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JPH04312998A - Polyimide multilayer wiring board and manufacture thereof - Google Patents

Polyimide multilayer wiring board and manufacture thereof

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Publication number
JPH04312998A
JPH04312998A JP1170491A JP1170491A JPH04312998A JP H04312998 A JPH04312998 A JP H04312998A JP 1170491 A JP1170491 A JP 1170491A JP 1170491 A JP1170491 A JP 1170491A JP H04312998 A JPH04312998 A JP H04312998A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polyimide
multilayer wiring
block
wiring board
layer
Prior art date
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Granted
Application number
JP1170491A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2616588B2 (en
Inventor
Koji Kanehara
金原 広治
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Priority to CA002059020A priority patent/CA2059020C/en
Priority to US07/818,529 priority patent/US5321210A/en
Priority to DE69223657T priority patent/DE69223657T2/en
Priority to EP92100269A priority patent/EP0494668B1/en
Publication of JPH04312998A publication Critical patent/JPH04312998A/en
Priority to US08/070,923 priority patent/US5426849A/en
Application granted granted Critical
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    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/153Connection portion
    • H01L2924/1531Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15312Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a pin array, e.g. PGA

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  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Abstract

PURPOSE:To contrive a significant shortening in the number of days of manufacture, an increase in the density of wirings and the improvement of the yield of the manufacture of a polyimide multilayer wiring board. CONSTITUTION:A multilayer wiring board is formed into a laminated structure, wherein the laminated material of a plurality of wiring layers is used as one block 1 or 12 and a plurality of these blocks are laminated. Bumps 10 and solder pools 27 are provided on the surface of each block. The blocks are bonded to each other with polyimides 4 and 26 having the transition point of a glass, a molten bonding agent or a molten and hardening bonding agent. The electrical connection of the block 1 with the block 12 is made by bonding of the bumps 10 to the pools 27.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】0001

【産業上の利用分野】本発明は、セラミック基板または
硬質有機樹脂基板上に層間絶縁としてポリイミド樹脂を
採用した多層配線層を有するポリイミド多層配線基板の
構造および製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to the structure and manufacturing method of a polyimide multilayer wiring board having multilayer wiring layers employing polyimide resin as interlayer insulation on a ceramic substrate or a hard organic resin substrate.

【0002】0002

【従来の技術】LSIチップを搭載する配線基板として
、従来から多層プリント配線基板が使用されてきた。 多層プリント配線基板は、銅張り積層板をコア材に、プ
リプレグをコア材の接着剤として構成され、コア材とプ
リプレグを交互に積層し熱プレスを使用して一体化する
。積層板間の電気的的接続はコア材とプリプレグを一体
化した後、ドリルによって貫通スルーホールを形成し、
貫通スルーホール内壁を銅メッキすることによって行わ
れる。また、近年、多層プリント配線基板より高配線密
度を要求されている大型コンピュータ用配線基板に、セ
ラミック基板上にポリイミド樹脂を層間絶縁に使用した
多層配線基板が使用されてきている。このポリイミド・
セラミック多層配線基板は、セラミック基板上にポリイ
ミド前駆体ワニスを塗布、乾燥し、この塗布膜にヴァイ
ホールを形成するポリイミド樹脂絶縁層形成工程と、フ
ォトリソグラフィー、真空蒸着およびメッキ法を使用し
た配線層形成工程とからなり、かつ、この一連の工程を
繰り返すことにより、ポリイミド多層配線層の形成を行
っていた。また、上述したポリイミド・セラミック多層
配線基板の形成方法とは別にポリイミドシート上に配線
パターンを形成し、そのシートをセラミック基板上に位
置合わせを行って順次、加圧積層を行い多層配線基板の
形成を行う方法もある。この方法は、信号層をシート単
位で形成するため、欠陥のないシートを選別して積層す
る事が可能となり、上述した逐次積層方法よりも製造歩
留をあげることができる。
2. Description of the Related Art Multilayer printed wiring boards have conventionally been used as wiring boards on which LSI chips are mounted. A multilayer printed wiring board is composed of a copper-clad laminate as a core material and prepreg as an adhesive for the core material, and the core material and prepreg are alternately laminated and integrated using a hot press. Electrical connections between the laminates are made by forming through-holes with a drill after integrating the core material and prepreg.
This is done by copper plating the inner wall of the through-hole. Furthermore, in recent years, multilayer wiring boards in which polyimide resin is used for interlayer insulation on a ceramic substrate have been used as wiring boards for large computers, which require higher wiring density than multilayer printed wiring boards. This polyimide
Ceramic multilayer wiring boards are manufactured using a polyimide resin insulating layer formation process in which a polyimide precursor varnish is coated on a ceramic substrate, dried, and via holes are formed in this coating film, and a wiring layer is formed using photolithography, vacuum evaporation, and plating methods. A polyimide multilayer wiring layer is formed by repeating this series of steps. In addition to the method for forming a polyimide ceramic multilayer wiring board described above, a wiring pattern is formed on a polyimide sheet, and the sheet is aligned on a ceramic substrate and laminated under pressure in order to form a multilayer wiring board. There is also a way to do this. In this method, since the signal layer is formed on a sheet-by-sheet basis, it is possible to select and stack sheets without defects, and the manufacturing yield can be increased compared to the above-described sequential stacking method.

