JPH046644A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ｉ囲り弦五設置 本発明頃　特定の金属膜を有する光磁気記録媒体に関し
　さらに詳しくは、記録パワーの線速依存性が小さく、
かつソリが小さいなど機械的特性に優へ　しかも記録感
度に優れるとともに記録パワーのマージンが広い光磁気
記録媒体に関する。

ｉ囲立狡五基１１ 鉄、コバルトなどの遷移金属と、テルビウム（Ｔｂ）、
カドリニウム（Ｇｄ）などの希土類元素との合金からな
る光磁気記録膜は、膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有
獣　一方向に全面磁化された膜面にこの全面磁化方向と
は逆向きの小さな反転磁区を形成することができること
が知られている。この反転磁区の有無を「１」、　「０
」に対応させることによって、上記のような光磁気記録
膜にデジタル信号を記録させることが可能となる。

このような遷移金属と希土類元素とからなる光磁気記録
膜としては、たとえば特公昭５７−２０６９１号公報に
１５〜３０ｆｆｌ子％のＴｂを含むＴｂ−Ｆｅ系光磁気
記録膜が開示されている。またＴｂ−Ｆｅに第３の金属
を添加してなる光磁気記録膜も用いられている。さらに
Ｔｂ−Ｃｏ系、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ系などの光磁気記録膜
も知られている。

このようなＴｂ−Ｆｅ系、Ｔｂ−Ｃｏ系などの光磁気記
録膜中に、この薄膜の耐酸化性を向上させるために、第
３の金属を添加する方法が種々試みられている。

このような光磁気記録膜を基板上に積層してなる光磁気
記録媒体では、ソリが小さいなど機械的特性に優れてい
ることが望まれている。

またこのような光磁気記録膜を基板上に積層してなる光
磁気記録媒体は、耐酸化性および記録感度（Ｃ／Ｎ比）
の向上も望まれていた さらにこのような光磁気記録媒体に情報を書込む際には
、記録パワーマージンが広く、しかも記録パワーの線速
依存性が小さいことが望まれている。ここで情報を書込
む際の記録パワーマージンが広いとは、光磁気記録媒体
にレーザ光などによって情報を書込む際に、書込み光と
してのレーザ光のパワーが多少変化しても正確に光磁気
記録媒体に情報を書込むことができることを意味し　記
録パワーの線速依存性が小さいと：戴　光磁気記録媒体
にレーザ光などによって情報を書込む際鳳記録媒体の内
周部と外周部とで書込み光としてのレーザ光の最適記録
パワーの変化のしかたが小さいことを意味している。

このようにソリが小さく耐酸化性に便法　しかもＣ／Ｎ
比が高く、かつ記録パワーマージンが広く、その上記録
パワーの線速依存性が小さいような光磁気記録媒体の出
現が望まれている。

本発明者らは、このような従来技術に鑑みて鋭意検討し
たところ、基板上に、保護膜と、光磁気記録膜と、アル
ミニウム合金膜と、ニッケル合金膜とをこの順序で積層
してなる光磁気記録媒体は、ソリが小さく機械的特性に
便法　記録パワーの線速依存性が小さく、かつ記録パワ
ーマージンが広く、しかも耐酸化性および記録感度に優
れていることを見いだして、本発明を完成するに至っ島
ｉ貝Ｌ１濃 本発明Ｉｌｌ　　ソリが７４ｓさいなど機械的特性に優
へかつ記録パワーマージンが広り、シかも記録パワーの
線速依存性が小さく、かつＣ／Ｎ比が高いような光磁気
記録媒体を提供することを目的としている。

茅１す１１ 本発明に係る光磁気記録媒体１４　　基板上【ミ　保護
膜と、光磁気記録膜と、アルミニウム合金膜と、ニッケ
ル合金膜とがこの順序で積層されてなることを特徴とし
ている。

このような本発明に係る光磁気記録媒体１戯　ソリが小
さいなど機械的特性に便法　記録パワーの線速依存性が
／ＪＮさく、かつ記録パワーマージンが広く、しかも耐
酸化性および記録感度に優れている。

日の、　的濾日 以下、本発明に係る光磁気記録媒体について具体的に説
明する。

本発明の光磁気記録媒体１０番も　たとえば第１図に示
すように、　基板１上番ミ　保護膜２と、光磁気記録膜
３と、アルミニウム合金膜４と、ニッケル合金膜５とが
この順序で積層されて形成されている。

以下、基板１、保護ＷＬ−２、光磁気記録膜３、アルミ
ニウム合金膜４、ニッケル合金膜５について順次説明す
る。

基　　　板 本発明で１戴　基板１の材質は特に限定されないが、基
板１側（矢印Ａ）からレーザ光が入射する場合には、透
明基板であることが好ましく、具体的には、ガラスやア
ルミニウム等の無機材料の他に、　ポリメチルメタクリ
レート、ポリカーボネート、ポリカーボネートとポリス
チレンのポリマーアロイ、米国特許第４．６１４．７７
８号明細書に開示しであるような環状オレフィンランダ
ム共電合本　以下に説明するような環状オレフィンラン
ダム共電合本　ポリ４−メチル−１−ペンテン、エポキ
シＩｔｊ！、ポリエーテルサルフォン、ポリサルフォン
、ポリエーテルイミド等の有機材料を用いることができ
る。この中でＩＬ　　ポリメチルメタクリレート、ポリ
カーボネート、米国特許第４．６１４．７７８号明細書
に記載のような共重合体および下記の環状オレフィンラ
ンダム共重合体が好ましい。

本発明において、基板として特に好ましい材料として屯
　特に保護膜あるいは記録膜との密着性が良く、複屈折
率が小さいという観点から、エチレンと、下記一般式［
■コまたは［ｔ’ｌで表される環状オレフィンとの共重
合体からなる環状オレフィンランダム共重合体が挙げら
れる。

一般式［Ｉコ 一般式［工′］ （式中、ｎは０または１であり、ｍはＯまたは正の整数
であって、 Ｒ１〜ＲＩ　＠　１４　　それぞれ独立＆へ　水素原子
、７１０ゲン原子および炭化水素基よりなる群から選ば
れる原子もしくは基を表し ＲＩ　Ｓ　４　Ｒｌ　＠　ｌ戴　　互いに結合して単環
または多環を形成していてもよく、かつ該単環または多
環が二重結合を有していてもよく、 また、　ＲＩＩとＲ１６とで、　またはＲ１７とＲａ８
とでアルキリデン基を形成していてもよい）。

（式［１°］中、ｐは０または１以上の整数であり、ｑ
およびｒは、０、１または２であり、Ｒ１−Ｒ１１６は
それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、脂肪族炭化水
素基　芳香族炭化水素基　およびアルコキシ基よりなる
群から原子もしくは基を表しＲ％（またはＲ６）とＲ９
（またはＲＴ）と１戴　炭素数１〜３のアルキレン基を
介して結合していてもよく、また何の基も介さずに直接
結合していてもよい。　） ただし　上記式［ｒ］において、ｎはＯまたはｌであり
、好ましくは０である。また、ｍは０または正の整数で
あり、好ましくはＯ〜３である。

また上記式［Ｉ′］において、ｐはＯまたは１以上の整
数であり、好ましくは０〜３の整数である。

そして、Ｒ１〜Ｒ１ｌ＋（式［Ｉ］）、またはＲ１−Ｒ
１５（式［Ｉ’］）ＩＬ　　それぞれ独立＆へ　水素原
子、ハロゲン原子および炭化水素基よりなる群から選ば
れる原子もしくは基を表す。ここで、ハロゲン原子とし
ては、たとえ：ｆｌ　　フッ素原子、塩素原子、臭素原
子およびヨウ素原子を挙げることができる。

