KR930007160B1

KR930007160B1 - 광자기 기록매체(magnetrooptical recording media)

Info

Publication number: KR930007160B1
Application number: KR1019900005483A
Authority: KR
Inventors: 구니히꼬 미즈모또; 히데히꼬 하시모또; 아끼라 토도
Original assignee: 미쓰이 세끼유 가가꾸 고오교오 가부시끼가이샤; 다께바야시 쇼오고
Priority date: 1989-10-19
Filing date: 1990-04-19
Publication date: 1993-07-30
Also published as: CN1051102A; CN1018397B; CA2014751C; EP0423418A2; KR910008673A; CA2014751A1; EP0423418A3

Abstract

내용 없음.

Description

광자기 기록매체(MAGNETROOPTICAL RECORDING MEDIA)

제1,2,3 및 4도는 본 발명의 광자기 기록매체의 횡단면도.

제5도는 Pt함유 광자기 기록막(flim)의 Co/(Fe+Co) 원자비와 잡음수준(noise level)(dBm)의 상관관계 그래프.

제6도는 Pd함유 광자기 기록막의 Co/(Fe+Co) 원자비와 잡음수준(dBm)의 상관관계 그래프.

제7도는 광자기 기록막의 Co/(Fe+Co) 원자비와 ΔC/N(dB)으로 나타낸 소거훼손 정도(erasion derioration)와의 상관관계 그래프.

제8도는 Pt 및/또는 Pd를 함유하는 각각의 광자기 기록막의 ΔC/N(dB)로 나타낸 산화방지성과 Pt 및/또는 Pd함량(원자 %)과의 상관관계 그래프.

제9도는 Pt를 함유하는 것과 Pt를 함유하지 않은 광자기 기록막에 대한 편이자계(bias magnetic field)(Oe)와 C/N비와의 상관관계 그래프.

제10도는 Pt와 Pd를 함유하는 각각의 광자기 기록막의 Pt 또는 Pd함량(원자 %)과 최소 편이자계 Hsat(Oe)와의 상관관계 그래프.

본 발명은 기판과 광자기 기록막간의 접착력, 산화방지성 및 광자기적 기록성이 우수한 광자기 기록매체에 관한 것이다.

종래부터 철과 코발트 등의 천이금속류와 테르븀(Tb)과 가돌리늄(Gd)등의 희토류원소류를 포함하는 광자기 기록막은 그 막에 수직방향의 자화용이축(easy axis of magnetization)을 갖고 있으며, 막의 자성(magnetization)에 역평행의 자성을 갖는 작은 역자구(inversemagnetic domain)를 형성할 수 있음이 알려져 있다. 이 역자구의 존재 또는 비존재를 "1" 또는 "0"에 대응시키므로써, 상기의 광자기 기록막에 디지탈 신호를 기록하는 것이 가능하게 되었다.

상기와 같은 천이금속류와 회토류 원소류로 조성된 광자기 기록막으로서 Tb를 15∼30원자 % 함유하는 Tb-Fe계에 의한 것이 예를들어 일본 특공소 57-20691에 기재되어 있다.

또한, Tb-Fe-Co, Gd-Tb-Fe 및 Dy-Tb-Fe-Co계 광자기 기록막도 사용되고 있다.

상기의 광자기 기록막들은 우수한 기록재생 특성을 갖긴 하지만 통상적인 사용시 산화되어 시간이 경과함에 따라 그 특성이 변한다는 실용적인 면에서 심각한 문제점을 갖고 있다.

상기와 같은 천이금속류와 회토류원소를ㄹ 함유하는 광자기 기록막의 산화훼손 메카니즘이, 예를들어 J.A.M.S.J(Journal of Applied Magnetism Society of Japan), Vol.9, No.2, pp.93∼96에 기재되어 있으며, 이 문헌에서는 산화훼손의 메카니즘을 하기와 같이 세 유형으로 분류하고 있다.

a) 피트(pit) 부식

피트부식은 광자기 기록막에 기공의 존재를 의미한다. 이러한 부식은 고습도 환경하에서 주로 발생하며, 예를들면 Tb-Fe, Tb-Co계 등의 기록막에서 현저하게 발생된다.

b) 표면산화

광자기 기록막상에 표면산화물층이 형성되어 막의 커어 회전각(Kerr-rotation angle)(θk)이 경시 변화하며, 결국 감소된다.

c) 희토류 원소의 선택적 산화

광자기 기록막중의 희토류원소들이 선택적으로 산화되어 막의 보자력(Hc)이 시간에 따라 크게 변한다.

상기와 같은 광자기 기록막의 산화훼손을 방지하기 위해 다양한 시도가 있었다. 예를들면, 광자기 기록막을 3층구조로 설계하여 막을 Si₃N₄, SiO, SiO₂, AlN등으로 된 내산화성 보호층 사이에 개재시키는 방법이 제안된바 있다.

또한 Tb-Fe, Tb-Co계등의 기록막에 제3성분 금속을 배합함으로써 광자기 기록막의 산화 방지성을 향상시키려는 시도가 있었다.

예를들어 상기 막의 산화방지성을 향상시키기 위한 시도로서 Pt, Ni, Al, Cr, Ti, Co 및 Pb등의 제3성분 금속을 3.5원자 %이하 양으로 첨가한 Tb-Fe 또는 Tb-Co계 광자기 기록막들이 상기 참조문헌 J.A.M.S.J에 기재되어 있다.

광자기 기록막의 내산화성을 향상시키기 위한 것으로서 Tb-Fe 또는 Tb-Fe-Co에 Pt, Al, Cr 및 Ti를 10원자 %이하의 양으로 첨가하여 얻어진 광자기 기록막들이 일본 응용자기학 학회 제9차 회의회의록(1985.11)(Proceedings of The Ninth Conference of Applied Magnetism Society) 209페이지에 기재되어 있다.

일본 특개소 61-255546호 공보에는 희토류 원소와 천이금속류를 함유하는 광자기 기록막에 Pt, Au, Ag, Ru, Rh, Pd, Os 및 Ir등의 귀금속류를, 재생에 요구되는 커어 회전각을 만족시키는 범위내의 양으로 첨가해서 산화방지성을 향상시킨 광자기 기록막이 기재되어 있다.

설명한 바와같이, 종래의 Tb-Fe계 또는 Tb-Co계에 Co, Ni, Pt, Al, Cr, Ti 및 Pd와 같은 제3금속을 첨가해서 제조한 광자기 기록막들이 알려져 있다. 폴리카보네이트 수지로 된 통상의 기판과 상기 설명한 광자기 기록막을 적층해서 제조한 광자기 기록매체는 그 내산화성이 여전히 불충분하고 광자기적 기록특성의 장기 안정성이 불충분하다. 이러한 광자기 기록매체는 C/N비가 작고, 기판의 높은 복굴절률에 기인한 높은 잡음수준을 갖으며, 또한 광자기 기록막과 기판간의 접착력이 불충분하다. 따라서 폴리카보네이트로부터 제조된 기판은 열처리해서 물을 충분한 정도로 제거해줄 필요가 있다. 또한, 이들 기판은 플라즈마 표면처리해서 광자기 기록막과의 접착력을 향상시킬 필요가 있다.

본 발명자들은 상기 설명한 광자기 기록매체의 물성을 개선하기 위해 연구하였으며, 그 결과, 광자기 기록매체의 산화훼손은 광자기 기록막의 조성뿐만 아니라 이 광자기 기록막과 함께 적층되는 통상적 기판 자체에 의해서도 야기되며, 폴리카보네이트 기판과 같은 통상적 기판과 광자기 기록막과의 불충분한 접착력으로 인해 광자기 기록막의 산화방지가 불충분하게 됨을 밝혀냈다.

본 발명자들은 상기 내용에 근거하여 연구를 행한 결과, 특정구조의 시클로올레핀과 에틸렌의 랜덤 공중합체로 구성된 기판을 사용하고, 이 기판을 특수한 광자기 기록막과 적층시킴으로써 광자기적 기록특성이 우수하고, 기판과 광자기 기록막간의 접착력이 우수하고, 산화 방지성이 우수하며, C/N비가 높은 광자기 기록매체를 얻을 수 있음을 밝혀내었다.

본 발명은 전술한 바와 같은 종래기술에 관련된 여러 문제점들을 극복하고자 하는 것이며, 본 발명의 한 목적은 기판과 광자기 기록막간의 접착력이 우수하고, 산화방지성, 광자기 기록특성, 광자기 기록특성의 장기안정성등이 우수한 광자기 기록매체를 제공하는데 있다.

본 발명의 광자기 기록매체는 기판, 광자기 기록막이 기술된 순서대로 적층되어 구성되며 상기 기판은 135℃, 데칼린중에서 측정한 극한 점도[η]가 0.05∼10dl/g, 연화점(TMA)이 70℃ 이상인 하기 일반식[Ⅰ]로 표시되는 시클로올레핀과 에틸렌의 시클로올레핀계 랜덤 공중합체[A]와, 135℃, 데칼린중에서 측정한 극한점도[η]가 0.05∼5dl/g, 연화점(TMA)이 70℃ 이하인 하기 일반식[Ⅰ]로 표시되는 시클로올레핀과 에틸렌의 시클로올레핀계 랜덤공중합체[B]를 [A]성분 대 [B]성분의 중량비가 100 : 0.1∼100 : 10이 되도록 함유하는 시클로올레핀계 랜덤공중합체 조성물로부터 제조된다.

