JPH05129500A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPH05129500A JPH05129500A JP28988391A JP28988391A JPH05129500A JP H05129500 A JPH05129500 A JP H05129500A JP 28988391 A JP28988391 A JP 28988391A JP 28988391 A JP28988391 A JP 28988391A JP H05129500 A JPH05129500 A JP H05129500A
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- H01L2224/83101—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus as prepeg comprising a layer connector, e.g. provided in an insulating plate member
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 信号伝送速度の向上および電気的ノイズの低
減をはかり、生産性および信頼性の高い半導体装置を得
る。 【構成】 半導体チップ１に第１の絶縁体４を介してリ
ードフレーム５を固着し、リードフレーム５の先端近傍
に第２の絶縁体１０を介して電源電圧供給用棒状インナ
ーリード８ｃおよび接地用棒状インナーリード８ｓを配
設し、半導体チップ１上の電源電圧供給用パッド電極３
ｃおよび接地用パッド電極３ｓと電源電圧供給用棒状イ
ンナーリード８ｃおよび接地用棒状インナーリード８ｓ
をボンディングワイヤ１１により接合する。
減をはかり、生産性および信頼性の高い半導体装置を得
る。 【構成】 半導体チップ１に第１の絶縁体４を介してリ
ードフレーム５を固着し、リードフレーム５の先端近傍
に第２の絶縁体１０を介して電源電圧供給用棒状インナ
ーリード８ｃおよび接地用棒状インナーリード８ｓを配
設し、半導体チップ１上の電源電圧供給用パッド電極３
ｃおよび接地用パッド電極３ｓと電源電圧供給用棒状イ
ンナーリード８ｃおよび接地用棒状インナーリード８ｓ
をボンディングワイヤ１１により接合する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は樹脂封止型半導体装置に
係り、特に大規模集積回路を有する半導体チップを搭載
するのに好適なＬＯＣ（Lead On Chip）構造もしくはＣ
ＯＬ（Chip On Lead）構造の樹脂封止型半導体装置に関
するものである。
係り、特に大規模集積回路を有する半導体チップを搭載
するのに好適なＬＯＣ（Lead On Chip）構造もしくはＣ
ＯＬ（Chip On Lead）構造の樹脂封止型半導体装置に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置はますます大型化され
てきており、大型化された半導体チップを規格化された
パッケージサイズに収納するための提案が特開昭６１─
２１８１３９号公報、特開昭６１─２４１９５９号公報
および特公平３─１２７８１号公報などで開示されてい
る。これらの公報で開示されているパッケージ構造は、
ＬＯＣ構造およびＣＯＬ構造と呼称されているものであ
り、前者の代表例として半導体チップの回路形成面にリ
ードフレームと一体となったインナーリードをフィルム
状絶縁体を介して接着し、フィルム状絶縁体の上にリー
ドフレームと一体となった共通導体を同一平面上に配置
し、フィルム状絶縁体から露出した半導体チップの上面
のパッド電極とインナーリードおよび共通導体とをボン
ディングワイヤなどで電気的に接続した樹脂封止型半導
体装置であった。後者の代表例としては半導体チップの
回路形成面と反対面にリードフレームと一体となったイ
ンナーリードをフィルム状絶縁体を介して接着し、半導
体チップの上面のパッド電極とフィルム状絶縁体から露
出したインナーリードとをボンディングワイヤなどで電
気的に接続した樹脂封止型半導体装置であった。
てきており、大型化された半導体チップを規格化された
パッケージサイズに収納するための提案が特開昭６１─
２１８１３９号公報、特開昭６１─２４１９５９号公報
および特公平３─１２７８１号公報などで開示されてい
る。これらの公報で開示されているパッケージ構造は、
ＬＯＣ構造およびＣＯＬ構造と呼称されているものであ
り、前者の代表例として半導体チップの回路形成面にリ
ードフレームと一体となったインナーリードをフィルム
状絶縁体を介して接着し、フィルム状絶縁体の上にリー
ドフレームと一体となった共通導体を同一平面上に配置
し、フィルム状絶縁体から露出した半導体チップの上面
のパッド電極とインナーリードおよび共通導体とをボン
ディングワイヤなどで電気的に接続した樹脂封止型半導
体装置であった。後者の代表例としては半導体チップの
