JPH04357895A - セラミック配線板の製造法 - Google Patents
セラミック配線板の製造法Info
- Publication number
- JPH04357895A JPH04357895A JP13250891A JP13250891A JPH04357895A JP H04357895 A JPH04357895 A JP H04357895A JP 13250891 A JP13250891 A JP 13250891A JP 13250891 A JP13250891 A JP 13250891A JP H04357895 A JPH04357895 A JP H04357895A
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- JP
- Japan
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- wiring board
- plating
- copper
- ceramic wiring
- conductor
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- Pending
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- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、セラミック配線板の製
造法に関し、特に表面層に銅パターン及び抵抗体を形成
する配線板の製造法に関するものである。
造法に関し、特に表面層に銅パターン及び抵抗体を形成
する配線板の製造法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年電子回路の高密度化の要求に応じ、
軽薄短小でかつ高信頼性のセラミック配線板が実用に供
されている。従来の抵抗付セラミック配線板は、印刷法
により銀、銀−パラジウム等のペーストを用いた貴金属
の導体回路及びルテニウム、カーボン等のペーストによ
る抵抗体を形成した後大気中で焼成されて製造される。 この製造法は厚膜方式のセラミック配線板として一般に
知られている。
軽薄短小でかつ高信頼性のセラミック配線板が実用に供
されている。従来の抵抗付セラミック配線板は、印刷法
により銀、銀−パラジウム等のペーストを用いた貴金属
の導体回路及びルテニウム、カーボン等のペーストによ
る抵抗体を形成した後大気中で焼成されて製造される。 この製造法は厚膜方式のセラミック配線板として一般に
知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記したセラミック配
線板を製造する場合、金、銀、白金等の貴金属層やニッ
ケル及び銅を用いた金属層の配線は、一般的に安価な印
刷方式による回路形成が主流である。しかし、この方法
では微細回路の形成が困難であると同時に貴金属層やニ
ッケル及び銅金属層のペースト材には、導体回路の接着
力を向上させるためにガラス成分が含まれており、導通
抵抗値が高くなり信頼性が低くなる等の欠点がある。ま
た、この厚膜回路には通常大気中で焼成されるルテニウ
ム系抵抗体が搭載される。しかしながらニッケル及び銅
金属系のペーストを用いた配線板やニッケルめっき及び
銅めっきによって得られた導体回路は、抵抗体の焼結に
おいて大気中で行うと回路が酸化し消失するため、現状
では抵抗変化率の高いカーボン系の抵抗体のみが使用可
能であり、信頼性が劣る等の問題がある。
線板を製造する場合、金、銀、白金等の貴金属層やニッ
ケル及び銅を用いた金属層の配線は、一般的に安価な印
刷方式による回路形成が主流である。しかし、この方法
では微細回路の形成が困難であると同時に貴金属層やニ
ッケル及び銅金属層のペースト材には、導体回路の接着
力を向上させるためにガラス成分が含まれており、導通
抵抗値が高くなり信頼性が低くなる等の欠点がある。ま
た、この厚膜回路には通常大気中で焼成されるルテニウ
ム系抵抗体が搭載される。しかしながらニッケル及び銅
金属系のペーストを用いた配線板やニッケルめっき及び
銅めっきによって得られた導体回路は、抵抗体の焼結に
おいて大気中で行うと回路が酸化し消失するため、現状
では抵抗変化率の高いカーボン系の抵抗体のみが使用可
能であり、信頼性が劣る等の問題がある。