【0003】0003

【発明が解決しようとする課題】上述した多層プリント
配線基板は、積層板間の電気的接続をドリル加工で形成
した貫通スルーホールで行うため、微細な貫通スルーホ
ールの形成は不可能であり、このためスルーホール間に
形成できる配線本数が限られてくる。また、一つの積層
板間の接続に一つの貫通スルーホールが必要となり、積
層数が増えるほど信号配線収容性が低下し、高配線密度
の多層プリント配線基板を形成する事が困難になってく
るという欠点がある。また、上述した従来の多層プリン
ト配線基板の欠点を補うために、最近開発されたポリイ
ミド・セラミック多層配線基板は、ポリイミド絶縁層の
積層数と同じ回数だけ、セラミック基板上にポリイミド
前駆体ワニスの塗布、乾燥、ヴァイホールの形成、およ
びキュアの各工程を繰り返し行う必要がある。このため
、多層配線基板の積層工程に非常に時間がかかる。また
、ポリイミド樹脂に多数回にわたるキュア工程の熱スト
レスが加わり、このためにポリイミド樹脂が劣化してい
くという欠点がある。さらにこのポリイミド多層配線層
は逐次積層方式であるため製造歩留の向上が困難である
。また、製造歩留を向上させる方法として開発されたシ
ート単位の積層方式も、1層ずつ順次加圧積層を行うた
め、高多層になるほど下層部分のポリイミド樹脂間スト
レスが加わりポリイミド樹脂の劣化が起きること、およ
び基板製作日数が長いという欠点は改善されていない。 本発明は上述した点に鑑みなされたものであり、その目
的は高配線密度でかつ製造歩留の向上および製造日数の
短縮を図ったポリイミド多層配線基板を提供する。
[Problems to be Solved by the Invention] In the above-mentioned multilayer printed wiring board, electrical connections between the laminated boards are made by through-holes formed by drilling, so it is impossible to form fine through-holes. Therefore, the number of wiring lines that can be formed between through holes is limited. In addition, one through hole is required for connection between one laminated board, and as the number of laminated boards increases, signal wiring capacity decreases, making it difficult to form a multilayer printed wiring board with high wiring density. There is a drawback. In addition, in order to compensate for the drawbacks of the conventional multilayer printed wiring boards mentioned above, the recently developed polyimide ceramic multilayer wiring boards are made by coating polyimide precursor varnish on the ceramic board the same number of times as the number of laminated polyimide insulating layers. It is necessary to repeat the steps of , drying, forming viaholes, and curing. Therefore, the lamination process of the multilayer wiring board takes a very long time. Furthermore, there is a drawback that the polyimide resin is subjected to heat stress during the curing process that is repeated many times, which causes the polyimide resin to deteriorate. Furthermore, since this polyimide multilayer wiring layer is formed by a sequential lamination method, it is difficult to improve the manufacturing yield. In addition, the sheet-by-sheet lamination method, which was developed as a method to improve manufacturing yield, involves pressurizing and laminating one layer at a time, so the higher the number of layers, the greater the stress between the polyimide resins in the lower layer, which causes deterioration of the polyimide resin. The shortcomings of this and the long time it takes to manufacture the board have not been improved. The present invention has been made in view of the above-mentioned points, and its purpose is to provide a polyimide multilayer wiring board that has high wiring density, improves manufacturing yield, and shortens manufacturing days.

【0004】0004

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明に係るポリイミド多層配線基板は複数の配線
層の積層体を一つのブロックとしてこのブロックを複数
個積層した積層構造とし、各ブロック間の電気的接続を
各ブロックの積層体の表面上に形成された金属バンプと
、半田プールとの鑞着により行うようにしたものであり
、その製造方法として、各ブロック間の接合面の少なく
ともどちらか一方にガラス転移点を有するポリイミド樹
脂を使用し、各ブロックの接合をポリイミド樹脂の自己
接着性で接着するとともに、金属バンプと半田プールと
を鑞着して積層体間を電気的に接続したものであり、ま
た別の製造方法として、各ブロック間の接合面に溶融硬
化型または溶融型接着剤を使用し、各ブロックの接合を
この溶融硬化型接着剤または溶融型接着剤で接着すると
ともに、金属バンプと半田プールとを鑞着して積層体間
を電気的に接続したものである。
[Means for Solving the Problems] In order to achieve this object, the polyimide multilayer wiring board according to the present invention has a laminate structure in which a laminate of a plurality of wiring layers is stacked as one block, and a plurality of blocks are stacked. Electrical connections between blocks are made by soldering metal bumps formed on the surface of the stacked body of each block and solder pools. A polyimide resin having a glass transition point is used for at least one of the blocks, and each block is bonded with the self-adhesive properties of the polyimide resin, and the metal bumps and solder pools are soldered to electrically connect the laminate. Another manufacturing method is to use a melt-curing or molten adhesive on the joint surfaces between each block, and bonding the joints of each block with this melt-curing or molten adhesive. At the same time, the metal bumps and solder pools are soldered to electrically connect the stacked bodies.