回路形成面と反対面にリードフレームと一体となったイ
ンナーリードをフィルム状絶縁体を介して接着し、半導
体チップの上面のパッド電極とフィルム状絶縁体から露
出したインナーリードとをボンディングワイヤなどで電
気的に接続した樹脂封止型半導体装置であった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このような従来技術、
例えばＬＯＣ構造についての技術によれば、リードフレ
ームと一体となったインナーリードと共通導体とを同一
平面上に配置しているが、このためにつぎのような課題
を潜在させていた。第１の課題は、半導体チップの上面
のパッド電極とインナーリードをボンディングワイヤに
より電気的に結線しようとするときにボンディングワイ
ヤが共通導体をまたぐことになり、例えば信号用ボンデ
ィングワイヤが共通導体に接触して短絡してしまった
り、また、接触していない状態であっても、樹脂封止時
の樹脂注入圧によりボンディングワイヤが変位して共通
導体に接触して、短絡してしまうおそれがあった。同時
に、ボンディングワイヤが共通導体をまたぐことによ
り、ボンディングワイヤをある長さ以下に短くできない
ため、信号伝送速度の向上や電気的ノイズの低減には限
界があった。第２の課題は、インナーリードの先端部お
よび共通導体を包含する平面の下部に、例えばポリイミ
ド樹脂からなるフィルム状絶縁体が配置されるために、
フィルム状絶縁体の体積は大きくなる。ここで、ポリイ
ミド樹脂は吸湿性を有するために、実装時の半田リフロ
ーの熱により、吸湿された水分が気化膨張してパッケー
ジクラックが発生するおそれがあった。第３の課題は、
インナリード先端部および共通導体からなる部分の段差
形状が複雑で、凹凸が激しいために樹脂封止時の成形性
が、薄いパッケージになればなるほど難しくなるおそれ
があった。一方のＣＯＬ構造の技術によれば、既に説明
したような共通導体がないために、信号伝送速度の向上
や電気的ノイズの低減をはかることが難しかった。
例えばＬＯＣ構造についての技術によれば、リードフレ
ームと一体となったインナーリードと共通導体とを同一
平面上に配置しているが、このためにつぎのような課題
を潜在させていた。第１の課題は、半導体チップの上面
のパッド電極とインナーリードをボンディングワイヤに
より電気的に結線しようとするときにボンディングワイ
ヤが共通導体をまたぐことになり、例えば信号用ボンデ
ィングワイヤが共通導体に接触して短絡してしまった
り、また、接触していない状態であっても、樹脂封止時
の樹脂注入圧によりボンディングワイヤが変位して共通
導体に接触して、短絡してしまうおそれがあった。同時
に、ボンディングワイヤが共通導体をまたぐことによ
り、ボンディングワイヤをある長さ以下に短くできない
ため、信号伝送速度の向上や電気的ノイズの低減には限
界があった。第２の課題は、インナーリードの先端部お
よび共通導体を包含する平面の下部に、例えばポリイミ
ド樹脂からなるフィルム状絶縁体が配置されるために、
フィルム状絶縁体の体積は大きくなる。ここで、ポリイ
ミド樹脂は吸湿性を有するために、実装時の半田リフロ
ーの熱により、吸湿された水分が気化膨張してパッケー
ジクラックが発生するおそれがあった。第３の課題は、
インナリード先端部および共通導体からなる部分の段差
形状が複雑で、凹凸が激しいために樹脂封止時の成形性
が、薄いパッケージになればなるほど難しくなるおそれ
があった。一方のＣＯＬ構造の技術によれば、既に説明
したような共通導体がないために、信号伝送速度の向上
や電気的ノイズの低減をはかることが難しかった。
【０００４】本発明は、ダイパッドがない新しいＬＯＣ
構造もしくはＣＯＬ構造を有した樹脂封止型半導体装置
において、信号伝送速度の向上や電気的ノイズの低減を
はかることを目的とする。
構造もしくはＣＯＬ構造を有した樹脂封止型半導体装置
において、信号伝送速度の向上や電気的ノイズの低減を
はかることを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】そのため本発明の樹脂封
止型半導体装置では、半導体チップの回路形成面もしく
は回路形成面の反対面と第１の絶縁体を介して接着され
たインナーリードの先端部と、半導体チップの上面に配
置されたパッド電極がボンディングワイヤにより電気的
に接続された樹脂封止型半導体装置において、各辺より
導出されたアウターリードのうち少なくとも１本のアウ
ターリードに係合された棒状インナーリードがインナー
リードと直角方向に向けて配設され、この棒状インナー
リードは上方に反転してアウターリード方向に折り曲げ
られ、第２の絶縁体を介して他のインナーリードの上部
に立体的に交差して接着されており、棒状インナーリー
ドを含むインナーリードの先端の厚みは、アウターリー
ドの厚みより薄く構成する。
止型半導体装置では、半導体チップの回路形成面もしく
は回路形成面の反対面と第１の絶縁体を介して接着され
たインナーリードの先端部と、半導体チップの上面に配