【０００４】本発明は、上記した欠点のないセラミック
配線板の製造法を提供することを目的とするものである
。
配線板の製造法を提供することを目的とするものである
。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、セラミック基
板に硼素を含むニッケルめっきを施した後、銅めっき次
いでエッチングをして複数の導体回路を形成し、その後
該導体回路に前記硼素を含むニッケルめっき次いで貴金
属のめっきを施し、更に導体回路間に抵抗体を印刷によ
り配した後、大気中で焼成するセラミック配線板の製造
法に関する。
板に硼素を含むニッケルめっきを施した後、銅めっき次
いでエッチングをして複数の導体回路を形成し、その後
該導体回路に前記硼素を含むニッケルめっき次いで貴金
属のめっきを施し、更に導体回路間に抵抗体を印刷によ
り配した後、大気中で焼成するセラミック配線板の製造
法に関する。
【０００６】本発明は、導体回路を耐酸化性の優れた硼
素を含むニッケルめっき層及び貴金属のめっき層で被覆
し、大気中での焼成による酸化消失を防止しようとする
ものである。本発明においてセラミック基板はアルミナ
基板等の公知のものが用いられる。セラミック基板はア
ルカリ溶融等によりあらかじめ表面を粗化しておくこと
が好ましい。導体回路の形成、硼素を含むニッケルめっ
き、貴金属のめっき、抵抗体の印刷及び焼成は公知の方
法による。導体回路の銅被膜は抵抗を小さくするために
めっきにより形成する。導体回路のパターンは、微細回
路用のフォトリソ法を用いたアディティブ法で形成すれ
ば高密度配線が可能であり、パターン精度にも優れてい
るので好ましい。貴金属めっき層の種類は特に制限はな
い。抵抗体の種類も制限はない。焼成の温度は３００〜
７５０℃が好ましい。
素を含むニッケルめっき層及び貴金属のめっき層で被覆
し、大気中での焼成による酸化消失を防止しようとする
ものである。本発明においてセラミック基板はアルミナ
基板等の公知のものが用いられる。セラミック基板はア
ルカリ溶融等によりあらかじめ表面を粗化しておくこと
が好ましい。導体回路の形成、硼素を含むニッケルめっ
き、貴金属のめっき、抵抗体の印刷及び焼成は公知の方
法による。導体回路の銅被膜は抵抗を小さくするために
めっきにより形成する。導体回路のパターンは、微細回
路用のフォトリソ法を用いたアディティブ法で形成すれ
ば高密度配線が可能であり、パターン精度にも優れてい
るので好ましい。貴金属めっき層の種類は特に制限はな
い。抵抗体の種類も制限はない。焼成の温度は３００〜
７５０℃が好ましい。
【０００７】本発明の順序を図１により説明する。セラ
ミック基板１の表面を粗化した後、その全面にめっきに
よりＮｉ−硼素被膜２を形成し、更にめっきにより銅被
膜３を形成する。続いて銅被膜３の表面にフォトリソ層
を設けエッチングして導体回路を形成する。この後再度
めっきによりＮｉ−硼素被膜４更にその上に貴金属めっ
き層５を形成し、次いで導体回路間に印刷法により抵抗
体６を形成し、最後にこれを大気中で焼成してセラミッ
ク配線板を得るものである。
ミック基板１の表面を粗化した後、その全面にめっきに
よりＮｉ−硼素被膜２を形成し、更にめっきにより銅被
膜３を形成する。続いて銅被膜３の表面にフォトリソ層
を設けエッチングして導体回路を形成する。この後再度
めっきによりＮｉ−硼素被膜４更にその上に貴金属めっ
き層５を形成し、次いで導体回路間に印刷法により抵抗
体６を形成し、最後にこれを大気中で焼成してセラミッ
ク配線板を得るものである。
【０００８】
【実施例】以下本発明の実施例を説明する。
【０００９】実施例１
純度９６％、厚さ１．０ｍｍのアルミナ基板を３５０℃
のアルカリ溶融塩中に５分間浸漬してアルミナ基板の表
面全体を均一に粗化し、さらに１０重量％硫酸溶液で中
和後水洗した。その後パラジウム付与として活性液（ワ
ールドメタル社製、商品名ＡＴ−８０）に浸漬処理し、
次いで無電解Ｎｉ−Ｂ液（ワールドメタル社製、商品名
ニボロンＭ２）によりＮｉ−硼素被膜を２μｍの厚さに
形成したのち水洗した。このＮｉ−硼素めっき被膜の上
に無電解銅めっき液（日立化成工業ＫＫ製、商品名Ｌ−
５９）でめっきを行い、厚さ２０μｍの銅めっき層を形
成した。めっき後感光性レジストフィルム（日立化成工
業ＫＫ製、商品名フォティクＰＨＴ−８６２ＡＦ−２５
）を銅めっき層の全体に貼付し、更にその上面に得られ
