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JPH0442612A - Level conversion circuit - Google Patents

Level conversion circuit

Info

Publication number
JPH0442612A
JPH0442612A JP2150689A JP15068990A JPH0442612A JP H0442612 A JPH0442612 A JP H0442612A JP 2150689 A JP2150689 A JP 2150689A JP 15068990 A JP15068990 A JP 15068990A JP H0442612 A JPH0442612 A JP H0442612A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
current mirror
gate
circuit
elements
mirror circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2150689A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Toshiichi Maekawa
敏一 前川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP2150689A priority Critical patent/JPH0442612A/en
Publication of JPH0442612A publication Critical patent/JPH0442612A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Manipulation Of Pulses (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)

Abstract

PURPOSE:To speed up a change in an output signal and to attain excellent level conversion by connecting the gate of a 1st or 2nd element to the gate of a current mirror via a capacitive component. CONSTITUTION:A 1st and a 2nd input signal (at input terminals 1,2) are fed to the gates of 1st and 2nd elements of one polarity (N-channel elements 3,4) respectively and one terminal of each of the 1st and 2nd elements is connected together via a current mirror circuit and the output signal is extracted from the connecting point via an inverter (a P-channel element 8 and an N-channel element 9). In the level conversion circuit formed as above, the gate of the 1st or the 2nd element connecting to the output side element of the current mirror circuit is connected to the connecting point of the gates of the current mirror circuit via a capacitive component (capacitor 11). Thus, a change in the potential of the gate connecting point of the current mirror circuit goes to fast to make a change in the output signal fast, thereby implementing excelling level conversion.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、例えばT T L (Transistor
 TransistorLogic)回路からのO〜5
vレベルの信号を、TPT (Thin Film T
ransistor)回路の0−15Vレベルの信号に
変換する際に使用されるレベル変換回路に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention is applicable to, for example, TTL (Transistor
O~5 from TransistorLogic) circuit
The v level signal is converted to TPT (Thin Film T
The present invention relates to a level conversion circuit used when converting a signal to a 0-15V level signal of a transistor (transistor) circuit.

〔発明の概要] 本発明はレベル変換回路に関し、入力信号の供給される
第1及び第2の素子の一端をカレントミラーを介して互
いに接続し、この接続点から出力信号を取り出すように
した回路において、第1又は第2の素子のゲートを容量
成分を介してカレントミラーのゲートに接続することに
より、出力信号の変化を高速にして、良好なレベル変換
が行われるようにするものである。
[Summary of the Invention] The present invention relates to a level conversion circuit, and a circuit in which one ends of a first and second element to which an input signal is supplied are connected to each other via a current mirror, and an output signal is extracted from this connection point. By connecting the gate of the first or second element to the gate of the current mirror via a capacitive component, the change in the output signal is made faster and good level conversion is performed.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

例えばTTLレベル(0〜5 V ) (D信号ヲT 
PTレベル(0〜15■)の信号に変換する回路として
、本願出願人は先に第4図に示すような回路を提案した
(実開平2−8230号公報参照)。
For example, TTL level (0 to 5 V) (D signal
As a circuit for converting into a PT level (0-15■) signal, the applicant of the present application previously proposed a circuit as shown in FIG. 4 (see Japanese Utility Model Application Publication No. 8230/1999).

図において、入力端子(IO2)には例えばTTLレベ
ルの信号が互いに反転の位相で供給される。これらの入
力端子(1)(2)からの信号がそれぞれN型素子(3
) (4)のゲートに供給され、これらのN型素子(3
)(4)のソースが接地される。さらにこのN型素子(
3)のドレインがカレントミラー回路の入力側(ダイオ
ード)を構成するP型素子(5)を通じてTPTレベル
の電源端子(6)に接続され、N型素子(4)のドレイ
ンがカレントミラー回路の出力側(トランジスタ)を構
成するP型素子(7)を通じて電源端子(6)に接続さ
れる。
In the figure, for example, TTL level signals are supplied to the input terminal (IO2) with mutually inverted phases. Signals from these input terminals (1) and (2) are connected to N-type elements (3), respectively.
) (4) and these N-type elements (3
)(4) source is grounded. Furthermore, this N-type element (
The drain of 3) is connected to the TPT level power supply terminal (6) through the P-type element (5) that constitutes the input side (diode) of the current mirror circuit, and the drain of the N-type element (4) is connected to the output of the current mirror circuit. It is connected to a power supply terminal (6) through a P-type element (7) constituting the side (transistor).