置されたパッド電極がボンディングワイヤにより電気的
に接続された樹脂封止型半導体装置において、各辺より
導出されたアウターリードのうち少なくとも１本のアウ
ターリードに係合された棒状インナーリードがインナー
リードと直角方向に向けて配設され、この棒状インナー
リードは上方に反転してアウターリード方向に折り曲げ
られ、第２の絶縁体を介して他のインナーリードの上部
に立体的に交差して接着されており、棒状インナーリー
ドを含むインナーリードの先端の厚みは、アウターリー
ドの厚みより薄く構成する。
【０００６】
【作用】したがって、本発明の樹脂封止型半導体装置の
リードフレームと一体になったインナーリードと共通導
体が立体的に交差して配置され、インナーリードの先端
部が共通導体よりはみ出すようになるため、インナーリ
ードの先端部と半導体チップのパッド電極とは対峙する
ことになる。このため、共通導体をまたぐことなくワイ
ヤボンディングが行えるようになり、ボンディングワイ
ヤの長さも短く、機械的な曲げ強度を向上させることが
できる。この結果、ボンディングワイヤの短絡や変形を
回避でき、信号伝送速度の向上や電気的ノイズの低減を
はかることができる。さらに、インナーリードの先端部
と共通導体を立体的に交差するように配置することによ
り、第１の絶縁体および第２の絶縁体の面積および体積
を最小にすることができる。したがって、第１の絶縁体
および第２の絶縁体に吸湿される水分量は最少となり、
パッケージクラックの発生を抑制できる。一方、インナ
ーリードの先端部を薄くすることにより、インナーリー
ドおよび共通導体からなる段差は平坦化され、かつ、立
体交差部の高さが低くなるので、ボンディングワイヤの
高さも低くなる。その結果、薄いパッケージであっても
ボンディングワイヤは露出しなくなり、さらに、樹脂流
動性が向上することにより成形性の向上をはかることが
できる。
リードフレームと一体になったインナーリードと共通導
体が立体的に交差して配置され、インナーリードの先端
部が共通導体よりはみ出すようになるため、インナーリ
ードの先端部と半導体チップのパッド電極とは対峙する
ことになる。このため、共通導体をまたぐことなくワイ
ヤボンディングが行えるようになり、ボンディングワイ
ヤの長さも短く、機械的な曲げ強度を向上させることが
できる。この結果、ボンディングワイヤの短絡や変形を
回避でき、信号伝送速度の向上や電気的ノイズの低減を
はかることができる。さらに、インナーリードの先端部
と共通導体を立体的に交差するように配置することによ
り、第１の絶縁体および第２の絶縁体の面積および体積
を最小にすることができる。したがって、第１の絶縁体
および第２の絶縁体に吸湿される水分量は最少となり、
パッケージクラックの発生を抑制できる。一方、インナ
ーリードの先端部を薄くすることにより、インナーリー
ドおよび共通導体からなる段差は平坦化され、かつ、立
体交差部の高さが低くなるので、ボンディングワイヤの
高さも低くなる。その結果、薄いパッケージであっても
ボンディングワイヤは露出しなくなり、さらに、樹脂流
動性が向上することにより成形性の向上をはかることが
できる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の樹脂封止型半導体装置の実施
例を図面にもとづいて説明する。図１は本発明の第１の
実施例の樹脂封止型半導体装置で、Ａは一部切欠き斜視
図、Ｂは図１Ａの（ア）部の一部拡大斜視図、Ｃは図１
Ａの（イ）─（イ）断面図、図２は本発明の第１の実施
例に用いたリードフレームで、Ａは本実施例に組み込ん
だ状態の上面図、Ｂは本実施例に組み込む前の状態の上
面図、図３は本実施例の製造方法を示す説明図である。
例を図面にもとづいて説明する。図１は本発明の第１の
実施例の樹脂封止型半導体装置で、Ａは一部切欠き斜視
図、Ｂは図１Ａの（ア）部の一部拡大斜視図、Ｃは図１
Ａの（イ）─（イ）断面図、図２は本発明の第１の実施
例に用いたリードフレームで、Ａは本実施例に組み込ん
だ状態の上面図、Ｂは本実施例に組み込む前の状態の上
面図、図３は本実施例の製造方法を示す説明図である。
【０００８】図１において、１は半導体チップ、２は半
導体チップ１を封止したパッケージ、２ａは樹脂封止部
である。本発明に用いる封止用樹脂はエポキシ系封止樹
脂にフィラーとして溶融石英をコンパウンドした樹脂で
ある。本実施例で説明する半導体チップ１およびパッケ
ージ２は一例として１６ＭＤＲＡＭの２８ピンのアウタ
ーリードを有したＳＯＪ（Small Outline J-bended Pac
kage）型のパッケージである。なお、４ＭＳＲＡＭ、１
６ＭＳＲＡＭなどの３２ピンもしくは３６ピンを有した
ＳＯＪ型やＴＳＯＰ（Thin Small Outline Package）型
のパッケージであってもよいことは言うまでもない。
導体チップ１を封止したパッケージ、２ａは樹脂封止部
である。本発明に用いる封止用樹脂はエポキシ系封止樹
