JPH05151106A - メモリカード装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】この発明は、外部から特殊なコマンドを供給す
ることにより、通常では外部から直接アクセスすること
のできないＥＥＰＲＯＭの記憶領域に対してもデータの
書き込み及び読み出しを行なえるようにし、故障時や試
験時等にも有効に対処し得るようにしたメモリカード装
置を提供することを目的としている。 【構成】ＥＥＰＲＯＭ１７のデータ記憶領域のうち、外
部からのアドレス信号を入力することによりアクセス可
能な第１の領域と、通常はアクセス不可能な第２の領域
とを有するメモリカード装置において、外部から特殊な
コマンドを供給することにより第２の領域を外部からア
クセスできるようにしている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、半導体メモリとして
ＥＥＰＲＯＭ（エレクトリカリィ・イレーサブル・アン
ド・プログラマブル・リード・オンリー・メモリ）を使
用したメモリカード装置に係り、特に撮影した被写体の
光学像をデジタル画像データに変換して半導体メモリに
記録する電子スチルカメラ装置等に使用して好適するも
のに関する。

【０００２】

【従来の技術】周知のように、撮影した被写体の光学像
を固体撮像素子を用いて電気的な画像信号に変換し、こ
の画像信号をデジタル画像データに変換して半導体メモ
リに記録する電子スチルカメラ装置が開発されている。
そして、この種の電子スチルカメラ装置にあっては、半
導体メモリをカード状のケースに内蔵してなるメモリカ
ードを、カメラ本体に着脱自在となるように構成するこ
とによって、通常のカメラにおけるフィルムと等価な取
り扱いができるようになされている。

【０００３】ここで、電子スチルカメラ装置のメモリカ
ードは、現在、標準化が進められていて、内蔵される半
導体メモリとしては、複数枚のデジタル画像データを記
録するために大記憶容量のものが要求され、例えばＳＲ
ＡＭ（スタティック・ランダム・アクセス・メモリ），
マスクＲＯＭ及び電気的にデータの書き込みや消去が可
能なＥＥＰＲＯＭ等が考えられており、ＳＲＡＭを用い
たメモリカードは既に商品化されている。

【０００４】ところで、ＳＲＡＭを用いたメモリカード
は、どのようなフォーマットのデータ構成にも対応する
ことができるとともに、データの書き込みスピード及び
読み出しスピードも速いという利点がある反面、書き込
んだデータを保持するためのバックアップ電池をメモリ
カード内に収容する必要があるため、電池収容スペース
を設置する分だけ記憶容量が削減されるとともに、ＳＲ
ＡＭ自体のコストが高く経済的な不利を招くという問題
を持っている。

【０００５】そこで、近時では、ＳＲＡＭの持つ問題点
を解消するために、メモリカードに用いられる半導体メ
モリとしてＥＥＰＲＯＭが注目されている。このＥＥＰ
ＲＯＭは、磁気ディスクに代わる記録媒体として注目を
浴びているもので、データ保持のためのバックアップ電
池が不要であるとともに、チップ自体のコストを安くす
ることができる等、ＳＲＡＭの持たない特有な利点を有
することから、メモリカード用として使用するための開
発が盛んに行なわれている。

【０００６】ここで、図４は、ＳＲＡＭを用いたメモリ
カード（ＳＲＡＭカード）とＥＥＰＲＯＭを用いたメモ
リカード（ＥＥＰＲＯＭカード）との長短を比較して示
している。まず、比較項目１，２のバックアップ電池及
びコストについては、既に前述したように、ＳＲＡＭカ
ードはバックアップ電池が必要でありコストも高いとい
う問題があるのに対し、ＥＥＰＲＯＭカードはバックア
ップ電池が不要でコストも低くすることができるという
利点を有している。

【０００７】次に、比較項目３，４の書き込みスピード
及び読み出しスピードについては、アドレスで任意に指
定したバイトまたはビットに対して、データの書き込み
及び読み出しを行なう、ＳＲＡＭとＥＥＰＲＯＭとに共
通のランダムアクセスモードと、複数の連続するバイト
（数百バイト）でなるページを指定することにより、ペ
ージ単位で一括してデータの書き込み及び読み出しを行
なう、ＥＥＰＲＯＭに特有のページモードとに分けて考
えられる。