【0005】[0005]

【作用】本発明に係るポリイミド多層配線基板において
は、複数の配線層の積層体を一つのブロックとしこのブ
ロックを複数個積層した積層構造としたので、各ブロッ
クを並行して製造できると同時に各ブロック単位の製造
精度は向上し、また各ブロック間の電気的接続は金属バ
ンプと、半田プールとの鑞着で行うようにしたものであ
り、酸化や腐食が起こりにくい。また、各ブロック間の
接合をガラス転移点を有するポリイミド樹脂の自己接着
性で、あるいは溶融硬化型接着剤または溶融型接着剤で
行うものであり、一定の加圧・加熱条件を与える事によ
り、接着が行える。
[Function] The polyimide multilayer wiring board according to the present invention has a laminated structure in which a laminate of a plurality of wiring layers is made into one block and a plurality of these blocks are laminated, so that each block can be manufactured in parallel and at the same time each The manufacturing precision of each block has been improved, and the electrical connection between each block is made by soldering between metal bumps and solder pools, making it difficult for oxidation and corrosion to occur. In addition, each block is bonded by self-adhesive polyimide resin with a glass transition point, or by a melt-curing adhesive or a melt-melting adhesive, and by applying certain pressure and heating conditions, Can be glued.

【0006】[0006]

【実施例】以下、図面にもとずき本発明を詳細に説明す
る。図1は本発明の第1の実施例で、ポリイミド多層配
線基板の構造を示す断面図である。同図において、ポリ
イミド多層配線基板の基本仕様としては、配線層間絶縁
厚20μm、信号線幅25μm、信号線膜幅7μmであ
り、ポリイミド樹脂にはガラス点を有するポリイミドを
、配線金属には金をそれぞれ使用している。ポリイミド
多層配線層の第1のブロック1は接地および接続配線層
3、1組の信号配線層7、8および金のバンプ10とか
らなる。ポリイミド多層配線層の第2のブロック12は
入出力ピン14を裏面に設け内部に配線層を有するセラ
ミック基板15上に配設された1組の接地および接続配
線層16、24、1組の信号配線層19、20および半
田プール27とからなる。セラミック基板15はモリブ
デン金属の同時焼成アルミナセラミック基板からなる。 また、信号配線層7、8、19および20はインピーダ
ンスの調整およびクロストークノイズの低減を行ってい
る。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be explained in detail below with reference to the drawings. FIG. 1 is a cross-sectional view showing the structure of a polyimide multilayer wiring board according to a first embodiment of the present invention. In the same figure, the basic specifications of the polyimide multilayer wiring board are: wiring interlayer insulation thickness of 20 μm, signal line width of 25 μm, and signal line film width of 7 μm; the polyimide resin is made of polyimide with glass dots, and the wiring metal is made of gold. Each is used. A first block 1 of polyimide multilayer wiring layers consists of a ground and connection wiring layer 3, a set of signal wiring layers 7, 8 and gold bumps 10. The second block 12 of the polyimide multilayer wiring layer has input/output pins 14 on the back side, a set of ground and connection wiring layers 16, 24, and a set of signal layers disposed on a ceramic substrate 15 having a wiring layer inside. It consists of wiring layers 19 and 20 and a solder pool 27. The ceramic substrate 15 consists of a co-fired alumina ceramic substrate of molybdenum metal. Furthermore, the signal wiring layers 7, 8, 19, and 20 adjust impedance and reduce crosstalk noise.

【0007】本実施例では4個のブロックから構成され
、各ブロックは完成時点で電気検査を行い良品ブロック
が選別され、次工程のブロック間接続工程に進む。各ブ
ロック間の接続は各ブロックの最上層のガラス転移点を
有するポリイミド4、26で接着されている。そして、
各ブロックの電気的な接続はニッケルメッキ上に金メッ
キを行ったニッケル・金バンプ10と金錫半田プール2
7との鑞着でおこなっている。本実施例においては、半
田プールのサイズが、50〜500μm角、深さ10〜
100μm、ニッケル・金バンプのサイズは25〜30
0μm角、10〜50μmの厚みで形成されている。そ
して、最上層にはLSIを搭載するためのLSI接続用
パッド33が形成されている。
The present embodiment is composed of four blocks, and each block is electrically inspected upon completion to select good blocks and proceed to the next step of connecting blocks. Connections between each block are bonded by polyimide 4, 26 having a glass transition temperature on the top layer of each block. and,
The electrical connections for each block are nickel/gold bumps 10 and gold/tin solder pools 2, which are made of gold plating on nickel plating.
This is done by brazing with 7. In this example, the size of the solder pool is 50 to 500 μm square and 10 to 500 μm deep.
100 μm, nickel/gold bump size is 25-30
It is formed with a square size of 0 μm and a thickness of 10 to 50 μm. Further, an LSI connection pad 33 for mounting an LSI is formed on the top layer.