脂にフィラーとして溶融石英をコンパウンドした樹脂で
ある。本実施例で説明する半導体チップ１およびパッケ
ージ２は一例として１６ＭＤＲＡＭの２８ピンのアウタ
ーリードを有したＳＯＪ（Small Outline J-bended Pac
kage）型のパッケージである。なお、４ＭＳＲＡＭ、１
６ＭＳＲＡＭなどの３２ピンもしくは３６ピンを有した
ＳＯＪ型やＴＳＯＰ（Thin Small Outline Package）型
のパッケージであってもよいことは言うまでもない。
【０００９】半導体チップ１の主要表面の周辺から内側
に入った回路形成面上には、長手方向の中心線近傍に列
状にパッド電極３、３─が配置されている。この列状の
パッド電極３、３─を露出させるように２つの矩形の第
１の絶縁体４、４が半導体チップ１の回路形成面の上に
接着されている。第１の絶縁体４は、例えばポリイミド
樹脂からなるフィルム状の絶縁体であり、その厚みは
０．１ｍｍ程度である。この第１の絶縁体４の両面に
は、例えばポリエーテルアミド系の熱可塑性接着剤が塗
布されており、半導体チップ１の上面と第１の絶縁体４
の下面が接着され、第１の絶縁体４の上面につぎに述べ
るリードフレームのインナーリードの下面が接着されて
いる。このように、半導体チップ１とリードフレームの
インナーリードとは第１の絶縁体４を介して互いに接着
され、かつ、電気的に絶縁されている。
に入った回路形成面上には、長手方向の中心線近傍に列
状にパッド電極３、３─が配置されている。この列状の
パッド電極３、３─を露出させるように２つの矩形の第
１の絶縁体４、４が半導体チップ１の回路形成面の上に
接着されている。第１の絶縁体４は、例えばポリイミド
樹脂からなるフィルム状の絶縁体であり、その厚みは
０．１ｍｍ程度である。この第１の絶縁体４の両面に
は、例えばポリエーテルアミド系の熱可塑性接着剤が塗
布されており、半導体チップ１の上面と第１の絶縁体４
の下面が接着され、第１の絶縁体４の上面につぎに述べ
るリードフレームのインナーリードの下面が接着されて
いる。このように、半導体チップ１とリードフレームの
インナーリードとは第１の絶縁体４を介して互いに接着
され、かつ、電気的に絶縁されている。
【００１０】図２において、５はリードフレーム、６は
パッケージ２の長手方向の側面から導出されているアウ
ターリード、７はアウターリードに係合され、半導体チ
ップ１のパッド電極３の方向に延引されているインナー
リードである。リードフレーム５は銅系合金もしくは鉄
─ニッケル系合金からなっている。そして、アウターリ
ード６、６─は、ピン配置規格にもとづき、図１Ａの手
前の長辺両端は電源電圧供給用アウターリード６ｃ、６
ｃとなっており、奥の長辺両端は接地用アウターリード
６ｓ、６ｓとなっている。
パッケージ２の長手方向の側面から導出されているアウ
ターリード、７はアウターリードに係合され、半導体チ
ップ１のパッド電極３の方向に延引されているインナー
リードである。リードフレーム５は銅系合金もしくは鉄
─ニッケル系合金からなっている。そして、アウターリ
ード６、６─は、ピン配置規格にもとづき、図１Ａの手
前の長辺両端は電源電圧供給用アウターリード６ｃ、６
ｃとなっており、奥の長辺両端は接地用アウターリード
６ｓ、６ｓとなっている。
【００１１】ここで、前述の電源電圧供給用アウターリ
ード６ｃ、６ｃに係合した電源電圧供給用インナーリー
ド７ｃ、７ｃは、本実施例に組み込む前のリードフレー
ム５では図２Ｂに示すように、パッケージ２の長辺方向
の中心線近傍に、かつ、長手方向と並行に配設された棒
状インナーリード８により平面上で連結されている。ま
た、一方の接地用アウターリード６ｓ、６ｓに係合した
接地用インナーリード７ｓ、７ｓも、中心線と線対称に
配設された棒状インナーリード８により平面上で連結さ
れている。このように、２本の棒状インナーリード８、
８はエッチング可能な距離だけ離れて互いに並行に形成
されている。さらに、前述の電源電圧供給用インナーリ
ード７ｃ、７ｃおよび接地用インナーリード７ｓ、７ｓ
に挟まれた信号用インナーリード７、７─の先端は棒状
インナーリード８、８に近接するように延引されてい
る。そして、棒状インナーリード８の幅は後述するよう
にワイヤボンディングができる幅があれば充分で、この
幅の加減により信号用インナーリード７、７─の先端部
の位置が決まることになるために、棒状インナーリード
８の幅が狭いほど、信号用インナーリード７、７─の先
端部を半導体チップ１のパッド電極３、３─に近づける
ことが可能となる。
ード６ｃ、６ｃに係合した電源電圧供給用インナーリー
ド７ｃ、７ｃは、本実施例に組み込む前のリードフレー
ム５では図２Ｂに示すように、パッケージ２の長辺方向
の中心線近傍に、かつ、長手方向と並行に配設された棒
状インナーリード８により平面上で連結されている。ま
た、一方の接地用アウターリード６ｓ、６ｓに係合した
接地用インナーリード７ｓ、７ｓも、中心線と線対称に
配設された棒状インナーリード８により平面上で連結さ
れている。このように、２本の棒状インナーリード８、