식에서, n은 0 또는 양의 정수이며, R¹∼R¹²는 같거나 다르며, 각각은 수소원자, 할로겐원자 또는 탄화수소기를 나타내며, R⁹∼R¹²는 서로 결합되는 경우, 하나의 이중 결합 또는 여러개의 이중결합을 임의적으로 갖는 단환 또는 다환의 탄화수소 고리를 형성하기도 하며, R⁹와 R¹⁰또는 R¹¹과 R¹²가 서로 결합되는 경우, 알킬리덴기를 형성할 수도 있다.

상기 시클로올레핀계 랜덤공중합체내에서의 시클로올레핀 성분은 하기 일반식[Ⅱ]로 표시되는 구조를 갖는다.

식에서, n은 0 또는 양의 정수이며, R¹∼R¹²는 같거나 다르며, 각각은 수소원자, 할로겐원자 또는 탄화수소기를 나타내며, R⁹∼R¹²는 서로 결합되는 경우, 하나의 이중 결합 또는 여러개의 이중 결합을 임의적으로 갖는 단환 또는 다환의 탄화수소고리를 형성하기도 하며, R⁹와 R¹⁰또는 R¹¹과 R¹²가 서로 결합되는 경우, 알킬리덴기를 형성할 수도 있다.

본 발명의 광자기 기록매체에 있어서, 전술한 기판상에 형성되는 광자기 기록막으로서 무정형 합금박막이 사용되며, 이 박막은 3d 계열 천이 금속류에서 선택된 1이상의 원소(i)와 희토류 원소중에서 선택된 1이상의 원소(iii)으로 구성되고, 막에 수직한 자화용이축을 갖는 것이다.

제5∼10도에 나타난 결과는 제1도에 나타낸 구조를 갖고 있으며, 또한 참고예 1에서 얻어지는 시클로올레핀 랜덤공중합체 조성물로 된 기판상에 1000Å두께의 광자기 기록막이 적층되어 구성된 광자기 기록매체에 대하여 얻어진 결과이다.

제4도에 나타난 바와 같이, 본 발명의 광자기 기록매체(1)는 기판(2)과 광자기 기록막(3) 사이에 인핸스먼트막(5)이 설치되고, 다른 인핸스먼트막(5)이 광자기 기록막(3)과 반사막(4) 사이에 설치된 구조를 갖는다.

본 발명의 광자기 기록매체에서, 상기 인핸스먼트막은 바람직하게는 Si₃N₄, SiN_x(0＜x＜4/3) 등의 실리콘 화합물 또는 AlN, ZnSe, ZnS, Si, CdS 등으로 구성된 것이다.

본 발명의 광자기 기록매체(1)에 있어서, 상기 기판(2)은 135℃, 데칼린중에서 측정한 극한점도[η]가 0.05∼10dl/g, 연화점(TMA)이 70℃ 이상인 하기 일반식(Ⅰ)로 표시되는 시클로올레핀과 에틸렌의 시클로올레핀계 랜덤 공중합체[A]와, 135℃, 데칼린중에서 측정한 극한점도[η]가 0.05∼5dl/g, 연화점(TMA)이 70℃ 이하인 하기 일반식[Ⅰ]로 표시되는 시클로올레핀과 에틸렌의 시클로올레핀계 랜덤 공중합체[B]를 [A]성분 대 [B]성분의 중량비가 100 : 0.1∼100 : 10이 되도록 함유하는 시클로올레핀계 랜덤공중합체 조성물로부터 제조된다.

식에서, n은 0 또는 바람직하게는 양의 정수이며, R¹∼R¹²는 같거나 다르며, 각각은 수소원자, 할로겐원자 또는 탄화수소기를 나타내며, R⁹∼R¹²는 서로 결합되는 경우, 하나의 이중결합 또는 여러개의 이중 결합을 임의적으로 갖는 단환 또는 다환의 탄화수소 고리를 형성하기도 하며, R⁹와 R¹⁰또는 R¹¹과 R¹²가 서로 결합되는 경우, 알킬리덴기를 형성하기도 한다.

상기 일반식[Ⅰ]의 환상올레핀을 하기에 더 상세히 설명한다. 상기 일반식[Ⅰ]의 환상올레핀은 하기 일반식[Ⅰ-a]로 표시할 수 있다.

상기 일반식[Ⅰ-a]에서 n은 0 또는 1이고 m는 0 또는 정의 정수이고 R¹∼R¹⁸은 각각 수소원자, 할로겐원자 및 탄화수소기로 된 군에서 선택한 원자 또는 기를 나타내고 R¹⁵∼R¹⁸은 서로 결합되어 단환 또는 다환기를 형성하고 있어도 좋고, 또 이 단환 또는 다환기가 1이상의 2중 결합을 임의로 갖고 있어도 좋고, 또 R¹⁵와 R¹⁶, 또 R¹⁷과 R¹⁸은 알킬리덴기를 형성하고 있어도 좋다.

상기 시클로올레핀 랜덤공중합체(A)와 (B)에서 이들의 시클로올레핀성분의 구조는 하기 일반식[Ⅱ]으로 표시되는 구조를 갖는다.

식에서, n는 0 또는 바람직하게는 양의 정수이며, R¹∼R¹²는 같거나 다르며, 각각은 수소원자, 할로겐원자 또는 탄화수소기를 나타내며, R⁹∼R¹²는 서로 결합되는 경우, 하나의 이중결합 또는 여러개의 이중결합을 임의적으로 갖는 단환 또는 다환의 탄화수소 고리를 형성하기도 하며, R⁹와 R¹⁰또는 R¹¹과 R¹²가 서로 결합되는 경우, 알킬리덴기를 형성하기도 한다.

상기 시클로올레핀계 랜덤공중합체(A)와 (B)에 있어서 그 시클로올레핀이 일반식[Ⅰ-a]로 표시된 것일 경우, 이들의 시클로올레핀성분은 하기식[Ⅱ-a]로 표시되는 구조를 갖는다.

상기 일반식[Ⅱ-a]에서 n은 0 또는 1이고 m는 0 또는 정의 정수이고 R¹∼R¹⁸은 각각 수소원자, 할로겐원자 및 탄화수소기로 된 군에서 선택한 원자 또는 기를 나타내고 R¹⁵∼R¹⁸은 서로 결합되어 단환 또는 다환기를 형성하고 있어도 좋고, 또 이 단환 또는 다환기가 1이상의 2중 결합을 임의로 갖고 있어도 좋고, 또 R¹⁵와 R¹⁶, 또 R¹⁷과 R¹⁸은 알킬리덴기를 형성하고 있어도 좋다.

상기 시클로올레핀계 랜덤공중합체의 구성성분인 시클로올레핀은 상기 일반식[Ⅰ]로 표시되는 불포화 단량체들중에서 선택된 것중의 적어도 하나이다. 상기 일반식[Ⅰ]로 표시되는 시클로올레핀류는 적절한 올레핀 또는 시클로올레핀과 시클로펜타디엔류를 디엘스알더반응(Diels-Alder reaction)으로 축합 반응시켜 쉽게 제조할 수 있다.

상기 일반식[Ⅰ]로 표시되는 시클로올레핀의 구체적인 예로는 1,4,5,8-디메타노-1,2,3,4,4a,5,8,8a-옥타하이드로나프탈렌(테트라시클로[4,4,0,1^2.5,1^7.10]-3-도데센)과, 2-메틸-1,4,5,8-디메타노-1,2,3,4,4a,5,8,8a-옥타하이드로나프탈렌, 2-에틸-1,4,5,8-디메타노-1,2,3,4,4a,5,8,8a-옥타하이드로나프탈렌, 2-프로필-1,4,5,8-디메타노-1,2,3,4,4a,5,8,8a-옥타하이드로나프탈렌, 2-헥실-1,4,5,8-디메타노-1,2,3,4,4a,5,8,8a-옥타하이드로나프탈렌, 2,3-디메틸-1,4,5,8-디메타노-1,2,3,4,4a,5,8,8a-옥타하이드로나프탈렌, 2-메틸-3-에틸-1,4,5,8-디메타노-1,2,3,4,4a,5,8,8a-옥타하이드로나프탈렌, 2-클로로-1,4,5,8-디메타노-1,2,3,4,4a,5,8,8a-옥타하이드로나프탈렌, 2-브로모-1,4,5,8-디메타노-1,2,3,4,4a,5,8,8a-옥타하이드로나프탈렌, 2-플루오로-1,4,5,8-디메타노-1,2,3,4,4a,5,8,8a-옥타하이드로나프탈렌, 2,3-디클로로-1,4,5,8-디메타노-1,2,3,4,4a,5,8,8a-옥타하이드로나프탈렌, 2-시클로헥실-1,4,5,8-디메타노-1,2,3,4,4a,5,8,8a-옥타하이드로나프탈렌, 2-n-부틸-1,4,5,8-디메타노-1,2,3,4,4a,5,8,8a-옥타하이드로나프탈렌 및 2-이소부틸-1,4,5,8-디메타노-1,2,3,4,4a,5,8,8a-옥타하이드로나프탈렌 등의 옥타하이드로 나프탈렌류를 예시할 수 있다.

