JPH0489118A - 電解コンデンサ陽極用アルミニウム箔の製造方法 - Google Patents
電解コンデンサ陽極用アルミニウム箔の製造方法Info
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- JPH0489118A JPH0489118A JP2202587A JP20258790A JPH0489118A JP H0489118 A JPH0489118 A JP H0489118A JP 2202587 A JP2202587 A JP 2202587A JP 20258790 A JP20258790 A JP 20258790A JP H0489118 A JPH0489118 A JP H0489118A
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B21—MECHANICAL METAL-WORKING WITHOUT ESSENTIALLY REMOVING MATERIAL; PUNCHING METAL
- B21B—ROLLING OF METAL
- B21B1/00—Metal-rolling methods or mills for making semi-finished products of solid or profiled cross-section; Sequence of operations in milling trains; Layout of rolling-mill plant, e.g. grouping of stands; Succession of passes or of sectional pass alternations
- B21B1/40—Metal-rolling methods or mills for making semi-finished products of solid or profiled cross-section; Sequence of operations in milling trains; Layout of rolling-mill plant, e.g. grouping of stands; Succession of passes or of sectional pass alternations for rolling foils which present special problems, e.g. because of thinness
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B21—MECHANICAL METAL-WORKING WITHOUT ESSENTIALLY REMOVING MATERIAL; PUNCHING METAL
- B21B—ROLLING OF METAL
- B21B3/00—Rolling materials of special alloys so far as the composition of the alloy requires or permits special rolling methods or sequences ; Rolling of aluminium, copper, zinc or other non-ferrous metals
- B21B2003/001—Aluminium or its alloys
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- Mechanical Engineering (AREA)
- Metal Rolling (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、主に直流を用いて電解エツチングされる電解
コンデンサ陽極用アルミニウム箔の製造方法に関する。
コンデンサ陽極用アルミニウム箔の製造方法に関する。
（従来の技術の問題点）
電解コンデンサの電極に使用されるアルミニウム箔には
、有効表面積拡大のためにエツチング処理が施される。
、有効表面積拡大のためにエツチング処理が施される。
エツチングには、直流によるものと交流によるものとに
大別される。前者は主に１５０■以上の化成電圧が高い
高圧用陽極箔に、後者は１５０■未満の化成電圧の低い