８はエッチング可能な距離だけ離れて互いに並行に形成
されている。さらに、前述の電源電圧供給用インナーリ
ード７ｃ、７ｃおよび接地用インナーリード７ｓ、７ｓ
に挟まれた信号用インナーリード７、７─の先端は棒状
インナーリード８、８に近接するように延引されてい
る。そして、棒状インナーリード８の幅は後述するよう
にワイヤボンディングができる幅があれば充分で、この
幅の加減により信号用インナーリード７、７─の先端部
の位置が決まることになるために、棒状インナーリード
８の幅が狭いほど、信号用インナーリード７、７─の先
端部を半導体チップ１のパッド電極３、３─に近づける
ことが可能となる。
【００１２】本実施例に組み込む前のリードフレーム５
は、図２Ｂの斜線で示した棒状インナーリード８、８の
両端部を除いた上面部および信号用インナーリード７、
７─の先端部の上面部はエッチング処理により除去さ
れ、これらの部位の厚みはアウターリード６もしくはイ
ンナーリード７のエッチング処理されない部位の厚みの
１／２〜１／３程度に薄くしてある。なお、本実施例に
おいては、棒状インナーリード８の両端部に直方体の突
起９が形成されているが、この突起９は、棒状インナー
リード８、８をアウターリード６方向へ反転するように
折り曲げたときに、両端のインナーリード７ｃ、７ｃも
しくはインナーリード７ｓ、７ｓとロウ付けによる接合
を得るための台座として用いる。
は、図２Ｂの斜線で示した棒状インナーリード８、８の
両端部を除いた上面部および信号用インナーリード７、
７─の先端部の上面部はエッチング処理により除去さ
れ、これらの部位の厚みはアウターリード６もしくはイ
ンナーリード７のエッチング処理されない部位の厚みの
１／２〜１／３程度に薄くしてある。なお、本実施例に
おいては、棒状インナーリード８の両端部に直方体の突
起９が形成されているが、この突起９は、棒状インナー
リード８、８をアウターリード６方向へ反転するように
折り曲げたときに、両端のインナーリード７ｃ、７ｃも
しくはインナーリード７ｓ、７ｓとロウ付けによる接合
を得るための台座として用いる。
【００１３】以上のように、エッチング処理にて形状加
工された、本実施例に組み込む前のリードフレーム５に
は、棒状インナーリード８、８の上面部のエッチング処
理にて除去された厚みとほぼ同一の厚みを有する、例え
ばポリイミド樹脂フィルムからなる第２の絶縁体１０
が、例えばポリエーテルアミド系の熱可塑性接着剤を介
して接着される。この後、インナーリード７、７─の先
端を結ぶ位置で、棒状インナーリード８、８はアウター
リード６の方向へ折り曲げられ、反転させられる曲げ加
工が施され、同時に棒状インナーリード８に接着された
第２の絶縁体１０、および棒状インナーリード８の両端
部に形成された突起９は、それぞれポリエーテルアミド
系の接着剤およびロウ材により、信号用インナーリード
７、７─および電源電圧供給用インナーリード７ｃ、７
ｃもしくは接地用インナーリード７ｓ、７ｓのエッチン
グ処理で薄くなった部位で接着およびロウ付けされてい
る。また、棒状インナーリード８、８の折り曲げ部はエ
ッチング処理により薄く加工されたいるため、前述の曲
げ加工はやりやすくなっている。なお、ここで説明した
ロウ付けによる接合を必要としない場合は、棒状インナ
ーリード８の両端部の突起９を形成する必要はなく、棒
状インナーリード８の全体に接着した第２の絶縁体１０
により、棒状インナーリード８を全てのインナーリード
７、７─に接着することもできるのは言うまでもない。
工された、本実施例に組み込む前のリードフレーム５に
は、棒状インナーリード８、８の上面部のエッチング処
理にて除去された厚みとほぼ同一の厚みを有する、例え
ばポリイミド樹脂フィルムからなる第２の絶縁体１０
が、例えばポリエーテルアミド系の熱可塑性接着剤を介
して接着される。この後、インナーリード７、７─の先
端を結ぶ位置で、棒状インナーリード８、８はアウター
リード６の方向へ折り曲げられ、反転させられる曲げ加
工が施され、同時に棒状インナーリード８に接着された
第２の絶縁体１０、および棒状インナーリード８の両端
部に形成された突起９は、それぞれポリエーテルアミド
系の接着剤およびロウ材により、信号用インナーリード
７、７─および電源電圧供給用インナーリード７ｃ、７
ｃもしくは接地用インナーリード７ｓ、７ｓのエッチン
グ処理で薄くなった部位で接着およびロウ付けされてい
る。また、棒状インナーリード８、８の折り曲げ部はエ
ッチング処理により薄く加工されたいるため、前述の曲
げ加工はやりやすくなっている。なお、ここで説明した
ロウ付けによる接合を必要としない場合は、棒状インナ
ーリード８の両端部の突起９を形成する必要はなく、棒
状インナーリード８の全体に接着した第２の絶縁体１０
により、棒状インナーリード８を全てのインナーリード
７、７─に接着することもできるのは言うまでもない。
【００１４】本実施例に組み込んだリードフレーム５
は、棒状インナーリード８、８が折り曲げられ、反転さ
