JPH04326332A - 光導波路デバイス - Google Patents
光導波路デバイスInfo
- Publication number
- JPH04326332A JPH04326332A JP9733491A JP9733491A JPH04326332A JP H04326332 A JPH04326332 A JP H04326332A JP 9733491 A JP9733491 A JP 9733491A JP 9733491 A JP9733491 A JP 9733491A JP H04326332 A JPH04326332 A JP H04326332A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrodes
- optical waveguide
- substrate
- ground electrode
- electric field
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
- G02F1/31—Digital deflection, i.e. optical switching
- G02F1/313—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure
- G02F1/3132—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure of directional coupler type
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Optics & Photonics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は光導波路デバイスに係わ
り、特に強誘電体の電気光学効果を利用した方向性結合
器型光導波路スイッチに関する。
り、特に強誘電体の電気光学効果を利用した方向性結合
器型光導波路スイッチに関する。
【0002】
【従来の技術】図3は従来の光導波路デバイスの一種で
ある方向性結合器型光導波路スイッチを示す図である。 本光導波路スイッチにおいては、基板1としてニオブ酸
リチウム(Li Nb O3 )が用いられており、基
板1には2本の平行な光導波路2、3が形成されている
。この光導波路2、3のうち方向性結合部の近接する部
分には、バッファ層4を介して2本の平行な電極5、6
が配置されている。すなわち、この2本の平行な電極5
、6は方向性結合部の近接する2本の光導波路2、3に
基板1に垂直な電界を印加する手段として配設されてい
る。 この2本の平行な電極5、6に電界を印加することによ
り、方向性結合器型光スイッチの、例えば入口ポート(
図示せず)から出力される光の出力ポートを切り替える
ことができるようになっている。
ある方向性結合器型光導波路スイッチを示す図である。 本光導波路スイッチにおいては、基板1としてニオブ酸
リチウム(Li Nb O3 )が用いられており、基
板1には2本の平行な光導波路2、3が形成されている
。この光導波路2、3のうち方向性結合部の近接する部
分には、バッファ層4を介して2本の平行な電極5、6
が配置されている。すなわち、この2本の平行な電極5
、6は方向性結合部の近接する2本の光導波路2、3に
基板1に垂直な電界を印加する手段として配設されてい
る。 この2本の平行な電極5、6に電界を印加することによ
り、方向性結合器型光スイッチの、例えば入口ポート(
図示せず)から出力される光の出力ポートを切り替える
ことができるようになっている。
【0003】また、バッファ層4は光の導電体吸収を防
ぐために設けられるもので、さらに、2本の平行な電極
5、6は、この電極5、6近傍に誘起される電荷を放電
させるために高抵抗膜7で覆われた構成となっている。
ぐために設けられるもので、さらに、2本の平行な電極
5、6は、この電極5、6近傍に誘起される電荷を放電
させるために高抵抗膜7で覆われた構成となっている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
光導波路スイッチの電極構成では、2本の平行な電極5
、6間に所望の動作電圧が直接印加される構造のため、
電界8が高く、しかも電界8が広範囲におよぶことにな
る。したがって、この電界8によって誘起される基板1
とバッファ層4界面の電荷、バッファ層4内の電荷およ
び基板1内の局部電荷や自発分極等によって、強誘電体
特有の動作電圧のドリフト(電圧が設定値から次第に変
化していくこと)が生ずるという問題があった。
光導波路スイッチの電極構成では、2本の平行な電極5
、6間に所望の動作電圧が直接印加される構造のため、
電界8が高く、しかも電界8が広範囲におよぶことにな
る。したがって、この電界8によって誘起される基板1
とバッファ層4界面の電荷、バッファ層4内の電荷およ
び基板1内の局部電荷や自発分極等によって、強誘電体
特有の動作電圧のドリフト(電圧が設定値から次第に変
化していくこと)が生ずるという問題があった。
【0005】本発明の目的は上述した問題に鑑みなされ
たもので、印加電界によって生ずる電荷に起因する動作
