ Pａに維持した。プラズ
マ放電を５０Ｗで開始し、そしてレーザーインターフェ
ロメトリーを用いて膜厚を連続的に監視した。１５分後
給電を中断した。
【００２２】厚み１μm のコーティングは、以下の特性
を示した：膜に付着した水滴の接触角は９１°であり；
ＡＳＴＭ Ｄ３３６３「鉛筆試験」による硬度は分類２
Ｂに相当し；導電率は１．７×１０-9 ohm-1・cm-1であ
り；そしてManifacier-Gaslot 法による屈折率は６３０
nm（２５℃）で１．９５であった（J. Physics, E: Sci
entific Instruments, 9, 1002, 1976を参照のこと）。
を示した：膜に付着した水滴の接触角は９１°であり；
ＡＳＴＭ Ｄ３３６３「鉛筆試験」による硬度は分類２
Ｂに相当し；導電率は１．７×１０-9 ohm-1・cm-1であ
り；そしてManifacier-Gaslot 法による屈折率は６３０
nm（２５℃）で１．９５であった（J. Physics, E: Sci
entific Instruments, 9, 1002, 1976を参照のこと）。
【００２３】実施例２ 実施例１と同じ条件の同じプラズマ反応器内に研磨ガラ
ス基板を配置したが、但し、反応器は三極管形状で組み
立てた。基板を第三電極上に配置し、高周波源に接続
し、そして３０℃に維持して分極電圧−５０Ｖを印加し
た。１６分後、給電を中断した。
ス基板を配置したが、但し、反応器は三極管形状で組み
立てた。基板を第三電極上に配置し、高周波源に接続
し、そして３０℃に維持して分極電圧−５０Ｖを印加し
た。１６分後、給電を中断した。
【００２４】厚み１．６μm のコーティングは、以下の
特性を示した；ＡＳＴＭ Ｄ３３６３「鉛筆試験」によ
る硬度は分類６Ｈに相当し；導電率は４×１０-9 ohm-1
・cm-1であり；そしてManifacier-Gaslot 法による屈折
率は６３０nm（２５℃）で１．９３であった。
特性を示した；ＡＳＴＭ Ｄ３３６３「鉛筆試験」によ
る硬度は分類６Ｈに相当し；導電率は４×１０-9 ohm-1
・cm-1であり；そしてManifacier-Gaslot 法による屈折
率は６３０nm（２５℃）で１．９３であった。
【００２５】実施例３ 実施例２と同じ条件の同じプラズマ反応器内にシリコン
ウェハー断片を配置したが、但し、３０℃に維持された
基板には「バイアス電圧」−４０Ｖを印加した。１０分
後、電源を中断した。
ウェハー断片を配置したが、但し、３０℃に維持された
基板には「バイアス電圧」−４０Ｖを印加した。１０分
後、電源を中断した。
【００２６】厚み１．１μm のコーティングは、以下の
特性を示した；ＡＳＴＭ Ｄ３３６３「鉛筆試験」によ
る硬度は分類４Ｈに相当し；膜に付着した水滴の接触角
は８９°であり；そしてコーティングのＸ線光電子分光
写真（ＸＰＳ）分析は、炭素３１％、酸素２２％、フッ
素３１％、珪素１６％を示した。
特性を示した；ＡＳＴＭ Ｄ３３６３「鉛筆試験」によ
る硬度は分類４Ｈに相当し；膜に付着した水滴の接触角
は８９°であり；そしてコーティングのＸ線光電子分光
写真（ＸＰＳ）分析は、炭素３１％、酸素２２％、フッ
素３１％、珪素１６％を示した。
【００２７】さらに、ＸＰＳは網状構造を示した。コー
ティングのＦＴＩＲ分析は、Ｃ−Ｈ基を示す３０００cm
-1の吸収帯、Ｏ−Ｓi −Ｏ基を示す１０００〜１１５０
cm -1の吸収帯、及びＣ−Ｆ基を示す１２１０cm-1の吸収
帯の存在、並びにＳi −Ｈ基を示す２１００〜２１５０
cm-1の吸収帯の不在を示した。分光分析はＳi −Ｆ基の
存在はまったく示さなかった。
ティングのＦＴＩＲ分析は、Ｃ−Ｈ基を示す３０００cm
-1の吸収帯、Ｏ−Ｓi −Ｏ基を示す１０００〜１１５０
cm -1の吸収帯、及びＣ−Ｆ基を示す１２１０cm-1の吸収
帯の存在、並びにＳi −Ｈ基を示す２１００〜２１５０
cm-1の吸収帯の不在を示した。分光分析はＳi −Ｆ基の
存在はまったく示さなかった。
【００２８】実施例４ 実施例２と同じ条件下の同じプラズマ反応器内に研磨ガ
ラス基板を配置したが、但し基板温度は２００℃に維持
し、そして「バイアス電圧」は−５０Ｖとした。１５分
後、給電を中断した。
ラス基板を配置したが、但し基板温度は２００℃に維持
し、そして「バイアス電圧」は−５０Ｖとした。１５分
後、給電を中断した。
【００２９】厚み１．０μm のコーティングは、以下の
特性を示した：ＡＳＴＭ Ｄ３３６３「鉛筆試験」によ
る硬度は分類９Ｈに相当し；Manifacier-Gaslot 法によ
る屈折率は６３０nm（２５℃）で１．９１であり；そし
て膜に付着した水滴の接触角は７７°であった。
特性を示した：ＡＳＴＭ Ｄ３３６３「鉛筆試験」によ
る硬度は分類９Ｈに相当し；Manifacier-Gaslot 法によ
る屈折率は６３０nm（２５℃）で１．９１であり；そし
て膜に付着した水滴の接触角は７７°であった。
【００３０】実施例５ 実施例２と同じ条件下の同じプラズマ反応器内にシリコ
ンウェハー断片を配置したが、但し、３０℃に維持され
た基板には「バイアス電圧」−６０Ｖを印加した。１０
分後、電源を中断した。
ンウェハー断片を配置したが、但し、３０℃に維持され
た基板には「バイアス電圧」−６０Ｖを印加した。１０
分後、電源を中断した。
【００３１】厚み１．５μm のコーティングは、以下の
特性を示した：ＡＳＴＭ Ｄ３３６３「鉛筆試験」によ
る硬度は分類４Ｈに相当し；膜に付着した水滴の接触角
は８２°であり；そしてコーティングのＸ線光電子分光
写真（ＸＰＳ）分析は、炭素４２％、酸素１８％、フッ
素２５％、珪素１５％を示した。
特性を示した：ＡＳＴＭ Ｄ３３６３「鉛筆試験」によ
る硬度は分類４Ｈに相当し；膜に付着した水滴の接触角
は８２°であり；そしてコーティングのＸ線光電子分光
写真（ＸＰＳ）分析は、炭素４２％、酸素１８％、フッ
