JPH05149773A - ひずみゲ−ジの使用方法 - Google Patents
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- JPH05149773A JPH05149773A JP4140773A JP14077392A JPH05149773A JP H05149773 A JPH05149773 A JP H05149773A JP 4140773 A JP4140773 A JP 4140773A JP 14077392 A JP14077392 A JP 14077392A JP H05149773 A JPH05149773 A JP H05149773A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L1/00—Measuring force or stress, in general
- G01L1/20—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress
- G01L1/22—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges
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-
- G—PHYSICS
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- G01L1/2287—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges constructional details of the strain gauges
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49082—Resistor making
- Y10T29/49103—Strain gauge making
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measurement Of Force In General (AREA)
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 試験体の圧縮面において正確かつ確実に圧縮
応力の測定が可能なひずみゲ−ジの使用方法を提供する
ことにある。 【構成】 60から400 μm の厚さを有するガラス支持体
(9) と、該ガラス支持体(9) の一方の面にコ−ティング
された抵抗コ−ティング(8) とを有するひずみゲ−ジ
(7) を、ガラス支持体(9) の他方の面の試験体(1) の圧
縮面(6) への接着によって試験体(1) の圧縮面(6) にの
み固定する段階を含むことを特徴とする。
応力の測定が可能なひずみゲ−ジの使用方法を提供する
ことにある。 【構成】 60から400 μm の厚さを有するガラス支持体
(9) と、該ガラス支持体(9) の一方の面にコ−ティング
された抵抗コ−ティング(8) とを有するひずみゲ−ジ
(7) を、ガラス支持体(9) の他方の面の試験体(1) の圧
縮面(6) への接着によって試験体(1) の圧縮面(6) にの
み固定する段階を含むことを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ひずみゲ−ジの使用方
法に係る。より具体的には、本発明は最良の先行技術よ
りも遥かに廉価に、より正確に弾性体の圧縮面における
ひずみ量の測定を行なうためのひずみゲ−ジの使用方法
に係る。
法に係る。より具体的には、本発明は最良の先行技術よ
りも遥かに廉価に、より正確に弾性体の圧縮面における
ひずみ量の測定を行なうためのひずみゲ−ジの使用方法
に係る。
【０００２】本発明は、測定分野、特に電子計量分野に
於いて数多く適用される。
於いて数多く適用される。
【０００３】
【従来の技術】ひずみゲ―ジを得るための既存の最良の
方法では、ポリイミド薄膜層が使用され、該薄膜層に
は、ニッケル、クロム、或いは銅等を主成分とする抵抗
物質の超薄膜層（約５μm ）が積層されている。
方法では、ポリイミド薄膜層が使用され、該薄膜層に
は、ニッケル、クロム、或いは銅等を主成分とする抵抗
物質の超薄膜層（約５μm ）が積層されている。
【０００４】抵抗コ―ティングは、好ましい値と形状を