低圧用陽極箔および化成処理を行わない陰極箔の電解エ
ツチングに使用される。直流によって電解エツチングさ
れたアルミニウム箔には、直径１．５〜３μｍのトンネ
ル状のエッチビットが形成される。トンネル状エッチビ
ットの優先成長方向は、 ＜１００＞方向であるので
、 トンネル状の電解エツチングが効率的に行われ、静
電容量の高い電解コンデンサを得るには、電極に用いら
れるアルミニウム箔は箔面に垂直方向に＜ １００ ＞
方向を持つ結晶粒方位（以下［立方体方位Ｊという）の
集積度（立方体方位粒が箔面に占める割合を百分率で表
示した値）が高いことが要求される。また立方体方位が
マクロ的に不均一に分布していても信頼性の高い電解コ
ンデンサの電極用箔には適さない。
大別される。前者は主に１５０■以上の化成電圧が高い
高圧用陽極箔に、後者は１５０■未満の化成電圧の低い
低圧用陽極箔および化成処理を行わない陰極箔の電解エ
ツチングに使用される。直流によって電解エツチングさ
れたアルミニウム箔には、直径１．５〜３μｍのトンネ
ル状のエッチビットが形成される。トンネル状エッチビ
ットの優先成長方向は、 ＜１００＞方向であるので
、 トンネル状の電解エツチングが効率的に行われ、静
電容量の高い電解コンデンサを得るには、電極に用いら
れるアルミニウム箔は箔面に垂直方向に＜ １００ ＞
方向を持つ結晶粒方位（以下［立方体方位Ｊという）の
集積度（立方体方位粒が箔面に占める割合を百分率で表
示した値）が高いことが要求される。また立方体方位が
マクロ的に不均一に分布していても信頼性の高い電解コ
ンデンサの電極用箔には適さない。
通常直流でエツチングされる電解コンデンサ用アルミニ
ウム箔を製造する場合、以下の様な工程を経る。すなわ
ち、鋳造されたスラブに均質化処理を施し、熱間圧延、
冷間圧延および箔圧延を行い、最後に焼鈍を行って電解
コンデンサ用アルミニウム箔を得る。ところで、高い＜
１００ ＞方位集積度を得るため、従来（１） ９９
．９９％以上の高純度アルミニウムを使用する。（２）
最終焼鈍温度を５００℃以上の高温度とする。（３）最
終焼鈍の前に部分焼鈍と付加的圧延を加えるなどの方法
が効果があることが軽金属学会誌、軽金属、 ３Ｈ１９
８１）、 ６７５に示されている。９９．９９％以上の
高純度のアルミニウムを製造するには溶融塩電解精練法
によって生産された９９．７％純度の一次地金を、三層
式溶融塩電解精製法によって精製する方法が取られてい
る。この方法は多量の電力を必要とし、 ９９．９９
％以上の高純度アルミニウムの製造コストを著しく高め
、それが電解コンデンサ用アルミニウム箔のコストを高
めていた。近年、凝固時の液体と固体の分離を利用した
偏析法（分別結晶法ともいう）によって、 ９９．９
５％以上の純度のアルミニウムが従来の三層式溶融塩電
解精製法に比べて安価に製造出来るようになった。さら
に溶融塩電解精練法の向上によって９９．９０％以上の
純度のアルミニウムも製造出来るようになった。しかし
アルミニウムの純度が下がると高い立方体方位集積度の
箔を、上述の方法だけで得ることは困難であった。
ウム箔を製造する場合、以下の様な工程を経る。すなわ
ち、鋳造されたスラブに均質化処理を施し、熱間圧延、
冷間圧延および箔圧延を行い、最後に焼鈍を行って電解
コンデンサ用アルミニウム箔を得る。ところで、高い＜
１００ ＞方位集積度を得るため、従来（１） ９９
．９９％以上の高純度アルミニウムを使用する。（２）
最終焼鈍温度を５００℃以上の高温度とする。（３）最
終焼鈍の前に部分焼鈍と付加的圧延を加えるなどの方法
が効果があることが軽金属学会誌、軽金属、 ３Ｈ１９
８１）、 ６７５に示されている。９９．９９％以上の
高純度のアルミニウムを製造するには溶融塩電解精練法
によって生産された９９．７％純度の一次地金を、三層
式溶融塩電解精製法によって精製する方法が取られてい
る。この方法は多量の電力を必要とし、 ９９．９９
％以上の高純度アルミニウムの製造コストを著しく高め
、それが電解コンデンサ用アルミニウム箔のコストを高
めていた。近年、凝固時の液体と固体の分離を利用した
偏析法（分別結晶法ともいう）によって、 ９９．９
５％以上の純度のアルミニウムが従来の三層式溶融塩電
解精製法に比べて安価に製造出来るようになった。さら
に溶融塩電解精練法の向上によって９９．９０％以上の