【０００８】そして、ランダムアクセスモードにおい
て、ＳＲＡＭは書き込みスピード及び読み出しスピード
が共に速く、ＥＥＰＲＯＭは書き込みスピード及び読み
出しスピードが共に遅くなっている。また、ＥＥＰＲＯ
Ｍは、ページモードにおいて、１ページ分の大量のデー
タを一斉に書き込み及び読み出しすることから、ランダ
ムアクセスモードに比してデータの書き込みスピード及
び読み出しスピードは速くなっている。

【０００９】さらに、比較項目５のイレース（消去）モ
ードは、ＥＥＰＲＯＭに特有のモードであり、ＳＲＡＭ
には存在しないモードである。すなわち、ＥＥＰＲＯＭ
は、既にデータの書き込まれている領域に新たにデータ
を書き込む場合、先に書き込まれているデータを一旦イ
レースしないと新たなデータを書き込むことができない
ため、データの書き込みを行なうに際して、このイレー
スモードが実行されるようになっている。そして、この
イレースモードには、ＥＥＰＲＯＭの全ての記憶内容を
一括して消去するチップイレースと、ページ単位で記憶
内容を消去するページイレースとがある。

【００１０】また、比較項目６の書き込みベリファイ
も、ＥＥＰＲＯＭに特有のモードであり、ＳＲＡＭには
存在しないモードである。すなわち、ＥＥＰＲＯＭは、
データ書き込みを行なう場合、通常１回の書き込み動作
では完全な書き込みが行なわれない。このため、ＥＥＰ
ＲＯＭに対して１回の書き込み動作を行なう毎にＥＥＰ
ＲＯＭの書き込み内容を読み出し、正確に書き込まれて
いるか否かをチェックする必要があり、これが書き込み
ベリファイである。

【００１１】具体的には、ＥＥＰＲＯＭに書き込むべき
データをバッファメモリに記録しておき、バッファメモ
リからＥＥＰＲＯＭにデータを転送して書き込んだ後、
ＥＥＰＲＯＭの書き込み内容を読み出し、バッファメモ
リの内容と比較して一致しているか否かを判別してい
る。そして、書き込みベリファイの結果、不一致（エラ
ー）と判定された場合には、再度バッファメモリの内容
をＥＥＰＲＯＭに書き込む動作を繰り返すようにしてい
る。

【００１２】以上の比較結果から明らかなように、ＥＥ
ＰＲＯＭには、バックアップ電池が不要でありコストが
安く、しかもページ単位のデータ書き込み及び読み出し
が可能である等の、ＳＲＡＭに見られない特有な利点が
備えられている反面、ランダムアクセスモードにおける
データの書き込みスピード及び読み出しスピードが遅い
とともに、イレースモードや書き込みベリファイ等のよ
うなＳＲＡＭにはないモードを必要とするという不都合
もある。

【００１３】そこで、メモリカードに使用する半導体メ
モリとして、現在使用されているＳＲＡＭに代えてＥＥ
ＰＲＯＭを使用することを考えた場合、データの書き込
みスピード及び読み出しスピードの問題や、イレースモ
ード及び書き込みベリファイ等を必要とするという問題
を解消し、ＳＲＡＭを内蔵したメモリカードと等価な取
り扱い方ができるように、つまりＳＲＡＭカードライク
に使用できるように細部に渡って種々の改良を施すこと
が、肝要なこととなっている。

【００１４】この場合、特に問題となることは、ＥＥＰ
ＲＯＭは、データの書き替え回数が一定数を越えるとメ
モリセルが急激に劣化しデータの書き込み不良が発生し
易くなることである。すなわち、ＥＥＰＲＯＭは、プロ
グラムデータの記録用として開発され、プログラムのバ
ージョンアップのときにデータの書き替えを行なえるよ
うにすることを意図したものであるから、多数回のデー
タ書き替えに対応できるように設計されていないからで
ある。