素２５％、珪素１５％を示した。
【００３２】コーティングのＴＩＲ分析は、Ｃ−Ｈ基を
示す３０００cm-1の吸収帯、Ｏ−Ｓi −Ｏ基を示す１０
００〜１１５０cm-1の吸収帯、及びＣ−Ｆ基を示す１２
１０cm-1の吸収帯の存在、並びにＳi −Ｈ基を示す２１
００〜２１５０cm-1の吸収帯の不在を示した。
示す３０００cm-1の吸収帯、Ｏ−Ｓi −Ｏ基を示す１０
００〜１１５０cm-1の吸収帯、及びＣ−Ｆ基を示す１２
１０cm-1の吸収帯の存在、並びにＳi −Ｈ基を示す２１
００〜２１５０cm-1の吸収帯の不在を示した。
【００３３】実施例６ 実施例２と同じ条件下の同じプラズマ反応器内に研磨ガ
ラス基板を配置したが、但し、基板温度は８０℃に維持
し、そして「バイアス電圧」は−１００Ｖとした。９分
後、給電を中断した。
ラス基板を配置したが、但し、基板温度は８０℃に維持
し、そして「バイアス電圧」は−１００Ｖとした。９分
後、給電を中断した。
【００３４】厚み０．７６μm のコーティングは、以下
の特性を示した：ＡＳＴＭ Ｄ３３６３「鉛筆試験」に
よる硬度は分類５Ｈに相当し；膜に付着した水滴の接触
角は８８°であり；そして導電率は４×１０-9 ohm-1・
cm-1であった。
の特性を示した：ＡＳＴＭ Ｄ３３６３「鉛筆試験」に
よる硬度は分類５Ｈに相当し；膜に付着した水滴の接触
角は８８°であり；そして導電率は４×１０-9 ohm-1・
cm-1であった。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ゲラルド カポリッチオ イタリア国，20149 ミラノ，ビア イー. フィリベルト 13
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上にコーティングを形成させる方法
において、 構造式〔ＲＲ’ＳｉＯ〕X （式中、Ｒは炭素原子数１〜
６個を有する炭化水素基であり、Ｒ’は炭素原子数３〜
１０個を有するフッ素化炭化水素基であり、珪素原子に
対してα位及びβ位にある炭素は水素化されており、そ
してｘは３または４である）で示されるフッ素化環状シ
ロキサンを含んで成る蒸気を、基板を含有する堆積室内
に十分量導入する工程；及び高周波によるプラズマ放電
作用によって前記堆積室内で前記蒸気の反応を誘発する
工程；とから成る前記方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の方法でコーティングされ
た基板。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| IT91A002018 | 1991-07-22 | ||
| ITMI912018A IT1255257B (it) | 1991-07-22 | 1991-07-22 | Rivestimenti con pellicole sottili realizzati mediante il deposito di vapore migliorato con plasma di silossani ciclici fluorati |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05202478A true JPH05202478A (ja) | 1993-08-10 |
Family
ID=11360395
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4194166A Withdrawn JPH05202478A (ja) | 1991-07-22 | 1992-07-21 | 基板上にコーティングを形成させる方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0528540B1 (ja) |
| JP (1) | JPH05202478A (ja) |
| CA (1) | CA2074331A1 (ja) |
| DE (1) | DE69204400T2 (ja) |
| IT (1) | IT1255257B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7807267B2 (en) | 2002-09-09 | 2010-10-05 | Mitsui Chemicals, Inc. | Method of modifying porous film, modified porous film and use of same |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5618619A (en) * | 1994-03-03 | 1997-04-08 | Monsanto Company | Highly abrasion-resistant, flexible coatings for soft substrates |
| US5846649A (en) * | 1994-03-03 | 1998-12-08 | Monsanto Company | Highly durable and abrasion-resistant dielectric coatings for lenses |
| US5560800A (en) * | 1994-08-31 | 1996-10-01 | Mobil Oil Corporation | Protective coating for pressure-activated adhesives |
| SG81281A1 (en) * | 1999-05-19 | 2001-06-19 | Tokyo Electron Ltd | Plasma thin-film deposition method |
