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JPH05175767A - 電流制御回路 - Google Patents

電流制御回路

Info

Publication number
JPH05175767A
JPH05175767A JP3336518A JP33651891A JPH05175767A JP H05175767 A JPH05175767 A JP H05175767A JP 3336518 A JP3336518 A JP 3336518A JP 33651891 A JP33651891 A JP 33651891A JP H05175767 A JPH05175767 A JP H05175767A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
voltage
current
circuit
base
control circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3336518A
Other languages
English (en)
Inventor
Shinichi Fujita
信一 藤田
Rimu Buira Jiyunia Manieru
マニエル・リム・ヴィラ・ジュニア
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP3336518A priority Critical patent/JPH05175767A/ja
Priority to GB9226031A priority patent/GB2262671B/en
Publication of JPH05175767A publication Critical patent/JPH05175767A/ja
Priority to US08/376,456 priority patent/US5517684A/en
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
    • H03D7/00—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
    • H03D7/12—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing by means of semiconductor devices having more than two electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
    • H03G3/00—Gain control in amplifiers or frequency changers
    • H03G3/20—Automatic control
    • H03G3/30—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices
    • H03G3/3052—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in bandpass amplifiers (H.F. or I.F.) or in frequency-changers used in a (super)heterodyne receiver
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
    • H03G3/00—Gain control in amplifiers or frequency changers
    • H03G3/20—Automatic control
    • H03G3/30—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices
    • H03G3/3052—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in bandpass amplifiers (H.F. or I.F.) or in frequency-changers used in a (super)heterodyne receiver
    • H03G3/3063—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in bandpass amplifiers (H.F. or I.F.) or in frequency-changers used in a (super)heterodyne receiver using at least one transistor as controlling device, the transistor being used as a variable impedance device