もつ抵抗体を得るべく細片化されており、続いてゲ―ジ
は接着により試験体に直接接続される。
もつ抵抗体を得るべく細片化されており、続いてゲ―ジ
は接着により試験体に直接接続される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このようなゲ―ジによ
り極めて正確な測定（最大有効測定範囲10-4）が可能で
あるが、その製造は複雑で困難である。従って、超薄膜
層の取り扱い及び接着も容易ではなく、５μm の厚さの
シ―トですら製造するのは非常に困難である。従って、
該ゲ―ジは非常に高価であり、大量生産されるセンサ中
にこれを使用することは難しい。
り極めて正確な測定（最大有効測定範囲10-4）が可能で
あるが、その製造は複雑で困難である。従って、超薄膜
層の取り扱い及び接着も容易ではなく、５μm の厚さの
シ―トですら製造するのは非常に困難である。従って、
該ゲ―ジは非常に高価であり、大量生産されるセンサ中
にこれを使用することは難しい。
【０００６】他の方法としては、絶縁層次いで抵抗層を
真空蒸着することにより、試験体上にゲ―ジを直接形成
する。非常に薄い鉱物絶縁体を使用することにより極め
て良好な安定性と良好な測定特性とを有するセンサが得
られるが、この方法には不都合もある。蒸着が行われる
試験体の表面は、絶縁体中に孔部を形成しないように、
入念に研磨されなければならない。
真空蒸着することにより、試験体上にゲ―ジを直接形成
する。非常に薄い鉱物絶縁体を使用することにより極め
て良好な安定性と良好な測定特性とを有するセンサが得
られるが、この方法には不都合もある。蒸着が行われる
試験体の表面は、絶縁体中に孔部を形成しないように、
入念に研磨されなければならない。
【０００７】他方、使用される機械の出力が単位時間当
たりの単位面積あたりに対して示されるので、センサの
費用は該センサが配置される試験体の面積に比例し、そ
の面積は、機械的強度の関係で比較的大であることが多
い。また、試験体は化学生成物と熱処理との両者に対し
て鋭敏であるため製造工程は非常に複雑になりその費用
は莫大なものになる。
たりの単位面積あたりに対して示されるので、センサの
費用は該センサが配置される試験体の面積に比例し、そ
の面積は、機械的強度の関係で比較的大であることが多
い。また、試験体は化学生成物と熱処理との両者に対し
て鋭敏であるため製造工程は非常に複雑になりその費用
は莫大なものになる。
【０００８】更に、第３番目の方法では、ゲ―ジ用サポ
―トとして単結晶シリコンシ―トを使用し、該シ―ト中
には、集積回路に於けると同様にド―ピング剤の拡散に
よって抵抗体が形成される。この方法は、大量生産が可
能であるが、現状では、温度変化に対するシリコンの感
度により有効測定範囲10-2以上の精度を得ることは不可
能である。
―トとして単結晶シリコンシ―トを使用し、該シ―ト中
には、集積回路に於けると同様にド―ピング剤の拡散に
よって抵抗体が形成される。この方法は、大量生産が可
能であるが、現状では、温度変化に対するシリコンの感
度により有効測定範囲10-2以上の精度を得ることは不可
能である。
【０００９】本発明の目的は、試験体の圧縮面において
正確かつ確実に圧縮応力の測定が可能なひずみゲ−ジの
使用方法を提供することにある。
正確かつ確実に圧縮応力の測定が可能なひずみゲ−ジの
使用方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、60から
400 μm の厚さを有するガラス支持体と、該ガラス支持
体の一方の面にコ−ティングされた抵抗コ−ティングと
を有するひずみゲ−ジを、前記ガラス支持体の他方の面
の試験体の圧縮面への接着によって前記試験体の圧縮面
にのみ固定する段階を含むひずみゲ−ジの使用方法によ
って達成される。
400 μm の厚さを有するガラス支持体と、該ガラス支持
体の一方の面にコ−ティングされた抵抗コ−ティングと
を有するひずみゲ−ジを、前記ガラス支持体の他方の面
の試験体の圧縮面への接着によって前記試験体の圧縮面
にのみ固定する段階を含むひずみゲ−ジの使用方法によ
って達成される。
【００１１】
【作用】本発明のひずみゲ−ジの使用方法においては、
60から400 μm の厚さを有するガラス支持体の他方の面
の試験体の圧縮面への接着によって試験体の圧縮面にの
みひずみゲ−ジを固定するので、試験体の圧縮面が圧縮
応力を受けたときに抵抗コ―ティングが測定し得る試験