純度のアルミニウムも製造出来るようになった。しかし
アルミニウムの純度が下がると高い立方体方位集積度の
箔を、上述の方法だけで得ることは困難であった。
（問題点を解決するための手段）
本発明者らはアルミニウムの純度が電解コンデンサ用地
金であれば、高い立方体方位集積度を得られる製造方法
を鋭意研究開発し、熱間圧延時の再結晶と温度の制御と
熱間圧延後の焼鈍との組み合わせによって要求を満たす
ことを見いだし以下のような製造方法を発明する゛に至
った。
金であれば、高い立方体方位集積度を得られる製造方法
を鋭意研究開発し、熱間圧延時の再結晶と温度の制御と
熱間圧延後の焼鈍との組み合わせによって要求を満たす
ことを見いだし以下のような製造方法を発明する゛に至
った。
すなわち、（１）電解コンデンサ用アルミニウム鋳塊に
５７０〜６３０°Ｃの温度範囲で４〜２４時間の均質化
処理を施した後、ただちにほぼ均質化処理温度で粗熱間
圧延に着手し、４８０〜５３０℃の温度で粗熱間圧延を
終了し再結晶が完了するまで放置し、その後仕上げ熱間
圧延を行い、２８０℃以下の温度で終了し、更に３００
〜３８０℃で１〜１２時間の焼鈍を行い、最後に常法に
よって冷間圧延、箔圧延および最終焼鈍を行う。（２）
電解コンデンサ用アルミニウム鋳塊に５７０〜６３０℃
で４〜２４時間の均質化処理を施した後、ただちにほぼ
均質化処理温度で粗熱間圧延に着手し８０％以上の圧下
率による粗熱間圧延を行い。
５７０〜６３０°Ｃの温度範囲で４〜２４時間の均質化
処理を施した後、ただちにほぼ均質化処理温度で粗熱間
圧延に着手し、４８０〜５３０℃の温度で粗熱間圧延を
終了し再結晶が完了するまで放置し、その後仕上げ熱間
圧延を行い、２８０℃以下の温度で終了し、更に３００
〜３８０℃で１〜１２時間の焼鈍を行い、最後に常法に
よって冷間圧延、箔圧延および最終焼鈍を行う。（２）
電解コンデンサ用アルミニウム鋳塊に５７０〜６３０℃
で４〜２４時間の均質化処理を施した後、ただちにほぼ
均質化処理温度で粗熱間圧延に着手し８０％以上の圧下
率による粗熱間圧延を行い。
４８０〜５３０℃の温度範囲で粗圧間圧延を終了し。
１００〜２００秒放置して再結晶を完了させ、その後仕
上げ熱間圧延を行い、２８０℃以下の温度で終了し、更
に３００〜３８０℃で１〜１２時間の焼鈍を行い、最後
に常法によって冷間圧延７箔圧延および最終焼鈍を行う
。
上げ熱間圧延を行い、２８０℃以下の温度で終了し、更
に３００〜３８０℃で１〜１２時間の焼鈍を行い、最後
に常法によって冷間圧延７箔圧延および最終焼鈍を行う
。
（作用）
次に本発明の製造条件を限定した理由について説明する
。
。
本製造方法は、電解コンデンサに使用される純度であれ
ば、使用するアルミニウム地金の純度を制約しないが、
トンネル状エッチビットのより均一な分布を得るために
は、 ９９．９０％Ａ１以上の純度の地金が使用され
ることが望ましい。
ば、使用するアルミニウム地金の純度を制約しないが、
トンネル状エッチビットのより均一な分布を得るために
は、 ９９．９０％Ａ１以上の純度の地金が使用され
ることが望ましい。
更に９９．９０％Ａ１以上、 Ｆｅ ３００ ｐｐｍ以
下、 ５ｉ３００ ｐｐｍ以下、 Ｃｕ １００９ｐｍ
以下の地金を使用することによって本発明の製造方法の
効果が−層有効になる。すなわち、 Ｆｅは、立方体方
位の成長を阻止する元素であるので３００ ｐｐｍ以下
とすることが望ましい。Ｓｉは、 Ｆｅの析出を促進す
るのでＦｅの有害な作用を緩和するが、多（含有される
とＳｉ自身が立方体方位の生成を阻止するので３００
ｐｐｍ以下とすることが望ましい。Ｃｕは。
下、 ５ｉ３００ ｐｐｍ以下、 Ｃｕ １００９ｐｍ
以下の地金を使用することによって本発明の製造方法の
効果が−層有効になる。すなわち、 Ｆｅは、立方体方
位の成長を阻止する元素であるので３００ ｐｐｍ以下
とすることが望ましい。Ｓｉは、 Ｆｅの析出を促進す
るのでＦｅの有害な作用を緩和するが、多（含有される
とＳｉ自身が立方体方位の生成を阻止するので３００
ｐｐｍ以下とすることが望ましい。Ｃｕは。
エツチングを均一に進行させる効果を有する元素である
が、多く含有されるとエツチングに際し過溶解などの不
具合が生じるので、 １００ ｐｐｍ以下が望ましい
。
が、多く含有されるとエツチングに際し過溶解などの不
具合が生じるので、 １００ ｐｐｍ以下が望ましい