また、炭化水素基として屯　それぞれ独立く　通常は炭
素原子数１〜６のアルキル基　炭素原子数３〜６のシク
ロアルキル基を挙げることができ、アルキル基の具体的
な例としてＩＬ　　メチル基　エチル基　イソプロピル
基　イソブチル基　アミル基をあげることができ、シク
ロアルキル基の具体的な例として（戴　シクロへキシル
基　シクロプロピル基　シクロブチル基　シクロペンチ
ル基を挙げることができる。

また上記式［Ｉ’］において、Ｒ５（またはＲ６）とＲ
ｅ（またはＲＴ）とは、炭素数１〜３のアルキレン基を
介して結合していてもよく、また何の基も介さずに直接
結合していてもよい。

さらに、上記式［Ｉ］において、Ｒ１５〜ＲＩＢは互い
に結合して（共同して）単環または多環を形成していて
もよく、かつ該単環または多環が二重結合を有していて
もよい。また、Ｒａ５とＲａ６とで、またはＲ１７とＲ
１８とでアルキリデン基を形成していてもよい。このよ
うなアルキリデン基は、通常は炭素原子数２〜４のアル
キリデン基をあげることができ、その具体的な例として
は、エチリデン基　プロピリデン基　イソプロピリデン
基およびインブチリデン基をあげることができる。

前記式［ｒ］または［Ｉ’］で表される環状オレフィン
１戴　シクロペンタジェン類と、相応するオレフィン類
あるいは環状オレフィン類とをディールス・アルダ−反
応により縮合させることにより容易に製造することがで
きる。

前記式［Ｉ］または［ｒ、’］で表される環状オレフィ
ンとしては、 具体的には、 たとえば下記のよ うな化合物を埜げることができる。

（以下余白） ン メチルビシクロ［２ などのようなビシクロ［２，２，１１ ヘプト−２− エン誘 導体 ン ５．１０−ジメチルテトラ ＣＨ。

　Ｈｓ ９−イソブチル−２，７− ９，１１，１２−）ジメチル ９−エチル−１１，１２−ジメ ９−イソブチル−１１，１２ ８−メチルテトラシフ ８−エチルテトラシフ １・］−］３−ドデセ ン−へキシルテトラシ Ｃ１・ｈ８マ １＠コー３ ドデセン ５、８．９．１０−テトラメチ Ｉｌｌコ ドデセン メチル−９−エチルテ ８−クロロテトラシフ ３−ドデセン プロモチトラシフ ８−フルオロテトラシ Ｉ＠コ ３−ドデセン ＋ｓコ ３−ドデセン ＋ｓ］−３−ドデセン ン ８−エチリデン−９−イソ １ｅコー３ ドデセン 一ドデセン −３−ドデセン 、１２ ５．１７ １１Ｂ］−３−ドデセ ン ＋　ｓ　］−］３−ドデセ ン、１７ 目コー３−ドデセン 、１２ ６．１７ １＠コー３−ドデセ ８−ｎ−プロピリデン−９ ン 一ドデセン ８−ｎ−プロピリデン ８−イソプロピリデン ［４，４，０，１２ Ｓ、１７・ｌ］ ドデセン 一ドデセン 目］ ３−ドデセン １ｅコー３−ドデセン ８−ｎ−プロピリデン−９ ［４，４，０，１２ ＋＠］−３ ＣＨ。

［４，４，０，１２ １１コー３ 一ドデセン 一ドデセン などのテトラシクロ［４，４，０，１２ｓ、Ｉｖ ＋１］−３−ドデセ ン誘導体； （以下余白） ８−インプロピリデン １２−メチルへキサシフ ＋３．Ｑ２．７ Ｑ 目コー４−ヘプ タデセン などのへキサシクロ［６，６，１，１３Ｑ２　、　？　
、　□ｅ デセン １４コー４−ヘプタデセン誘導体： デセン トコセン ヘプタデセン ■、１＠、１１３ ８、Ｑｌ ２・目コー５ トコセン １５−エチルオクタシフ 　Ｈｓ セン などのオクタシクロ［８，８，０，１２９，１４ ７，１１ １，１１ ３、＋８．Ｑ３ ＋１．Ｑｌ２ １フコ−５−トコセン誘導体 などのペンタシクロ［６，６，１，１３・６，０２７，
０９＋−］−４− ヘキサデセン誘導体 ヘプタシクロ［８，７，０ コセン などのへブタシクロ−５ イコセン誘導体あるいはへ ブタシクロ−５−ヘンエイコセン誘導体；トリシクロ［
４，３，０，１ などのトリシクロ［４，４，０，１２ ５コー３−ウンデセン誘導 体； ５−メチル−トリシクロ １．３ ジメチル−ペンタ などのトリシクロ［４，３，０，１２・６コー３−デセ
ン誘導体。

１．６−シメチルベンタ メチル置換ペンタシ １４、１５−ジメチルベン などのペンタシクロ ［４，７，０，１２・５．Ｏ８ ＋３．ｐ １２コ −３−ペンタデセン誘導体； などのペンタシクロ［６，５，１ ６、ＱＩＴ、Ｑｌ１３コー４− コセン ペンタデセン誘導体 １Ｓコ −４−エイコセン などのジエン化合物； などのへブタシクロ ［７，８，０，１３ ７，１１＠ ７Ｉ０ ＋１．１８，１１２ １５コ ４−エイコセン誘導体； そしてさらには、 ２１．ｌＩ３．２１１．ＱＩＪ、１９．１１ｓ、＋＠］
−５−ベンタコセン ０Ｈ・　　　３．２゜、。１４．１゜１＋ｓ、＋。１−
５−ベンタコセン などのノナシクロ［９，１０，１，１’）、０３・Ｉ　
、　Ｑ２　、　ｌ　Ｉ　、　Ｑｌ　２２＋、　１１２．
２＠、Ｑｌ４．ｌ＠、ｌＩ６．１Ｊ　−５−／＜　ンタ
：７　セン誘導体等を挙げることができる。

（以下余白） を挙げることができる。

（以下余白） 上記のようなエチレンと、一般式［１］または［１′］
で表される環状オレフィンとの共重合体としては、１３
５℃のデカリン中で測定した極限粘度［η］が０．０５
〜１０ａ／Ｈの範囲にあり、軟化温度（ＴＭＡ）が７０
℃以上である環状オレフィン系ランダム共重合体（以下
環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］という）が好
ましく用いられる。また所望により、環状オレフィン系
ランダム共重合体［Ａ］く　エチレンと、下記式［Ｉコ
または［工°］で表される環状オレフィンとの共重合体
であって、１３５℃のデカリン中で測定した極限粘度［
η］が０．０５〜５４Ｑ／ｇの範囲にあり、軟化温度（
ＴＭＡ）が７０℃未満である環状オレフィン系ランダム
共重合体（以下環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ
］という）を配合して用いてもよい。

上記のような環状オレフィン類とエチレンとの共重合体
である環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］および
［Ｂ］鷹　エチレンおよび前記環状オレフィンを必須成
分とするものであるカζ　該必須の二成分の他に本発明
の目的を損なわない範囲で、必要に応じて他の共重合可
°能な不飽和単量体成分を含有していてもよい。任意に
共重合されていてもよい該不飽和単量体として、具体的
には、たとえば生成するランダム共重合体中のエチレン
成分単位と等モル未満の範囲のプロピレン、１−ブテン
、４−メチル−１−ペンテン、１−ヘキセン、１−オク
テン、　１−デセン、　１−ドデセン、　１−テトラデ
セン、１−へキサデセン、１−オクタデセン、１−エイ
コセンなどの炭素原子数が３〜２０のａ−オレフィンな
どを例示することができる。