体のひずみ変化を抵抗コ―ティングが固定された該ガラ
ス支持体の圧縮面の部位に確実に生起することができ、
ゲ―ジの構造をより単純化し得る。ガラスの圧縮応力に
おける破壊限界はガラスの引張応力における破壊限界よ
りも８倍も大きいため、ひずみゲ−ジを試験体の引張面
に使用した場合と比較してひずみゲ−ジを破壊すること
なく引張り応力の８倍の圧縮応力を確実に測定すること
ができ、かつ圧縮応力に関して高精度にひずみ変化量を
測定できる。
60から400 μm の厚さを有するガラス支持体の他方の面
の試験体の圧縮面への接着によって試験体の圧縮面にの
みひずみゲ−ジを固定するので、試験体の圧縮面が圧縮
応力を受けたときに抵抗コ―ティングが測定し得る試験
体のひずみ変化を抵抗コ―ティングが固定された該ガラ
ス支持体の圧縮面の部位に確実に生起することができ、
ゲ―ジの構造をより単純化し得る。ガラスの圧縮応力に
おける破壊限界はガラスの引張応力における破壊限界よ
りも８倍も大きいため、ひずみゲ−ジを試験体の引張面
に使用した場合と比較してひずみゲ−ジを破壊すること
なく引張り応力の８倍の圧縮応力を確実に測定すること
ができ、かつ圧縮応力に関して高精度にひずみ変化量を
測定できる。
【００１２】
【実施例】薄膜のガラス支持体（ガラスプレ―ト）の弾
力性は既知であり、該ガラスプレ―トをゲ―ジ用のサポ
―トとして特に圧力測定用に使用するという着想は新規
なものでない。しかし乍ら、これは、変形がさほど大き
くない場合に限定されている。何故ならば、サポ―トが
変形する時その一部には引張り応力が加えられ、ガラス
の引張り力による破壊限界は圧縮力による場合より約８
倍も劣るからである。
力性は既知であり、該ガラスプレ―トをゲ―ジ用のサポ
―トとして特に圧力測定用に使用するという着想は新規
なものでない。しかし乍ら、これは、変形がさほど大き
くない場合に限定されている。何故ならば、サポ―トが
変形する時その一部には引張り応力が加えられ、ガラス
の引張り力による破壊限界は圧縮力による場合より約８
倍も劣るからである。
【００１３】これに対して本発明の実施例では、薄膜の
ガラスプレ―トがゲ―ジ用サポ―トとしてのみ使用さ
れ、ガラスプレ―トは、試験体の圧縮応力面に固定され
る。ガラスプレ―トは、プレ―ト全体に圧縮応力を受
け、引張り応力の８倍の感度で圧縮応力を測定すること
ができる。
ガラスプレ―トがゲ―ジ用サポ―トとしてのみ使用さ
れ、ガラスプレ―トは、試験体の圧縮応力面に固定され
る。ガラスプレ―トは、プレ―ト全体に圧縮応力を受
け、引張り応力の８倍の感度で圧縮応力を測定すること
ができる。
【００１４】本発明は、非限定的な実施例及び添付図面
を参照して以下に詳述される。
を参照して以下に詳述される。
【００１５】図１は、例えば鋼製プレ―トの形態の試験
体1 を示し該試験体1 の一端2 は、壁部3 に固定され、
他端4 は自由端である。被測定量（例えば力）の作用下
で、試験体1 は変形し、その一方の面5 は引張応力が作
用する引張面、他方の面6 は圧縮応力が作用する圧縮面
である。面6 は、抵抗コ―ティング8 を含むひずみゲ―
ジ7 を担持する。この場合、抵抗コ―ティング8 は薄膜
のガラスプレ―ト9 上に蒸着されている。ガラスプレ―
ト9 は、シ―ル層10を介して試験体の面6 に接着により
固定される。ゲ―ジ7 は、一群の接続線11により増幅器
（図示せず）に接続される。
体1 を示し該試験体1 の一端2 は、壁部3 に固定され、
他端4 は自由端である。被測定量（例えば力）の作用下
で、試験体1 は変形し、その一方の面5 は引張応力が作
用する引張面、他方の面6 は圧縮応力が作用する圧縮面
である。面6 は、抵抗コ―ティング8 を含むひずみゲ―
ジ7 を担持する。この場合、抵抗コ―ティング8 は薄膜
のガラスプレ―ト9 上に蒸着されている。ガラスプレ―
ト9 は、シ―ル層10を介して試験体の面6 に接着により
固定される。ゲ―ジ7 は、一群の接続線11により増幅器
（図示せず）に接続される。
【００１６】ゲ―ジ7 は本質的に既知のいずれかの方
法、特にガラスプレ―ト上へ抵抗材を真空蒸着すなわち
噴霧法もしくは、蒸着法により製造し得る。
法、特にガラスプレ―ト上へ抵抗材を真空蒸着すなわち
噴霧法もしくは、蒸着法により製造し得る。
【００１７】多数の抵抗材が使用可能であり、特にニッ
ケル‐クロム、クロム‐二酸化ケイ素、プラチナ、タン
タル等を主成分とする金属もしくは金属合金のうちのい