電圧のドリフトを低減することのできる光導波路デバイ
スを提供するにある。
たもので、印加電界によって生ずる電荷に起因する動作
電圧のドリフトを低減することのできる光導波路デバイ
スを提供するにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明は、
方向性結合部の2本の近接する光導波路に、基板に垂直
な電界を印加する平行な2本の電極を備えた光導波路デ
バイスにおいて、この2本の電極の間にグランド電極を
配置した構成としたものである。
方向性結合部の2本の近接する光導波路に、基板に垂直
な電界を印加する平行な2本の電極を備えた光導波路デ
バイスにおいて、この2本の電極の間にグランド電極を
配置した構成としたものである。
【0007】請求項2記載の発明は、2本の電極と基板
との間にバッファ層を介装した構成としたものである。
との間にバッファ層を介装した構成としたものである。
【0008】請求項3記載の発明は、2本の電極とグラ
ンド電極が有機質の高抵抗膜で被覆された構成としたも
のである。
ンド電極が有機質の高抵抗膜で被覆された構成としたも
のである。
【0009】
【作用】このように本発明によれば、電圧印加用の2本
の平行な電極の間にグランド電極を設けることにより、
外部印加電圧を正と負に2分割でき、印加電圧によって
生ずるバッファ層および基板とバッファ層界面に生ずる
誘起電荷を低減できる。これによって、電圧印加によっ
て生ずる不要電荷に起因する動作電圧のドリフトを低減
させることが可能となる。
の平行な電極の間にグランド電極を設けることにより、
外部印加電圧を正と負に2分割でき、印加電圧によって
生ずるバッファ層および基板とバッファ層界面に生ずる
誘起電荷を低減できる。これによって、電圧印加によっ
て生ずる不要電荷に起因する動作電圧のドリフトを低減
させることが可能となる。
【0010】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【0011】図1は本発明に係わる光導波路デバイスの
一実施例である光導波路スイッチの斜視図、図2は同光
導波路スイッチの断面図である。電気光学効果を有する
強誘電体結晶から成る基板10には2本の平行な光導波
路11、12が形成されている。本実施例にあっては、
基板10としてニオブ酸リチウム(Li Nb O3
)が用いられており、このLi Nb O3 基板10
にチタン(Ti)を熱拡散して光導波路11、12を形
成している。 この2本の光導波路11、12のうち近接した部分の上
部には2本の平行な電極13、14が配設されており、
この電極13、14を介して基板10に垂直な電界15
を印加させるよう構成されている。この2本の平行な電
極13、14の中間位置にはグランド電極16が配置さ
れており、このグランド電極16によって電界15は図
2に示すごとく2つ(15A、15B)に分割されるこ
とになる。
一実施例である光導波路スイッチの斜視図、図2は同光
導波路スイッチの断面図である。電気光学効果を有する
強誘電体結晶から成る基板10には2本の平行な光導波
路11、12が形成されている。本実施例にあっては、
基板10としてニオブ酸リチウム(Li Nb O3
)が用いられており、このLi Nb O3 基板10
にチタン(Ti)を熱拡散して光導波路11、12を形
成している。 この2本の光導波路11、12のうち近接した部分の上
部には2本の平行な電極13、14が配設されており、
この電極13、14を介して基板10に垂直な電界15
を印加させるよう構成されている。この2本の平行な電
極13、14の中間位置にはグランド電極16が配置さ
れており、このグランド電極16によって電界15は図
2に示すごとく2つ(15A、15B)に分割されるこ
とになる。
【0012】また、基板10と、電極13、14および
グランド電極16との間には、光の導電体吸収を防ぐた
めにバッファ層17が介装配置されており、かつ電極1
3、14およびグランド電極16は誘起質の高抵抗膜1
8で被覆された構成となっている。なお、図1において
は高抵抗膜18は省略してある。また、本実施例ではバ
ッファ層17として二酸化ケイ素(Si O2 )を用
いている。
グランド電極16との間には、光の導電体吸収を防ぐた
めにバッファ層17が介装配置されており、かつ電極1
3、14およびグランド電極16は誘起質の高抵抗膜1
8で被覆された構成となっている。なお、図1において
は高抵抗膜18は省略してある。また、本実施例ではバ
ッファ層17として二酸化ケイ素(Si O2 )を用
いている。
【0013】以上のように構成された光導波路スイッチ
においては、例えば、図1に示す第1の入力ポート19
から入力した光は、電界15を印加しない状態において
は第1の出力ポート20から出力されるが、電界15を
印加することによって、第1の入力ポート19から入力
した光は第2の出力ポート21から出力されることにな
る。この場合、2本の平行な電極13、14との間にグ
ランド電極16を設けることによって、外部印加電圧は
グランド電極16を設けない場合をO〜VO (V)と
したとき±V/2となる。このように、印加電圧を半減
できるため、駆動用回路も簡略化できるという利点を有
する。