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Superheterodyne Receivers (AREA)
  • Input Circuits Of Receivers And Coupling Of Receivers And Audio Equipment (AREA)
  • Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
  • Circuits Of Receivers In General (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 簡単な構成で動作点変動を小さくできるとと
もに、消費電流を低減する。 【構成】 トランジスタ３０のベースに正常動作直前の
バイアス電圧が印加されている。受信信号が弱電界の場
合に高周波増幅回路１２を大増幅度に設定するレベル信
号が供給された制御回路２６からハイ（Ｈ）レベルの制
御電圧Ｃｃを送出する。この電圧がダイオードＤ４６、
抵抗器Ｒ５２を通じて、トランジスタ３０のベースに供
給される。この電圧が予め設定されていたバイアス電圧
に加算されてベース電流が増加し、高周波増幅回路１２
が大増幅度になる動作を行う。また、受信信号が強電界
の場合に高周波増幅回路１２を小増幅度に設定するロー
（Ｌ）レベルの電圧をトランジスタ３０のベースに供給
する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、携帯無線電話機、自動
車電話無線機等の無線通信装置の高周波増幅回路、周波
数変換回路等に利用し、その消費電流を低減する電流制
御回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４はトランジスタ増幅回路の基本構成
を示している。
【０００３】２はトランジスタ、Ｒ４、Ｒ６、Ｒ８はバ
イアス設定用抵抗器、Ｒ１０はエミッタ抵抗器である。
【０００４】この構成では、電源電圧Ｖｃｃを変えてコ
レクタ電流Ｉｃを制御している。また、抵抗器Ｒ１０の
値を変えてエミッタ電流Ｉｅを制御している。これによ
って、トランジスタ増幅回路の消費電流を決定できる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来例
のトランジスタ増幅回路では、コレクタ電流Ｉｃあるい
はエミッタ電流Ｉｅを直接制御する場合、増幅動作点が
変動してしまい、インピーダンスが不整合になるという
欠点がある。
【０００６】この場合、増幅動作点の変動を避けるには
複雑な構成で、消費電流が比較的大きい電流制御回路が
必要になるという欠点がある。
【０００７】本発明は、このような従来の課題を解決す
るものであり、簡単な構成で、動作点変動を小さくでき
るとともに、消費電流を低減できる電流制御回路を提供
することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明の電流制御回路は、信号処理を行うトランジ
スタのベースにバイアス電圧を印加するバイアス電圧印
加手段と、バイアス電圧印加手段と接続されて、トラン
ジスタのベース電流が増加して所定の信号処理を行うた
めのバイアス電圧に加算されるハイレベルの制御電圧、
あるいはトランジスタのベース電流が低減して所定の信
号処理を行うためのバイアス電圧に加算されるローレベ
ルの制御電圧を供給する制御電圧供給手段とを備えるも
のである。
【０００９】
【作用】したがって、本発明の電流制御回路によれば、
入力されるハイレベルの制御電圧をバイアス電圧に加算
し、ベース電流が増加して所定の信号処理を行うととも
に、入力されるローレベルの制御電圧をバイアス電圧に
加算し、ベース電流が低減して所定の信号処理を行うよ
うにしたので、例えば、数個の受動素子のみで簡素な構
成となり、さらに微小ベース電流を制御して動作点の変
動を小さくできるとともに、消費電流を低減できる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の電流制御回路の実施例につい
て図面をもとに説明する。
【００１１】図１は、電流制御回路の実施例が適用され
る無線通信装置における受信部の構成を示している。
【００１２】図１において、１０はアンテナ、１２は高
周波増幅回路、１４は周波数変換回路、１６は局部発信
回路（チャネル選択信号発生回路）、１８は中間周波増
幅／検波回路、２０は低周波増幅回路、２２は、高周波
増幅回路１２のバイアス電流の制御を行う電流制御回
路、２４は、周波数変換回路１４のバイアス電流の制御
を行う電流制御回路、２６は、受信信号が弱電界、強電
界の場合の中間周波増幅／検波回路１８からのＡＧＣ信
号に相当するレベル信号にもとづいた制御電圧Ｃｃを送
出する制御回路、２８はスピーカーである。
【００１３】図２は、図１に示す高周波増幅回路１２お
よび電流制御回路２２の詳細な構成を示している。
【００１４】図２に示す高周波増幅回路１２にあって、
３０はトランジスタ、Ｃ３２、Ｃ３４はカップリングコ
ンデンサ、Ｃ３６、Ｃ３８はバイパスコンデンサ、Ｒ４
０はエミッタ抵抗器、４２は同調回路等の負荷、Ｒ４４
はＶｃｃ印加用抵抗器である。電流制御回路２２にあっ
て、Ｄ４６は、制御電圧Ｃｃが供給される逆電圧の印加
阻止用のダイオード、Ｒ４８はＶｃｃ印加用抵抗器、Ｃ
５０はバイパスコンデンサ、Ｒ５２、Ｒ５４は、トラン
ジスタ３０のバイアス設定用抵抗器である。
【００１５】次に、この構成の動作について説明する。
トランジスタ３０は、高周波の受信信号を増幅した増幅
高周波信号を出力する。この場合、Ｖｃｃ印加用抵抗器
Ｒ４８、バイアス設定用抵抗器Ｒ５２、Ｒ５４によっ
て、トランジスタ３０のベースに正常動作直前のバイア
ス電圧が印加されている。
【００１６】そして、受信信号が弱電界の場合に、中間