ずれか一方が使用され得、真空蒸着工程によれば50から
500nm の範囲の超薄型の抵抗コ―ティング8 の形成が可
能となる。従って、金属が著しく節約され、コ―ティン
グが薄い程パタ―ンのエッチング時に於けるゲ―ジの抵
抗の鮮明度はより良くなる。
ケル‐クロム、クロム‐二酸化ケイ素、プラチナ、タン
タル等を主成分とする金属もしくは金属合金のうちのい
ずれか一方が使用され得、真空蒸着工程によれば50から
500nm の範囲の超薄型の抵抗コ―ティング8 の形成が可
能となる。従って、金属が著しく節約され、コ―ティン
グが薄い程パタ―ンのエッチング時に於けるゲ―ジの抵
抗の鮮明度はより良くなる。
【００１８】超薄型の抵抗コ―ティング8 を使用するこ
とにより更に単位長さ当たりの高い抵抗もしくは強度が
得られ、ゲ―ジ7 の構造が単純化する。
とにより更に単位長さ当たりの高い抵抗もしくは強度が
得られ、ゲ―ジ7 の構造が単純化する。
【００１９】ゲ―ジ7 の形状は図２の斜視図に示され
る。ガラスプレ―ト9 上に蒸着された抵抗コ―ティング
8 は、正方形に配置された４個の相等しい金属ストリッ
プ12、13、14、15から構成され、該正方形は試験体1 の
長手方向軸ＸＸ′に関して対称形である。金属ストリッ
プ13及び14は試験体1 の軸に平行であり、ストリップ12
及び15は垂直である。正方形の頂点には４個の接点Ａ、
Ｂ、Ｃ及びＤが配置される。金属ストリップ12、13、1
4、15はＡＣ間に電力を供給されるホィ―トストンブリ
ッジの４個の抵抗を構成し、他方出力電圧は、ＢＤ間で
測定される。こうして形成された完全なブリッジは約５
nm平方であるため、ゲ―ジ7 の寸法は非常に小さい。
る。ガラスプレ―ト9 上に蒸着された抵抗コ―ティング
8 は、正方形に配置された４個の相等しい金属ストリッ
プ12、13、14、15から構成され、該正方形は試験体1 の
長手方向軸ＸＸ′に関して対称形である。金属ストリッ
プ13及び14は試験体1 の軸に平行であり、ストリップ12
及び15は垂直である。正方形の頂点には４個の接点Ａ、
Ｂ、Ｃ及びＤが配置される。金属ストリップ12、13、1
4、15はＡＣ間に電力を供給されるホィ―トストンブリ
ッジの４個の抵抗を構成し、他方出力電圧は、ＢＤ間で
測定される。こうして形成された完全なブリッジは約５
nm平方であるため、ゲ―ジ7 の寸法は非常に小さい。
【００２０】試験体1 が被測定量の作用下で撓曲する
時、即ち、試験体1 の軸が変形してガラスプレ―ト9 が
圧縮応力を受ける時、ストリップ13及び14もまた圧縮応
力をうける。その抵抗は変化し、従って試験本体の変形
に比例するホィ―トストンブリッジの不均衡が生じる。
時、即ち、試験体1 の軸が変形してガラスプレ―ト9 が
圧縮応力を受ける時、ストリップ13及び14もまた圧縮応
力をうける。その抵抗は変化し、従って試験本体の変形
に比例するホィ―トストンブリッジの不均衡が生じる。
【００２１】更に、驚くべきことにストリップ12及び15
はやや引張り応力をうける現象が見られ、従ってブリッ
ジの不均衡が強調されると共に装置の感度が増す。
はやや引張り応力をうける現象が見られ、従ってブリッ
ジの不均衡が強調されると共に装置の感度が増す。
【００２２】超薄型の金属ストリップ（例えば厚さ150n
m)を使用する場合、それによって得られる金属の節約と
ゲ―ジ構造の超単純化とにより装置のコストが縮減され
得る。また、ブリッジの各抵抗素子は引張り応力と圧縮
応力のいずれをうける場合にもすべての点で同一方向に
変形し、その結果センサの最大理論感度が得られる。こ
の点は、抵抗体1 の一部が相反する方向に変形されるよ
うに設計される先行技術方法に較べて格段の進歩であ
る。
m)を使用する場合、それによって得られる金属の節約と
ゲ―ジ構造の超単純化とにより装置のコストが縮減され
得る。また、ブリッジの各抵抗素子は引張り応力と圧縮
応力のいずれをうける場合にもすべての点で同一方向に
変形し、その結果センサの最大理論感度が得られる。こ
の点は、抵抗体1 の一部が相反する方向に変形されるよ
うに設計される先行技術方法に較べて格段の進歩であ
る。
【００２３】ガラスプレ―ト9 の厚さは試験体1 の変形
を損なわせないように十分小であるが、過度の困難なし
にゲ―ジを操作できるよう十分大である。良好な結果
は、ガラスの厚さが60から 400μm 、好ましくは約 150
μm の時に得られた。
を損なわせないように十分小であるが、過度の困難なし