上記のような環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］
でＩＬ　　エチレンに由来する繰り返し単位（ａ）１転
　４０〜８５モル％、好ましくは５０〜７５モル％の範
囲で存在しており、また該環状オレフィンに由来する繰
り返し単位（ｂ）は１５〜６０モル％、好ましくは２５
〜５０モル％の範囲で存在しており、エチレンに由来す
る繰り返し単位（ａ）および該環状オレフィンに由来す
る繰り返し単位（ｂ）は、ランダムに実質上線状に配列
している。なお、エチレン組成および環状オレフィン組
成は１３Ｃ−ＮＭＲによって測定した　この環状オレフ
ィン系ランダム共重合体が実質上線状であり、ゲル状架
橋構造を有していないことは、該共重合体が１３５℃の
デカリン中に完全に溶解することによって確認できる。

このような環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］の
１３５℃のデカリン中で測定した極限粘度［ｌコは、０
．０５〜ｔｏａ　／　ｇ、　　好ましくは０．０８〜５
ｄΩ／ｇの範囲にある。

また環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］のサーマ
ル・メカニカル・アナライザーで測定した軟化温度（Ｔ
ＭＡ）は、７０℃以上、好ましくは９０〜２５０℃、さ
らに好ましくは１００〜２００℃の範囲にある。なお軟
化温度（ＴＭＡ）哄　デュポン社製Ｔｈｅｒｍｏｍｅｃ
ｈａｎｉｃａｌ　Ａｎａｌｙｓｅｒを用いて厚さ１鶴の
シートの熱変形挙動により測定した　すなわちシート上
に石英製針をのせ、荷重４９ｇをかけ、５℃／分で昇温
していき、針が０．６３５．侵入した温度をＴＭＡとし
ｔ４　　また、該環状オレフィン系ランダム共重合体の
ガラス転移温度（Ｔｇ）は、通常５０〜２３０℃、好ま
しくは７０〜２１０℃の範囲にあることが望ましい。

また、この環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］の
Ｘ線回折法によって測定した結晶化度は、０〜１０％、
好ましくは０〜７％、とくに好ましくは０〜５％の範囲
である。

本発明で１戴　また上記のような軟化温度（ＴＭＡ）が
７０℃以上である環状オレフィン系ランダム共重合体［
Ａ］に、 エチレンと、上記式［１コまたは［Ｉ′］で表わされる
環状オレフィンとの共重合体であって、１３５℃のデカ
リン中で測定した極限粘度［η］が０．０５〜５　ａＱ
　／ｇノ範囲にあり、軟化温度（ＴＭＡ）が７０℃未満
である環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］を配合
してなる環状オレフィン系ランダム共重合体組成物から
基板を形成することが好ましい。

上記のような軟化点（ＴＭＡ）が７０℃未満である環状
オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］で（戴エチレンに
由来する繰り返し単位（ａ）は、６０〜９８モル％、好
ましくは６０〜９８モル％の範囲で存在しており、また
該環状オレフィンに由来する繰り返し単位（ｂ）は２〜
４０モル％、好ましくは５〜４０モル％の範囲で存在し
ており、エチレンに由来する繰り返し単位（ａ）および
該環状オレフィンに由来する繰り返し単位（ｂ）　１４
　　ランダムに実質上線状に配列している。なお、エチ
レン組成および環状オレフィン組成は＋３Ｃ−ＮＭＲに
よって測定した　この環状オレフィン系ランダム共重合
体［Ｂ］が実質上線状であり、ゲル状架橋構造を有して
いないこと頃　該共重合体が１３５℃のデカリン中に完
全に溶解することによって確認できる。

このような環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］の
１３５℃のデカリン中で測定した極限粘度［η］は、０
．０５〜５　（ＬＱ　／ｇ、　　好ましくは０．０８〜
３ｄｌｌ／ｇの範囲にある。

また環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］のサーマ
ル・メカニカル・アナライザーで測定した軟化温度（Ｔ
ＭＡ）は、７０℃未汎　好ましくは一１０〜６０℃、さ
らに好ましくは１０〜５５℃の範囲にある。さらく　該
環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］のガラス転移
温度（Ｔｇ）　Ｉｆ、　　通常−３０〜６０℃、好まし
くは一２０〜５０℃の範囲にあることが望ましい。

また、この環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］の
Ｘｌｓ回折法によって測定した結晶化度は、０〜１０％
、好ましくは０〜７％、　とくに好ましくは０〜５％の
範囲である。

本発明において、基板として環状オレフィンランダム共
重合体［Ａ］および［Ｂ］を用いる場合に１４　　該環
状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］／該環状オレフ
ィン系ランダム共重合体［Ｂ］の重量比は１００１０．
１〜１００／１０．　　好ましくは１００１０．３〜１
００／７、とくに好ましくは１００１０．５〜１００１
５の範囲であることが望ましい。　［Ｂ］酸成分この範
囲で［Ａ］酸成分配合することによって基板自体の優れ
た透明性と表面平滑性を維持したままで本発明で用いる
反射膜との苛酷な条件下での密着性が［Ａ］酸成分みの
場合に比べさらに向上するという効果があり、　［Ａコ
と［Ｂ］　とのブレンドよりなるこの上記の環状オレフ
ィンランダム共重合体組成物を基板に用いれば本発明で
用いる反射膜との優れた密着性は高温、高温条件下放置
後においてさえも変化がないという特性を有している。

本発明における基板を構成する上記の環状オレフィン共
重合体［Ａ］および［Ｂ］は、特開昭６０−１６８７０
８号公転　特開昭６１−１２０８１６号公社　特開開６
１−１１５９１２号公転　特開昭６１−１１５９１６号
公転　特開昭６２−２５２４０６号公転　特開昭６２−
２５２４０７号公転　特開昭６１−２７１３０８号公転
　特開昭６１−２７２２１６号公報などにおいて本出願
人が提案した方法に従い適宜条件を選択することにより
、製造することができる。

このような環状オレフィン系ランダム共重合体中におい
て、前記式［Ｉ］または［！°］で表される環状オレフ
ィンから導かれる構成単位（ｂ）は下記式［ｎｌまたは
［ｎ　’］で表される構造の繰り返し単位を形成してい
ると考えられるが、一部の構成単位（ｂ）が開環重合に
よって結合している場合もあり、また必要に応じて水素
添加することも可能である。

［ｎｌ （式［ｎｌ中、瓜　ｎおよびＲ１−Ｒ１１１は前記式［
Ｉ］における定義と同様である。） ［ｎ’コ （式［１１’コ中、　Ｉ）％　　Ｑ−ｒおよびＲｌ−Ｒ
ｌ　５は前記式［Ｉ’］における定義と同様である。）
本発明に係る光磁気記録媒体の基板としては、前述した
とおり、上記のエチレンと環状オレフィンとのランダム
共重合体のほか＆へ　同種または異種の環状オレフィン
単量体を開環して得られる環状オレフィン開環重合化　
開環共重合体またはそれらの水素添加物を用いることも
できる。このような環状オレフィン開環重合化　開環共
重合体およびこれらの水素添加物について、前記式［ｒ
］で表される環状オレフィンを例にして説明すると、以
下に記載するように反応して開環共重合体およびこれら
の水素添加物を構成していると考えられる。

↓開環 ↓水素添加 このような重合体の例として、テトラシクロドデセンと
ノルボルネン及びそれらの誘導体との開環共重合体　及
びその水素添加物をあげることができる。