そして例えばN型素子(4)とP型素子(7)の接続点
が、電源端子(6)に接続されたインバータを構成する
P型素子(8)とN型素子(9)を通じて出力端子(1
0)に接続される。
For example, the connection point between the N-type element (4) and the P-type element (7) is connected to the output terminal ( 1
0).

従ってこの回路において、入力端子(1)(2)に例え
ば第5図に曲、Ia、bで示すようなTTLレベル(0
〜V+)の入力信号が供給された場合に、これらの信号
がN型素子(3)(4)のゲートに供給されることによ
ってカレントミラー回路を構成するP型素子(5) (
7)のゲートの接続点には同図に曲線Cで示すような信
号が形成される(ただしVthpはP型素子のスレショ
ルド電圧)。このためこの回路においてN型素子(4)
とP型素子(7)はコンプリメンタリ動作となり、素子
(7)がオンのとき素子(4)はオフとなって素子(7
)を流れる電流の全てがインバータを構成するP型素子
(8)とN型素子(9)の入力容量を充電するのに供さ
れ、また素子(4)がオンのとき素子(7)はオフとな
って素子(4)を流れる電流の全てが素子(8)(9)
の入力容量を放電するのに供される。これによって素子
(4)(7)の接続中点には同図に曲線dで示すように
TPTレベル(0〜VZ)で変化される信号が形成され
、この信号が素子(8) (9)で反転されて出力端子
(10)には、入力端子(1)に供給された信号と同相
でTPTレベルで変化される信号が取り出される。
Therefore, in this circuit, the input terminals (1) and (2) are connected to TTL levels (0, for example, as shown in FIG.
~V+) is supplied, these signals are supplied to the gates of the N-type elements (3) and (4), thereby forming a P-type element (5) (
A signal as shown by curve C in the figure is formed at the connection point of the gate 7) (where Vthp is the threshold voltage of the P-type element). Therefore, in this circuit, the N-type element (4)
and P-type element (7) operate in a complementary manner, and when element (7) is on, element (4) is off and element (7) is turned on.
) is used to charge the input capacitance of the P-type element (8) and N-type element (9) that constitute the inverter, and when element (4) is on, element (7) is off. Therefore, all of the current flowing through element (4) flows through elements (8) and (9).
is used to discharge the input capacitance of . As a result, a signal that changes at the TPT level (0 to VZ) is formed at the connection midpoint of elements (4) and (7), as shown by curve d in the figure, and this signal is transmitted to elements (8) and (9). The output terminal (10) receives a signal that is in phase with the signal supplied to the input terminal (1) and changes at the TPT level.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

ところがこの回路において、上述の曲線Cで示す素子(
5) (7)のゲートの接続点の電位は、素子(5)の
g、と素子(5)で7)のゲート容量による時定数の影
響で、曲線a、bで示す入力信号に対してゆるやかな変
化になってしまう。このため例えば素子(4)がオンに
なっても素子(7)は直ちにオフとならず、これによっ
て曲線dで示す信号に大幅な時間遅れが発生してしまう
。これは特に高速のクロック信号等のレベル変換には極
めて重大な問題となるものであった。
However, in this circuit, the element (
5) The potential at the connection point of the gate in (7) is affected by g of element (5) and the time constant due to the gate capacitance of element (5) in 7), relative to the input signal shown by curves a and b. It will be a gradual change. For this reason, for example, even if element (4) is turned on, element (7) is not turned off immediately, resulting in a significant time delay in the signal shown by curve d. This is a very serious problem, especially when converting the level of high-speed clock signals and the like.