にゲ―ジを操作できるよう十分大である。良好な結果
は、ガラスの厚さが60から 400μm 、好ましくは約 150
μm の時に得られた。
【００２４】ガラスプレ―ト9 は、既知のいずれかの手
段により例えば、メチル‐2-シクロアクリレ―トを主成
分とする速乾接着剤もしくは２成分を有するエポキサイ
ドを使用し、スクリ―ン印刷し得るようなシ―ルガラス
を使用することにより、或いは溶着によって試験本体に
接着され得る。
段により例えば、メチル‐2-シクロアクリレ―トを主成
分とする速乾接着剤もしくは２成分を有するエポキサイ
ドを使用し、スクリ―ン印刷し得るようなシ―ルガラス
を使用することにより、或いは溶着によって試験本体に
接着され得る。
【００２５】抵抗コ―ティング8 と反対側のガラスプレ
―ト9 の面に固定されると共に試験体1 に溶接された溶
着層を介して固定を行うこともまた可能である。
―ト9 の面に固定されると共に試験体1 に溶接された溶
着層を介して固定を行うこともまた可能である。
【００２６】本実施例に従う装置は、多くの利点を有
し、特に極めて廉価で得られるものである。これはガラ
スプレ―ト9 が非常に経済的（センサ当たり約0.01フラ
ン）な基板を構成し、集中処理による自動化大量生産が
可能であるという事実、及び抵抗材が迅速かつすみやか
に再生産可能な工程により超薄型の抵抗コ―ティング8
の形で形成されるため金属消費量が著しく低減されると
いう事実に依るものである。抵抗材の選択範囲は非常に
広く、真空蒸着により抵抗材とガラス間にすぐれた結合
が得られる。更に、サポ―トは十分剛性であるため接着
処理が容易である。また、装置の生産工程は、使用され
るサポ―トに無関係である。
し、特に極めて廉価で得られるものである。これはガラ
スプレ―ト9 が非常に経済的（センサ当たり約0.01フラ
ン）な基板を構成し、集中処理による自動化大量生産が
可能であるという事実、及び抵抗材が迅速かつすみやか
に再生産可能な工程により超薄型の抵抗コ―ティング8
の形で形成されるため金属消費量が著しく低減されると
いう事実に依るものである。抵抗材の選択範囲は非常に
広く、真空蒸着により抵抗材とガラス間にすぐれた結合
が得られる。更に、サポ―トは十分剛性であるため接着
処理が容易である。また、装置の生産工程は、使用され
るサポ―トに無関係である。
【００２７】上記記載のセンサの測定性能レベルは薄型
パタ―ンに依る既存の最良のゲ―ジに匹敵する。即ち精
度は約10-3から10-4の有効測定範囲であり、測定信号は
比較可能な振幅を有する。従来型のゲ―ジの信号は既に
非常に弱く接続される増幅器の価格に本質的に影響する
ので、前記の点は非常に重要である。感度を更に縮小さ
せるならば、電子機器の費用は殆んどの適用に相容れな
いものとなろう。
パタ―ンに依る既存の最良のゲ―ジに匹敵する。即ち精
度は約10-3から10-4の有効測定範囲であり、測定信号は
比較可能な振幅を有する。従来型のゲ―ジの信号は既に
非常に弱く接続される増幅器の価格に本質的に影響する
ので、前記の点は非常に重要である。感度を更に縮小さ
せるならば、電子機器の費用は殆んどの適用に相容れな
いものとなろう。
【００２８】自明のことではあるが、本発明は、上記記
載の実施例に限定されず、本発明の領域を逸することな
く多数の応用が可能である。
載の実施例に限定されず、本発明の領域を逸することな
く多数の応用が可能である。
【００２９】例えば、数個のゲ―ジを同一のガラスプレ
―ト上に配置することができ、或いはそれぞれ１個以上
のゲ―ジを有する数個のガラスプレ―トを使用すること
が可能である。
―ト上に配置することができ、或いはそれぞれ１個以上
のゲ―ジを有する数個のガラスプレ―トを使用すること
が可能である。
【００３０】抵抗コ―ティングの性質については、他の
抵抗層例えば、著しく高感度であると同時に変形特性も
顕著であるとして公知の超微細金コ―ティング（厚さ５
mm未満）或いはビスマスコ―ティングが使用され得る。
抵抗コ―ティング以外のコ―ティング、例えばトランジ
スタ型の活性成分が形成されるときのような半導体コ−
ティング等を使用することもまた可能である。更にコン
デンサの製造に使用する誘電コ―ティングを使用しても
よい。応力によって決定される透過性を有する磁気ひず
み材を使用してもよい。
抵抗層例えば、著しく高感度であると同時に変形特性も
顕著であるとして公知の超微細金コ―ティング（厚さ５