なお、本発明においては上記のような開環重合弧　開環
共重合体　これらの水素添加物および環状オレフィン系
ランダム共重合体の一部が無水マレイン酸等の不飽和カ
ルボン酸等で変性されていてもよい。このような変性物
は、上記のような環状オレフィン系樹脂と、不飽和カル
ボン酸、これらの無水執　および不飽和カルボン酸のア
ルキルエステル等の誘導体とを反応させることにより製
造することができる。なお、この場合の環状オレフィン
系樹脂の変性物中における変性剤から導かれる構成単位
の含有率は、通常は５０〜１０モル％以下である。この
ような環状オレフィン系樹脂変性物は、所望の変性率に
なるように環状オレフィン系樹脂に変性剤を配合してグ
ラフト重合させて製造することもできるし　予め高変性
率の変性物を調製し　次いでこの変性物と未変性の環状
オレフィン系樹脂とを混合することによっても製造する
ことができる。

本発明において、上記の開環重合化　開環共重合体　こ
れらの水素添加物および環状オレフィン系ランダム共重
合体ならびにその変性物は、単独で、あるいは組み合わ
せて使用することができる。

さら＆−本発明においては、上記のような環状オレフィ
ン系ランダム共重合体を製造するに際して、得られる重
合体等の物性を損なわない範囲で、前記式［Ｉ］または
［Ｉ’］で表される環状オレフィン以外の環状オレフィ
ンを重合させることもできる。このような環状オレフィ
ンとしては、たとえば、 シクロブテン、 シクロペンテン、 シクロヘキセン、 ３．４−ジメチルシクロヘキセン、 ３−メチルシクロヘキセン、 ２−（２−メチルブチル）−１−シクロヘキセン、２、
３．３ａ、　７ａ−テトラヒトｏ　−４，７−メタノ−
ＩＨ−インデン、 ３ａ、　５．６．７ａ−テトラヒトＯ−４，７−メタノ
−ＩＨ−インデンなどをあげることができる。このよう
な他の環状オレフィンは単独で、あるいは組み合わせて
使用することができ、通常、０〜５０モル％の量で用い
られる。

また本発明に係る光磁気記録媒体の基板には、上記［Ａ
］および［Ｂ］酸成分他へ　衝撃強度を向上させるため
のゴム成分を配合したり、耐熱安定斉Ｌ　耐候安定舷　
帯電防止舷　スリップ舷　アンチブロッキング斉Ｌ　防
曇舷　清純　染料、顔料、天然源　合成法　ワックスな
どを配合することができ、その配合割合は適宜量である
。たとえ番ｆ１任意成分として配合される安定剤として
具体的に哄　テトラキス［メチレン−３（３，５−ジ−
ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート
コメタン、β−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロ
キシフェニル）プロピオン厳アルキルエステル、２．２
’−オキザミドビス［エチル−３（３，５−ジ−ｔ−ブ
チル−４−ヒドロキシフェニル）コプロピオネートなど
のフェノール系酸化防止弁Ｌ　ステアリン酸亜鉛、ステ
アリン酸カルシウム、１２−ヒドロキシステアリン酸カ
ルシウムなどの脂肪酸金属塩、グリセリンモノステアレ
ート、グリセリンモノラウレート、グリセリンジステア
レート、ペンタエリスリトールモノステアレート、ペン
タエリスリトールジステアレート、ペンタエリスリトー
ルトリステアレート等の多価アルコールの脂肪酸エステ
ルなどを挙げることができる。これらは単独で配合して
もよいカー　組み合わせて配合してもよく、たとえＩ戴
　　テトラキス［メチレン−３（３゜５−ジ−ｔ−ブチ
ル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネートコメタン
とステアリン酸亜鉛およびグリセリンモノステアレート
との組合せ等を例示することができる。

本発明では特に、フェノール系酸化防止剤および多価ア
ルコールの脂肪酸エステルとを組み合わせて用いること
が好ましく、該多価アルコールの脂肪酸エステルは３価
以上の多価アルコールのアルコール性水酸基の一部がエ
ステル化された多価アルコール脂肪酸エステルであるこ
とが好ましい。

このような多価アルコールの脂肪酸エステルとして６戴
　具体的に１１　　グリセリンモノステアレート、グリ
セリンモノラウレート、グリセリンモノミリステート、
グリセリンモノパルミテート、グリセリンジステアレー
ト、グリセリンジラウレート等のグリセリン脂肪酸エス
テル、ペンタエリスリトールモノステアレート、ペンタ
エリスリトールモノラウレート、ペンタエリスリトール
ジラウレート、ペンタエリスリトールジステアレート、
ペンタエリスリトールトリステアレート等のペンタエリ
スリトールの脂肪酸エステルが用いられる。

このようなフェノール系酸化防止剤６戴　前記［Ａ］酸
成分よび［Ｂ］酸成分合計重量１００！量部に対して０
〜１０重量部好ましくは０〜５重量部さらに好ましくは
０〜２重量部の量で用いら枳　また多価アルコールの脂
肪酸エステルは［Ａ］酸成分よび［Ｂ］酸成分合計重量
１００重量部に対して０〜１０重量服　好ましくは０〜
５重量部の量で用いられる。

本発明に係る光磁気記録媒体の基板に頃　本発明の目的
を損なわない範囲で、シリカ、ケイ藻土、アルミ九　酸
化チタン、酸化マグネシウム、軽石粉、軽石バルーン、
水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、塩基性炭酸
マグネシウム、ドロマイト、硫酸カルシウム、チタン酸
カリウム、硫酸バリウム、亜硫酸カルシウム、タルク、
クレーマイカ、アスベスト、ガラス織縁　ガラスフレー
ク、ガラスピーズ、ケイ酸カルシウム、モンモリロナイ
ト、ベントナイト、グラファイト、アルミニウム粉、硫
化モリブデン、ボロン繊紙炭化ケイ素織縁　ポリエチレ
ン繊紙　ポリプロピレン織縁　ポリエステル織縁　ポリ
アミド繊維等の充填剤を配合してもよい。

本発明において、基板として上記のような環状オレフィ
ン系ランダム共重合体または環状オレフィン系ランダム
共重合体組成物を用いると、理由は定かではないカｔ　
記録感度が特に優れているという特長を有する。またこ
の環状オレフィン系ランダム共重合体または該共重合体
を含む組成物からなる基板と記録層積層体とは密着性に
優れており、　したがって記録膜は長期安定性に優れる
とともに記録膜の酸化が効果的に防止される。したがっ
てこの環状オレフィン系ランダム共重合体からなる基板
上に記録膜を積層してなる光記録媒体：戴記録感度に優
へ　また耐久性および長期安定性にも優れている。また
本発明に係る光記録媒体は反りがなく割れが生ずること
がない。

このような基板１の厚みは特に限定されないカー好まし
くは０．５〜５１特に好ましくは１〜２鰭である。

保」１聰 本発明に係る光磁気記録媒体１０で用いられる保護膜２
ｉｆ、ＳｉＮ、、Ｚ　ｎ　Ｓ、　　Ｚ　ｎ　Ｓ　ｅ、　
　Ｃｄ　Ｓ。

Ｓｉ、ＡｐＮなどで示される組成の膜から形成されてお
り、このうちＳｉＮ、膜が特に好ましい。

ＳｉＮｘで示される保護膜では、　Ｏ＜ｘ≦４７３であ
ることが好ましく、具体的には、５ｒ３ＮａＣ四窒化三
ケイ素）などの窒化ケイ素膜あるいは０くｘ＜４／３と
なるようにＳｉ３Ｎ、とＳｉとを混合した混合膜が特に
好ましく用いられる。このようなＳｉＮ、で示される保
護膜は、たとえばターゲットとして、　Ｓｉ、Ｎ、また
は、　５ｉ３ＮａとＳｉとを用いて、スパッタリング法
により成膜することができる。このようなＳｉＮ、から
なる保護膜２は、通常２．０以上の屈折率を有している
ことが好ましく、後述する光磁気記録膜３を酸化などが
ら保護する働き、あるいは光磁気記録膜の記録特性を高
めるエンハンス膜としての働き、あるいはその両方の働
きをしている。またＳ　ｊＮ、（０＜ｘ≦４／３）から
なる保護膜１戴　特に耐クランク性に優れている。