또한, 상기 일반식[Ⅰ]로 표시되는 시클로올레핀류의 구체적인 예를들면, 비시클로[2,2,1]헵토-2-엔유도체, 테트라시클로[4,4,0,1^2.5,1^7.10]-3-도데센유도체, 헥사시클로[6,6,1,1^3.6,1^10.13,0^2.7,0^9.14]-4-헵타데센유도체, 옥타시클로[8,8,0,1^2.9,1^4.7,111.18,1^13.16,0^3.8,0^12.17]-5-도코센유도체, 펜타시클로[8,8,0,1^2.9,1^4.7,1^11.18,1^13.16,0^3.8,0^12.17]-5-도코센유도체, 펜타시클로[6,6,1,1^3.6,1^10.13,0^2.7,0^9.14]-4-헥사데센 유도체, 헵타시클로-5-이코센 유도체, 헵타시클로-5-헨에이코센 유도체, 트리시클로[4,3,0,1^2.5]-3-데센유도체, 트리시클로[4,3,0,1^2.5]-3-운데센유도체, 펜타시클로[6,5,1,1^3.6,0^2.7,0^9.13]-4-펜타데센유도체, 펜타시클로펜타데카디엔 유도체, 펜타시클로[4,7,0,1^2.5,0^8.13,0^9.12]-3-펜타데센유도체, 펜타시클로[7,8,0,1^3.6,0^2.7,1^10.17,0^11.16,1^12.15]-4-에이코센유도체, 및 노나시클로[9,10,1,1,4,7,0^3.8,0^2.10,0^12.21,1^13.20,0^14.19,1^15.18]-5-펜타코센유도체 등을 들 수 있다.

하기에 이와같은 화합물의 구체적인 예를 나타냈다.

등의 노나시클로[10,9,1,1^4.7,0^3.8,0^2.10,0^12.21,1^13.20,0^14.19,1^15.18]-5-펜타코센 유도체 ;

상기 시클로올레핀 랜덤공중합체[A]의 135℃, 데칼린중에서 측정한 극한점도[η]는 0.05∼10dl/g이며, 바람직하게는 0.08∼5dl/g이다.

서멀 메카니칼 분석기(thermalmechanical analyzer)로 측정한 상기 랜덤공중합체[A]의 연화점(TMA)은 70℃ 이상, 바람직하게는 90∼250℃이며, 더욱 바람직하게는 100℃∼200℃이다. 듀퐁(Du Pont)사제 서모 메카니칼 분석기를 사용하여 상기 랜덤공중합체[A] 1㎜박편(sheet)의 열변형 동태(thermaldeformation behavior)를 모니터하므로써, 상기 언급한 연화점(TMA)을 측정하였다. 구체적으로 설명하면 상기 박편에 49g의 하중을 가하면서 석영 바늘을 수직으로 올려놓고 5℃/분의 속도로 가열하였다. 상기 바늘이 박편속으로 0.635㎜의 깊이만큼 침투됐을때의 온도를 공중합체의 연화점으로 하였다. 상기 시클로올레핀계 랜덤공중합체[A]의 유리전이온도(Tg)는 통상 50℃∼230℃, 바람직하게는 70∼210℃이다.

X선 회절법으로 측정한 상기 시클로올레핀계 랜덤공중합체[A]의 결정화도는 통상 0∼10%, 바람직하게는 0∼7%, 더욱 바람직하게는 0∼5%이다.

연화점(TMA)이 70℃ 이하인 상기 시클로올레핀계 랜덤공중합체[B]에 있어서, 에틸렌으로부터 유도된 반복단위(a)는 60∼98몰 %, 바람직하게는 60∼95몰 % 존재하며, 시클로올레핀으로부터 유도된 반복단위(b)는 2∼40몰 %, 바람직하게는 5∼40몰 % 존재하며, 상기 반복단위(a)와 반복단위(b)는 상기 공중합체[B]의 실질적으로 선형인 사슬부분중에 랜덤하게 배열되어 있다. 상기 반복단위(a)와 (b)의 몰 %는13C-NMR에 의해 측정하였다. 상기 시클로올레핀계 랜덤공중합체[B]가 135℃, 데칼린중에서 완전 용해된다는 사실로부터 이 공중합체가 실질적으로 선형구조를 갖으며, 겔형성 가교구조를 갖지 않음을 알 수 있다.

상기 시클로올레핀계 랜덤공중합체[B]의 135℃, 데칼린중에서 측정한 극한점도는 0.05∼5dl/g이며, 바람직하게는 0.08∼3dl/g이다.

서멀 메카니칼 분석기로 측정한 상기 시클로올레핀계 랜덤공중합체[B]의 연화점(TMA)은 70℃ 이하, 바람직하게는 -10℃∼60℃이며, 더욱 바람직하게는 10℃∼55℃이다. 이 시클로올레핀계 랜덤공중합체[B]의 유리전이온도(Tg)는 -30℃∼60℃이며, 바람직하게는 -20℃∼50℃이다.

X선 회절법으로 측정한 상기 시클로올레핀계 랜덤공중합체[B]의 결정화도는 0∼10%, 바람직하게는 0∼7%, 더욱 바람직하게는 0∼5%이다.

본 발명의 광자기 기록매체에 있어서, 상기 기록매체용 기판제조에 사용된 상기 시클로올레핀계 랜덤공중합체 조성물 중의 시클로올레핀계 랜덤공중합체[A]/시클로올레핀계 랜덤공중합체[B](중량비)는 100/0.1∼100/10, 바람직하게는 100/0.3∼100/7, 더욱 바람직하게는 100/0.5∼100/5이다. 상기 성분[B]을 성분[A]와 혼합하여 상기 시클로올레핀계 랜덤 공중합체 조성물의 형태로 하므로써, 본 발명에서 사용된 광자기 기록막과 기판간의 악조건하의 접착력이 성분[A]만으로 된 시클로올레핀계 랜덤공중합체의 경우에 비해 우수하며, 기판 자체의 우수한 투명성과 표면 평활성이 유지되는 잇점을 성취할 수 있다. 즉, 상기 성분[A]와 [B]의 혼합물을 포함하는 상기 시클로올레핀계 랜덤공중합체 조성물로부터 제조된 본 발명에 사용된 기판은 기판을 고온고습한 환경에 방치해도 본 발명에 사용된 인핸스먼트막과 기판간의 우수한 접착력이 유지되는 특성을 갖는다.

본 발명에서 기판제조용으로 사용된 상기 시클로올레핀계 랜덤공중합체 조성물을 구성하는 상기 시클로올레핀계 랜덤 공중합체[A] 및 [B]는 일본 특개소 60-168708, 61-120816, 61-115912 및 61-115916, 62-252406, 62-252407, 61-271308 및 61-272216에 본 발명자들에 의해 제안된 방법들을 사용하여 상기 조건들을 선택하여 제조할 수 있다.

상기 시클로올레핀계 랜덤공중합체 조성물은, 예를들면 상기 시클로올레핀계 랜덤공중합체[A] 및 [B]를 따로따로 제조한후, 압출기로 혼합(blending)하여 상기 조성물을 만드는 방법, 상기 공중합체[A]와 [B]를 예를들면 부탄, 헥산, 데칸 또는 시클로헥산등의 포화탄화수소류 용매, 톨루엔, 벤젠 또는 크실렌 등의 방향족 탄화수소 용매등의 적정 용매에 개별적으로 완전 용해시킨후, 그 용액을 혼합하여 상기 조성물을 제조하는 소위 용액 혼합법, 개별 중합조에서 제조한 상기 공중합체[A]와 [B]를 또다른 한 용기에서 혼련하여 상기 조성물을 제조하는 방법등의 공지된 방법에 의해 제조할 수도 있다.

상기와 같이 제조된 상기 시클로올레핀계 공중합체 조성물의 135℃, 데칼린중에서 측정한 극한점도[η]는 0.05∼10dl/g이며, 바람직하게는 0.08∼5dl/g이며, 서말 메카니칼 분석기로 측정한 연화점(TMA)은 70℃∼250℃, 바람직하게는 80∼250℃이며, 더욱 바람직하게는 100℃∼200℃이며, 유리전이온도(Tg)는 70℃∼230℃이며, 바람직하게는 90℃∼210℃이다.

또한, 본 발명에 의한 광자기 기록매체 기판은 상기 시클로올레핀 단량체[Ⅰ]의 개환에 의해 생긴 하기 일반식[Ⅲ]의 반복단위를 갖는 중합체 또는 이 반복단위[Ⅲ]의 수소화에 의해 생긴 하기 일반식[Ⅳ]의 반복단위를 갖는 중합체로부터 제조할 수 있다.

상기 식[Ⅲ],[Ⅳ]에서, n, R¹∼R¹²는 상기에 정의한 바와 같다.

상기 시클로올레핀계 랜덤공중합체 성분들은 시클로올레핀계 랜덤공중합체[A]와 [B]를 주성분으로 함유하나, 본 발명의 상기 시클로올레핀 랜덤공중합체 조성물에는 필요에 따라 내열안정화제, 내후제, 정전방지제, 슬립제(slip agent), 안티블록킹제(anti-blocking agents), 흐림방지제(antifoggant), 윤활제, 염료, 안료, 천연유, 합성유 및 왁스등의 첨가제를 적절한 비율로 배합할 수도 있다. 예를들어 상기 안정화제의 구체적 예로는 테트라키스[메틸렌-3-(3,5-디-t-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트]메탄 및 β-(3,5-디-t-부틸-4-히드록시페닐)프로피온산 알킬에스테르(탄소수 18이하의 알킬에스테르가 특히 양호함) 등과 같은 페놀계 산화방지제가 있다. (2,2'-옥사미도비스[에틸-3-(3,5-디-t-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트]) 등과 같은 페놀계 산화방지제와; 스테아린산 아연, 스테아린산 칼슘, 12-히드록시 스테아린산 칼슘등의 지방산의 금속염류와; 모노스테아린산 글리세린, 디스테아린산글리세린, 모노스테아린산 펜타에리트리톨, 디스테아린산 펜타에리트리톨, 트리스테아린산 펜타에리트리톨등과 같은 다가알콜의 지방성 에스테르 등의 화합물을 단독 또는 조합하여 상기 시클로올레핀계 공중합체 또는 그 조성물에 배합할 수 있다. 예를들어 테트라키스[메틸렌-3-(3,5-디-t-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트]메탄과 스테아린산 아연 또는 모노-스테아린산 글리세린과의 조합 및 이와 유사한 조합을 사용할 수 있다.