【００１５】ところが、上述したように、例えば電子ス
チルカメラ装置等に使用されるメモリカード用の半導体
メモリとして、従来より使用されていたＳＲＡＭに代え
てＥＥＰＲＯＭを用いるようにした場合、当然のことな
がら、ＥＥＰＲＯＭに対して頻繁にデータの書き替えが
行なわれるような使われ方をされることになるため、書
き込み不良の発生率が飛躍的に増大するであろうこと
は、どうしても避けられないこととなっている。

【００１６】そして、この書き込み不良について、従来
では、前述した書き込みベリファイ処理を所定回数繰り
返しても正しく書き込まれなかったとき書き込み不良で
あると判断している。しかるに、従来では、ＥＥＰＲＯ
Ｍの一部に書き込み不良が生じた場合でも、そのＥＥＰ
ＲＯＭを内蔵するメモリカード全体を不良品として取り
扱うようにしているため、非常に効率が悪く経済的に不
利であるという問題が生じている。

【００１７】そこで、現在では、上記の問題を解消する
ために、例えば特願平３−２００３０８号に示されるよ
うなメモリカードが考えられている。すなわち、このメ
モリカードは、内蔵されたＥＥＰＲＯＭの記憶領域を、
それぞれが一定容量の複数のブロック（１ブロックは数
ｋバイト）で構成されるデータ領域と救済領域とに分割
し、データ領域のブロックに書き込み不良が検出された
状態で、該不良ブロックに書き込むことができなかった
データを、救済領域の空きブロックを自動的に検索して
書き込むことにより救済し、このとき、不良ブロックと
救済ブロックとを対応させた管理テーブルを設けること
で、データ読み出し時に不都合が生じないようにしたも
のである。

【００１８】しかしながら、上記のようにＥＥＰＲＯＭ
の書き込み不良に対する救済対策を施したメモリカード
では、データ領域のブロックに書き込み不良が発生した
ことを検出し、該不良ブロックに書き込むことができな
かったデータを、救済領域の空きブロックを自動的に検
索して書き込むという救済動作は、全てメモリカード内
部の自己処理によって自動的に行なわれる。このため、
例えばＥＥＰＲＯＭのどのブロックに書き込み不良が発
生しているとか、この不良ブロックに書き込み要求され
たデータが救済領域のどのブロックに救済されているか
等の、ＥＥＰＲＯＭ自体の内部の状態をメモリカード外
部からは把握することができず、故障や試験等によりＥ
ＥＰＲＯＭ内部のデータ記録状況を知りたい場合には、
メモリカードを分解しＥＥＰＲＯＭに対して直接アクセ
ス動作を行なう必要があり、取り扱いが煩雑であるとい
う問題が生じている。

【００１９】

【発明が解決しようとする課題】以上のように、ＥＥＰ
ＲＯＭを用いてＳＲＡＭカードライクに使用しようとす
る従来のメモリカードでは、例えば救済領域等のように
メモリカード外部から直接アクセスすることができない
ＥＥＰＲＯＭの記憶領域が存在するため、故障や試験等
によりＥＥＰＲＯＭ内部のデータ記録状況を知りたい場
合に、非常に不都合であるという問題を有している。

【００２０】そこで、この発明は上記事情を考慮してな
されたもので、外部から特殊なコマンドを供給すること
により、通常では外部から直接アクセスすることのでき
ないＥＥＰＲＯＭの記憶領域に対してもデータの書き込
み及び読み出しを行なえるようにし、故障時や試験時等
にも有効に対処し得るようにした極めて良好なメモリカ
ード装置を提供することを目的とする。

【００２１】

【課題を解決するための手段】この発明に係るメモリカ
ード装置は、ＥＥＰＲＯＭのデータ記憶領域のうち、外
部からのアドレス信号を入力することによりアクセス可
能な第１の領域と、通常はアクセス不可能な第２の領域
とを有するものを対象としている。そして、外部から特
殊なコマンドを供給することにより前記第２の領域を外
部からアクセスできるようにしたものである。