| US6541367B1 (en) | 2000-01-18 | 2003-04-01 | Applied Materials, Inc. | Very low dielectric constant plasma-enhanced CVD films |
| US6905773B2 (en) | 2002-10-22 | 2005-06-14 | Schlage Lock Company | Corrosion-resistant coatings and methods of manufacturing the same |
| FR2847346B1 (fr) * | 2002-11-15 | 2005-02-18 | Essilor Int | Procede d'obtention d'un marquage sur une lentille ophtalmique a basse energie de surface |
| TW200527536A (en) * | 2004-02-13 | 2005-08-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method for forming organic/inorganic hybrid insulation film |
| US7662726B2 (en) | 2007-09-13 | 2010-02-16 | Infineon Technologies Ag | Integrated circuit device having a gas-phase deposited insulation layer |
| CN116583131A (zh) | 2017-04-26 | 2023-08-11 | Oti照明公司 | 用于图案化表面上覆层的方法和包括图案化覆层的装置 |
| KR20220017918A (ko) | 2019-05-08 | 2022-02-14 | 오티아이 루미오닉스 인크. | 핵 생성 억제 코팅 형성용 물질 및 이를 포함하는 디바이스 |
| US12113279B2 (en) | 2020-09-22 | 2024-10-08 | Oti Lumionics Inc. | Device incorporating an IR signal transmissive region |
| US11985841B2 (en) | 2020-12-07 | 2024-05-14 | Oti Lumionics Inc. | Patterning a conductive deposited layer using a nucleation inhibiting coating and an underlying metallic coating |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59105637A (ja) * | 1982-12-09 | 1984-06-19 | Fujitsu Ltd | レジストパタ−ン形成方法 |
| JPH0765003B2 (ja) * | 1986-09-10 | 1995-07-12 | 株式会社資生堂 | 表面処理粉末 |
| JPH01124805A (ja) * | 1987-11-10 | 1989-05-17 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ポリマークラッド石英光ファイバおよびその製造方法 |
-
1991
- 1991-07-22 IT ITMI912018A patent/IT1255257B/it active IP Right Grant
-
1992
- 1992-07-16 EP EP92306545A patent/EP0528540B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-07-16 DE DE69204400T patent/DE69204400T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-07-21 JP JP4194166A patent/JPH05202478A/ja not_active Withdrawn
- 1992-07-21 CA CA002074331A patent/CA2074331A1/en not_active Abandoned
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7807267B2 (en) | 2002-09-09 | 2010-10-05 | Mitsui Chemicals, Inc. | Method of modifying porous film, modified porous film and use of same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA2074331A1 (en) | 1993-01-23 |
| ITMI912018A1 (it) | 1993-01-22 |
| ITMI912018A0 (it) | 1991-07-22 |
| EP0528540A2 (en) | 1993-02-24 |
| IT1255257B (it) | 1995-10-20 |
| DE69204400D1 (de) | 1995-10-05 |
| EP0528540A3 (en) | 1993-08-04 |
| DE69204400T2 (de) | 1996-04-04 |
| EP0528540B1 (en) | 1995-08-30 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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