本発明において、保護膜２の膜厚は５００〜２０００人
、好ましくは８００〜１ＳｏＯ人程度であることが望ま
しい。

本発明において代　保護膜の膜厚を上記のような範囲に
することによって、良好なＣ／Ｎ比と広い記録パワーマ
ージンを有する光磁気記録媒体を得ることができる。

光ＪＬλ糞ｉｉ聰 光磁気記録膜３は、　（ｉ）３ｄ遷移金属から選ばれる
少なくとも１種と、　（１ｉｉ）希土類から選ばれる少
なくとも１種の元素とからなるか、あるいは（ｉ）３ｄ
遷移金属から選ばれる少なくとも１種と、　（ｉｉ）耐
腐食性金属と、　（１ｉｉ）希土類から選ばれる少なく
とも１種の元素とからなっている。

このうち（ｉ）３ｄ遷移金属から選ばれる少なくとも１
種と、　（１１）耐腐食性金属と、　（ｉｉｉ）希土類
から選ばれる少なくとも１種の元素とからなる光磁気記
録膜が好ましい。

（ｉ）３ｄ遷移金属としては、Ｆｅ、　　Ｃｏ、　　Ｔ
ｉ、Ｖｌ　Ｃｒ、Ｍｎ、、Ｎｉ、ＣｕＳ　Ｚｎなどが用
いられる力で１　　このうちＦｅまたはＣｏあるいはこ
の両者であることが好ましい。

この３ｄ遷移金属は、光磁気記録膜中に好ましくは２０
〜９０原子％、より好ましくは３０〜８５原子％、とく
に好ましくは３５〜８０原子％の量で存在している。

（ｉｉ）耐腐食性金属は、光磁気記録膜に含ませること
によって、この光磁気記録膜の耐酸化性を高めることが
できる。このような耐腐食性金属としては、Ｐｔ、Ｐｄ
、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｎｂなどが用いられるが、このう
ちＰ　ｔＳＰ　ｄ、　　Ｔ　ｉカ好ましくとくにＰｔま
たはＰｄあるいはこの両者であることが好ましい。

この耐腐食性金属は、光磁気記録膜中に、３０原子％以
下、好ましくは５〜２５原子％、とくには１０〜２５！
ＪＦ、千％、さらに好ましくは１０〜２０原子％の量で
存在している。

希土類元素としては、下記のような元素が挙げられる。

ＧｄＳ　Ｔｂ、　　ＤｙＳ　Ｈｏ、　　Ｅｒ、　　Ｔｍ
、　　Ｙｂ。

Ｌｕ　　Ｌａ、　　Ｃｅ、　　Ｐｒ、　　Ｎｄ、　　Ｐ
ｍ、　　Ｓｍ。

ｕ このうちＧｄ、　　Ｔｂ、　　Ｄｙ、　　Ｈｏ、　　Ｎ
ｄ５５ｍ５Ｐｒが好ましく用いられる。

上記のような群から選ばれる少なくとも１種の希土類元
素＋４　　光磁気記録膜中く　好ましくは５〜５０原子
％、さらに好ましくは８〜４５ＪＰＣ子％とくに好まし
くは１０〜４０原子％の量で存在している。

本発明では、光磁気記録膜力で、特を−下記に記載する
ような組成を有することが好ましい。

（ｉ）３ｄ遷移元素 本発明に係る光磁気記録膜中にｊＬ（ｉ）３ｄ遷移元素
として、好ましくはＦｅまたはＣＯあるいはこの両者が
含まれており、Ｆｅおよび／またはＣｏｔ戴４０原子％
以上８０Ｊ］Ｋ子％以下、好ましくは４０原子％以上７
５原子％未鳳　さらに好ましくは４０ＪＸ子％以上５９
原子％以下の量で存在していることが望ましい。

さらにＦｅおよび／またはＣｏは、Ｃｏ／（Ｆｅ十Ｃｏ
）比［原子比］が０以上０．３以下、好ましくは０以上
０．２以下、さらに好ましくは０．０１以上０．２以下
であるような量で、光磁気記録膜中に存在していること
が望ましい。

Ｆｅおよび／またはＣｏの量が４０原子％以上で８０Ｗ
子％以下の範囲にあると、耐酸化性に優ねかつ膜面に垂
直な方向に磁化容易軸をもった光磁気記録膜が得られる
という利点を有する。

ところで光磁気記録膜中に、ＣＯを添加すると、（イ）
光磁気記録膜のキュリー点が上昇し　また（口）カー回
転角（θｋ）が大きくなるという現象が認めら汰　その
結％Ｃｏの添加量により、光磁気記録膜の記録感度を調
整することができ、しかもＣｏの添加により、再生信号
のキャリアレベルを増加することができる。本発明に係
る光磁気記録膜では、ノイズレベル、Ｃ／Ｎ比の点から
Ｃｏ／（Ｆｅ＋Ｃｏ）比［ｆｆ子比コは０以上０．３以
下、好ましくは０以上０．２以下、さらに好ましくは０
．０１以上０．２以下であることが望ましい。

このような本発明に用いる光磁気記録膜は、記録および
消去を繰り返し行なっても、膜変質が生ずることはない
。たとえば本発明に係るＰ　ｔ　１３Ｔ　ｂ２＠Ｆ　ｅ
ｓｓＣＯ＠なる組成を有する光磁気記録膜＋Ｌ１０万回
の記録および消去を繰り返し行なってもＣ／Ｎ比の低下
は認められない。

（ｉｉ）耐腐食性金属 本発明に用いる光磁気記録膜中には、　（ｉｉ）耐腐食
性金属として、好ましくはＰｔまたはＰｄあるいはこの
両者が含まれており、ｐｔおよび／またはＰｄは、光磁
気記録膜中に５〜３０原子％、好ましくは１ｏ原子％を
超えて３０原子％以下、さらに好ましくは１０原子％を
超えて２０ｉ子％未滌　最も好ましくは１１原子％以上
１９原子％以下の量で存在していることが望ましい。

光磁気記録膜中のｐｔおよび／またはＰｄの量が５原子
％以ム　特に１０原子％を超えて存在すると、光磁気記
録膜の耐酸化性に優枳　長期間使用しても孔食が発生せ
ず、Ｃ／Ｎ比も劣化しないという利点を有する。

たとえばＰ　ｔ、、　Ｔ　ｂ２．　Ｆ　ｅｓｓ　ＣＯｓ
あるいはＰ　ｄ１２Ｔ　ｂ２＠Ｆ　ｅｓｓＣＯ７で示さ
れる組成を有する本発明に係る光磁気記録膜は、相対湿
度８５％、８０℃の環境下に１０００時間保持しても、
Ｃ／Ｎ比は全く変化しない。これに対してｐｔまたはＰ
ｄを含まないＴ　ｂ２５Ｆ　ｅ、、Ｃｏ、で示される組
成を有する光磁気記録膜は、相対湿度８５％、８０℃の
環境下に１０００時間保持すると、Ｃ／Ｎ比は大きく低
下する。