본 발명에서는 페놀계 산화방지제와 다가알콜의 지방산 에스테르를 조합하여 사용하는 것이 특히 바람직하며, 상기 지방산 에스테르는 3가 이상의 다가알콜의 알콜성 히드록시기 부분을 에스테르화하여 얻어진 것들이 바람직하다.

상기 다가알콜의 지방산 에스테르의 구체적인 예로는 모노스테아린산 글리세린, 모노라우린산 글리세린, 모노미리스틴산 글리세린, 모노팔미틴산 글리세린, 디스테아린산 글리세린, 디라우린산 글리세린 등과 같은 글리세린의 지방산 에스테르류와, 모노스테아린산 펜타에리트리톨, 모노라우린산 펜타에리트리톨, 디스테아린산펜타에리트리톨, 디라우린산 펜타에리트리톨, 트리스테아린산 펜타에리트리톨 등과 같은 펜타에리트리톨의 지방산 에스테르류가 있다.

상기 페놀계 산화방지제는 상기 시클로올레핀계 랜덤공중합체 조성물 100중량부에 대해, 0.01∼10중량부, 바람직하게는 0.05∼3중량부, 더욱 바람직하게는 0.1∼1중량부의 양으로 사용하며, 상기 다가알콜의 지방산 에스테르는 상기 조성물 100중량부에 대해 0.01∼10중량부, 바람직하게는 0.05∼3중량부의 양으로 사용한다.

본 발명에서, 상기 시클로올레핀계 랜덤공중합체 조성물은 상기 기판(2) 제조용으로 사용된다. 상기 시클로올레핀계 랜덤공중합체 또는 그 조성물의 흡수성은 현재까지 상기 기판(2)으로서 사용된 폴리카보네이트 또는 메타크릴산 폴리메틸의 흡수성보다 작기때문에 상기 기판상에 형성된 상기 광자기 기록막(3)이 그 기판의 수분함량에 의한 산화가 적다. 상기 시클로올레핀계 랜덤 공중합체 조성물로부터 제조된 기판(2)은 광자기 기록막(3)과, 특히 Si₃N₄또는 SiN_x(0＜x＜4/3)으로 된 인핸스먼트막과의 접착력이 우수하므로, 상기 기판(2)상에 형성된 광자기 기록막(3)의 산화가 효과적으로 억제될 수 있다. 따라서, 상기 기판(2)에 적층된 상기 광자기 기록막(3)을 포함하는 상기 광자기 기록매체(1)는 실용성 및 장기 안정성이 우수하다.

상기 시클로올레핀계 랜덤공중합체 또는 그 조성물로부터 형성된 기판(2)은 복굴절률이 작아서 상기 광자기 기록막(3)의 독출시 감도(sensitivity)가 높으며, 독출시 비차동 구동장치(non-differential driving device)를 사용할 수 있다.

본 발명의 광자기 기록매체(1)에 있어서, 상기 광자기 기록막(3)으로서 무정형 합금박막이 상기 기판(2)상에 직접 또는 간접적으로 적층돼 있으며 상기 박막은 막에 수직하는 자화용이축을 갖고 있으며, 예를들면 3d 계열 천이금속류에서 선택된 1이상의 원소(ⅰ)와, 희토류 원소중에서 선택된 1개이상의 원소(ⅲ)를 함유하는 것이며, 바람직하게는 3d 계열원소중에서 선택된 1 이상의 원소(ⅰ)와, 내식성 금속(ⅱ), 희토류 원소중에서 선택된 1개이상의 원소(ⅲ)를 함유하는 것이다.

상기의 (ⅰ),(ⅱ) 및 (ⅲ)을 함유하는 광자기 기록막(3)을 하기에 설명한다.

상기에서 사용된 3d 계열 금속(ⅰ)으로는 Fe, Co, Ti, V, Cr, Mn, Ni, Cu, Zn 등이 있으며, 이들중에서 Fe 또는 Co 또는 Fe 및 Co가 바람직하다.

이 3d 계열 천이금속의 광자기 기록막(3) 중의 함량은 바람직하게는 20∼90원자 %, 더욱 바람직하게는 30∼85원자 %, 특히 바람직하게는 35∼80원자 %이다.

상기 광자기 기록막(3)에 함유된 내식성 금속(ⅱ)은 기록막의 산화방지성을 향상시킨다. 이 내식성 금속의 예로는 Pt, Pd, Ti, Zr, Ta, Nb, Mo, Hf 등을 들 수 있다. 이들 중에서 Pt, Pd 및 Ti가 바람직하며, Pt 또는 Pd 또는 Pt 및 Pd가 특히 양호하다.

기록막(3)내의 상기 내식성 금속의 함량은 바람직하게는 5∼30원자 %, 더욱 바람직하게는 5∼25원자 %, 더욱 더 바람직하게는 10∼25원자 %, 특히 바람직하게는 10∼20원자 %이다.

상기 내식성 금속의 함량이 5원자 %이하인 경우에는 상기 광자기 기록막의 산화방지성이 충분히 향상되지 않으며, 이 막의 보자력(coercive force)(Hc)이 시간에 따라 크게 변하거나 또는 커어회전각(Kerr rotation angle)(θk)이 감소하는 경향이 있다. 한편, 상기 광자기 기록매체의 내식성 금속함량이 30원자 %를 초과하는 경우, 상기 무정형 합금막의 퀴리점(Curie point)이 감소되는 경향이 있으며, 종종 주변온도 이하로 떨어진다.

광자기 기록막(3)은, 바람직하게는 상기 성분(ⅰ) 및 (ⅱ)외에도, 하기 원소그룹중에서 선택된 1개이상의 희토류 원소(ⅲ)으로부터 바람직하게 조성된다.

상기 원소 그룹은 Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm 및 Eu로 이루어진다.

상기 원소들 중에서, Gd, Tb, Dy, Ho, Nd, Sm 및 Pr이 특히 바람직하다.

상기 그룹에서 선택된 1개이상의 희토류 원소의 광자기 기록막(3)중의 함량은 바람직하게는 5∼50원자 %, 더욱 바람직하게는 8∼45원자 %, 더욱 더 바람직하게는 10∼40원자 %이다.

본 발명에 있어서, 하기 기술되는 바와같은 조성을 갖는 광자기 기록막(3)이 특히 바람직하다.

(ⅰ) 3d 계열 천이금속

본 발명의 광자기 기록막(3)에는, Fe 또는 Co, 또는 둘 다 함유되며, Fe 및/또는 Co의 광자기 기록막중의 함량은 바람직하게는 40원자 %이상∼80원자 %이하, 더욱 바람직하게는 40원자 %이상∼75원자 %이하, 더욱 더 바람직하게는 40원자 %이상∼59원자 %이하이다.

또한, 상기 광자기 기록막중의 Fe 및/또는 Co는, Co/(Fe+Co)비(원자비)가 0∼0.3, 바람직하게는 0∼0.2, 더욱 바람직하게는 0.01∼0.2되는 양으로 존재한다.

Fe 및/또는 Co의 양이 40원자 %이상∼80원자 %이하인 경우, 그 산화방지성이 우수하고, 막에 수직방향의 자화용이축을 갖는 자기광학기록막을 얻을 수 있는 잇점이 있다.

또한, 광자기 기록막에 Co가 배합되는 경우 (A) 상기 광자기 기록막의 퀴리점이 상승되고, (B) 커어 회전각(θk)이 커지는 등의 현상이 관찰된다. 결과적으로, Co의 배합량으로 광자기 기록막의 기록감도를 조정할 수 있고, 또 재생된 신호의 캐리어 레벨(carrierlevel)을 높일 수 있다. 바람직한 광자기 기록막의 경우, Co/(Fe+Co)비(원자비)는 0∼0.3, 바람직하게는 0∼0.2이며, 더욱 바람직하게는 0.01∼0.2이다.

제5도는 Pt Tb Fe Co계열 광자기 기록막의 Co/(Fe+Co)원자비와, 잡음수준(dBm)과의 상관관계를 나타내며, 제6도는 Pd Tb Fe Co 계열 광자기 기록막의 Co/(Fe+Co)원자비와 잡음수준(dBm)과의 상관관계를 나타낸다.

제5도에 나타난 바와 같이, 본 발명에서 사용한 Pt₁₃Tb₂₈Fe₅₀Co₉로 표시되는 조성물을 갖는 광자기 기록막의 경우에 있어서는, Co/(Fe+Co)원자비가 0.15, 잡음수준이 -56dBm이며, 한편 Pt₁₃Tb₂₈Fe₃₆Co₂₃으로 표시되는 조성물을 갖는 광자기 기록막의 경우에는 Co/(Fe+Co)원자비가 0.39이며, 잡음수준이 -50dBm이다. 이 사실로부터 상기 원자비가 증가함에 따라 잡음수준이 증가되는 경향이 있음을 이해할 수 있을 것이다. 또한, 제6도에 나타난 바와 같이, 본 발명에서 사용된 Pd₁₄Tb₂₇Fe₅₂Co₇로 표시되는 조성물을 갖는 광자기 기록막의 경우에는 그 Co/(Fe+Co)원자비가 0.12, 잡음수준이 -56dBm이며, 한편 Pd₁₄Tb₂₇Fe₄₁Co₁₈로 표시되는 조성물을 갖는 광자기 기록막의 경우에는 Co/(Fe+Co)원자비가 0.31, 잡음수준이 -51dBm이다.