【0008】図2は本発明の第2の実施例を示すもので
あり、上述した第1の実施例ではセラミック基板15上
にポリイミド多層配線層を形成したが、本実施例におい
ては、セラミック基板15の代わりに硬質有機樹脂基板
、例えば、ポリイミド樹脂の成形基板40を使用してい
る。この場合の入出力ピン41は、ポリイミド樹脂の成
形基板40に貫通スルーホールを形成し打ち込んでいる
。このポリイミド樹脂の成形基板40を使用したポリイ
ミド多層配線基板は、土台となるポリイミド樹脂成形基
板40と配線層を有するポリイミド多層配線層の熱膨張
係数を正確に合わせることが可能であり、特に大面積高
積層配線基板の製造に適している。
FIG. 2 shows a second embodiment of the present invention. In the first embodiment described above, a polyimide multilayer wiring layer was formed on the ceramic substrate 15, but in this embodiment, the ceramic substrate 15, a hard organic resin substrate, for example, a molded substrate 40 of polyimide resin is used. The input/output pins 41 in this case are driven into a molded substrate 40 made of polyimide resin by forming through holes therein. The polyimide multilayer wiring board using this polyimide resin molded board 40 can accurately match the thermal expansion coefficients of the polyimide resin molded board 40 serving as the base and the polyimide multilayer wiring layer having the wiring layer, and is particularly suitable for large areas. Suitable for manufacturing highly laminated wiring boards.

【0009】図3は図1に示したポリイミド多層配線基
板の製造工程を示す図である。同図において、まず、ポ
リイミド多層配線層の第1のブロック1の形成方法を工
程(a)から工程(e)にしたがって説明する。工程(
a)において、アルミニウムの平坦な板(以下アルミニ
ウム平板と称する)2上にフォトレジストを用いたフォ
トリソグラフィでパターン化し、電解金メッキを行い接
地および接続配線層3を形成する。工程(b)において
、感光性ポリイミドワニス4をアルミニウム平板2上に
塗布し、露光・現像を行い所定の位置にヴィアホール5
を形成し、キュアを行う。
FIG. 3 is a diagram showing the manufacturing process of the polyimide multilayer wiring board shown in FIG. 1. In the same figure, first, a method for forming a first block 1 of a polyimide multilayer wiring layer will be explained according to steps (a) to (e). Process (
In a), a flat aluminum plate (hereinafter referred to as an aluminum flat plate) 2 is patterned by photolithography using a photoresist, and electrolytically gold plated to form a grounding and connection wiring layer 3. In step (b), a photosensitive polyimide varnish 4 is applied onto the aluminum flat plate 2, exposed and developed to form via holes 5 at predetermined positions.
form and cure.

【0010】工程(c)において、一組の信号配線層6
、7を層間絶縁に感光性ポリイミド8を使用して形成す
る。形成方法は工程(a)で接地および接続層を形成し
た方法で信号配線層6、7を形成し、工程(b)で絶縁
層を形成した方法で信号層間絶縁層8を形成する。工程
(d)において、第2信号配線層7上にポリイミドワニ
ス4を塗布し、露光・現像を行い所定の位置にヴィアホ
ール9を形成し、キュアを行う。工程(e)において、
工程(d)で必要総数を形成した多層配線層の最上層に
、工程(f)以降で形成する多層配線層と電気的接続を
行う位置に接続用バンプ10を形成する。バンプ10は
フォトレジストを使用したフォトリソグラフィーでパタ
ーン化し、電解ニッケルメッキおよび電解金メッキで形
成する。ニッケルメッキは後述する金錫半田の金配線層
への拡散防止層である。各々のメッキ厚はニッケル10
μm、金3μmである。
In step (c), a set of signal wiring layers 6
, 7 are formed using photosensitive polyimide 8 for interlayer insulation. The signal wiring layers 6 and 7 are formed by the method used to form the grounding and connection layers in step (a), and the signal interlayer insulating layer 8 is formed by the method used to form the insulating layer in step (b). In step (d), polyimide varnish 4 is applied onto the second signal wiring layer 7, exposed and developed to form via holes 9 at predetermined positions, and cured. In step (e),
Connection bumps 10 are formed on the top layer of the multilayer wiring layers formed in the required total number in step (d) at positions where electrical connections will be made with the multilayer wiring layers to be formed in step (f) and subsequent steps. The bumps 10 are patterned by photolithography using photoresist, and formed by electrolytic nickel plating and electrolytic gold plating. The nickel plating is a layer to prevent gold-tin solder from diffusing into the gold wiring layer, which will be described later. Each plating thickness is nickel 10
μm, gold 3 μm.