においては、例えば、図1に示す第1の入力ポート19
から入力した光は、電界15を印加しない状態において
は第1の出力ポート20から出力されるが、電界15を
印加することによって、第1の入力ポート19から入力
した光は第2の出力ポート21から出力されることにな
る。この場合、2本の平行な電極13、14との間にグ
ランド電極16を設けることによって、外部印加電圧は
グランド電極16を設けない場合をO〜VO (V)と
したとき±V/2となる。このように、印加電圧を半減
できるため、駆動用回路も簡略化できるという利点を有
する。
【0014】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係わる光導
波路デバイスによれば、基板に垂直な電界を印加する平
行な2本の電極の間にグランド電極を設けた構成とした
ことにより、外部印加電圧を正と負に2分割でき、印加
電圧によって生ずるバッファ層および基板とバッファ層
界面に生ずる誘起電界を低減することが可能となる。こ
のため、従来に比べて電圧印加によって生ずる不要電荷
に起因する動作電圧のドリフトを大幅に低減できるとい
う優れた効果を奏する。
波路デバイスによれば、基板に垂直な電界を印加する平
行な2本の電極の間にグランド電極を設けた構成とした
ことにより、外部印加電圧を正と負に2分割でき、印加
電圧によって生ずるバッファ層および基板とバッファ層
界面に生ずる誘起電界を低減することが可能となる。こ
のため、従来に比べて電圧印加によって生ずる不要電荷
に起因する動作電圧のドリフトを大幅に低減できるとい
う優れた効果を奏する。
【図1】本発明に係わる光導波路デバイスの一実施例で
ある光導波路スイッチの斜視図である。
ある光導波路スイッチの斜視図である。
【図2】同光導波路スイッチの断面図である。
【図3】従来の光導波路スイッチの一例を示す断面図で
ある。
ある。
10 基板
11 光導波路
12 光導波路
13 電極
14 電極
15 電界
16 グランド電極
17 バッファ層
18 高抵抗膜
Claims (3)
- 【請求項1】 方向性結合部の2本の近接する光導波
路に、基板に垂直な電界を印加する平行な2本の電極を
備えた光導波路デバイスにおいて、この2本の電極の間
にグランド電極を配置したことを特徴とする光導波路デ
バイス。 - 【請求項2】 2本の電極と基板との間にはバッファ
層が介装されていることを特徴とする請求項1記載の光
導波路デバイス。 - 【請求項3】 2本の電極とグランド電極は有機質の
高抵抗膜で被覆されて成ることを特徴とする請求項1記
載の光導波路デバイス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9733491A JPH04326332A (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | 光導波路デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9733491A JPH04326332A (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | 光導波路デバイス |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04326332A true JPH04326332A (ja) | 1992-11-16 |
Family
ID=14189589
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9733491A Pending JPH04326332A (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | 光導波路デバイス |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04326332A (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57161837A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-05 | Nec Corp | Optical switching method |
JPH0383024A (ja) * | 1989-08-28 | 1991-04-09 | Nec Corp | 光制御デバイス |
-
1991
- 1991-04-26 JP JP9733491A patent/JPH04326332A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57161837A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-05 | Nec Corp | Optical switching method |
JPH0383024A (ja) * | 1989-08-28 | 1991-04-09 | Nec Corp | 光制御デバイス |
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