。
均質化処理を５７０〜６３０℃以上で、４〜１２時間と
したのは、５７０℃未満では鋳造時に生成する不純物元
素のミクロ偏析を均一に固溶分布出来ないこと、さらに
５７０℃以上でも加熱時間が４時間未満であるとやはり
均質化が不十分であり、その結果、最終焼鈍箔の立方体
方位集積度が低り、シかも場所によって変動するからで
ある。一方６３０℃を超えて加熱すると、鋳造時に生成
する不純物元素のミクロ偏析均一化には都合は良いが、
鋳塊の表面酸化が著しくなるのでエツチングの異常を発
生させる。又この加熱時間を２４時間を超えて行っても
その効果が飽和し。
したのは、５７０℃未満では鋳造時に生成する不純物元
素のミクロ偏析を均一に固溶分布出来ないこと、さらに
５７０℃以上でも加熱時間が４時間未満であるとやはり
均質化が不十分であり、その結果、最終焼鈍箔の立方体
方位集積度が低り、シかも場所によって変動するからで
ある。一方６３０℃を超えて加熱すると、鋳造時に生成
する不純物元素のミクロ偏析均一化には都合は良いが、
鋳塊の表面酸化が著しくなるのでエツチングの異常を発
生させる。又この加熱時間を２４時間を超えて行っても
その効果が飽和し。
熱エネルギー的にも不利である。従って５７０〜６３０
℃の温度範囲で４〜２４時間の均一化処理とする。
℃の温度範囲で４〜２４時間の均一化処理とする。
均質化処理後、温度を下げることなく高温のまま粗熱間
圧延に着手し、８０％以上の圧下率で粗熱間圧延し、４
８０〜５３０℃の温度範囲で粗熱間圧延を終了し、再結
晶が完了するまで放置するのは、一般に圧延用スラブは
３００〜６００ｍｍ厚さのものが多（使用されており、
これに８０％以上の圧下を加えて、その厚さのままで４
８０〜５３０℃の温度範囲で粗熱間圧延を終了し放置す
ると。
圧延に着手し、８０％以上の圧下率で粗熱間圧延し、４
８０〜５３０℃の温度範囲で粗熱間圧延を終了し、再結
晶が完了するまで放置するのは、一般に圧延用スラブは
３００〜６００ｍｍ厚さのものが多（使用されており、
これに８０％以上の圧下を加えて、その厚さのままで４
８０〜５３０℃の温度範囲で粗熱間圧延を終了し放置す
ると。
１００秒以上で粗熱間圧延時に圧延方向に延ばされた鋳
塊の結晶粒が完全に再結晶するからである。この再結晶
粒には立方体方位を有するものが多（含まれている。も
し再結晶の進行が不充分であると局部的に未再結晶域が
残り、最終焼鈍後の箔の立方体方位集積度の低下および
場所による変動を大きくする。８０％未満の圧下率また
は４８０℃未満の温度では完全に再結晶するのに数分以
上を要し著しく生産を阻害し望ましくない。−刃組熱間
圧延が５３０℃を超えて終了すると再結晶は容易に進行
するが、結晶粒が粗大となり最終焼鈍後の箔における立
方体方位集積度が低下する。又２００秒以上放置しても
再結晶は既に完了しており意味がない。なお圧下率の上
限は特に限定する必要がなく 、９９．５％程度まで採
用し得る。従って、８０％以上の圧下率で粗熱間圧延し
、４８０〜５３０℃の温度範囲で粗熱間圧延を終了し、
そのまま完全に再結晶が完了するように１００〜２００
秒放置し、再結晶させる。
塊の結晶粒が完全に再結晶するからである。この再結晶
粒には立方体方位を有するものが多（含まれている。も
し再結晶の進行が不充分であると局部的に未再結晶域が
残り、最終焼鈍後の箔の立方体方位集積度の低下および
場所による変動を大きくする。８０％未満の圧下率また
は４８０℃未満の温度では完全に再結晶するのに数分以
上を要し著しく生産を阻害し望ましくない。−刃組熱間
圧延が５３０℃を超えて終了すると再結晶は容易に進行
するが、結晶粒が粗大となり最終焼鈍後の箔における立
方体方位集積度が低下する。又２００秒以上放置しても
再結晶は既に完了しており意味がない。なお圧下率の上
限は特に限定する必要がなく 、９９．５％程度まで採
用し得る。従って、８０％以上の圧下率で粗熱間圧延し
、４８０〜５３０℃の温度範囲で粗熱間圧延を終了し、
そのまま完全に再結晶が完了するように１００〜２００
秒放置し、再結晶させる。
次に、仕上げ熱間圧延終了温度を２８０℃以下とする理
由について説明する。すなわち、６０ｎ＋ｍ厚さ以下か
ら仕上げ熱間圧延終了厚さ（−船釣には３〜８ｓ＋ｍ厚
さである）までは３〜４パスで仕上げ熱間圧延が行われ
るが、仕上げ熱間圧延温度を下げて行くと、歪エネルギ