mm未満）或いはビスマスコ―ティングが使用され得る。
抵抗コ―ティング以外のコ―ティング、例えばトランジ
スタ型の活性成分が形成されるときのような半導体コ−
ティング等を使用することもまた可能である。更にコン
デンサの製造に使用する誘電コ―ティングを使用しても
よい。応力によって決定される透過性を有する磁気ひず
み材を使用してもよい。
【００３１】本実施例に従うガラスプレ―トを使用する
利点は、該装置の製造方法と首尾よく両立しうるという
点である。
利点は、該装置の製造方法と首尾よく両立しうるという
点である。
【００３２】
【発明の効果】本発明のひずみゲ−ジの使用方法では、
60から400 μm の厚さを有するガラス支持体の他方の面
の試験体の圧縮面への接着によって試験体の圧縮面にの
みひずみゲ−ジを固定するので、試験体の圧縮面が圧縮
応力を受けたときに抵抗コ―ティングが測定し得る試験
体のひずみ変化を抵抗コ―ティングが固定された該ガラ
ス支持体の圧縮面の部位に確実に生起し得、ゲ―ジの構
造をより単純化し得、ガラスの圧縮応力における破壊限
界はガラスの引張応力における破壊限界よりも８倍も大
きいため、ガラス以外の歪みゲ−ジを使用したひずみゲ
−ジを弾性体の圧縮面に使用した場合と比較して引張応
力の８倍の圧縮応力に関してひずみゲ−ジを破壊するこ
となく確実に測定し得、かつ圧縮応力に関して高精度に
ひずみ変化量を測定し得る。
60から400 μm の厚さを有するガラス支持体の他方の面
の試験体の圧縮面への接着によって試験体の圧縮面にの
みひずみゲ−ジを固定するので、試験体の圧縮面が圧縮
応力を受けたときに抵抗コ―ティングが測定し得る試験
体のひずみ変化を抵抗コ―ティングが固定された該ガラ
ス支持体の圧縮面の部位に確実に生起し得、ゲ―ジの構
造をより単純化し得、ガラスの圧縮応力における破壊限
界はガラスの引張応力における破壊限界よりも８倍も大
きいため、ガラス以外の歪みゲ−ジを使用したひずみゲ
−ジを弾性体の圧縮面に使用した場合と比較して引張応
力の８倍の圧縮応力に関してひずみゲ−ジを破壊するこ
となく確実に測定し得、かつ圧縮応力に関して高精度に
ひずみ変化量を測定し得る。
【図１】本発明のひずみゲ−ジの使用方法の実施例を説
明する図である。
明する図である。
【図２】第１図のひずみゲ−ジの拡大図である。
１ 試験体 ６ 圧縮面 ８ 抵抗コ―ティング ９ ガラスプレ―ト
Claims (4)
- 【請求項１】 60から400 μm の厚さを有するガラス支
持体と、該ガラス支持体の一方の面にコ−ティングされ
た抵抗コ−ティングとを有するひずみゲ−ジを、前記ガ
ラス支持体の他方の面の試験体の圧縮面への接着によっ
て前記試験体の圧縮面にのみ固定する段階を含むひずみ
ゲ−ジの使用方法。 - 【請求項２】 前記ガラス支持体の厚さが100 から250
μmである請求項１に記載のひずみゲ−ジの使用方法。 - 【請求項３】 前記ガラス支持体の厚さが150 μm であ
る請求項２に記載のひずみゲ−ジの使用方法。 - 【請求項４】 前記抵抗コ−ティングの厚さが50から50
0nm である請求項１に記載のひずみゲ−ジの使用方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8024656A FR2494437A1 (fr) | 1980-11-20 | 1980-11-20 | Dispositif de mesure comprenant une jauge de contrainte avec un support en verre mince |
| FR8024656 | 1980-11-20 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56185133A Division JPS57113306A (en) | 1980-11-20 | 1981-11-18 | Measuring apparatus using strain gauge |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05149773A true JPH05149773A (ja) | 1993-06-15 |
Family
ID=9248178
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56185133A Granted JPS57113306A (en) | 1980-11-20 | 1981-11-18 | Measuring apparatus using strain gauge |