周波増幅／検波回路１８からのレベル信号が制御回路２
６に供給され、ここからハイ（Ｈ）レベルの制御電圧Ｃ
ｃを送出する。この電圧がダイオードＤ４６、抵抗器Ｒ
５２を通じて、トランジスタ３０のベースに供給され
る。この電圧が予め設定されていたバイアス電圧に加算
されてベース電流が増加し、高周波増幅回路１２の増幅
度が大きくなる動作を行う。また、受信信号が強電界の
場合に高周波増幅回路１２を小増幅度に設定するレベル
信号が中間周波増幅／検波回路１８から制御回路２６に
供給され、ここからロー（Ｌ）レベルの制御電圧Ｃｃを
送出する。このロー（Ｌ）レベルの電圧がダイオードＤ
４６、抵抗器Ｒ５２を通じて、トランジスタ３０のベー
スに供給される。この電圧が予め設定されていたバイア
ス電圧に加算されてベース電流が増加し、高周波増幅回
路１２が小増幅度の動作を行う。この制御電圧Ｃｃがロ
ー（Ｌ）レベルの場合は、トランジスタ３０のベース電
流がハイ（Ｈ）レベルの場合に比較して減少し、消費電
流が低減する。
【００１７】このように簡単な複数の受動素子で構成さ
れた小型化、低コストの電流制御回路２２で受信信号が
弱電界、強電界の場合に対応し、微小ベース電流で高周
波増幅回路１２の増幅度を適性に可変できる。このため
消費電流が低減するとともに、動作点の変動を小さくで
き、設計が容易になる。
【００１８】図３は、図１における周波数変換回路１４
および電流制御回路２４の詳細な構成を示している。
【００１９】図３に示す周波数変換回路１４にあって、
５０はトランジスタ、Ｃ５２、Ｃ５４はカップリングコ
ンデンサ、Ｃ５６、Ｃ５８はバイパスコンデンサ、Ｒ６
０はエミッタ抵抗器、６２は同調回路等の負荷、Ｒ６４
はＶｃｃ印加用抵抗器、６６は、同調回路等の入力整合
回路である。
【００２０】電流制御回路２４は、電流制御回路２２の
抵抗器Ｒ５４にバイパスコンデンサＣ７０が並列に追加
されている。他の構成は同一である。
【００２１】次に、この構成の動作について説明する。
ここでの動作は、トランジスタ５０に増幅高周波信号と
局部発振信号Ｏｓｃが供給されて中間周波信号を出力す
る。この場合のトランジスタ５０の周波数変換動作は前
記の高周波増幅回路１２におけるトランジスタ３０と同
様である。
【００２２】この場合も、簡単な複数の受動素子で構成
でき、小型化、低コストの電流制御回路２４で高周波増
幅回路１２からの増幅高周波信号のレベルに適性に可変
でき、消費電流が低減する。
【００２３】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の電流制御回路は、入力されるハイレベルの制御電圧を
バイアス電圧に加算し、ベース電流が増加して所定の信
号処理を行うとともに、入力されるローレベルの制御電
圧をバイアス電圧に加算し、ベース電流が低減して所定
の信号処理を行うようにしたので、例えば、数個の受動
素子のみで簡素な構成となり、さらに微小ベース電流を
制御して動作点の変動を小さくできるとともに、消費電
流を低減できるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の電流制御回路の実施例が適用される無
線通信装置の受信部の構成を示すブロック図
【図２】図１に示す高周波増幅回路および電流制御回路
の詳細な構成を示す回路図
【図３】図１に示す周波数変換回路および電流制御回路
の詳細な構成を示す回路図
【図４】従来のトランジスタ増幅回路の基本構成を示す
回路図
【符号の説明】
１２ 高周波増幅回路 １４ 周波数変換回路 ２２、２４ 電流制御回路 ２６ 制御回路 ３０ トランジスタ Ｃ３２、Ｃ３４ カップリングコンデンサ Ｃ３６、Ｃ３８、Ｃ５０ バイパスコンデンサ Ｄ４６ ダイオード Ｒ４０ エミッタ抵抗器 Ｒ４４、Ｒ４８ Ｖｃｃ印加用抵抗器 Ｒ５２、Ｒ５４ バイアス設定用抵抗器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０４Ｂ 1/18 Ｃ 9298−5Ｋ 1/26 Ｃ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 信号処理を行うトランジスタのベースに
    バイアス電圧を印加するバイアス電圧印加手段と、前記
    バイアス電圧印加手段と接続されて、前記トランジスタ
    のベース電流が増加して所定の信号処理を行うための前
    記バイアス電圧に加算されるハイレベルの制御電圧、あ
    るいは前記トランジスタのベース電流が低減して所定の
    信号処理を行うための前記バイアス電圧に加算されるロ
    ーレベルの制御電圧を供給する制御電圧供給手段とを備
    える電流制御回路。
JP3336518A 1991-12-19 1991-12-19 電流制御回路 Pending JPH05175767A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3336518A JPH05175767A (ja) 1991-12-19 1991-12-19 電流制御回路
GB9226031A GB2262671B (en) 1991-12-19 1992-12-14 Radio communication system
US08/376,456 US5517684A (en) 1991-12-19 1995-01-23 Radio communication system having current control circuit

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JP3336518A JPH05175767A (ja) 1991-12-19 1991-12-19 電流制御回路

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