【0011】次に、上述した第1のブロック1とは別の
第2のブロック12の形成方法を工程(f)から工程(
l)にしたがって説明する。工程(f)において、信号
入出力ピンおよび電源ピン14が裏面にあるセラミック
基板15上にフォトレジストを用いたフォトリソグラフ
ィーでパターン化し、電解金メッキを行い第1の接地お
よび接続配線層16を形成する。工程(g)において、
感光性ポリイミドワニス4を接地および接続配線層16
を形成したセラミック基板15上に塗布し、露光・現像
を行い所定の位置にヴィアホール18を形成し、キュア
を行う。工程(h)において一組の信号配線層19、2
0を層間絶縁に感光性ポリイミド21を使用して形成す
る。
Next, a method for forming a second block 12 different from the first block 1 described above will be described from step (f) to step (
1) will be explained. In step (f), the ceramic substrate 15 on which the signal input/output pins and power supply pins 14 are located on the back side is patterned by photolithography using photoresist, and electrolytically gold plated to form the first grounding and connection wiring layer 16. . In step (g),
Photosensitive polyimide varnish 4 is grounded and connected wiring layer 16
It is coated on the ceramic substrate 15 on which the oxide is formed, exposed and developed to form a via hole 18 at a predetermined position, and then cured. In step (h), a set of signal wiring layers 19, 2
0 is formed using photosensitive polyimide 21 for interlayer insulation.

【0012】工程(i)において、感光性ポリイミドワ
ニス22を信号配線20上に塗布し、露光・現像を行い
所定の位置にヴィアホール23を形成し、キュアを行う
。工程(j)において、第2の接地および接続配線層2
4をポリイミド層22上に形成する。工程(k)におい
て、第2の接地および接続配線層24の上にヴィアホー
ル25が形成されたポリイミド層26を形成する。この
ポリイミド層26はガラス転移点を有するポリイミド樹
脂からなる。工程(l)において、工程(k)で形成し
たポリイミド層26上に金錫半田プール27を形成する
。金錫半田プール27はフォトレジストを使用したフォ
トリソグラフィーでパターン化し、まず、厚さ3μmの
電解ニッケルメッキを形成し、次に電解錫メッキおよび
電解金メッキの多層メッキを形成する。金と錫の多層メ
ッキは後工程のポリイミド層接着工程時の熱で融解し金
錫の合金半田となる。また、金と錫の多層メッキは金対
錫の重量比が4対1になるように膜厚比を10対7とし
、各々の膜厚は金メッキが1μm、錫メッキが0.7μ
mで合計6層(金錫多層メッキ武装膜厚10.2μm)
形成する。
In step (i), a photosensitive polyimide varnish 22 is applied onto the signal wiring 20, exposed and developed to form a via hole 23 at a predetermined position, and cured. In step (j), the second grounding and connection wiring layer 2
4 is formed on the polyimide layer 22. In step (k), a polyimide layer 26 in which a via hole 25 is formed is formed on the second ground and connection wiring layer 24. This polyimide layer 26 is made of polyimide resin having a glass transition point. In step (l), a gold-tin solder pool 27 is formed on the polyimide layer 26 formed in step (k). The gold-tin solder pool 27 is patterned by photolithography using a photoresist, first forming electrolytic nickel plating with a thickness of 3 μm, and then forming multilayer plating of electrolytic tin plating and electrolytic gold plating. The multi-layer plating of gold and tin is melted by the heat during the subsequent process of adhering the polyimide layer, forming a gold-tin alloy solder. In addition, multilayer plating of gold and tin has a film thickness ratio of 10:7 so that the weight ratio of gold to tin is 4:1, and each film thickness is 1 μm for gold plating and 0.7 μm for tin plating.
6 layers in total (gold-tin multilayer plating film thickness 10.2 μm)
Form.

【0013】工程(m)において、工程(a)から工程
(e)で形成したアルミニウム平板2上に形成した接続
用金属バンプを有するポリイミド多層配線層の第1のブ
ロック1と、工程(f)から工程(l)で形成したセラ
ミック基板15上に形成した半田プール27を有するポ
リイミド多層配線層の第2のブロック12との位置合わ
せを行った後重ね合わせ、加圧およびポリイミド樹脂の
ガラス転移点を越える温度まで加熱を行い、互いのポリ
イミド膜を接着し固定する。この時、金と錫の多層メッ
キは溶融し金錫の合金半田となり、金属バンプ10と接
合し、二つの積層体1および12が電気的に接続する。 加圧および加熱方法は以下の通りである。加圧・加熱は
オートクレーブ型真空プレス装置を使用し、加圧気体は
窒素ガスを使用し、加圧は基板温度250℃までは3k
g/cm2、基板温度250℃から350℃までは14
kg/cm2で行う。この時、基板はプラテン上に置か
れポリイミドフィルムを用いて密封して、内部を真空ポ
ンプを接続して内部を10Torr以下の減圧状態にす
る。
In step (m), the first block 1 of the polyimide multilayer wiring layer having metal connection bumps formed on the aluminum flat plate 2 formed in steps (a) to (e), and step (f) After alignment with the second block 12 of the polyimide multilayer wiring layer having the solder pool 27 formed on the ceramic substrate 15 formed in step (l), the polyimide multilayer wiring layer is overlaid, pressurized, and the glass transition point of the polyimide resin is adjusted. The polyimide films are bonded and fixed together by heating to a temperature exceeding At this time, the multilayer plating of gold and tin is melted and becomes gold-tin alloy solder, which is bonded to the metal bump 10 and the two laminates 1 and 12 are electrically connected. The pressurization and heating methods are as follows. For pressurization and heating, an autoclave-type vacuum press device is used, and the pressurized gas is nitrogen gas, and the pressure is 3K until the substrate temperature reaches 250℃.
g/cm2, 14 for substrate temperature from 250℃ to 350℃
It is carried out at kg/cm2. At this time, the substrate is placed on a platen and sealed using a polyimide film, and a vacuum pump is connected inside to reduce the internal pressure to 10 Torr or less.