せられた結果、棒状インナーリード８、８は信号用イン
ナーリード７、７─と立体的に交差するように配置さ
れ、電源電圧供給用の共通導体として機能する電源電圧
供給用棒状インナーリード８ｃ、接地用の共通導体とし
て機能する接地用棒状インナーリード８ｓからなる共通
導体として機能することになる。そして、この状態のリ
ードフレーム５、すなわち図２Ａに示したリードフレー
ム５に第１の絶縁体４を介して半導体チップ１が接着さ
れる。このようにして、共通導体である電源電圧供給用
棒状インナーリード８ｃおよび接地用棒状インナーリー
ド８ｓは、その端面から信号用インナーリード７、７─
の先端部が０．５ｍｍ程度はみ出すように配置され、信
号用インナーリード７、７─の先端部近傍の上面にパッ
ケージ２の長辺に対して平行となるように接着されてい
る。
は、棒状インナーリード８、８が折り曲げられ、反転さ
せられた結果、棒状インナーリード８、８は信号用イン
ナーリード７、７─と立体的に交差するように配置さ
れ、電源電圧供給用の共通導体として機能する電源電圧
供給用棒状インナーリード８ｃ、接地用の共通導体とし
て機能する接地用棒状インナーリード８ｓからなる共通
導体として機能することになる。そして、この状態のリ
ードフレーム５、すなわち図２Ａに示したリードフレー
ム５に第１の絶縁体４を介して半導体チップ１が接着さ
れる。このようにして、共通導体である電源電圧供給用
棒状インナーリード８ｃおよび接地用棒状インナーリー
ド８ｓは、その端面から信号用インナーリード７、７─
の先端部が０．５ｍｍ程度はみ出すように配置され、信
号用インナーリード７、７─の先端部近傍の上面にパッ
ケージ２の長辺に対して平行となるように接着されてい
る。
【００１５】この後、半導体チップ１の長手方向の中心
線近傍に配置され、かつ、第１の絶縁体４の間から露出
した列状のパッド電極３、３─は、第１の絶縁体４の端
部近傍まで延ばされた所定の信号用インナーリード７、
７─、電源電圧供給用インナーリード７ｃ、７ｃ、接地
用インナーリード７ｓ、７ｓおよび電源電圧供給用棒状
インナーリード８ｃ、接地用棒状インナーリード８ｓと
ボンディングワイヤ１１により電気的に接続される。こ
こで、列状のパッド電極３、３─のうち、任意の信号用
インナーリード７と信号用インナーリード７の間に配置
された電源電圧供給用パッド電極３ｃ、３ｃ─もしくは
接地用パッド電極３ｓ、３ｓ─は、電源電圧供給用棒状
インナーリード８ｃ、接地用棒状インナーリード８ｓの
最寄りの位置でボンディングワイヤ１１により電気的に
接続される。こうして、アドレス信号線、制御信号線お
よび入出力信号線からなる信号用アウターリード６、６
─から引き込まれた信号線は、信号用インナーリード
７、７─およびボンディングワイヤ１１、１１─を経由
して信号用パッド電極３、３─へ接続される信号線伝送
経路が形成される一方、電源電圧供給用アウターリード
６ｃ、６ｃから引き込まれた電源電圧供給線は電源電圧
供給用インナーリード７ｃ、７ｃとその先端部近傍で分
岐した、電源電圧供給用棒状インナーリード８ｃを経由
し、さらに、ボンディングワイヤ１１、１１─を経由し
て最寄りの電源電圧供給用パッド電極３ｃ、３ｃ─へ接
続される電源電圧伝達経路が形成され、同様に、接地電
位線についても接地電位伝達経路が形成される。
線近傍に配置され、かつ、第１の絶縁体４の間から露出
した列状のパッド電極３、３─は、第１の絶縁体４の端
部近傍まで延ばされた所定の信号用インナーリード７、
７─、電源電圧供給用インナーリード７ｃ、７ｃ、接地
用インナーリード７ｓ、７ｓおよび電源電圧供給用棒状
インナーリード８ｃ、接地用棒状インナーリード８ｓと
ボンディングワイヤ１１により電気的に接続される。こ
こで、列状のパッド電極３、３─のうち、任意の信号用
インナーリード７と信号用インナーリード７の間に配置
された電源電圧供給用パッド電極３ｃ、３ｃ─もしくは
接地用パッド電極３ｓ、３ｓ─は、電源電圧供給用棒状
インナーリード８ｃ、接地用棒状インナーリード８ｓの
最寄りの位置でボンディングワイヤ１１により電気的に
接続される。こうして、アドレス信号線、制御信号線お
よび入出力信号線からなる信号用アウターリード６、６
─から引き込まれた信号線は、信号用インナーリード
７、７─およびボンディングワイヤ１１、１１─を経由
して信号用パッド電極３、３─へ接続される信号線伝送
経路が形成される一方、電源電圧供給用アウターリード
６ｃ、６ｃから引き込まれた電源電圧供給線は電源電圧
供給用インナーリード７ｃ、７ｃとその先端部近傍で分
岐した、電源電圧供給用棒状インナーリード８ｃを経由
し、さらに、ボンディングワイヤ１１、１１─を経由し
て最寄りの電源電圧供給用パッド電極３ｃ、３ｃ─へ接
続される電源電圧伝達経路が形成され、同様に、接地電
位線についても接地電位伝達経路が形成される。
【００１６】本発明の樹脂封止型半導体装置において
は、信号用インナーリード７、７─と共通導体である棒
状インナーリード８が立体的に交差して配置されている