る導体回路と同形状に透明な部分を形成したネガフィル
ムを貼付し、紫外線により露光を行い、炭酸ソーダ溶液
で現像した。その後、塩化銅によりエッチング処理し、
不必要な銅めっき層及びＮｉ−硼素めっき層を除去した
。次いで水酸化ナトリウムの５％溶液で感光性レジスト
フィルムを剥離した。その後これらの導体回路に先に使
用した無電解Ｎｉ−Ｂ液で２μｍの無電解Ｎｉ−硼素め
っき被膜、次いで金めっき液で金めっき被膜２μｍを施
し、水洗及び乾燥した。これにより耐酸化性のＮｉ−硼
素被膜により全面を被覆された銅導体回路を形成した配
線板を得た。次にこれらの配線板上にスクリーン印刷法
を用い導体回路間にルテニウム抵抗体（昭栄化学工業Ｋ
Ｋ製、商品名Ｒ−２０００シリーズ、Ｒ−２３１０）を
印刷し、大気中５５０℃で１０分間保持する焼成を行っ
て抵抗体を形成した。上記した製造法により得られるこ
れらのＮｉ−硼素と銅と金との被覆からなる導体回路を
有するセラミック配線板は導通抵抗の上昇や銅回路の酸
化消失もなく大気中で焼成温度５５０℃においても使用
可能であることが認められた。
のアルカリ溶融塩中に５分間浸漬してアルミナ基板の表
面全体を均一に粗化し、さらに１０重量％硫酸溶液で中
和後水洗した。その後パラジウム付与として活性液（ワ
ールドメタル社製、商品名ＡＴ−８０）に浸漬処理し、
次いで無電解Ｎｉ−Ｂ液（ワールドメタル社製、商品名
ニボロンＭ２）によりＮｉ−硼素被膜を２μｍの厚さに
形成したのち水洗した。このＮｉ−硼素めっき被膜の上
に無電解銅めっき液（日立化成工業ＫＫ製、商品名Ｌ−
５９）でめっきを行い、厚さ２０μｍの銅めっき層を形
成した。めっき後感光性レジストフィルム（日立化成工
業ＫＫ製、商品名フォティクＰＨＴ−８６２ＡＦ−２５
）を銅めっき層の全体に貼付し、更にその上面に得られ
る導体回路と同形状に透明な部分を形成したネガフィル
ムを貼付し、紫外線により露光を行い、炭酸ソーダ溶液
で現像した。その後、塩化銅によりエッチング処理し、
不必要な銅めっき層及びＮｉ−硼素めっき層を除去した
。次いで水酸化ナトリウムの５％溶液で感光性レジスト
フィルムを剥離した。その後これらの導体回路に先に使
用した無電解Ｎｉ−Ｂ液で２μｍの無電解Ｎｉ−硼素め
っき被膜、次いで金めっき液で金めっき被膜２μｍを施
し、水洗及び乾燥した。これにより耐酸化性のＮｉ−硼
素被膜により全面を被覆された銅導体回路を形成した配
線板を得た。次にこれらの配線板上にスクリーン印刷法
を用い導体回路間にルテニウム抵抗体（昭栄化学工業Ｋ
Ｋ製、商品名Ｒ−２０００シリーズ、Ｒ−２３１０）を
印刷し、大気中５５０℃で１０分間保持する焼成を行っ
て抵抗体を形成した。上記した製造法により得られるこ
れらのＮｉ−硼素と銅と金との被覆からなる導体回路を
有するセラミック配線板は導通抵抗の上昇や銅回路の酸
化消失もなく大気中で焼成温度５５０℃においても使用
可能であることが認められた。
【００１０】実施例２
実施例１と同様にアルミナ基板を粗化し無電解Ｎｉ−硼
素めっき被膜を２μｍ形成後、電気銅めっき（日本エレ
クトロプレイティングエンジニヤーズ製、商品名キュー
バスＥＦ）により銅被膜２０μｍを施し、実施例１と同
様にフォトリソ及びエッチング処理を行い、この上に各
２μｍのＮｉ−硼素めっき及び金めっき被膜を施して導
体回路を有する配線板を得た。更にこれらの導体パター
ン間に印刷法により抵抗体（住友金属鉱山ＫＫ製、商品
名Ｒ−Ｈシリーズ、Ｒ−１３１）を形成し６５０℃、１
０分間の大気中焼成を行った。得られたセラミック配線
板は、実施例１と同様に６５０℃においてもなんら問題
はみとめられなかった。
素めっき被膜を２μｍ形成後、電気銅めっき（日本エレ
クトロプレイティングエンジニヤーズ製、商品名キュー
バスＥＦ）により銅被膜２０μｍを施し、実施例１と同
様にフォトリソ及びエッチング処理を行い、この上に各
２μｍのＮｉ−硼素めっき及び金めっき被膜を施して導
体回路を有する配線板を得た。更にこれらの導体パター
ン間に印刷法により抵抗体（住友金属鉱山ＫＫ製、商品
名Ｒ−Ｈシリーズ、Ｒ−１３１）を形成し６５０℃、１
０分間の大気中焼成を行った。得られたセラミック配線
板は、実施例１と同様に６５０℃においてもなんら問題
はみとめられなかった。
【００１１】比較例１
実施例と同様にアルミナ基板を粗化した。ついでこれら
の基板表面にパラジウムを付与するためのキャタリスト