【0014】工程(n)において、16%塩酸水溶液に
工程(m)で接着済みの積層体1および12を浸漬し、
アルミニウム平板2を溶解除去する。工程(o)におい
て、工程(n)で新たに露出した接地および接続配線層
3上に感光ポリイミド28を塗布し、露光・現像を行い
所定に位置にヴィアホール29を形成し、キュアを行う
。工程(p)において、ポリイミド層28上に金錫半田
プール30を形成する。工程(q)において、工程(a
)から工程(p)で形成したポリイミド配線層積層体3
1上に、工程(a)から工程(e)で形成した別のポリ
イミド配線層32を工程(m)から工程(p)までの方
法で積層一体化する。工程(r)において、設計した配
線総数になるまで工程(q)を繰り返す。
In the step (n), the laminates 1 and 12 that have been bonded in the step (m) are immersed in a 16% hydrochloric acid aqueous solution,
The aluminum flat plate 2 is dissolved and removed. In step (o), photosensitive polyimide 28 is applied onto the ground and connection wiring layer 3 newly exposed in step (n), exposed and developed to form via holes 29 at predetermined positions, and cured. In step (p), a gold-tin solder pool 30 is formed on the polyimide layer 28. In step (q), step (a
) to the polyimide wiring layer laminate 3 formed in step (p)
1, another polyimide wiring layer 32 formed in steps (a) to (e) is laminated and integrated by the methods in steps (m) to (p). In step (r), step (q) is repeated until the total number of designed wirings is reached.

【0015】工程(s)において、多層配線基板とLS
Iチップの配線とを接続する接続電極層33を形成する
。この工程(s)は工程(r)において、工程(m)か
ら工程(o)を行い、次に工程(o)で形成したポリイ
ミド層28上にLSIチップが封入されたチップキャリ
アにバンプと半田接続を行う接続電極パッド33を形成
する。この時、LSIチップキャリアのバンプと接続電
極パッドをつなぐ半田には錫鉛半田をし要旨、接続電極
パッド33は錫鉛半田喰われのない銅メッキで形成する
。また、金属配線材料として銅などの低抵抗金属を使用
してもよい。
In step (s), the multilayer wiring board and the LS
A connection electrode layer 33 is formed to connect to the wiring of the I chip. In this step (s), steps (m) to (o) are performed in step (r), and then bumps and solder are placed on the chip carrier in which the LSI chip is encapsulated on the polyimide layer 28 formed in step (o). A connection electrode pad 33 for connection is formed. At this time, the solder connecting the bumps of the LSI chip carrier and the connection electrode pads is tin-lead solder, and the connection electrode pads 33 are formed of copper plating that is not eaten by the tin-lead solder. Furthermore, a low resistance metal such as copper may be used as the metal wiring material.

【0016】図4は図1に示したポリイミド多層配線基
板の製造方法の第2の実施例の製造工程を図示したもの
である。ポリイミド樹脂にはガラス転移点約270℃の
感光性ポリイミドを、配線金属には銅およびニッケルの
多層メッキを使用し、各々の膜厚は銅メッキ6.5μm
、ニッケルメッキ0.5μmである。ここで銅メッキ上
のニッケルメッキは、本実施例で使用する感光性ポリイ
ミドが金属銅と反応しやすく、ポリイミドに悪影響を与
えるため、金属銅と感光性ポリイミドが直接接触しない
ようにするバリアメタルである。同図において、工程(
a)から工程(d)で示す工程は図3で示した工程(a
)から工程(d)で示した工程と同一なので説明は省略
する。工程(e)において、ヴィアホール9に接続用錫
鉛半田プール34を形成する。錫鉛半田プール34はフ
ォトレジストを使用したフォトリソグラフィーでパター
ン化し、電解錫鉛半田メッキで形成する。半田メッキ膜
厚は10μmである。
FIG. 4 illustrates the manufacturing process of a second embodiment of the method for manufacturing the polyimide multilayer wiring board shown in FIG. Photosensitive polyimide with a glass transition point of approximately 270°C is used for the polyimide resin, and multilayer plating of copper and nickel is used for the wiring metal, each layer having a thickness of 6.5 μm.
, 0.5 μm nickel plating. Here, the nickel plating on the copper plating is a barrier metal that prevents direct contact between the metal copper and the photosensitive polyimide, since the photosensitive polyimide used in this example easily reacts with the metal copper and has an adverse effect on the polyimide. be. In the figure, the process (
The steps from a) to step (d) are the same as the step (a) shown in FIG.
) to step (d), so the explanation will be omitted. In step (e), a tin-lead solder pool 34 for connection is formed in the via hole 9. The tin-lead solder pool 34 is patterned by photolithography using photoresist and formed by electrolytic tin-lead solder plating. The solder plating film thickness is 10 μm.