제7도는 Pt Tb Fe Co조성물과 Pd Tb Fe Co조성물을 갖는 두가지 광자기 기록막에 대해 ΔC/N(dB)으로 나타낸 소거훼손도와 Co/(Fe+Co)원자비의 상관관계를 나타낸다.

특히, 본 발명에서 사용된 Pt₁₃Tb₂₈Fe₅₀Co₉로 표시되는 조성물을 포함하며, Co/(Fe+Co)원자비가 0.155인 광자기 기록막은 일단 기록된 정보의 소거시에 강한 에너지가 조사된 경우라도 막의 특성에 아무런 변화가 없으며 소거전의 것과 동일한 C/N값을 갖는 소거상태의 기록막에 새로운 정보를 기록할 수 있다.

또한, 본 발명에 의한 광자기 기록막은 정보의 기록 및 소거를 반복적으로 행하는 경우에도, 막특성에 아무런 변화가 생기지 않는다. 일예로, Pt₁₃Tb₂₈Fe₅₀Co₉의 조성물을 갖는 광자기 기록막에 정보기록 및 소거를 100,000회 반복한 경우에도 C/N비가 감소되지 않는다.

(ⅱ) 내식성 금속

바람직한 광자기 기록막(3)의 경우, Pt, Pd, Ti, Zr, Ta, Nb 및 Mo중에서 적어도 하나, 바람직하게는 Pt 및/또는 Pd를 내식성 금속으로서 함유하며, 이 Pt 및/또는 Pd의 함량은 5∼30원자 %, 바람직하게는 10원자 % 이상∼30원자 % 이하, 더욱 바람직하게는 10원자 % 이상∼20원자 % 이하, 가장 바람직하게는 11원자 % 이상∼19원자 % 이하이다.

상기 광자기 기록막중의 Pt 및/또는 Pd의 함량이 5원자 % 이상, 특히 10원자 %를 초과하는 경우, 상기 기록막의 산화방지성이 우수해지고, 장기간 사용시에도 피트부식이 발생치 않으며, C/N비가 감소치 않는다는 잇점을 얻을 수 있다. 이와 유사한 잇점들이 Ti, Mo, Zr, Ta 및 Nb의 경우에서도 역시 얻어진다.

제8도는 상기 시클로올레핀 랜덤 공중합체 조성물을 기판용으로 사용한 경우에 있어서, 상기 기록막을 상대습도 85%, 온도 80℃의 환경하에서 1,000시간동안 방치시켰을 때의 ΔC/N비의 감소와, Pt, 또는 Pd를 함유하는 광자기 기록막중의 Pt 또는 Pd함량과의 상관관계를 나타낸다.

제8도로부터, 상기 광자기 기록막중의 Pt 또는 Pd함량이 5원자 %이상, 특히 10원자 %이상인 경우에는, 상기 기록막의 산화방지성이 향상되며, 장기간 사용시에도 피트부식이 없고, C/N비가 손상되지 않는다는 것을 이해할 수 있을 것이다.

일예로, Pt₁₃Tb₂₈Fe₅₀Co₉또는Pd₁₂Tb₂₈Fe₅₃Co₇로 표시되는 조성물을 갖는 광자기 기록막의 경우, 이것을, 상대습도 85%, 온도 80℃ 환경하에서 1,000시간동안 방치하는 경우에도 그 C/N비의 변화가 전혀 없다. 이에 비하여, Pt 또는 Pd를 함유하지 않고, Tb₂₅Fe₆₈C₇로 표시되는 조성물을 갖는 광자기 기록막의 경우, 이것을 상대습도 85%, 온도 80℃의 환경하에서 1,000시간 동안 방치하면 C/N비가 크게 감소한다.

Pt, Pd, Ti, Zr, Ta, Nb 및 Mo 중에서 선택된 1개이상의 원소를 상기 기술된 범위의 양만큼 광자기 기록막에 배합하므로써 상기 광자기 기록막에 정보가 기록될때 또는 기록된 정보가 독출될때, 작은 편이자계에 의해서 충분히 높은 C/N비를 얻을 수 있다. 작은 편이자계에 의해 충분히 높은 C/N비를 얻을 수 있다면, 편이자계 발생용 자석을 소형화할 수 있을 뿐만 아니라, 자석으로 부터의 발열을 방지할 수 있고, 따라서, 상기 광자기 기록막을 갖는 광디스크용 구동장치의 간소화가 가능해진다. 또한, 작은 편이자계에 의해 충분히 큰 C/N비가 얻어지므로, 중복기입 가능하게 자계 변조자석을 설계하는 것이 용이하다.

제9도는 Pt₁₃Tb₂₈Fe₅₀Co₉와 Tb₂₅Fe₆₈Co₇로 각각 표시되는 조성물을 갖는 두 광자기 기록막의 C/N비(dB)와, 편이자계와의 상관관계를 각각 나타낸다.

제9도로부터, Tb₂₅Fe₆₈Co₇로 표시된, 통상적으로 알려진 광자기 기록막의 경우, 250Oe 이상의 편이자계가 걸리지 않는한 그 C/N비가 포화상태에 도달하지 않는 반면, Pt₁₃Tb₂₈Fe₅₀Co₈로 표시된, 본 발명에서 사용된 광자기 기록막의 경우에는, 120Oe 이상의 레벨에서 그 C/N비가 포화상태에 도달함을 이해할 수 있을 것이다.

하기의 실시예들과 비교예들에서, 각각의 광자기 기록막들의 최소 편이자계(Hsat)값이 나타나 있으며, 이 값에서 C/N비가 포화상태에 도달한다. 이 Hsat값이 작을수록, 작은 편이자계에 의해 C/N비가 포화된다.

제10도는, Pd Tb Fe Co계열의 광자기 기록막과 Pd Tb Fe Co계열의 광자기 기록막에 대해 그 최소편이자계(Hsat, (Oe))와, Pt 또는 Pd함량과의 상관관계를 나타낸다.

제10도로부터, Pt 및/또는 Pd함량이 10원자 %를 초과할때, 상기 최소 편이자계값(Hsat)이 충분히 작아짐을 알수 있을 것이다.

(ⅲ) 희토류 원소(RE)

상기 광자기 기록막(3)에는, 적어도 하나의 희토류원소(RE)가 함유되며, 사용가능한 희토류 원소로는, Nd, Sm, Pr, Ce, Eu, Gd, Tb, Dy 및 Ho 등이 있으며, 이들은 단독, 또는 조합하여 사용할 수 있다.

상기 희토류원소중에서, Nd, Pr, Gd, Tb 및 Dy가 바람직하며, Tb가 특히 바람직하다. 이들 희토류 원소들은 단독 또는 조합하여 사용할 수 있으며, 조합하는 경우, Tb를 50원자 %이상 함유하는 것이 바람직하다.

상기 막에 수직방향의 자화용 이축을 갖는 광학적 자성(optical magnetism)을 얻기 위하여는, 광자기 기록막중의 상기 희토류 원소의 함량은 0.15≤x≥0.45, 바람직하게는 0.20≤x≥0.4의 식을 만족하는 양이 바람직하다(식에서, x는 RE/(Re+Fe+Co)(원자비)를 나타낸다).

본 발명에서는, 여러가지 원소들을 광자기 기록막에 배합하므로써, 퀴리점, 보상점, 보자력(Hc) 또는 커어회전각(θk)을 향상시키거나, 또는 제조비용을 절감하는 것이 또한 가능하다. 이러한 용도의 원소들의 사용량은 예를들어, 상기 기록막을 구성하는 원소들의 총 원자수에 대해 10원자 % 이하의 비율로 사용할 수 있다.

광자기 기록막을 구성하는 원소들을 제외한, 상기 용도의 원소들의 예를들면 하기와 같다.

(Ⅰ) Fe와 Co를 제외한 3d 계열 천이원소들

구체적으로는, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Ni, Cu 및 Zn이 있다. 이들 원소들중에서, Ti, Ni, Cu 및 Zn이 바람직하다.

(Ⅱ) Pd 이외의 4d 계열 천이원소들

구체적으로는, Y, Zr, Nb, Mo, Tc, Ru, Rh, Ag 및 Cd 등이 있다. 이들중에서, Zr과 Nb가 바람직하다.

(Ⅲ) Pt이외의 5d 계열 천이원소들

구체적으로는, Hf, Ta, W, Re, Os, Ir, Au, 및 Hg 등이 있다. 이들 천이원소중에서, Ta가 바람직하다.

(Ⅳ) ⅢB족 원소들

구체적으로는 B, Al, Ga, In 및 Tl 등이 사용된다. 이들 원소중에서, B, Al 및 Ga가 바람직하다.

(Ⅴ) ⅣB족 원소들

구체적으로는 C, Si, Ge, Sn 및 Pb가 사용된다. 이들 원소중에서, Si, Ge, Sn 및 Pb가 바람직하다.

(Ⅵ) ⅤB족 원소들

구체적으로는 N, P, As, Sb 및 Bi가 사용된다. 이들 원소들중에서, Sb가 바람직하다.

(Ⅶ) ⅥB족 원소들

구체적으로는 S, Se, Te 및 Po가 사용된다. 이들 원소들중에서, Te가 바람직하다.

또한 본 발명에서는 3d 계열 천이금속류로부터 선택된 1개 이상의 원소(ⅰ), 상기 희토류 원소들중에서 선택된 1개 이상의 원소(ⅲ)로 조성된 광자기 기록막은 바람직하게는 Tb Fe Co계열에 의한 것이며, 바람직하게는 그 Tb함량 10∼40원자 %이며, Fe함량은30∼90원자 %이고, Co함량은 0∼30원자 %이다.