| JP4140773A Pending JPH05149773A (ja) | 1980-11-20 | 1992-06-01 | ひずみゲ−ジの使用方法 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56185133A Granted JPS57113306A (en) | 1980-11-20 | 1981-11-18 | Measuring apparatus using strain gauge |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4418326A (ja) |
| EP (1) | EP0053059B1 (ja) |
| JP (2) | JPS57113306A (ja) |
| CA (1) | CA1178083A (ja) |
| DE (1) | DE3174261D1 (ja) |
| FR (1) | FR2494437A1 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2606875B1 (fr) * | 1986-11-18 | 1989-06-09 | Dal Dan Felice | Procede de realisation d'une jauge de contrainte |
| US7150199B2 (en) * | 2003-02-19 | 2006-12-19 | Vishay Intertechnology, Inc. | Foil strain gage for automated handling and packaging |
| FR2919486B1 (fr) * | 2007-07-31 | 2009-10-02 | Captomed Entpr Unipersonnelle | Capteur de pression auto-etalonnable. |
| CN101813452B (zh) * | 2010-03-30 | 2011-12-28 | 中国船舶重工集团公司第七〇二研究所 | 应变片防水密封方法及其结构 |
| EP2426472B1 (en) * | 2010-09-01 | 2017-11-01 | Silicon Valley Micro E Corporation | Bicycle Power meter with frame mounted sensor |
| US8474332B2 (en) * | 2010-10-20 | 2013-07-02 | Medtronic Minimed, Inc. | Sensor assembly and medical device incorporating same |
| US8495918B2 (en) | 2010-10-20 | 2013-07-30 | Medtronic Minimed, Inc. | Sensor assembly and medical device incorporating same |
| CN104405744A (zh) * | 2014-10-15 | 2015-03-11 | 深圳市伊爱高新技术开发有限公司 | 一种片式传感器安装工艺 |
| WO2018113842A1 (de) * | 2016-12-19 | 2018-06-28 | Schaeffler Technologies AG & Co. KG | Verfahren zum verbinden einer glasschicht mit einem metallischen substrat |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55144502A (en) * | 1979-04-23 | 1980-11-11 | Siemens Ag | Strain gauge bridge circuit and manufacturing method thereof |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1022075A (en) * | 1961-12-20 | 1966-03-09 | Western Electric Co | Improvements in or relating to film resistors |