【００２２】

【作用】上記のような構成によれば、外部から特殊なコ
マンドを供給することにより、通常では外部から直接ア
クセスすることのできないＥＥＰＲＯＭの記憶領域に対
してもデータの書き込み及び読み出しを行なえるように
したので、故障時や試験時等にも有効に対処することが
できるようになる。

【００２３】

【実施例】以下、この発明を電子スチルカメラ装置に適
用した場合の一実施例について図面を参照して詳細に説
明する。図１において、１１はメモリカード本体で、そ
の一端部に設置されたコネクタ１２を介して、図示しな
い電子スチルカメラ本体に接続されるようになされてい
る。このコネクタ１２には、電子スチルカメラ本体側か
ら、メモリカード本体１１に書き込むべきデジタルデー
タＤＡと、その書き込み場所を示すアドレスデータＡＤ
とが供給される。これらデジタルデータＤＡ及びアドレ
スデータＡＤは、バスラインＤ０〜Ｄ７を介してデータ
入出力制御回路１３に供給されている。

【００２４】また、電子スチルカメラ本体からは、コネ
クタ１２に対して、メモリカード本体１１を選択したと
きＨ（ハイ）レベルとなるカードイネーブル信号ＣＥ
と、バスラインＤ０〜Ｄ７に供給されたデータがアドレ
スデータＡＤのときＬ（ロー）レベルとなりデジタルデ
ータＤＡのときＨレベルとなるアドレス／データ切替信
号Ａ／Ｄと、後述するＥＥＰＲＯＭに対するデータ書き
込み要求のときＬレベルとなりデータ読み出し要求のと
きＨレベルとなるリード／ライト切替信号Ｒ／Ｗと、ア
ドレスデータＡＤに同期したバスクロックＢＣＫとが、
供給されるようになっている。

【００２５】これらカードイネーブル信号ＣＥ，アドレ
ス／データ切替信号Ａ／Ｄ，リード／ライト切替信号Ｒ
／Ｗ及びバスクロックＢＣＫも、データ入出力制御回路
１３に供給されている。また、電子スチルカメラ本体か
らは、コネクタ１２を介してＥＥＰＲＯＭに対するデー
タのイレースを要求する命令も、データ入出力制御回路
１３に供給されるようになっている。また、このデータ
入出力制御回路１３からは、電子スチルカメラ本体から
のデジタルデータＤＡの入力許可時にＨレベルとなり、
入力拒否時にＬレベルとなるレディ／ビジィ切替信号Ｒ
ＤＹ／ＢＳＹが発生されるようになっている。

【００２６】ここで、上記コネクタ１２に供給されたデ
ジタルデータＤＡは、データ入出力制御回路１３の制御
により、一旦バッファメモリ１４に取り込まれ記録され
る。このときのバッファメモリ１４のデジタルデータＤ
Ａの取り込みタイミングは、アドレス発生回路１５から
出力されるアドレスデータによってコントロールされ
る。また、このアドレス発生回路１５は、セレクタ１６
によって選択されたクロックＣＫをカウントして、バッ
ファメモリ１４へのアドレスデータを生成している。こ
のセレクタ１６には、上記バスクロックＢＣＫとデータ
入出力制御回路１３から出力されるクロックＹＣＫとが
供給されるようになっている。

【００２７】そして、バッファメモリ１４のデジタルデ
ータＤＡの取り込み時には、セレクタ１６が、データ入
出力制御回路１３から出力されるセレクト信号ＳＥＬに
よってバスクロックＢＣＫを選択し、クロックＣＫとし
てアドレス発生回路１５に導出している。このため、電
子スチルカメラ本体からコネクタ１２に送出されたデジ
タルデータＤＡは、バスクロックＢＣＫに基づいて生成
されるアドレスデータにしたがって、バッファメモリ１
４に書き込まれることになる。