また光磁気記録膜中にｐｔおよび／またはＰｄを上記の
ような範囲の量で添加することにより、光磁気記録膜に
情報を記録したりあるいは情報を読出す際に、／ＪＸさ
なバイアス磁界で充分に高いＣ／Ｎ比が得られる。小さ
なバイアス−磁界で充分に高いＣ／Ｎ比が得られると、
バイアス磁界発生用のマグネットを／Ｉ）さくすること
ができ、しかもマグネットからの発熱も押えることがで
きるため、光磁気記録膜を有する光ディスクのドライブ
装置を簡素化することができる。しかも小さなバイアス
磁界で充分に大きなＣ／Ｎ比が得られるため、オーバー
ライド可能な磁界変調記録用のマグネットの紋針も容易
となる。

（１ｉｉ）希土類元素（ＲＥ） 本発明に係る光磁気記録膜中に代　希土類元素（ＲＥ）
が含まれており、この希土類元素としてｉｊ　　Ｎｄ、
　　５ｒｒＬ、Ｐｒ、　　Ｃｅ；　　Ｅｕ、　　Ｇｄ、
　　Ｔｂ。

ＤｙまたはＨＯが用いられる。

これらの中では、ＮｄＳ　Ｐｒ、Ｇｄ、Ｔｂ。

ＤＹが好ましく、用いらね　特にＴｂが好ましい。

また希土類元素は２種以上併用してもよく、この場合に
Ｔｂを希土類元素のうち５０原子％以上含有しているこ
とが好ましい。

この希土類元素頃　膜面に垂直な方向に磁化容易軸をも
った光磁気を得るという点からＲＥ／（ＲＥ＋Ｆｅ＋Ｃ
ｏ）比［Ｗ子比］をＸで表わした場合Ｅ、　　０．１５
≦Ｘ≦０．４５、好ましくは０．２０≦Ｘ≦０．４であ
るような量で光磁気記録膜中に存在していることが望ま
しい。

本発明において１戯　光磁気記録膜に種々の元素を少量
添加して、キュリー温度や補償温度あるν）は保磁力Ｈ
ｅやカー回転角θにの改善あるいは低コスト化を計るこ
ともできる。これらの元素は、記録膜を構成する全厚子
数に対してたとえば１０原子％未溝の割合で用いること
ができる。

併用できる他の元素の例として（戴　以下のような元素
が挙げられる。

（Ｉ）Ｆｅ、Ｃｏ以外の３ｄ遷移元素 呉体的には、Ｓｃ、　　Ｔｉ、　　Ｖ、　　Ｃｒ、　　
Ｍｎ。

Ｎ１、　Ｃｕ、Ｚｎが用いられる。

これらのうち、ＴｉＳ　Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎなどが好まし
く用いられる。

（ｎ）Ｐｄ以外の４ｄ遷移元素 具体的には、Ｙ、　　Ｚｒ５Ｎｂ、　　Ｍｏ、Ｔｃ。

ＲｕＳ　Ｒｈ、ＡｇＳ　Ｃｄが用いられる。

このうちＺｒ、Ｎｂが好ましく用いられる。

（ｍ）Ｐｔ以外の５ｄ遷移元素 具体的には、Ｈｆ、　　Ｔａ、　　Ｗ、　　Ｒｅ、　　
Ｏｓ。

Ｉｒ、Ａｕ、Ｈｇが用いられる。

このうちＴａが好ましく用いられる。

（ｒｖ）ｍＢ族元素 具体的にＩＬ、　　ＢＳＡＱ、Ｇａ、　　Ｉｎ、Ｔｇが
用いられる。

このうちＢＳ　Ａｌ１５　Ｇａが好ましく用いられる。

（ｖ）ｒｖＢ族元素 具体的にＩｆ、　　Ｃ，５ｉＳＧｅ、　　Ｓｎ、　　Ｐ
ｂが用いられる。

このうち、Ｓｉ、ＧｅＳ　Ｓｎ１　Ｐｂが好ましく用い
られる。

（Ｖｌ）ＶＢ族元素 具体的には、Ｎ、ＰＳ　ＡｓＳ　Ｓｂ、Ｂｉが用いられ
る。

このうちｓｂが好ましく用いられる。

（■）ＶＴＢ族元素 具体的には、ＳＳ　Ｓｅ、Ｔｅ、Ｐｏが用いられる。

このうちＴｅが好ましく用いられる。

上記のような組成を有する光磁気記録膜は、膜面に垂直
な磁化容易軸を有し　多くはカー・ヒステリシスが良好
な角形ループを示す垂直磁気および光磁気記録可能な非
晶質薄膜となること力＼　広角Ｘ線回折などにより確か
められる。

なお本明細書において、カー・ヒステリシスが良好な角
形ループを示すと頃　最大外部磁場におけるカー回転角
である飽和カー回転角（θｋｌ）と外部磁場ゼロにおけ
るカー回転角である残留カー回転角（θに２）との比θ
に２／θに、が龜８以上であることを意味している。

この光磁気記録膜の膜厚は１００〜６００人、好ましく
は１００〜４００人、より好ましくは１５０〜３００人
程度である。

アルミニウム合金 本発明に係る光磁気記録媒体１０では、上記のような光
磁気記録膜３上に、アルミニウム合金膜４が設けられて
いる。

このアルミニウム合金膜４は、アルミニウムと、アルミ
ニウム以外の少なくとも１種の元素を含んで構成されて
いる。

このようなアルミニウム合金として１戴　具体的には以
下のようなものが例示できる。

ＡＱ−Ｃｒ合金（Ｃｒ含有量０．１〜１０ｆｆｉ子％）
、Ａ１１−Ｃｕ合金（Ｃｕ含有量０．１〜１０原子％）
、Ａｇ−Ｍｎ合金（Ｍｎ含有量０．１〜１０原子％）、
ＡＱ−Ｈｆ合金（Ｈｆ含有量０．１〜１０ｆｆｉｔ子％
）、ＡＱ−Ｎｂ合金（Ｎｂ含有量０．１〜１０原子％）
、ＡＱ−Ｂ合金（Ｂ含有量０．１〜１０ｙ！、千％）、
ＡＱ　−Ｔ　ｉ合金（Ｔｉ含有量０．１−１０原子％）
、ＡＱ−Ｔｉ−Ｎｂ合金（Ｔｉ含有量０．１〜５原子％
、Ｎｂ含有量０．１〜５Ｍ子％）、 ＡＱ−Ｔｉ−Ｈｆ合金（Ｔｉ含有量０．１〜５ｇ、子％
、Ｈｆ含有量０．１〜１０原子％）、Ａｌ１−Ｃｒ−Ｈ
ｆ合金（Ｃｒ含有量０．１〜５原子％、Ｈｆ含有量０．
１〜１０原子％）、ＡＱ−Ｃｒ−Ｔｉ合金（Ｃｒ含有量
０．１〜５　ｆｆｌ子％、Ｔｉ含有量０．１〜１０Ｗ、
千％）、Ａ９−Ｃｒ−Ｚｒ合金（Ｃｒ含有量０．１〜５
原子％、Ｚｒ含有量０．１〜１０Ｗ子％）、Ａｆｆ　−
Ｔ　１−Ｎｂ合金（Ｔｉ含有量０．１〜５原子％、Ｎｂ
含有量０．１〜５原子％）、 ＡＱ−Ｎｉ合金（Ｎｉ含有量０．１〜１０原子％）、Ａ
Ｑ−Ｍｇ合金（Ｍｇ含有量０．１〜１０原子％）、Ａｇ
−Ｍｇ−Ｔｉ合金（Ｍｇ含有量０．１〜１０原子％、Ｔ
ｉ含有量０．１〜１０原子％）、Ａｓ−Ｍｇ−Ｃｒ合金
（Ｍｇ含有量０．１〜１０原子％、Ｃｒ含有量０．１〜
１０ｙ！、千％）、ＡＱ−Ｍｇ−Ｈｆ合金（Ｍｇ含有量
０．１〜１０原子％、Ｈｆ含有量０．１〜１ＯＮ、千％
）、Ａ９−３　ｅ合金（Ｓｅ含有量０．１〜１０原子％
）、Ａｍ−Ｚｒ合金（Ｚｒ含有量０．１〜１０原子％）
、Ａｇ−Ｔａ合金（Ｔａ含有量０．１〜１０Ｊ１１を子
％）、ＡＱ−Ｔａ−Ｈｆ合金（Ｔａ含有量０．１〜１０
原子％、Ｈｆ含有量０．１〜１０原子％）、ＡＮ−Ｓｉ
合金（Ｓｉ含有量０．１〜１０ｆｆ子％）、ＡＱ−Ａｇ
合金（Ａｇ含有量０．１〜１０原子％）、ＡＱ−Ｐｄ合
金（Ｐｄ含有量０．１〜１０原子％）、Ａ１１−Ｐｔ合
金（ｐｔ含有量０．１〜１０原子％）。