본 발명에서, 상기 3d 계열 천이금속(ⅰ)과 상기 희토류 원소(ⅲ)를 함유하는 광자기 기록막은 기타원소들(즉, 상기 기술한 (Ⅰ)∼(Ⅶ)의 원소들)을 더 함유할 수도 있으며, 또한 상기 광자기 기록막(3)으로서 사용될 수 있다.

상기의 조성을 갖는 광자기 기록막(3)은 막 면에 수직하는 자화용이축을 갖으며, 이들 기록막의 대다수는 커어 히스테리시스(Kerr hysteresis)가 양호한 각 루우프(angular loop)를 나타내는 무정형 박막임을, 광각(broad angle) X선 회절법에 의해 확인하였으며, 이것은 상기 기록막이 수직으로 자화될 수 있으며, 광자기적 기록이 가능함을 시사한다.

본 발명에서 사용된 상기 "커어 히스테리시스가 양호한 각 루우프"라는 용어는, θk₂/k₁가 0.8이상임을 의미하는 용어이다. 여기서, θk₁은 외부 자계가 최대일때의 커어회전각인 포화 커어회전각이며, θk₂는 외부자계가 영(0)일때의 커어회전각인 잔여 커어회전각(residual Kerr-rotation angle)이다.

상기 광자기 기록막(3)의 두께는 100∼50,000Å, 바람직하게는, 100∼3,000Å, 더욱 바람직하게는 약 150∼2,000Å이다.

반사막

본 발명의 광자기 기록매체에 있어서, 바람직하게는 상기 광자기 기록막(3) 위에 반사막(4)이 형성되며, 이 반사막은 바람직하게는, 열전도도가 2J/㎝·sec·K이하, 바람직하게는 1J/㎝·sec·K이하인 금속 또는 합금으로 구성된다.

더욱 바람직하게는, 상기 반사막(4)은, 반사율이 50% 이상, 바람직하게는 70% 이상, 열전도도가 2J/㎝·sec·K이하, 바람직하게는 1J/㎝·sec·K이하인 금속 또는 합금으로 구성된다.

구체적으로는, 상기 반사막(4)은, 열전도도가 0.71J/㎝·sec·K인 Pt, 열전도도가 0.76J/㎝·sec·K인 Pd, 열전도도가 0.22J/㎝·sec·K인 Ti, 열전도도가 0.99J/㎝·sec·K인 Co, 열전도도가 0.23J/㎝·sec·K인 Zr 또는 이들의 합금으로 구성된다. 그러나, 본 발명의 경우, 반사율이 50% 이상, 바람직하게는 70% 이상이고, 열전도도가 2J/㎝·sec·K이하, 바람직하게는 1J/㎝·sec·K이하인 니켈합금으로 구성된 반사막(5(5a,5b))을 사용하는 것이 바람직하다.

상기 반사막(4)을 구성하는 적합한 니켈 합금은 바람직하게는 주성분으로서 니켈을 포함하고, 실리콘, 몰리브덴, 철, 크롬 및 구리로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 하나의 합금용 금속을 포함한다. 이러한 니켈 합금의 니켈 함량은 30∼99원자 %, 바람직하게는 50∼90원자 %이다.

본 발명에서 상기 반사막을 구성하는데 사용되는 니켈합금의 예로는, Ni-Cr합금(예를들어, Ni이 30∼90원자 %, Cr이 1∼70원자 %, 바람직하게는 Ni이 70∼95원자 %, Cr이 5∼30원자 %인 합금), Ni-Si합금(예를들어 Ni이 85원자 %, Si가 10원자 %, Cu가 3원자 %, Al이 2원자 %인 합금), Ni-Cu합금(예를들어, Ni이 63원자 %, Cu가 29∼30원자 %, Fe가 0.9∼2원자 %, Si가 0.1∼4원자 %, Al이 0∼2.75원자 %인 합금), Ni-Mo-Fe합금(예를들어 Ni이 60∼65원자 %, Mo이 25∼35원자 %, Fe가 5원자 %인 합금), Ni-Mo-Fe-Cr합금(예를들어 Ni이 55∼60원자 %, Mo이 15∼20원자 %, Fe이 6원자 %, Cr이 12∼16원자 %, W이 5원자 %인 합금), Ni-Mo-Fe-Cr-Cu합금(예를들어, Ni이 60원자 %, Mo이 5원자 %, Fe이 8원자 %, Cr이 21원자 %, Cu가 3원자 %, Si가 1원자 %, Mn이 1원자 %, W이 1원자 %인 합금 및 ; Ni이 44∼47원자 %, Mo이 5.5∼7.5원자 %, Cr이 21∼23원자 %, Cu가 0.15원자 %, Si가 1원자 %, Mn이 1∼2원자 %, Co가 2.5원자 %, W이 1원자 %, Nb가 1.7∼2.5원자 %, 나머지는 Fe인 합금), Ni-Cr-Cu-Mo합금(예를들어, Ni이 56∼57원자 %, Cr이 23∼24원자 %, Cu가 8원자 %, Mo이 4원자 %, W이 2원자 %, Si 또는 Mn이 1원자 %인 합금), Ni-Cr-Fe합금(예를들어 Ni이 79.5원자 %, Cu가 13원자 %, Fe이 6.5원자 %, Cu가 0.2원자 %인 합금 및 ; Ni이 30∼34원자 %, Cr이 19∼22원자 %, Cu가 0.5원자 %, Si가 1원자 %, Mn이 1.5원자 %, 나머지는 Fe인 합금) 등이 있다.

또한, 본 발명에서 사용된 반사막(4)은 광자기 기록막의 산화방지성을 강화하는데 기여하며, 따라서, 장기간 사용하여도 우수한 신뢰성이 유지되는 광자기 기록매체를 제공한다.

바람직한 반사막(4)은, 그 열전도도가 2J/㎝·sec·K이하, 바람직하게는 1J/㎝·sec·K이하인 니켈합금을 포함하며, 고 C/N비의 면에서 특히 바람직한 것은, Ni 30∼99원자 %, Cr 1∼70원자 %, 바람직하게는 Ni 70∼95원자 %, Cr 5∼30원자 %를 포함하는 Ni∼Cr합금으로 조성된 반사막이다.

금속 또는 합금, 구체적으로는, 작은 열전도도, 높은 반사율을 갖는 니켈합금으로 조성된 반사막을 본 발명의 방법에 의하여 사용하면, 보다 얇은 광자기 기록막으로도, 보다 큰 커어회전각과 높은 반사율을 얻을 수 있다.

상기 반사막(4)의 두께는 통상 100∼4,000Å, 바람직하게는 약 200∼2,000Å이다.

광자기 기록막(3)과 상기 반사막(4)의 두께의 합은 통상 300∼4,600Å, 바람직하게는 약 350∼2,400Å이다.

본 발명의 광자기 기록매체(1)는 기판(2)과 광자기 기록막(3) 사이에 인핸스먼트막(5)을 갖을 수 있다. 또한, 광자기 기록막(3)과 반사막(4) 사이에 인핸스먼트막(5)을 갖을 수도 있다. 이 인핸스먼트막(5)은 광자기 기록매체(1)의 감도를 향상시키며, 또한 광자기 기록막(3)의 보호막으로서 기능을 한다. 이 인핸스먼트막(5)은 그 굴절률이 기판의 굴절류보다 크고 투명한 것이면 사용가능하다. 하기의 재료들은 기판과의 접착력이 우수하고, 광자기 기록특성의 장기 안정성을 우수하게 하므로, 본 발명의 광자기 기록매체에 있어서의 인핸스먼트막의 대표적인 것으로 ZnS, ZnSe, CdS, Si₃N₄, SiN_x(0＜x＜4/3), Si 및 AlN 등을 들 수 있다. 이 인핸스먼트 막의 두께는 100∼2,000Å이며, 바람직하게는 약 300∼1,500Å이다. 인핸스먼트 막의 내균열성 면에서 Si₃N₄와 SiN_x(0＜x＜4/3)이 특히 바람직한 재료이다.

본 발명에 의한 제1광자기 기록매체의 제조방법을 하기에 설명한다.

제1광자기 기록매체는, 소정의 조성을 갖는 무정형 합금막을 공지된 스퍼터링법(sputtering process) 또는 전자비임 증착법(electron beam deposition process)에 의해, 약 실온으로 유지된 기판(고정할 수도 있고 회전되게 할 수도 있다)에 증착시켜 제조할 수 있으며, 상기 무정형 합금막을 구성하는 원소들의 칩(chip)을 소정 비율만큼 갖는 복합타게트(target) 또는 소정 조성을 갖는 합금 타게트를 사용하며, 필요한 경우, 상기와 같이 형성된 광자기 기록막에 반사막을 유사한 방법에 의해 형성한다.

상기 광자기 기록매체는 실온에서 제조할 수 있으며, 그 형성된 광자기 기록막에 있어서, 막에 수직하는 자화용이축을 갖게하기 위한 어니일링(annealing) 등의 열처리가 항상 필요한 것은 아니다.

또한, 필요한 경우, 기판을 50∼100℃로 가열하면서, 또는 -50℃로 냉각시키면서, 무정형 합금막을 기판에 형성시킬 수 있다.

또한, 스퍼터링시에는, 상기 기판이 (-)전위를 갖도록 기판에 전압을 가할 수 있다. 이렇게 함으로써, 전계내에서 가속된 아르곤 등의 불활성기체 이온들이 타게트 뿐만아니라 형성중인 광자기 기록막에 충돌하여, 결과적으로는, 보다 향상된 성질을 갖는 광자기 기록매체가 얻어질 수 있다.