【００２８】その後、データ入出力制御回路１３は、バ
ッファメモリ１４に対するデジタルデータＤＡの書き込
みが終了すると、セレクト信号ＳＥＬを制御して、自己
の生成するクロックＹＣＫが、アドレス発生回路１５に
導出されるようにセレクタ１６を切り替える。このた
め、クロックＹＣＫに基づいてアドレス発生回路１５で
生成されるアドレスデータによって、バッファメモリ１
４からデジタルデータＤＡが読み出される。

【００２９】このとき、データ入出力制御回路１３は、
ＥＥＰＲＯＭ１７に対してチップイネーブル信号ＣＥＮ
及びライトイネーブル信号ＷＥを出力するとともに、ア
ドレスデータＡＤを出力し、バッファメモリ１４から読
み出されたデジタルデータＤＡを、ＥＥＰＲＯＭ１７に
例えば５１２バイトでなるページ単位で書き込むように
制御する。そして、ＥＥＰＲＯＭ１７にデジタルデータ
ＤＡが書き込まれた状態で、データ入出力制御回路１３
は、ＥＥＰＲＯＭ１７に対して、アウトイネーブルデー
タＯＥ及び先にデータの書き込みを指定したアドレスデ
ータＡＤを出力して、ＥＥＰＲＯＭ１７から書き込んだ
デジタルデータＤＡを読み出させ、バッファメモリ１４
に記録されたデジタルデータＤＡと一致しているか否か
を判別する、書き込みベリファイを実行する。

【００３０】そして、ＥＥＰＲＯＭ１７から読み出した
デジタルデータＤＡと、バッファメモリ１４に記録され
たデジタルデータＤＡとが一致していないと、データ入
出力制御回路１３は、再度、バッファメモリ１４からＥ
ＥＰＲＯＭ１７にデジタルデータＤＡを転送して書き込
みを行ない、この動作が、ＥＥＰＲＯＭ１７から読みだ
したデジタルデータＤＡと、バッファメモリ１４に記録
されたデジタルデータＤＡとが完全に一致するまで繰り
返され、ここにデジタルデータＤＡのＥＥＰＲＯＭ１７
への書き込みが行なわれる。

【００３１】また、電子スチルカメラ本体からＥＥＰＲ
ＯＭ１７に記録されたデータをイレースする命令が発生
されると、データ入出力制御回路１３は、その消去命令
に基づいて消去回路１８を駆動する。この消去回路１８
は、データ入出力制御回路１３の制御に基づいて、ＥＥ
ＰＲＯＭ１７のアドレスライン及びデータラインに消去
用の信号を出力することにより、ＥＥＰＲＯＭ１７を電
気的にチップイレースまたはページイレースする。

【００３２】次に、ＥＥＰＲＯＭ１７から、デジタルデ
ータＤＡをメモリカード本体１１の外部に読み出す動作
について説明する。まず、電子スチルカメラ本体側から
コネクタ１２を介して読み出し要求と読み出すべきデー
タの記録されたアドレスとが指定される。すると、デー
タ入出力制御回路１３は、ＥＥＰＲＯＭ１７に対してチ
ップイネーブル信号ＣＥＮ，アウトイネーブルデータＯ
Ｅ及びアドレスデータＡＤを出力し、ＥＥＰＲＯＭ１７
からページ単位でデジタルデータＤＡを読み出すととも
に、自己の生成するクロックＹＣＫがアドレス発生回路
１５に導出されるようにセレクタ１６を切り替え、バッ
ファメモリ１４に書き込ませる。

【００３３】その後、データ入出力制御回路１３は、コ
ネクタ１２を介して電子スチルカメラ本体側から供給さ
れるバスクロックＢＣＫが、アドレス発生回路１５に導
出されるようにセレクタ１６を切り替え、バスクロック
ＢＣＫに基づいてアドレス発生回路１５で発生されるア
ドレスデータで、バッファメモリ１４からデータを読み
出し、コネクタ１２を介して電子スチルカメラ本体に導
出させ、ここにデジタルデータＤＡの読み出しが行なわ
れる。