アルミニウム合金としては、特に以下のようなもの力ζ
　光磁気記録媒体の線速依存性が小さくかつ耐腐食性に
優れているので好ましい。

ハフニウム０．１〜１０原子％を含むアルミニウム合金
、 ニオブ０．１〜１０原子％を含むアルミニウム合金、チ
タン０．５〜５原子％とハフニウム０．５〜５原子％を
含へ　チタンとハフニウムの合計含有量が１〜５．５原
子％であるアルミニウム合金、クロム０．１〜５原子％
とチタン０．１〜９．５原子％を含入　クロムとチタン
の合計含有量が１０原子％以下であるアルミニウム合金
、 クロム０．１〜５原子％とチタン０，１〜９．５原子％
とハフニウム０．１〜９．５原子％とを合本　クロムと
チタンとハフニウムの合計含有量が１０原子％以下であ
るアルミニウム合金、 マグネシウム０．１〜１０原子％とクロム０．１〜１０
原子％を含入　マグネシウムとクロムの合計含有量が１
５原子％以下であるアルミニウム合金、クロム０．１〜
５原子％とハフニウム０．１〜９．５原子％ヲ合本　　
クロムとハフニウムの合計含有量が１０原子％以下であ
るアルミニウム合金、 マグネシウム０．１〜１０原子％とハフニウム０．１〜
１０原子％を合本　マグネシウムとハフニウムの合計含
有量が１５原子％以下であるアルミニウム合金、クロム
０．１〜５原子％とジルコニウム０．１〜９．５原子％
を含＆　　クロムとジルコニウムの合計含有量が１０原
子％以下であるアルミニウム合金、タンタル０．１〜１
０原子％とハフニウム０．１〜１０ｇ。

千％とを含入　タンタルとハフニウムの合計含有量が１
５原子％以下であるアルミニウム合金、チタン０．５〜
５Ｍ子％とニオブ０．５〜５原子％を含入　チタンとニ
オブの合計含有量が１〜５．５原子％であるアルミニウ
ム合金、 マグネシウム０．１〜１０原子％とチタン０．１〜１０
原子％を合本　　マグネシウムとチタンの合計含有量が
１５原子％以下であるアルミニウム合金、マグネシウム
０．１〜１０原子％とチタン０．１〜１０原子％とを含
入　かつマグネシウムとチタンの合計含有量が１５原子
％以下であるアルミニウム合金、マグネシウム０．１〜
１０原子％とハフニウム０．１〜１０原子％とチタン０
゜１〜１０原子％とを含入　かつマグネシウムとハフニ
ウムとチタンの合計含有量が１５Ｊ１１（子％以下であ
るアルミニウム合金、マグネシウム０．１〜１０遼子％
とハフニウム０．１〜１０原子％とクロム１０原子％以
下とを含べ　かつマグネシウムとハフニウムとクロムと
の合計含有量が１５原子％以下であるアルミニウム合金
、マグネシウム０．１〜１０原子％とチタン０．１〜１
０原子％とクロム１０ｆｆｉ子％以下とを含べ　かつマ
グネシウムとチタンとクロムとの合計含有量が１５Ｗ子
％以下であるアルミニウム合金、 マグネシウム０．１〜１０Ｗ子％とハフニウムＯ２１〜
１０ｇ、子％とチタン０．１〜１０Ｗ、子％とクロム１
０原子％以下とを含ん　かつマグネシウムと７１フニウ
ムとチタンとクロムとの合計含有量が１５原子％以下で
あるアルミニウム合也 また上記のようなアルミニウム合金膜は、それぞれのア
ルミニウム合金膜を構成する金属以外に下記のような金
属（元素）を１種または２種以上含ませることもできる
。このような金属として（戴たとえば、チタン（Ｔｉ）
、クロム（Ｃｒ）、シリコン（Ｓｉ）、タンタル（Ｔａ
）、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、ジルコニウム（
ｚｒ）、マンガン（Ｍｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、バ
ナジウム（Ｖ）などが挙げら蜆　このような他の金属は
通常５ｉ子％以下好ましくは２原子％以下の量で含まれ
る。　（ただ獣　アルミニウム合金膜に頃上記に例示す
るような金属（元素）のうち、既にアルミニウム合金膜
に含まれている金属（元素）をさらに上記の量で重ねて
含ませることはないものとする。たとえば、アルミニウ
ム合金膜を構成するアルミニウム合金が、上記したＡＱ
−Ｔ　ｉ合金、Ａｇ−Ｔｉ−Ｈｆ合金等である場合には
、上記の金属（元素）のうちでチタン（ＴＩ）がさらに
上記のような量で上記アルミニウム合金中に含まれるこ
とはない。） このようなアルミニウム合金膜４の膜厚は、１００〜５
０００人好ましくは５００〜３０００人さらに好ましく
は７００〜２０００人程度であることが望ましい。

このアルミニウム合金膜４は、熱良伝導体層としての機
能を果たしており、このアルミニウム合金膜が存在する
ことによって記録層が記録レーザ光によって過度に高温
になることが防止さ蜆　その結果　記録パワーの線速依
存性が小さくなると考えられる。

また本発明におけるアルミニウム合金膜は、耐腐食性に
優れているため、長期間使用した後においても、記録媒
体の線速依存性がｔＪ・さいという特徴を有しており、
記録層に対する保護作用にも優れている。

三ム文」」シ創甥 本発明に係る光磁気記録媒体１０では、上記のようなア
ルミニウム合金膜４上に、　ニッケル合金膜５が設けら
れている。

このニッケル合金膜５１戯　　ニッケルと、ニッケル以
外の少なくとも１種の元素を含んで構成されている。

このようなニッケル合金としては、具体的には、下記の
ような合金を用いることができる。

Ｎｉ−Ｃｒ系合金（たとえば３０〜９９原子％Ｎｉ、１
〜７０原子％Ｃｒ、　　特に好ましくは７０〜９５ｆｆ
ｌ子％Ｎｉ、５〜３０Ｗ子％Ｃｒ）Ｎｉ−Ｓｉ系合金（
たとえば８５Ｎ、子％Ｎｉ１１０ｍ子％Ｓｉ、３原子％
Ｃｕ、２原子％Ａ）Ｎｉ−Ｃｕ系合金（たとえば６３厚
子％Ｎｉ。