この出願はこのような点に鑑みてなされたもので、簡単
な構成で、出力信号の変化を高速化できるようにするも
のである。
This application has been made in view of these points, and is intended to enable high-speed changes in output signals with a simple configuration.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

本発明は、第1の電圧レベルで変化され互いに位相の反
転された第1及び第2の入力信号(入力端子(1)(2
))を、それぞれ一の極性の第1及び第2の素子(N型
素子(3)(4) )のゲートに供給し、これらの第1
及び第2の素子の一端を他の極性の素子(P型素子(5
)(7))からなり第2の電圧レベルが供給(電源端子
(6))されるカレントミラー回路を介して互いに接続
し、これらの接続点から上記第2の電圧レベルが供給さ
れるインバータ(P型素子(8)、 N型素子(9))
を介して出力信号を取り出す(出力端子(10) )よ
うにしたレベル変換回路において、上記カレントミラー
回路の出力側の素子に接続される上記第1又は第2の素
子のゲートを、容量成分(コンデンサ(11))を介し
て上記カレントミラー回路のゲートの接続点に接続する
ようにしたことを特徴とするレベル変換回路である。
The present invention provides first and second input signals (input terminals (1), (2),
)) are supplied to the gates of the first and second elements (N-type elements (3) and (4)) of one polarity, respectively, and these first
and connect one end of the second element to another polarity element (P-type element (5
) (7)) are connected to each other via a current mirror circuit to which a second voltage level is supplied (power supply terminal (6)), and an inverter ( P-type element (8), N-type element (9))
In a level converter circuit configured to take out an output signal via an output terminal (10), the gate of the first or second element connected to the output side element of the current mirror circuit is connected to a capacitive component ( This level conversion circuit is characterized in that it is connected to the connection point of the gate of the current mirror circuit via a capacitor (11).

〔作用〕[Effect]

これによれば、反転極性の入力信号が容量成分を介して
カレントミラー回路のゲートの接続点に供給されるので
、この点の電位の変化が高速になり、出力信号の変化を
高速にして、良好なレベル変換を行うことができる。
According to this, since an input signal of inverted polarity is supplied to the connection point of the gate of the current mirror circuit via the capacitive component, the potential at this point changes quickly, and the output signal changes quickly. Good level conversion can be performed.

〔実施例〕〔Example〕

第1図において、入力端子(2)に接続されるN型素子
(4)のゲートが、コンデンサ(11)を介してカレン
トミラー回路を構成するP型素子(5)(7)のゲート
の接続点に接続される。他は従来の技術で述べた回路と
同様にされる。
In Figure 1, the gate of an N-type element (4) connected to the input terminal (2) is connected to the gates of P-type elements (5) and (7) that constitute a current mirror circuit via a capacitor (11). Connected to points. The rest is the same as the circuit described in the prior art section.

これによってこの回路において、入力端子(2)に供給
される信号がコンデンサ(11)を介してP型素子(5
)(7)のゲートの接続点に供給され、この接続点の電
位の変化が入力端子(2)に供給される信号のタイミン
グで行われるようになる。
As a result, in this circuit, the signal supplied to the input terminal (2) is passed through the P-type element (5) via the capacitor (11).
) (7), and the potential at this connection point changes at the timing of the signal supplied to the input terminal (2).

従ってこの回路において、入力端子(1)(2)に例え
ば第2図に曲線a、bで示すようなTTLレベル(0〜
V+)の入力信号が供給された場合に、カレントミラー
回路を構成するP型素子(5)(7)のゲートの接続点
には、これらの信号がN型素子(3)(4)のゲートに
供給されると共に、入力端子(2)からの信号がコンデ
ンサ(11)を介して供給されることによって、同図に
曲線Cで示すような信号が形成される(ただしVthp
はP型素子のスレショルド電圧)。
Therefore, in this circuit, input terminals (1) and (2) have TTL levels (0 to 2) as shown by curves a and b in FIG.
When input signals of V+) are supplied, these signals are connected to the gates of N-type elements (3) and (4) at the connection point of the gates of P-type elements (5) and (7) constituting the current mirror circuit. At the same time, the signal from the input terminal (2) is supplied via the capacitor (11), thereby forming a signal as shown by curve C in the figure (however, Vthp
is the threshold voltage of the P-type element).