【００３４】ここで、図２は、ＥＥＰＲＯＭ１７に対す
るデジタルデータＤＡの書き込み動作の詳細なタイミン
グを示している。まず、カードイネーブル信号ＣＥがＨ
レベルとなってメモリカード本体１１が指定されると、
アドレス／データ切替信号Ａ／ＤがＬレベルでバスライ
ンＤ０〜Ｄ７にアドレスデータＡＤが供給される。この
とき、アドレスデータＡＤに同期してバスクロックＢＣ
Ｋが発生されるとともに、リード／ライト切替信号Ｒ／
ＷがＬレベルのデータ書き込み要求状態となされ、レデ
ィ／ビジィ切替信号ＲＤＹ／ＢＳＹがＨレベルの入力許
可状態となされている。

【００３５】このような状態で、アドレス／データ切替
信号Ａ／ＤがＨレベルに反転し、バスラインＤ０〜Ｄ７
のデータがデジタルデータＤＡに変わると、以後、Ｄ０
〜Ｄ５１１までの５１２個つまり１ページ分のデジタル
データＤＡが５１２個のバスクロックＢＣＫとともにデ
ータ入出力制御回路１３に入力され、順次バッファメモ
リ１４に書き込まれる。すると、データ入出力制御回路
１３は、５１２個目のバスクロックＢＣＫに同期してレ
ディ／ビジィ切替信号ＲＤＹ／ＢＳＹをＬレベルに反転
させ、電子スチルカメラ本体からの入力拒否状態とな
る。

【００３６】そして、データ入出力制御回路１３は、こ
の電子スチルカメラ本体からの入力拒否状態で、バッフ
ァメモリ１４に記録されたデータをＥＥＰＲＯＭ１７に
ページ単位で一括して書き込み、書き込みベリファイ動
作を行なって、ＥＥＰＲＯＭ１７への１ページ分のデジ
タルデータＤＡの記録が行なわれる。その後、データ入
出力制御回路１３は、１ページ分のデジタルデータＤＡ
が完全にＥＥＰＲＯＭ１７に書き込まれたと判定したと
き、レディ／ビジィ切替信号ＲＤＹ／ＢＳＹをＨレベル
に反転させ、電子スチルカメラ本体からの入力許可状態
とし、次のページのデジタルデータＤＡをバッファメモ
リ１４に取り込むように動作する。

【００３７】以上は、デジタルデータＤＡをＥＥＰＲＯ
Ｍ１７に書き込む場合の通常の動作モードを説明したも
のであるが、次に、故障や試験等により、例えば救済領
域等のようにメモリカード本体１１の外部から直接アク
セスすることができないＥＥＰＲＯＭ１７の記憶領域に
デジタルデータＤＡを書き込む、いわゆるテストモード
について説明する。

【００３８】すなわち、テストモードにはいる場合に
は、図３に示すように、カードイネーブル信号ＣＥをＨ
レベルとしメモリカード本体１１を指定するとともに、
アドレス／データ切替信号Ａ／ＤをＬレベルとしバスラ
インＤ０〜Ｄ７に２バイトのテストモードデータＴＤを
供給する。このとき、テストモードデータＴＤに同期し
てバスクロックＢＣＫを発生するとともに、リード／ラ
イト切替信号Ｒ／ＷをＬレベルのデータ書き込み要求状
態とし、レディ／ビジィ切替信号ＲＤＹ／ＢＳＹをＨレ
ベルの入力許可状態とする。そして、通常のデータ書き
込み動作と同様に、バスラインＤ０〜Ｄ７に３バイトの
アドレスデータＡＤを供給した後、アドレス／データ切
替信号Ａ／ＤをＨレベルに反転し、バスラインＤ０〜Ｄ
７のデータをデジタルデータＤＡに変える。