본 발명의 광자기 기록매체는 에틸렌과 시클로올레핀으로 구성된 시클로올레핀 랜덤 공중합체로 된 기판과 그위에 적층된 무정형 합금막으로 구성돼 있으므로, 기판과 광자기 기록막간의 접착력이 우수하며, 산화방지성이 우수하고, 광자기 기록특성의 장기 안정성이 우수하다.

하기 실시예들에서 각종 물성들은 다음과 같은 방법에 의해서 측정 또는 평가하였다.

하기 실시예들을 참조해서 본 발명을 설명하나, 본 발명이 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.

(1) 제조한 기록막들의 조성은 ICP발광 분광분석법에 의해 측정했다.

(2) 커어회전각은 외부자계가 영(0)인 잔류 자화대에서, 유리기판의 측면으로부터 경사입사법(inclination incidence method)(λ=780nm)에 의하여 측정했다. 이 경사 입사법에서 채용한 측정방법 및 기기의 구체적인 것은 가주오 야마가와가 편찬한 "Measuring Techniques of Magnetics Materials"(1985.1.5, Torikepps사 발행) 261∼263 페이지에 기재되어있다.

(3) 제조된 광자기 디스크의 두께는 130㎜였으며, 이 디스크를 사용해서, 기록주파수 1㎒(충격계수 50%), 선속도 11.1m/s, 기입시 편이자계 200Oe, 독출 레이저 전력 1.0mW의 조건하에서 드라이브장치(나까미찌 OMS-1000)로 기록 및 재생을 행하였다.

(4) 표 1은 분광분석기로 측정한 2차 고조파 주파수의 레벨이 최소로 되는 기록파워(최적 기록파워)로 기록을 행하였을때의 잡음레벨과 반송파 대 잡음비율(C/N비)을 나타낸다.

(5) 상기 최적 기록파워보다 3.0mW가 큰 파워로 기록된 정보를 소거한후, 소거된 기록막위에 새로운 정보를 기록하였다. 이 조작을 10회 반복한후, 소거 전, 후의 C/N비 차이를 측하여 ΔC/N비로 표시했다.

(6) 편이자계 의존도에 대해서는 상기 조건하에서의 편이자계를 50∼500Oe로 변화시켰을때 C/N비 변화로 편이자계 의존도(Hsat)를 평가했다.

(7) 또한, 장기 안정성에 대해서는 수명 시험을 행했으며, 얻어진 디스크를 80℃, 85% RH의 고온고습한 분위기하에서 오븐내에 방치시킨후 1000시간 경과된후 C/N비를 측정하여 표 1에 나타난 결과들을 얻었다.

[참조예 1]

시클로올레핀계 랜덤 공중합체 조성물로된 기판의 제조

(ⅰ) 중합예 1

연화점이 70℃ 이상인 공중합체[A]의 제조, 교반날개가 구비된 2

들이 유리중합 반응조를 사용하여, 에틸렌과 테트라시클로[4,4,0,1^2.5,1^7.10]-3-도데센(1,4,5,8-디메타노-1,2,3,4,4a,5,8,8a-옥타하이드로나프탈렌,

구조식

이하 DMON이라 약칭한다)의 공중합반응을 연속적으로 행하였다.

즉, 상기 중합 반응조중의 DMON농도가 60g/

이 되도록, DMON의 시클로헥산용액을 연속적으로 공급하였으며, 중합반응조중의 바나듐 농도가 0.9mmol/

가 되도록 촉매로서, VO(OC₂H₅)Cl₂의 시클로헥산용액을 연속적으로 공급하였으며, 중합반응조 중의 알미늄농도가 7.2mmol/

가 되도록, 에틸알미늄 세스퀴클로라이드(Al(C₂H₅)_1.5Cl_1.5)의 시클로헥산용액을 연속적으로 공급하면서, 한편으로는, 상기 중합조내의 중합액이 항상 1

로 유지하도록, 중합조 하단으로부터 중합액을 연속적으로 취출하였다. 이와 동시에, 에틸렌을 85

/시간의 속도로, 수소를 6

/시간의 속도로, 질소를 45

/시간의 속도로, 상기 중합반응조의 상단으로부터 중합반응조 내로 공급하였다. 중합반응조의 외부에 장치된 재키트(jacket)를 통하여 냉각제(refrigerant)를 순환시키면서, 10℃에서 상기 공중합 반응을 행하였다.

상기의 조건하에서, 상기 공중합 반응을 행하여, 에틸렌/DMON 랜덤 공중합체를 함유하는 중합반응 혼합물을 얻었다. 상기 반응조 하단에서 추출한 중합액에 소량의 이소프로필 알콜을 가하여 중합반응을 정지시킨후, 이 중합액을, 중합액의 부피보다 약 3배의 아세톤이 함유된 가정용 믹서에, 이 믹서를 회전시키면서 투입하여, 공중합체를 석출시켰다. 이 석출된 공중합체를, 여과하여 회수한후, 이 공중합체 농도가 약 50g/

가 되도록 아세톤중에 분산시킨 후, 아세톤의 비등점에서 2시간 동안 처리하였다.

이후, 상기 공중합체를 여과 회수하여, 감압하 120℃에서 12시간동안 건조시켰다.

건조시켜 얻어진 에틸렌/DMON 랜덤 공중합체[A]의,¹³C-NMR분석법으로 측정한 에틸렌 단위함량은 59몰 %였고, 135℃, 데칼린중에서 측정한 극한점도[η]는 0.42dl/g, 연화점(TMA)은 154℃였다.

(ⅱ) 중합예 2

연화점이 70℃ 이하인 공중합체[B]의 제조

상기 중합반응조 중의 DMON농도, VO(OC₂H₅)Cl₂농도 및 에틸알미늄 세스퀴클로라이드의 농도가 각각 23g/

, 0.7mmol/

및 5.6mmol/

가 되도록, DMON, VO(OC₂H₅)Cl₂및 에틸알미늄 세스퀴클로라이드를 중합반응조에 공급한 것과, 에틸렌, 수소 및 질소를 각각의 공급 속도가 140

/시간, 13

/시간 및 25

/시간이 되도록, 상기 중합조에 공급한 것과 중합온도를 10℃로 한것만을 제외하고는, 상기 중합예 1과 동일한 공중합반응을 행하였다.

상기 공중합 반응이 종료된후, 생성된 공중합체를 석출, 회수한후, 중합예 1과 같이 감압하 180℃에서 12시간동안 건조시켰다.

얻어진 에틸렌/DMON 공중합체[B]의,¹³C-NMR분석법으로 측정한 에틸렌 단위는 89몰 %였으며, 135℃ 데칼린중에서 측정한 극한점도[η]는 0.44dl/g, 연화점(TMA)은 39℃였다.

(ⅲ) 시클로올레핀계 랜덤 공중합체 조성물 및 그 기판의 제조

상기 중합예 1에서 얻은 공중합체[A] 400g과, 상기 중합예 2에서 얻은 공중합체[B] 4g을, 시클로헥산 8

중에 투입하고([A]/[B]중량비=100/1), 강하게 교반시키면서 50℃에서 완전 용해시켜 균질용액을 얻었다. 이 균질용액을 아세톤 24

에 투입하여 [A]/[B] 혼합물을 석출시켰다. 이 혼합물을 감압하 120℃에서 하룻밤(12시간) 동안 건조시켰다.

건조시켜 얻어진 [A]/[B] 혼합물에, 테트라키스[메틸렌-3-(3,5-디-t-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트]메탄 0.5%, 스테아린산 아연 0.05%, 모노스테아린산 글리세린 0.5%를 안정화제로서 배합하였다(배합비는 공중합체[A]와 [B]의 합계중량에 대한 것임).

상기 배합에 의해 얻어진 혼합물을, 직경 20㎜압출기(L/D=20)를 사용하여 23℃에서 펠릿화(pelletization)하고, 사출성형기(도시바기까이사제, 상품명 IS-50)로 성형하여 직경이 130㎜이고, 두께가 1㎜이고 양면이 반들반들한 광디스크 기판을 제조하였다.

[실시예 1]

상기 참조예 1에서 얻은 시클로올레핀계 랜덤 공중합체로 조성된 상기 디스크기판(직경 130㎜)(이하 PO기판이라 한다)을 건조공정없이, 플레온(Fleon) TE에 의해 초음파 세척(ultrasonic washing) 처리하여, 사용하였다. 이 처리된 디스크기판에, Fe-Co 타게트상에 Pt와 Tb칩을 소정비율로 갖는 복합타게트를 타게트로서 사용하여, Ar분위기중에서 최대 진공도가 1.0×10^-7Torr인 조건하에서 마그네트론 스퍼터링법(magnetron sputtering process)에 의하여 20∼50℃에서, Pt₁₂Tb₃₀Fe₄₉Co₉로 된 두께가 1,000Å인 광자기 기록막을 증착시켰다.

광각 X선 회절법에 의해 측정한 결과, 상기에서 얻어진 광자기 기록막은 무정형이었다. 이 막의 조성을 ICP 발광 분광 분석법(emission spectroscopic analysis)에 의하여 측정하였다.

상기 광자기 기록매체(막)의 물성들을 표 1에 나타냈다.

상기 막을 갖는 직경130㎜의 디스크를 85℃, 상대습도 85%의 공기조화장치중에 170시간동안 방치시키는 시험을 행하였다. 이후, 상기 기록막의 외관을 현미경으로 관찰한 결과, 상기 시험전의 막에 비해 상기 기록막의 외관에 변화가 전혀 없었으며, 막의 접착력이 우수함이 밝혀졌다.