ために、信号用インナーリード７、７─の先端部をパッ
ド電極３、３─へ近づけてワイヤボンディングが行え
る。したがって、ボンディングワイヤ１１の長さは短く
でき、２支点を結ぶワイヤの曲げ強度も向上するため
に、ボンディングワイヤ１１の短絡や変形を防止し、さ
らに、信号伝送速度の向上や電気的ノイズの低減をはか
ることができる。一方、任意の位置に配置される電源電
圧供給用パッド電極３ｃもしくは接地用パッド電極３ｓ
は、信号用インナーリード７、７─の間に形成され、近
接した共通導体である棒状インナーリード８と接続され
るため、ボンディングワイヤ１１の短絡や変形を防止し
ながら信号伝送速度の向上や電気的ノイズの低減に効果
がある。さらに、信号用インナーリード７、７─の先端
部と共通導体である棒状インナーリード８を立体的に交
差して配置することにより、余分な第１の絶縁体４およ
び第２の絶縁体１０はなくなって、これらの面積および
体積は最小化できる。したがって、第１の絶縁体４およ
び第２の絶縁体１０に吸収される水分量は最少化でき、
パッケージクラック発生の抑制に効果的である。また、
棒状インナーリード８およびインナーリード７、７─の
先端部を薄くすることにより、インナーリード７、７─
および共通導体である棒状インナーリード８からなる段
差が平坦化され、かつ、立体的に交差した部分の高さが
低くなるので、ボンディングワイヤ１１、１１─の高さ
は低くなる。その結果、ＴＳＯＰなどの薄いパッケージ
２であってもボンディングワイヤ１１の露出は回避で
き、さらに、樹脂流動性が向上することにより成形性の
向上をはかることができる。
は、信号用インナーリード７、７─と共通導体である棒
状インナーリード８が立体的に交差して配置されている
ために、信号用インナーリード７、７─の先端部をパッ
ド電極３、３─へ近づけてワイヤボンディングが行え
る。したがって、ボンディングワイヤ１１の長さは短く
でき、２支点を結ぶワイヤの曲げ強度も向上するため
に、ボンディングワイヤ１１の短絡や変形を防止し、さ
らに、信号伝送速度の向上や電気的ノイズの低減をはか
ることができる。一方、任意の位置に配置される電源電
圧供給用パッド電極３ｃもしくは接地用パッド電極３ｓ
は、信号用インナーリード７、７─の間に形成され、近
接した共通導体である棒状インナーリード８と接続され
るため、ボンディングワイヤ１１の短絡や変形を防止し
ながら信号伝送速度の向上や電気的ノイズの低減に効果
がある。さらに、信号用インナーリード７、７─の先端
部と共通導体である棒状インナーリード８を立体的に交
差して配置することにより、余分な第１の絶縁体４およ
び第２の絶縁体１０はなくなって、これらの面積および
体積は最小化できる。したがって、第１の絶縁体４およ
び第２の絶縁体１０に吸収される水分量は最少化でき、
パッケージクラック発生の抑制に効果的である。また、
棒状インナーリード８およびインナーリード７、７─の
先端部を薄くすることにより、インナーリード７、７─
および共通導体である棒状インナーリード８からなる段
差が平坦化され、かつ、立体的に交差した部分の高さが
低くなるので、ボンディングワイヤ１１、１１─の高さ
は低くなる。その結果、ＴＳＯＰなどの薄いパッケージ
２であってもボンディングワイヤ１１の露出は回避で
き、さらに、樹脂流動性が向上することにより成形性の
向上をはかることができる。
【００１７】図４は本発明の第２の実施例の樹脂封止型
半導体装置で、Ａは一部切り欠き斜視図、Ｂは断面図で
ある。本実施例ではＣＯＬ構造を有している半導体チッ
プ１およびＳＯＪ型のパッケージ２に対しても本発明が
同様に適用できることを示している。なお、ここではパ
ッケージ２の長辺の両端のアウターリード６、６を第１
の実施例と同様に連結させているが、一つのアウターリ
ード６に係合されたインナーリード７から共通導体であ
る棒状インナーリード８、例えば接地用棒状インナーリ
ード８ｓを形成できることは言うまでもない。また、こ
のことから、４辺からアウターリード６が導出されたＱ
ＦＰ（Quad Flat Package ）についても本発明が適用さ
れることは明らかである。
半導体装置で、Ａは一部切り欠き斜視図、Ｂは断面図で
ある。本実施例ではＣＯＬ構造を有している半導体チッ
プ１およびＳＯＪ型のパッケージ２に対しても本発明が
同様に適用できることを示している。なお、ここではパ
ッケージ２の長辺の両端のアウターリード６、６を第１
の実施例と同様に連結させているが、一つのアウターリ
ード６に係合されたインナーリード７から共通導体であ
る棒状インナーリード８、例えば接地用棒状インナーリ
ード８ｓを形成できることは言うまでもない。また、こ
のことから、４辺からアウターリード６が導出されたＱ
ＦＰ（Quad Flat Package ）についても本発明が適用さ
れることは明らかである。
【００１８】
【発明の効果】以上のように、本発明の樹脂封止型半導
体装置では信号伝送速度の向上や電気的ノイズの低減を
はかることができる。また、半田リフロー時のパッケー