ーが高く蓄積された領域が、結晶粒界近傍および粒内の
変形遷移帯に形成される。そして歪エネルギーは結晶粒
界近傍の方が変形遷移帯よりも高いので。
由について説明する。すなわち、６０ｎ＋ｍ厚さ以下か
ら仕上げ熱間圧延終了厚さ（−船釣には３〜８ｓ＋ｍ厚
さである）までは３〜４パスで仕上げ熱間圧延が行われ
るが、仕上げ熱間圧延温度を下げて行くと、歪エネルギ
ーが高く蓄積された領域が、結晶粒界近傍および粒内の
変形遷移帯に形成される。そして歪エネルギーは結晶粒
界近傍の方が変形遷移帯よりも高いので。
２〜３バスの段階で結晶粒界近傍にランダム方位を有す
る再結晶粒が発生する。その様な状態で最終パスを２８
０℃以下、望ましくは２５０〜２８０℃で終了させると
９粒内の変形遷移帯域が最も歪エネルギーが高くなる。
る再結晶粒が発生する。その様な状態で最終パスを２８
０℃以下、望ましくは２５０〜２８０℃で終了させると
９粒内の変形遷移帯域が最も歪エネルギーが高くなる。
一方、２８０℃を越えて仕上げ熱間圧延を終了した場合
は、結晶粒界近傍と変形遷移帯域とで歪エネルギーの蓄
積に差がなくなる。その結果、仕上げ熱間圧延板を焼鈍
した際、２８０℃以下の温度で仕上げ熱間圧延を終了し
た場合は、変形遷移帯域に立方体方位を有する再結晶核
が生成し、その結果立方体方位粒を多く有する焼鈍板が
得られるが、２８０℃を越えて仕上げ熱間圧延を終了し
た場合は、結晶粒界近傍と変形遷移帯域の両者に再結晶
核が生成し、立方体方位粒だけでなくランダム方位粒が
生じるのでその分だけ、焼鈍板に含まれる立方体方位粒
の割合が低くなる。その結果、最終焼鈍箔の立方体方位
集積度が低下する。
は、結晶粒界近傍と変形遷移帯域とで歪エネルギーの蓄
積に差がなくなる。その結果、仕上げ熱間圧延板を焼鈍
した際、２８０℃以下の温度で仕上げ熱間圧延を終了し
た場合は、変形遷移帯域に立方体方位を有する再結晶核
が生成し、その結果立方体方位粒を多く有する焼鈍板が
得られるが、２８０℃を越えて仕上げ熱間圧延を終了し
た場合は、結晶粒界近傍と変形遷移帯域の両者に再結晶
核が生成し、立方体方位粒だけでなくランダム方位粒が
生じるのでその分だけ、焼鈍板に含まれる立方体方位粒
の割合が低くなる。その結果、最終焼鈍箔の立方体方位
集積度が低下する。
なおこの仕上げ圧延終了温度の下限については一般的に
は常温程度となるが、これ以下でも差支えがなく、特に
限定する必要がない。
は常温程度となるが、これ以下でも差支えがなく、特に
限定する必要がない。
仕上げ熱間圧延板の焼鈍を、３００〜３８０℃の温度範
囲で１〜１２時間としたのは、３００℃未満では再結晶
が完了するのに長時間を要し、変形遷移帯域からの優先
的再結晶核の生成が起こり難くなるからであり、また３
００℃以上でも１時間未満では完全に再結晶が完了しな
いからである。なお１２時間以内に再結晶は完了するの
で１２時間以上焼鈍しても工業的に意味がなく、又焼鈍
温度が３８０℃を超えると、再結晶は急激に起こり、変
形遷移帯域から優先核生成が得られない。従って焼鈍は
３００〜３８０℃で１〜１２時間行う。
囲で１〜１２時間としたのは、３００℃未満では再結晶
が完了するのに長時間を要し、変形遷移帯域からの優先
的再結晶核の生成が起こり難くなるからであり、また３
００℃以上でも１時間未満では完全に再結晶が完了しな
いからである。なお１２時間以内に再結晶は完了するの
で１２時間以上焼鈍しても工業的に意味がなく、又焼鈍
温度が３８０℃を超えると、再結晶は急激に起こり、変
形遷移帯域から優先核生成が得られない。従って焼鈍は
３００〜３８０℃で１〜１２時間行う。
仕上げ熱間圧延の焼鈍後に行われる冷間圧延および箔圧
延は、従来から行われている工程でよい。圧下率は９５
％以上となるのが普通である。また冷間圧延および箔圧
延の途中に中間焼鈍を入れることも可能で、中間焼鈍は
本発明の効果を阻害するものではない。最後に真空中ま
たは不活性雰囲気中で５００℃以上の高温度で最終焼鈍
が行われるが、これも従来から行われているもので特に
特別の工程１条件を規定するものでない。
延は、従来から行われている工程でよい。圧下率は９５
％以上となるのが普通である。また冷間圧延および箔圧
延の途中に中間焼鈍を入れることも可能で、中間焼鈍は
本発明の効果を阻害するものではない。最後に真空中ま
たは不活性雰囲気中で５００℃以上の高温度で最終焼鈍