【００３９】つまり、カードイネーブル信号ＣＥをＨレ
ベルとしメモリカード本体１１を指定してから、アドレ
ス／データ切替信号Ａ／ＤをＨレベルに反転しバスライ
ンＤ０〜Ｄ７のデータをデジタルデータＤＡに変えるま
での期間に、２バイトのテストモードデータＴＤに同期
した２つのバスクロックＢＣＫと、３バイトのアドレス
データＡＤに同期した３つのバスクロックＢＣＫとの合
計５つのバスクロックＢＣＫが、データ入出力制御回路
１３に供給されることになる。そして、このカードイネ
ーブル信号ＣＥをＨレベルとしてからアドレス／データ
切替信号Ａ／ＤをＨレベルに反転させるまでの期間に、
５つのバスクロックＢＣＫがデータ入出力制御回路１３
に入力されることは、ＥＥＰＲＯＭを用いたメモリカー
ドの規格には存在しない、つまり通常の動作モードでは
入力されることのない特殊なコマンド入力状態であり、
このときデータ入出力制御回路１３は、テストモードが
要求されたことを判別する。

【００４０】そして、このテストモードでは、データ入
出力制御回路１３は、コネクタ１２に入力されたアドレ
スデータＡＤで指定されるＥＥＰＲＯＭ１７のアドレス
に、入力デジタルデータＤＡを直接書き込むことができ
る。

【００４１】また、上記の説明では、テストモードでデ
ータを書き込む場合について説明したが、テストモード
でＥＥＰＲＯＭ１７からデータ読み出す場合には、図３
でリード／ライト切替信号Ｒ／ＷをＨレベルのデータ読
み出し要求状態とするとともに、レディ／ビジィ切替信
号ＲＤＹ／ＢＳＹをＬレベルの入力拒否状態とすること
により実現可能である。

【００４２】したがって、上記実施例のような構成によ
れば、カードイネーブル信号ＣＥをＨレベルとしてから
アドレス／データ切替信号Ａ／ＤをＨレベルに反転させ
るまでの期間に、５つのバスクロックＢＣＫがデータ入
出力制御回路１３に入力されるという、通常の動作モー
ドでは入力されることのない特殊なコマンドをコネクタ
１２に供給することによりテストモードにはいり、通常
の動作モードではメモリカード本体１１の外部から直接
アクセスすることのできないＥＥＰＲＯＭ１７の記憶領
域に対しても、データの書き込み及び読み出しを行なえ
るようにしたので、故障時や試験時等にも有効に対処す
ることができるようになる。

【００４３】なお、この発明は上記実施例に限定される
ものではなく、この外その要旨を逸脱しない範囲で種々
変形して実施することができる。

【００４４】

【発明の効果】以上詳述したようにこの発明によれば、
外部から特殊なコマンドを供給することにより、通常で
は外部から直接アクセスすることのできないＥＥＰＲＯ
Ｍの記憶領域に対してもデータの書き込み及び読み出し
を行なえるようにし、故障時や試験時等にも有効に対処
し得るようにした極めて良好なメモリカード装置を提供
することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明に係るメモリカード装置の一実施例を
示すブロック構成図。

【図２】同実施例の動作を説明するためのタイミング
図。

【図３】同実施例の要部の動作を説明するためのタイミ
ング図。

【図４】ＳＲＡＭカードとＥＥＰＲＯＭカードとの長短
を比較して示す図。

【符号の説明】

１１…メモリカード本体、１２…コネクタ、１３…デー
タ入出力制御回路、１４…バッファメモリ、１５…アド
レス発生回路、１６…セレクタ、１７…ＥＥＰＲＯＭ、
１８…消去回路。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ１１Ｃ 16/06 (72)発明者 小西 和夫 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝映像メデイア技術研究所内 (72)発明者 佐藤 聡明 東京都港区新橋３丁目３番９号 東芝エ ー・ブイ・イー株式会社内

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ＥＥＰＲＯＭのデータ記憶領域のうち、
   外部からのアドレス信号を入力することによりアクセス
   可能な第１の領域と、通常はアクセス不可能な第２の領
   域とを有するメモリカード装置において、外部から特殊
   なコマンドを供給することにより前記第２の領域を外部
   からアクセスできるようにしたことを特徴とするメモリ
   カード装置。