[실시예 2]

상기와 동일한 PO기판을 사용하고, Fe-Co타게트상에 Tb칩을 소정 비율로 갖는 복합 타게트를 사용해서 실시예 1과 동일한 방법으로 Tb₂₅Fe₆₈Co₇으로 된 1,000Å 두께의 광자기 기록막을 제조했다. 이 광자기 기록막은 무정형이었다.

상기 광자기 기록매체(막)의 물성들을 표 2에 나타냈다. 현미경으로 관찰한 막의 외관은 양호했다.

상기 막을 갖는 상기 직경130㎜의 디스크를 온도 85℃, 상대습도 85%의 공기조화장치중에 170시간동안 방치시키는 시험을 행하였다.

이 시험후, 상기 기록막의 외관을 현미경으로 관찰하였다. 시험전과 비해서 기록막의 외관 변화가 전혀 없었으며, 막의 접착력이 우수함이 밝혀졌다.

[비교예 1]

폴리카보네이트 수지(PC)로 조성된 디스크 기판을 스퍼터링 장치중에서 80℃에서 건조처리하고, 하룻밤동안 진공 배기처리한 후, Fe-Co 타게트상에 Pt와 Tb의 칩을 소정비율로 갖는 복합타게트를 타게트로서 사용하여, Ar 분위기중에서 최대 진공도가 1.0×10^-7Torr 이하 인 조건하에서 DC 마그네트론 스퍼터링법에 의하여 Pt₁₂Tb₃₀Fe₄₉Co₉로 된 두께 1,000Å의 광자기 기록막을 증착시켰다.

광각 X선 회절법에 의해 측정한 결과, 상기 광자기 기록막은 무정형이었다. 이 기록막의 조성을 ICP 발광 분광분석법에 의하여 측정하였다.

[비교예 2]

폴리카보네이트수지로 된 디스크기판을 사용하고 Fe-Co타게트상에 Tb칩을 소정 비율로 갖는 복합 타게트를 사용하여 비교예 2와 동일한 방법으로 Tb₂₅Fe₆₈Co₇으로 된 1,000Å 두께의 광자기 기록막을 제조했다. 광각 X선 회절법에 의해 측정한 결과, 상기 광자기 기록막은 무정형이었다. 기록막의 조성을 ICP 발광 분광 분석법으로 측정하였다.

기판과 광자기 기록막간의 접착력 평가

실시예 1과 2, 비교예 1과 2에서 얻은 각 디스크의 기판과 광자기 기록막간의 접착력을 하기의 방법으로 평가하였다. 그 결과들을 표 1에 나타냈다.

접착력 시험

크로스커트(cross-cut) 접착력 시험(JIS K 5400에 준함)

상기 기록막을 시료로하여, 절단칼(cutter knife)을 사용하여 막의 길이방향 및 폭 방향으로 각각 11개의 평행선을 서로 직교 되도록 1㎜ 간격으로 그었다. 결과적으로 바둑무늬(checker-board)형태로 1㎠당 100개의 직각눈이 생기도록 커트된다.

셀로판 테이프(니찌방사제)를 사용하여 박리 정도를 평가하였다.

[평가]

(1) 막 형성 직후에 평가

(2) 80℃, 상대습도 85% 환경중에서 100시간 경과후 평가

[표 1]

[실시예 3∼20]

실시예 1의 방법에 있어서, 동일한 PO기판을 사용하고, 광자기 기록막을 표 2의 것으로 바꾸어 동일하게 실시하였다. 그 얻어진 광자기 기록매체의 물성을 표 2에 나타냈다.

[표 2]

[실시예 21]

참조예 1에서 제조된 시클로올레핀계 랜덤 공중합체 조성물로 구성된 디스크 기판상에, 인핸스먼트막으로서 두께 700Å의 SiN_x으로된 막(0＜x＜4/3, 반사율 n=2.3, k(감쇠상수)= 0.014)과, 광자기 기록막으로서 Pt₁₈Tb₃₄Fe₃₈Co₁₀으로된 막과, 반사막으로서 Ni₈₀Cr₂₀으로된 두께 700Å의 막을 순차적으로 형성시켰다.

상기에서 얻어진 광자기 기록매체의 기록재생 특성을 기록주파수 1㎒(충격계수 50%), 선속도 5.4m/sec의 조건하에 측정했다. 그 결과, 최적 기록 레이저파워는 3.5mW였으며 C/N은 50dB였다(재생 레이저파워는 1.0mW였다).

[실시예 22∼27]

광자기 기록막과 반사막을 표 3에 나타난 것으로 바꾼외에는 실시예 21과 동일하게 실시하여 광자기 기록매체를 제조했다. 실시예 21에서와 동일한 방법으로 평가했다. 그 결과들을 표 3에 나타냈다.

[표 3]

[실시예 28]

참조예 1에서 제조된 시클로올레핀계 랜덤 공중합체 조성물 대신에, 참조예 1의 중합예 (ⅰ)에서 제조된 시클로올레핀 랜덤 공중합체[A]를 사용한 것만을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 실시하여 양면 광자기 기록매체를 제조하였다.

상기 매체의 특성들을 실시예 1과 동일한 방법으로 평가하였다(단, ΔC/N의 경우, 상기 매체를 온도 80℃, 상대습도 85%의 환경중에서 1,000시간 동안 방치시킨후 ΔC/N을 측정하였으며, 최적파워는 3.5mW, C/N은 50dB였고, 1,000시간 경과후의 ΔC/N은 0dB였다).

Claims

하나의 기판상에 광자기 기록막이 적층되어서된 광자기 기록매체에서, 상기 기판은 135℃ 데칼린중에서 측정한 극한점도[η]가 0.05∼10dl/g이고, 연화점(TMA)이 70℃ 이상인, 에틸렌과 하기 일반식[Ⅰ]로 표시되는 시클로올레핀의 시클로올레핀계 랜덤 공중합체[A]와,

(식에서, n은 0 또는 양의 정수이고, R¹∼R¹²는 같거나 다르며, 각각은 수소원자, 할로겐 원자 또는 탄화수소기를 나타내며, R⁹∼R¹²가 서로 결합하는 경우, 하나의 이중결합 또는 여러개의 이중결합을 임의적으로 갖는 단환 또는 다환의 탄화수소 고리를 형성할 수도 있으며, R⁹와 R¹⁰또는 R¹¹과 R¹²가 서로 결합하는 경우, 알킬리덴기를 형성할 수도 있다)

135℃, 데칼린중에서 측정한 극한점도[η]이 0.05∼5dl/g이고 연화점(TMA)이 70℃ 이하인 에틸렌과 상기 일반식[Ⅰ]로 표시되는 시클로올레핀의 시클로올레핀계 랜덤공중합체[B]를 상기 성분[A] 대 성분[B]의 중량비가 100 : 0.1∼100 : 10이 되도록 포함하는 시클로올레핀계 랜덤 공중합체 조성물로 구성된 것이고, 상기 광자기 기록막이, 3d 계열 천이금속중에서 선택된 1이상의 원소(ⅰ)와, 희토류원소중에서 선택된 1이상의 원소(ⅲ)로 구성된 것이고, 막에 수직하는 자화용이축을 갖는 것이 특징인 광자기 기록매체.
제1항에서, 상기 광자기 기록막이 적어도 하나의 3d 계열 천이금속(ⅰ), 적어도 하나의 내식성 금속(ⅱ), 적어도 하나의 희토류원소(ⅲ)들을 포함하며, 그 내식성금속의 함량이 5∼30원자 %이고, 상기 막에 수직 방향의 자화용이축을 갖는 무정형 합금박막인 것이 특징인 자기광학 기록매체.
제1항에서, 상기 광자기 기록막중에 함유된 상기 3d 계열 천이금속(ⅰ)이 Fe 또는 Co 또는 Fe과 Co인 것이 특징인 광자기 기록매체.
제2항에서, 상기 광자기 기록막중에 함유된 상기 내식성 금속(ⅱ)이 Pt, Pd, Ti, Ta, Nb, Zr 및 Mo 및 Hf중에서 선택된 적어도 하나의 원소인 것이 특징인 광자기 기록매체.
제2항에서, 상기 자기광학 기록막중에 함유된 상기 내식성 금속(ⅱ)이 Pt 또는 Pd 또는 Pt와 Pd인 것이 특징인 광자기 기록매체.
제1항에서, 상기 광자기 기록막중에 함유된 상기 희토류원소(ⅲ)가 Nd, Sm, Pr, Ce, Eu, Gd, Tb, Dy 및 Ho 중에서 선택된 것이 특징인 광자기 기록매체.
제2항에서, 상기 광자기 기록막이, 상기 3d 계열 천이금속(ⅰ)을 40∼80원자 %, 상기 내식성금속(ⅱ)을 10원자 % 이상∼30원자 %이하 함유하는 것이 특징인 광자기 기록매체.
제2항에서, 상기 광자기 기록막이, 적어도 하나의 3d 계열 천이금속(ⅰ), 적어도 하나의 내식성 금속(ⅱ) 5∼30원자 % 포함하며, 막에 수직방향의 자화용이축을 갖는 무정형 합금박막인 것이 특징인 광자기 기록매체.
제1항에서, 상기 광자기 기록막이 3d 계열 천이금속에서 선택된 적어도 하나의 원소(ⅰ)와, 희토류 원소중에서 선택된 적어도 하나의 원소(ⅲ)로 구성되고, 막에 수직한 자화용이축을 갖는 무정형 합금막인 것이 특징인 자기광학 기록매체.
제1항에서, 상기 광자기 기록막상에 반사막이 적층된 것이 특징인 자기광학 기록매체.