が行われるが、これも従来から行われているもので特に
特別の工程１条件を規定するものでない。
（実施例）
通常のＤＣ鋳造によって第１表に示すような化学組成を
有し、厚さが４００ｍｍ、幅が１０００ｍｍのスラブを
得た。
有し、厚さが４００ｍｍ、幅が１０００ｍｍのスラブを
得た。
第１表 組 成
表１の化学組成を有するＤＣスラブを使用して、第２表
に示す条件で均質化処理と熱間圧延と焼鈍を行った後、
冷間圧延および箔圧延を施し、供試材Ａ−１からＡ−１
８については１０４μｍ厚さ、Ｂ−１からＢ−４につい
ては９０μｍ厚さの箔地材を作成した。その箔に真空中
で５５０ ’Ｃで４時間の最終焼鈍を行い、第３表に示
す条件により電解エツチングおよび化成処理をおこなっ
た後、静電容量および立方体集積度を測定して箔の品質
を評価した。静電容量測定は公知のブリッジ法によって
行った。評価の結果を第２表に示す。○印が合格と判定
された。
に示す条件で均質化処理と熱間圧延と焼鈍を行った後、
冷間圧延および箔圧延を施し、供試材Ａ−１からＡ−１
８については１０４μｍ厚さ、Ｂ−１からＢ−４につい
ては９０μｍ厚さの箔地材を作成した。その箔に真空中
で５５０ ’Ｃで４時間の最終焼鈍を行い、第３表に示
す条件により電解エツチングおよび化成処理をおこなっ
た後、静電容量および立方体集積度を測定して箔の品質
を評価した。静電容量測定は公知のブリッジ法によって
行った。評価の結果を第２表に示す。○印が合格と判定
された。
「発明の効果」
以上説明したように本発明に係わる電解コンデンサ陽極
用アルミニウム箔の製造方法によって、従来用いられて
きたよりも低純度のアルミニウム地金を使用して、良好
な箔特性、すなわち高い立方体方位集積度、高い静電容
量並びに均一な特性分布を有する陽極箔を効率的に製造
できるので、工業的に効果の高い発明である。
用アルミニウム箔の製造方法によって、従来用いられて
きたよりも低純度のアルミニウム地金を使用して、良好
な箔特性、すなわち高い立方体方位集積度、高い静電容
量並びに均一な特性分布を有する陽極箔を効率的に製造
できるので、工業的に効果の高い発明である。
特許出願人 日本軽金属株式会社
同 東洋アルミニウム株式会社同
株式会社 日 軽 技 研発明者 片 野 雅 彦
株式会社 日 軽 技 研発明者 片 野 雅 彦
Claims (2)
- （１）電解コンデンサ用アルミニウム鋳塊に５７０〜６
３０℃の温度範囲で４〜２４時間の均質化処理を施した
後、ただちにほぼ均質化処理温度で粗熱間圧延に着手し
、４８０〜５３０℃の温度で粗熱間圧延を終了し再結晶
が完了するまで放置し、その後仕上げ熱間圧延を行い、
２８０℃以下の温度で終了し、更に３００〜３８０℃で
１〜１２時間の焼鈍を行い、最後に常法によって冷間圧
延、箔圧延および最終焼鈍を行うことを特徴とする電解
コンデンサ用アルミニウム箔の製造方法。 - （２）電解コンデンサ用アルミニウム鋳塊に５７０〜６
３０℃で４〜２４時間の均質化処理を施した後、ただち
にほぼ均質化処理温度で粗熱間圧延に着手し、８０％以
上の圧下率による粗熱間圧延を行い、４８０〜５３０℃
の温度範囲で粗熱間圧延を完了し、１００〜２００秒放
置して再結晶を完了させ、その後仕上げ熱間圧延を行い
、２８０℃以下の温度で終了し、更に３００〜３８０℃
で１〜１２時間の焼鈍を行い、最後に常法によって冷間
圧延、箔圧延および最終焼鈍を行うことを特徴とする電
解コンデンサ用アルミニウム箔の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2202587A JP2756861B2 (ja) | 1990-08-01 | 1990-08-01 | 電解コンデンサ陽極用アルミニウム箔の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2202587A JP2756861B2 (ja) | 1990-08-01 | 1990-08-01 | 電解コンデンサ陽極用アルミニウム箔の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0489118A true JPH0489118A (ja) | 1992-03-23 |
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