| JPS4920239B1 (ja) * | 1969-10-28 | 1974-05-23 | ||
| US3713068A (en) * | 1971-06-07 | 1973-01-23 | Itt | Bonded assemblies and methods of making the same |
| US3803706A (en) * | 1972-12-27 | 1974-04-16 | Itt | Method of making a transducer |
| US3805377A (en) * | 1973-04-18 | 1974-04-23 | Itt | Method of making a transducer |
| US4016644A (en) * | 1974-03-18 | 1977-04-12 | Kulite Semiconductor Products, Inc. | Methods of fabricating low pressure silicon transducers |
| JPS514692U (ja) * | 1974-06-25 | 1976-01-14 | ||
| US3953920A (en) * | 1975-05-14 | 1976-05-04 | International Telephone & Telegraph Corporation | Method of making a transducer |
| US4195279A (en) * | 1978-02-16 | 1980-03-25 | Nasa | Attaching of strain gages to substrates |
| FR2440547A1 (fr) * | 1978-11-06 | 1980-05-30 | Dal Dan Felice | Jauge de contrainte perfectionnee |
-
1980
- 1980-11-20 FR FR8024656A patent/FR2494437A1/fr active Granted
-
1981
- 1981-11-05 DE DE8181401768T patent/DE3174261D1/de not_active Expired
- 1981-11-05 EP EP81401768A patent/EP0053059B1/fr not_active Expired
- 1981-11-12 US US06/320,183 patent/US4418326A/en not_active Expired - Lifetime
- 1981-11-18 CA CA000390361A patent/CA1178083A/en not_active Expired
- 1981-11-18 JP JP56185133A patent/JPS57113306A/ja active Granted
-
1992
- 1992-06-01 JP JP4140773A patent/JPH05149773A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55144502A (en) * | 1979-04-23 | 1980-11-11 | Siemens Ag | Strain gauge bridge circuit and manufacturing method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57113306A (en) | 1982-07-14 |
| JPH0320682B2 (ja) | 1991-03-20 |
| FR2494437A1 (fr) | 1982-05-21 |
| CA1178083A (en) | 1984-11-20 |
| US4418326A (en) | 1983-11-29 |
| FR2494437B1 (ja) | 1983-10-21 |
| EP0053059B1 (fr) | 1986-04-02 |
| DE3174261D1 (en) | 1986-05-07 |
| EP0053059A1 (fr) | 1982-06-02 |
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