ジクラックの発生を抑制できる。さらに、ワイヤボンデ
ィング時および樹脂封止時の生産性や品質の向上をはか
ることができる。
体装置では信号伝送速度の向上や電気的ノイズの低減を
はかることができる。また、半田リフロー時のパッケー
ジクラックの発生を抑制できる。さらに、ワイヤボンデ
ィング時および樹脂封止時の生産性や品質の向上をはか
ることができる。
【図１】本発明の第１の実施例の樹脂封止型半導体装置
で、Ａは一部切欠き斜視図、Ｂは図１Ａの（ア）部の一
部拡大斜視図、Ｃは図１Ａの（イ）─（イ）断面図であ
る。
で、Ａは一部切欠き斜視図、Ｂは図１Ａの（ア）部の一
部拡大斜視図、Ｃは図１Ａの（イ）─（イ）断面図であ
る。
【図２】本発明の第１の実施例に用いたリードフレーム
で、Ａは本実施例に組み込んだ状態の上面図、Ｂは本実
施例に組み込む前の状態の上面図である。
で、Ａは本実施例に組み込んだ状態の上面図、Ｂは本実
施例に組み込む前の状態の上面図である。
【図３】本発明の第１の実施例の製造方法を示す説明図
である。
である。
【図４】本発明の第２の実施例の樹脂封止型半導体装置
で、Ａは一部切り欠き斜視図、Ｂは断面図である。
で、Ａは一部切り欠き斜視図、Ｂは断面図である。
１ 半導体チップ ２ パッケージ ２ａ 樹脂封止部 ３ パッド電極 ３ｃ 電源電圧供給用パッド電極 ３ｓ 接地用パッド電極 ４ 第１の絶縁体 ５ リードフレーム ６ アウターリード ６ｃ 電源電圧供給用アウターリード ６ｓ 接地用アウターリード ７ インナーリード ７ｃ 電源電圧供給用インナーリード ７ｓ 接地用インナーリード ８ 棒状インナーリード ８ｃ 電源電圧供給用棒状インナーリード ８ｓ 接地用棒状インナーリード ９ 突起 １０ 第２の絶縁体 １１ ボンディングワイヤ
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体チップの回路形成面と第１の絶縁
体を介して接着されたインナーリードの先端部と、前記
半導体チップの上面に配置されたパッド電極がボンディ
ングワイヤにより電気的に接続された樹脂封止型半導体
装置において、 各辺より導出されたアウターリードのうち少なくとも１
本のアウターリードに係合された棒状インナーリードが
前記インナーリードと直角方向に向けて配設され、前記
棒状インナーリードは上方に反転してアウターリード方
向に折り曲げられ、第２の絶縁体を介して他のインナー
リードの上部に立体的に交差して接着されたことを特徴
とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項２】 半導体チップの回路形成面の反対面と第
１の絶縁体を介して接着されたインナーリードの先端部
と、前記半導体チップの上面に配置されたパッド電極が
ボンディングワイヤにより電気的に接続された樹脂封止
型半導体装置において、 各辺より導出されたアウターリードのうち少なくとも１
本のアウターリードに係合された棒状インナーリードが
前記インナーリードと直角方向に向けて配設され、前記
棒状インナーリードは上方に反転してアウターリード方
向に折り曲げられ、第２の絶縁体を介して他のインナー
リードの上部に立体的に交差して接着されたことを特徴
とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項３】 前記棒状インナーリードを含むインナー
リードの先端部の厚みは、アウターリードの厚みより薄
く加工されていることを特徴とする請求項１および２記
載の半導体装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28988391A JPH05129500A (ja) | 1991-11-06 | 1991-11-06 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28988391A JPH05129500A (ja) | 1991-11-06 | 1991-11-06 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05129500A true JPH05129500A (ja) | 1993-05-25 |
Family
ID=17749009
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28988391A Pending JPH05129500A (ja) | 1991-11-06 | 1991-11-06 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05129500A (ja) |
-
1991
- 1991-11-06 JP JP28988391A patent/JPH05129500A/ja active Pending
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