そしてこれらの信号によってN型素子(4)とP型素子
(7)はコンプリメンタリ動作され、素子(7)がオン
のとき素子(4)はオフとなって素子(7)を流れる電
流の全てがインバータを構成するP型素子(8)とN型
素子(9)の入力容量を充電するのに供され、また素子
(4)がオンのとき素子(7)はオフとなって素子(4
)を流れる電流の全てが素子(8)(9)の入力容量を
放電するのに供される。これによって素子(4)(7)
の接続中点には同図に曲線dで示すようにTFTレベル
(0〜v2)で変化される信号が形成され、この信号が
素子(8)(9)で反転されて出力端子(10)には、
入力端子(1)に供給された信号と同相でTPTレベル
で変化される信号が取り出される。
These signals cause the N-type element (4) and the P-type element (7) to operate in a complementary manner, so that when element (7) is on, element (4) is turned off and all of the current flowing through element (7) is turned off. It is used to charge the input capacitance of the P-type element (8) and the N-type element (9) that constitute the inverter, and when the element (4) is on, the element (7) is turned off and the element (4)
) is used to discharge the input capacitance of elements (8) and (9). This results in elements (4) (7)
A signal that changes with the TFT level (0 to v2) is formed at the connection midpoint as shown by curve d in the figure, and this signal is inverted by elements (8) and (9) and sent to the output terminal (10). for,
A signal that is in phase with the signal supplied to the input terminal (1) and that changes at the TPT level is taken out.

すなわちこの回路において、カレントミラー回路を構成
するP型素子(5)(7)のゲートの接続点の電位の変
化が入力端子(2)に供給される信号によって高速化さ
れ、これにより出力信号の変化が高速に行われるように
なる。
That is, in this circuit, the change in potential at the connection point of the gates of the P-type elements (5) and (7) constituting the current mirror circuit is sped up by the signal supplied to the input terminal (2), thereby increasing the output signal. Change will occur rapidly.

こうして上述の回路によれば、反転極性の入力信号が容
量成分を介してカレントミラー回路のゲートの接続点に
供給されるので、この点の電位の変化が高速になり、出
力信号の変化を高速にして、良好なレベル変換を行うこ
とができるものである。
In this way, according to the above circuit, an input signal of inverted polarity is supplied to the connection point of the gate of the current mirror circuit via the capacitive component, so the potential at this point changes quickly, and the output signal changes quickly. This allows for good level conversion.

なお上述の回路において、コンデンサ(11)の容量値
CXの目安としては、P型素子(5) (7)のゲート
容量をC,、、C,□として、 CX′、C9I十09□ 程度に選べばよい。
In the above circuit, as a guideline for the capacitance value CX of the capacitor (11), assuming that the gate capacitance of the P-type elements (5) (7) is C, , C, □, approximately CX',C9I109□ All you have to do is choose.

また第3図は、上述の回路の実際の応答特性をシミュレ
ーションによって求めたもので、この回において曲線A
に示すような入力信号に対してカレントミラー回路のゲ
ートの接続点の電位変化は曲線Bに示すようになり、素
子(4) (7)の接続中点の電位変化は曲線Cに示す
ようになる。これに対して破線はそれぞれ従来の回路の
場合を示しており、図から明らかなように応答特性が高
速化されている。
Figure 3 shows the actual response characteristics of the circuit described above, obtained through simulation.
For the input signal shown in , the potential change at the connection point of the gate of the current mirror circuit is as shown in curve B, and the potential change at the connection midpoint of elements (4) and (7) is as shown in curve C. Become. On the other hand, the broken lines indicate the case of conventional circuits, and as is clear from the figure, the response characteristics are faster.

従って上述の回路によれば、例えばこの回路を液晶デイ
スプレィ装置に適用した場合に、この回路を液晶デイス
プレィパネルと共にオンチップ化して、外部からはTT
Lレベルの信号を供給して駆動を行うことが可能になる
。このため外部のドライブ回路等が不要になり、装置の
ローパワーローコスト化が可能になる。
Therefore, according to the above-mentioned circuit, when this circuit is applied to a liquid crystal display device, for example, this circuit is made on-chip together with the liquid crystal display panel, and the TT
It becomes possible to perform driving by supplying an L level signal. This eliminates the need for an external drive circuit, etc., making it possible to reduce the power and cost of the device.

さらに上述の高速化によって、例えばHDTV信号への
適用も可能になる。
Furthermore, the above-mentioned speed increase also enables application to, for example, HDTV signals.