【0017】工程(f)から工程(k)で示す工程は図
3で示した工程(f)から工程(k)で示した工程と同
一なので説明は省略する。(l)において、工程(k)
で形成した多層配線層の最上層26のヴィアホール25
に接続用銅バンプ35を形成する。バンプ35はフォト
レジストを使用したフォトリソグラフィーでパターン化
し、電解銅メッキで形成する。バンプ35の厚さは15
μmである。工程(m)におけるブロック1およびブロ
ック12の接合工程、工程(n)から工程(p)におけ
る新たなバンプ35に形成工程および工程(q)から工
程(s)におけるLSI接続電極パッド33の形成工程
は図3で示した工程(m)から工程(s)で示した工程
と同一なので説明は省略する。
The steps shown from step (f) to step (k) are the same as the steps shown from step (f) to step (k) shown in FIG. 3, so a description thereof will be omitted. In (l), step (k)
Via hole 25 in the top layer 26 of the multilayer wiring layer formed by
Copper bumps 35 for connection are formed on. The bumps 35 are patterned by photolithography using photoresist and formed by electrolytic copper plating. The thickness of bump 35 is 15
It is μm. A step of joining the block 1 and the block 12 in step (m), a step of forming a new bump 35 in steps (n) to (p), and a step of forming LSI connection electrode pads 33 in steps (q) to (s). are the same as the steps from step (m) to step (s) shown in FIG. 3, so the explanation will be omitted.

【0018】図5は図1に示したポリイミド多層配線基
板の製造方法の第3の実施例の製造工程を図示したもの
である。本実施例の特徴とするところはポリイミド樹脂
にガラス転移点が低い低熱膨張率感光性ポリイミドを、
また、接着剤には溶融硬化型であるマレイミド樹脂を使
用している点にある。同図において、工程(a)から工
程(e)で示すポリイミド多層配線層の第1のブロック
1の形成方法は図3における工程(a)から工程(e)
で示した形成方法と同一なので説明は省略する。工程(
f)において、工程(e)で形成した多層配線層の最上
層に、マレイミド樹脂ワニス35を塗布し、熱循環オー
ブンで乾燥する。
FIG. 5 illustrates the manufacturing process of the third embodiment of the method for manufacturing the polyimide multilayer wiring board shown in FIG. The feature of this example is that the polyimide resin is made of photosensitive polyimide with a low coefficient of thermal expansion and a low glass transition point.
Another advantage is that the adhesive uses a melt-curable maleimide resin. In the figure, the method for forming the first block 1 of the polyimide multilayer wiring layer shown in steps (a) to (e) is shown in steps (a) to (e) in FIG.
Since it is the same as the formation method shown in , the explanation will be omitted. Process (
In f), a maleimide resin varnish 35 is applied to the top layer of the multilayer wiring layer formed in step (e) and dried in a heat circulation oven.

【0019】工程(g)において、工程(e)で形成し
たバンプ10上にのっているマレイミド樹脂35を除去
する。除去工程は以下の通りである。すなわち、フォト
レジストを使用したフォトレソグラフィー工程およびス
パッタによる銅薄膜形成工程を用いたリフトオフ法で工
程(e)で形成したバンプ10上以外のマレイミド樹脂
35上に銅薄膜層を0.5μm形成し、次に酸素ガスを
用いたプラズマエッチング処理で露出しているマレイミ
ド樹脂35を除去し、接続用バンプ10を露出させ、次
にウェットエッチング法でマレイミド樹脂35上の銅薄
膜を除去する。工程(h)から工程(m)で示すポリイ
ミド多層配線層の第2のブロック12の形成方法は図3
における工程(h)から工程(m)で示した形成方法と
同一なので説明は省略する。工程(n)において、工程
(m)で形成したポリイミド層28上に錫鉛ビスマスク
系半田プール37を形成する。半田プール37はフォト
レジストを使用したフォトリソグラフィーでパターン化
し、フォトレジストをマスクとして埋込み印刷で形成す
る。
In step (g), the maleimide resin 35 on the bumps 10 formed in step (e) is removed. The removal process is as follows. That is, a copper thin film layer of 0.5 μm is formed on the maleimide resin 35 other than on the bumps 10 formed in step (e) by a lift-off method using a photolithography process using a photoresist and a copper thin film formation process by sputtering. Next, the exposed maleimide resin 35 is removed by plasma etching using oxygen gas to expose the connection bumps 10, and then the copper thin film on the maleimide resin 35 is removed by wet etching. The method for forming the second block 12 of the polyimide multilayer wiring layer shown in steps (h) to (m) is shown in FIG.
Since the formation method is the same as that shown in steps (h) to (m) in , the explanation will be omitted. In step (n), a tin-lead bismask solder pool 37 is formed on the polyimide layer 28 formed in step (m). The solder pool 37 is patterned by photolithography using a photoresist, and is formed by embedded printing using the photoresist as a mask.

