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JPH01314431A - 送信電力制御回路 - Google Patents

送信電力制御回路

Info

Publication number
JPH01314431A
JPH01314431A JP63145652A JP14565288A JPH01314431A JP H01314431 A JPH01314431 A JP H01314431A JP 63145652 A JP63145652 A JP 63145652A JP 14565288 A JP14565288 A JP 14565288A JP H01314431 A JPH01314431 A JP H01314431A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
control
output
multiplexer
power module
power
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63145652A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshige Miyama
深山　啓成
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP63145652A priority Critical patent/JPH01314431A/ja
Priority to AU31099/89A priority patent/AU610999B2/en
Priority to GB8905381A priority patent/GB2219897B/en
Priority to SE8900860A priority patent/SE512528C2/sv
Publication of JPH01314431A publication Critical patent/JPH01314431A/ja
Priority to US07/900,759 priority patent/US5574991A/en
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
    • H03G3/00—Gain control in amplifiers or frequency changers
    • H03G3/20—Automatic control
    • H03G3/30—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices
    • H03G3/3036—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in high-frequency amplifiers or in frequency-changers
    • H03G3/3042—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in high-frequency amplifiers or in frequency-changers in modulators, frequency-changers, transmitters or power amplifiers

Landscapes

  • Transmitters (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Control Of Amplification And Gain Control (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は、例えば、移動通信用トランシーバの終段あ
るいはドライバ用として使われている送信電力制御回路
に関するものである。
（従来の技術） 第３図は移動通信用トランシーバの送信段の従来の送信
電力！１Ｊ御回路の回路図であり、図において、１は送
信信号ＴＸを増幅して出力するＲＦパワーモジュール、
２はこのＲＦパワーモジュールｌの出力を検波する検波
回路、３は最大送信電力から制御信号３ａにより４ｄＢ
ステップ６段階制御のレベル設定を行うマルチプレクサ
である。
また、４ａは検波回路２の出力を増幅する直流増幅器、
４ｂはマルチプレクサ３の出力を増幅する直流増幅器、
４ｃはトランジスタ５ｂの出力を増幅してマルチプレク
サ３に入力する直流増幅器、５はトラジスタ５ａ、５ｂ
により構成され、直流増幅器４ａ、４ｂの出力を入力し
て差動増幅する電流制御用差動増幅器、６は電流制御用
差動増幅器５の出力により、ＲＦパワーモジュール１に
入力する電源電圧７を制御する電力制御用トランジスタ
である。
また、１０は送信オン・オフ信号であり、トランジスタ
ｌｌａ、ｌｌｂのベースに加え、トランジスタｔｔｂの
ベースコレクタは直結している。両トランジスタ１１ａ
、ｆｌｂのエミッタは一５ｖの負電源１３に接続されて
いる。
次に動作について説明する。送信信号ＴＸがＲＦパワー
モジュールｌに入力され、増幅され送信出力（ＴＸ　　
０ＵＴ）として出力されるとともに、検波回路２により
高周波検波整流され、直流増幅器４ａに送出される。
一方、送ｆ２オン・オフ信号１ｏがトランジスタｌｌａ
、ｊｌｂのベースに加えられ、送信オン・オフ信号１０
のオン信号でトランジスタ１１ａがオンとなり、トラン
ジスタ５ａ。
５ｂのエミッタが一５ｖの電位となって、電流制御用差
動増幅器５が動作状態となる。
また、最大送信電力から制御信号３ａにより４ｄＢステ
ップ６段階の制御を行うマルチプレクサ３の出力も直流
増幅器４ｂで増幅される。
両直流増幅器４ａ、４ｂの出力は電流制御用差動増幅器
５で差動増幅され、電力制御用トランジスタ６のベース
に加えられる。
これにより、電力制御用トランジスタ６はＲＦパワーモ
ジュール１に供給する電源電圧７を制御し、送信電力の
安定化ならびに最大送信電力から４ｄＢステップ６段階
の送信電力制御を行っている。