また上述の回路によれば、N型素子(3) (4)のス
レショルド電圧の変動のマージンが大きくなり、回路の
高信顛性、高安定性が達成される。
Further, according to the above-mentioned circuit, the margin of fluctuation of the threshold voltage of the N-type elements (3) (4) is increased, and high reliability and high stability of the circuit are achieved.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

この発明によれば、反転極性の入力信号が容量成分を介
してカレントミラー回路のゲートの接続点に供給される
ので、この点の電位の変化が高速になり、出力信号の変
化を高速にして、良好なレベル変換を行うことができる
ようになった。
According to this invention, since an input signal of inverted polarity is supplied to the connection point of the gate of the current mirror circuit via the capacitive component, the potential at this point changes quickly, and the output signal changes quickly. , it is now possible to perform a good level conversion.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明によるレベル変換回路の一例の構成図、
第2図はその説明のためのタイミングチャート図、第3
図はシミュレーションによる波形図、第4図は従来のレ
ベル変換回路の構成図、第5図はその説明のためのタイ
ミングチャート図である。 (1)(2)は例えばTTLレベルの信号が互いに反転
の位相で供給される入力端子、(3)(4)はこれらの
入力端子(1)(2)からの信号がそれぞれ供給される
N型素子、(5)(7)はカレントミラー回路を構成す
るP型素子、(6)はTPTレベルの電源端子、(8)
はインバータを構成するP型素子、(9)はインバータ
を構成するN型素子、(10)は出力端子、(11)は
容量成分となるコンデンサである。 代 理 人 松 隈 秀 盛 第2図
FIG. 1 is a configuration diagram of an example of a level conversion circuit according to the present invention;
Figure 2 is a timing chart for explaining this, and Figure 3 is a timing chart diagram for explaining this.
FIG. 4 is a waveform diagram obtained by simulation, FIG. 4 is a configuration diagram of a conventional level conversion circuit, and FIG. 5 is a timing chart for explaining the same. (1) and (2) are input terminals to which, for example, TTL level signals are supplied with mutually inverted phases, and (3) and (4) are N terminals to which signals from these input terminals (1) and (2) are respectively supplied. (5) (7) is a P-type element that constitutes a current mirror circuit, (6) is a TPT level power supply terminal, (8)
(9) is a P-type element forming the inverter, (9) is an N-type element forming the inverter, (10) is an output terminal, and (11) is a capacitor serving as a capacitance component. Agent Hidemori Matsukuma Figure 2

Claims (1)

【特許請求の範囲】  第1の電圧レベルで変化され互いに位相の反転された
第1及び第2の入力信号を、それぞれ一の極性の第1及
び第2の素子のゲートに供給し、これらの第1及び第2
の素子の一端を他の極性の素子からなり第2の電圧レベ
ルが供給されるカレントミラー回路を介して互いに接続
し、 これらの接続点から上記第2の電圧レベルが供給される
インバータを介して出力信号を取り出すようにしたレベ
ル変換回路において、 上記カレントミラー回路の出力側の素子に接続される上
記第1又は第2の素子のゲートを、容量成分を介して上
記カレントミラー回路のゲートの接続点に接続するよう
にしたことを特徴とするレベル変換回路。
[Claims] First and second input signals, which are changed at a first voltage level and whose phases are inverted with respect to each other, are supplied to the gates of the first and second elements of one polarity, respectively; 1st and 2nd
One end of each element is connected to each other through a current mirror circuit which is made up of elements of other polarity and is supplied with a second voltage level, and through an inverter which is supplied with the second voltage level from these connection points. In a level conversion circuit configured to take out an output signal, the gate of the first or second element connected to the output side element of the current mirror circuit is connected to the gate of the current mirror circuit via a capacitive component. A level conversion circuit characterized in that it is connected to a point.
JP2150689A 1990-06-08 1990-06-08 Level conversion circuit Pending JPH0442612A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2150689A JPH0442612A (en) 1990-06-08 1990-06-08 Level conversion circuit

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JP2150689A JPH0442612A (en) 1990-06-08 1990-06-08 Level conversion circuit

Publications (1)

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ID=15502308

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Country Status (1)

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JP (1) JPH0442612A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5969542A (en) * 1997-05-21 1999-10-19 Advanced Micro Devices, Inc. High speed gate oxide protected level shifter

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5969542A (en) * 1997-05-21 1999-10-19 Advanced Micro Devices, Inc. High speed gate oxide protected level shifter

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