処理（日立化成工業ＫＫ製、商品名ＨＳ−１０１Ｂ）を
施し、実施例１と同様に無電解めっきにより２０μｍの
銅めっき層を得た。次いで実施例１と同様にフォトリソ
法を用いたアディティブ法によりアルミナ基板の表面に
銅金属からなる導体回路を有する配線板を得た。その後
実施例１と同様に抵抗体印刷、次いで大気中焼成を行っ
てセラミック配線板を得た。しかしながら、この銅めっ
き層からなる導体回路は５５０℃の大気中焼成において
酸化により消失した。
の基板表面にパラジウムを付与するためのキャタリスト
処理（日立化成工業ＫＫ製、商品名ＨＳ−１０１Ｂ）を
施し、実施例１と同様に無電解めっきにより２０μｍの
銅めっき層を得た。次いで実施例１と同様にフォトリソ
法を用いたアディティブ法によりアルミナ基板の表面に
銅金属からなる導体回路を有する配線板を得た。その後
実施例１と同様に抵抗体印刷、次いで大気中焼成を行っ
てセラミック配線板を得た。しかしながら、この銅めっ
き層からなる導体回路は５５０℃の大気中焼成において
酸化により消失した。
【００１２】
【発明の効果】本発明によれば、銅の導体回路をＮｉ−
硼素及び貴金属の層で被覆したので、焼成の際の導体回
路の酸化消失を防止でき、従来不可能であった大気中焼
成が可能になる。また銅の被膜がめっき法で形成される
ために、銅の純度が高く導体回路の抵抗を低くでき、加
えて微細回路の形成が可能になる利点がある。
硼素及び貴金属の層で被覆したので、焼成の際の導体回
路の酸化消失を防止でき、従来不可能であった大気中焼
成が可能になる。また銅の被膜がめっき法で形成される
ために、銅の純度が高く導体回路の抵抗を低くでき、加
えて微細回路の形成が可能になる利点がある。
【図１】本発明の製造法の順序を示す図である。
１ セラミック基板
２ Ｎｉ−硼素被膜 ３ 銅被膜
４ Ｎｉ−硼素被膜
２ Ｎｉ−硼素被膜 ３ 銅被膜
４ Ｎｉ−硼素被膜
Claims (1)
- 【請求項１】 セラミック基板に硼素を含むニッケル
めっきを施した後、銅めっき次いでエッチングをして複
数の導体回路を形成し、その後該導体回路に前記硼素を
含むニッケルめっき次いで貴金属のめっきを施し、更に
導体回路間に抵抗体を印刷により配した後、大気中で焼
成することを特徴とするセラミック配線板の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13250891A JPH04357895A (ja) | 1991-06-04 | 1991-06-04 | セラミック配線板の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13250891A JPH04357895A (ja) | 1991-06-04 | 1991-06-04 | セラミック配線板の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04357895A true JPH04357895A (ja) | 1992-12-10 |
Family
ID=15082995
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13250891A Pending JPH04357895A (ja) | 1991-06-04 | 1991-06-04 | セラミック配線板の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04357895A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005083735A3 (en) * | 2004-02-27 | 2005-10-20 | E2V Tech Uk Ltd | Electron beam tubes |
-
1991
- 1991-06-04 JP JP13250891A patent/JPH04357895A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005083735A3 (en) * | 2004-02-27 | 2005-10-20 | E2V Tech Uk Ltd | Electron beam tubes |
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