２９〜３０Ｊｌｉ（子％Ｃｕ、０．９〜２ｆｆ子％Ｆｅ
。

０．１〜４原子％Ｓｉ、Ｏ〜２．７５Ｊ］ｉ！子％Ａ）
Ｎｉ−Ｍｏ−Ｆｅ系合金（たとえば６０〜６５原子％Ｎ
ｉ、２５〜３５原子％ＭＯ１５原子％Ｆｅ） Ｎｉ−Ｍｏ−Ｆｅ−Ｃｒ系合金（たとえば５５〜６０原
子％Ｎｉ、１５〜２０原子％Ｍｏ、６原子％Ｆｅ、　　
１２〜１６ＪＰＣ子％Ｃｒ、５原子％Ｗ）Ｎｉ−Ｍｏ−
Ｆｅ−Ｃｒ−Ｃｕ系合金（たとえば６０原子％Ｎｉ１５
原子％Ｍｏ１８原子％Ｆ　ｅ。

２１原子％Ｃｒ、３ｉ子％Ｃｕ、１ｆＪｉ１．子％Ｓ　
ｉ。

１原子％Ｍｎ、１原子％Ｗ１　　あるいは４４〜４７原
子％Ｎｉ、　　５．５〜７．５原子％Ｍｏ、２１〜２３
原子％Ｃｒ、０．１５原子％Ｃｕ、１原子％Ｓｉ、１〜
２原子％Ｍｎ、２．５Ｎ、子％Ｃ０１１原子％Ｗ１１．
７〜２．５ｆｆｌ子％Ｎ　ｂ、　　残部Ｆｅ）Ｎｉ−Ｃ
ｒ−Ｃｕ−Ｍｏ系合金（たとえば５６〜５７原子％Ｎｉ
、２３〜２４ｉ子％Ｃｒ、８ｙＫ子％Ｃｕ、４［子％Ｍ
Ｏ１２ｙＫ子％Ｗ、　　１原子％ＳｉまたはＭ　ｎ　） Ｎｉ−Ｃｒ−Ｆｅ系合金（たとえば７９．５Ｎ子％Ｎｉ
１１３ＪｊＣ子％Ｃｕ、６．５原子％Ｆ　ｅ。

０．２原子％Ｃｕ、　　あるいは３０〜３４原子％Ｎｉ
、１９〜２２原子％Ｃｒ、０．５Ｊ］ｉＥ子％Ｃｕ、１
原子％Ｓｉ、１．５原子％Ｍｎ、　　残部Ｆｅ）これら
のうち特にＮｉ−Ｃｒ系合金膜が好ましく用いられる。

このようなニッケル合金膜５の膜厚＋４２００〜５ｏｏ
ｏ人好ましくは３００〜３０００人さらに好ましくは５
００〜２０００人程度であることが望ましい。

上記のようなニッケル合金膜５を有する本発明の光磁気
記録媒体哄　ソリが小さいなど機械的特性に優れている
。

なお本発明に係る光磁気記録媒体１０で檄　上記のよう
なアルミニウム合金膜４とニッケル合金膜５との聞く　
保護膜を有していてもよい。このような保護膜としてＬ
　　上記したような保護膜２と同様なものが用いられる
。

最外層であるニッケル合金層の上にオーバーコートを施
してもよい。オーバーコート剤として頃紫外線硬化樹脂
、例えばアクリル型紫外線硬化樹脂が用いら瓢　通常、
　１〜１００μｍ程度の膜厚にコートされる。また、保
護膜とは反対側の基板上にトップコートを施してもよい
。

本発明に係る光磁気記録媒体１０１４　　基板上く保護
膜　光磁気記録膜　アルミニウム合金層　ニッケル合金
膜を、たとえば真空蒸着法、スパッタリング法あるいは
電子ビーム蒸着法などの成膜法を採用して成膜すること
によって製造することができる。

ｉ尻ｐＩＪ 本発明に係る光磁気記録媒体哄　基板上に保護膜　光磁
気記録膜　アルミニウム合金膜などニッケル合金膜を有
獣　かつ基板上に保護膜　光磁気記録膜　アルミニウム
合金層　ニッケル合金膜がこの順序で積層されているの
で、ソリが小さいなど機械的特性に優蜆　記録パワーの
線速依存性が小さく、かつ記録パワーマージンが広く、
シかも耐酸化性および記録感度に優れている。

［実施例コ 以下本発明を実施例によって説明するカー　本発明はこ
れら実施例に限定されるものではない。

以下ＤＭＯＮと略記する）の非品性の共重合体（１３Ｃ
−ＮＭＲ分析で測定したエチレン含量５９モル％、ＤＭ
ＯＮ含量４１モル％、１３５℃デカリン中で測定した極
限粘度［ｌコが０．４２ｄｌ／　ｇ、軟化温度（ＴＭＡ
）　１５４℃）からなる基板上＆へ　厚さ１１００人の
Ｓｉ２Ｎ４からなる保護膜と、厚さ３００＾のＰｔ、。

Ｔ　ｂ２＠Ｆ　ｅｓｓｃ　ｏ２からなる光磁気記録膜と
を順次スパッタリング法により積層し　この記録膜上に
アルミニウムーチタン−ハフニウムの複合ターゲットを
用いてスパッタリング法によって、厚さ２０００人のア
ルミニウムーチタン−ハフニウム合金からなるアルミニ
ウム合金層を積層した　得られたアルミニウム合金層を
構成するアルミニウム合金（層）中のチタンの含有量は
１ｙ！、子％であり、ハフニウムの含有量は２原子％で
あった　さらくこのアルミニウム合金層上に、ニッケル
ークロムの複合ターゲットを用いてスパッタリング法に
よって、厚さ５００人のニッケルークロム合金からなる
ニッケル合金層を積層した　得られたニッケル合金（層
）中のニッケルの含有量は９０Ｊｌ［子％であり、クロ
ムの含有量は１０原子％であった得られた光磁気記録媒
体を、７０℃、相対湿度８５％の雰囲気下に約４８時間
保持した後、この光磁気記録媒体のソリ（反り）変化を
調べたところ、基板（成膜前）に比べて変化が認められ
なかった また、この光磁気記録媒体は線速５　、７　ｍ　／　ｓ
ｅｃにおける最適記録パワーが４．１ｍＷであり、線速
１１　、３　ｍ／ｓｅｃにおける最適記録パワーが６．
５ｍＷであっへ また、パワーマージンとは、Ｃ／　Ｎ　Ｍａｘ−３ｄ　
Ｂ以上が得られる記録パワ゛−の範囲のことであり、ｆ
＝３．７ＭＨｚ１　ｄｕｔｙ　３３．３％、線速＝５．
７ｍ　／　ｓｅｃにおいて、パワーマージン（Ｐｍ）は
３．６ｍＷ、Ｃ／Ｎ比は４７．７ｄＢであツタなお、本
明細書において、最適記録パワーとはｆ冨Ｉ　ＭＨｚＳ
ｄｕｔｙ　５０％の書込み信号に対して再生信号の２次
高調波が最小となる記録パワーのことを表わし　線速に
よる最適記録パワーの差が小さい程線速依存性が外さい
。

【図面の簡単な説明】

第１図頃　本発明の光磁気記録媒体の断面図である。 １・・基板 ３・光磁気記録膜 ５・・ニッケル合金膜 ０・・光磁気記録媒体 ２・・保護膜 アルミニウム合金膜 上皇 ゲジ ］ 図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に、保護膜と、光磁気記録膜と、アルミニ
   ウム合金膜と、ニッケル合金膜とがこの順序で積層され
   てなることを特徴とする光磁気記録媒体。