〔発明が解決しようとする課題） 従来の送信電力制御回路は以上のように構成されている
ので、マルチプレクサ３において、段階制御を行い、Ｒ
Ｆパワーモジュール１の出力レベルを下げていったとき
、ＲＦパワーモジュール１で消費される電流が減らず、
このＲＦパワーモジュール１の効率が悪くなるという問
題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、ＲＦパワーモジュールのゲートバイアス電圧
を送信電力に応じて変化させ、モジュールの消費電流を
減らし、効率を改善できる送信電力制御回路を得ること
を目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係る送信電力制御回路は、負電源ラインにお
いて段階制御を行うマルチプレクサの出力に応じたゲー
トバイアス電圧でＲＦパワーモジュールを制御するゲー
トバイアス電圧制御用回路を設けたものである。
〔作用〕
この発明におけるゲートバイアス電圧制御用回路はＲＦ
パワモジュールを制御する負電源をマルチプレクサの出
力に応じて制御することにより、ＲＦパワーモジュール
での消費電流が制御され、ＲＦパワーモジュールの効率
をよくする。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図において、１〜ｔｔｂは第３図と全く同一であり、１
２は直流増幅器４ｂは経由したマルチプレクサ３の出力
と負電源１３（−５Ｖ）を入力としてＲＦパワーモジュ
ール１の負電源電圧を制御するゲートバイアス電圧制御
用回路であり、この実施例では、演算増幅器が使用され
ている。
Ｒ１はこの演算増幅器の（−）入力端子と直流増幅器４
ｂの出力端子間に挿入された抵抗、Ｒ２はこの（−）入
力端子と演算増幅器の出力端子間に接続された抵抗、Ｒ
３，Ｒ４は負電源１３　（−５Ｖ）とアース間に接続さ
れ、その接続点より演算増幅器の（＋）入力端子に基準
電圧を加える抵抗、Ｃ１は抵抗Ｒ４と並列に接続された
コンデンサである。
次に動作について説明する。第３図と同一動作の部分に
ついては、説明を省略する。この実施例においては、制
御信号３ａによりマルチプレクサ３が行う４ｄＢステッ
プ６段階の出力制御に応じて、ゲートバイアス電圧制御
用回路１２がＲＦパワーモジュール１に供給する負電源
１３の電圧（−ＳＶ）を制御することにより、出力レベ
ルを下げたとき、モジュール１での消費電流を減らし、
その都度効率を改善することができる。
なお、上記実施例の変形例として、第２図に示すように
ゲートバイアス電圧制御用回路１２に入力する負電源１
３のラインと抵抗Ｒ５とシリーズにサーミスタ１４を挿
入することにより、その温度検出値の変化に対する補償
をすることもでき、より有効である。
また、破線２０で包囲した部分は第１図の実施例におけ
る破線２０内の回路と同一回路構成となっている。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明によれば、負電源ラインにゲー
トバイアス常圧制御用回路を設け、段階制御を行うマル
チプレクサの出力に応じたゲートバイアス電圧でＲＦパ
ワーモジュールを制御するように構成したので、ＲＦパ
ワーモジュールの送信電力制御時の効率を安定化でき効
果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例による送信電力制御回路の
回路図、第２図はこの発明の他の実施例による送信電力
制御回路の回路図、第３図は従来の送信電力制御回路の
回路図である。 １はＲＦパワーモジュール、３はマルチプレクサ、４ａ
、４ｂは直流増幅器、５は電流制御用差動増幅器、６は
電力制御用トランジスタ、１２はゲートバイアス電圧制
御用回路。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 特許出願人　　三菱電機株式会社 代理人　弁理士　　１）澤　博　昭 （外２名）゛　′ Ｌ　＋＋＋＋　−−＋＋　＋＋＋＋＋−Ｑ’−−−−Ｊ
手続補正書（自発）

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 移動通信用トランシーバの送信段の主体をなすＲＦパワ
    ーモジュールと、上記移動通信用トランシーバの最大送
    信電力から段階制御を行うマルチプレクサと、上記ＲＦ
    パワーモジュールに供給する電源電圧を制御する電力制
    御用トランジスタと、上記マルチプレクサの出力および
    上記ＲＦパワーモジュールの出力の高周波検波整流され
    た信号とを個別に増幅する二つの直流増幅器と、この二
    つの直流増幅器の出力を差動増幅して上記電力制御用ト
    ランジスタを制御する電流制御用差動増幅器と、上記マ
    ルチプレクサの出力を増幅する側の上記直流増幅器の出
    力と負電源または温度検出値を入力して上記 ＲＦパワーモジュールに供給する負電源電圧を制御する
    ゲートバイアス電圧制御用回路とを備えた送信電力制御
    回路。
JP63145652A 1988-06-15 1988-06-15 送信電力制御回路 Pending JPH01314431A (ja)

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GB8905381A GB2219897B (en) 1988-06-15 1989-03-09 Transmission power control circuit
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US07/900,759 US5574991A (en) 1988-06-15 1992-06-19 Transmission power control circuit

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GB (1) GB2219897B (ja)
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