【0020】工程(o)において、工程(a)から工程
(g)で形成したアルミニウム平板2上のマレイミド樹
脂接着層35を有するポリイミド多層配線層の第1のブ
ロック1と、工程(h)から工程(n)で形成したセラ
ミック基板15上の錫鉛半田プール37を有するポリイ
ミド多層配線層の第2のブロック12とを位置合わせ後
重ね合わせ、加圧およびマレイミド樹脂の流動温度まで
加熱を行い、互いのポリイミド多層配線層のブロック1
および12を接着し固定する。この時、錫鉛半田37は
溶解し、工程(e)で形成したバンプ10と接合し、二
つの積層体1および12とが電気的に接続する。加圧お
よび加熱方法は以下の通りである。加圧・加熱はオート
クレーブ型真空プレス装置を使用し、加圧気体は窒素ガ
スを使用し、加圧は基板温度130℃までは3kg/c
m2、基板温度130℃から180℃までは14kg/
cm2で行う。この時、基板はプラテン上に置かれポリ
イミドフィルムを用いて密封して、真空ポンプを接続し
て内部を10Torr以下の減圧状態にする。工程(p
)から工程(s)で示すアルミニウム平板2の除去工程
、新たな半田プールの形成工程及び積層一体化工程は図
3に示した工程(q)から工程(s)と同一なので説明
は省略する。
In step (o), the first block 1 of the polyimide multilayer wiring layer having the maleimide resin adhesive layer 35 on the aluminum flat plate 2 formed in steps (a) to (g), and the The second block 12 of the polyimide multilayer wiring layer having the tin-lead solder pool 37 on the ceramic substrate 15 formed in step (n) is aligned and stacked, pressurized and heated to the flow temperature of the maleimide resin, Block 1 of mutual polyimide multilayer wiring layers
and 12 are glued and fixed. At this time, the tin-lead solder 37 is melted and joined to the bump 10 formed in step (e), and the two laminates 1 and 12 are electrically connected. The pressurization and heating methods are as follows. For pressurization and heating, an autoclave type vacuum press device is used, and the pressurized gas is nitrogen gas, and the pressure is 3 kg/c up to a substrate temperature of 130°C.
m2, 14kg/ for substrate temperature from 130℃ to 180℃
Perform in cm2. At this time, the substrate is placed on a platen and sealed using a polyimide film, and a vacuum pump is connected to reduce the internal pressure to 10 Torr or less. Process (p
) to step (s), the step of removing the aluminum flat plate 2, the step of forming a new solder pool, and the step of laminating and integrating are the same as steps (q) to (s) shown in FIG. 3, so their explanation will be omitted.

【0021】図6は図1に示したポリイミド多層配線基
板の製造方法の第4の実施例の製造工程を示したもので
ある。本実施例の特徴とするところはポリイミド樹脂に
ガラス転移点が低い低熱膨張率感光性ポリイミドを、ま
た、接着剤には溶融型のフッ化エチレンとパーフルオロ
アルキルパーフルオロビニルエーテル共重合(PTF)
を使用している点にある。同図において、工程(a)か
ら工程(e)で示すポリイミド多層配線層の第1のブロ
ック1の形成方法は図4における工程(a)から工程(
e)で示した形成方法と同一なので説明は省略する。 工程(f)において、工程(e)で形成した多層配線層
の最上層4にラミネートする接着剤(PTF)に工程(
e)で形成した錫鉛半田34に相当する位置に開口部4
1を形成する。工程(g)において、PTFフィルム4
0を多層配線層の最上層4にラミネートする。ラミネー
ト工程は、第1のブロック1との位置合わせ後、100
℃に加熱したプレス機でプレスし、PTFフィルム40
を仮接着する。工程(h)から工程(n)で示すポリイ
ミド多層配線層の第2のブロック12の形成方法は図4
における工程(f)から工程(l)で示した形成方法と
同一なので説明は省略する。
FIG. 6 shows the manufacturing process of the fourth embodiment of the method for manufacturing the polyimide multilayer wiring board shown in FIG. The characteristics of this example are that the polyimide resin is a photosensitive polyimide with a low glass transition point and a low coefficient of thermal expansion, and the adhesive is made of molten fluorinated ethylene and perfluoroalkyl perfluorovinyl ether copolymer (PTF).
The point is that it uses . In the figure, the method for forming the first block 1 of the polyimide multilayer wiring layer shown in steps (a) to (e) is shown in steps (a) to (e) in FIG.
Since it is the same as the formation method shown in e), the explanation will be omitted. In step (f), a process (
An opening 4 is formed at a position corresponding to the tin-lead solder 34 formed in step e).
form 1. In step (g), the PTF film 4
0 is laminated on the top layer 4 of the multilayer wiring layer. In the lamination process, after alignment with the first block 1,
Pressed with a press machine heated to ℃, PTF film 40
temporarily adhere. The method for forming the second block 12 of the polyimide multilayer wiring layer shown in steps (h) to (n) is shown in FIG.
Since the formation method is the same as that shown in steps (f) to (l) in , the explanation will be omitted.

【0022】工程(o)において、工程(a)から工程
(g)で形成したアルミニウム平板2上にPTFフィル
ム40を有するポリイミド多層配線層の第1のブロック
1と、工程(h)から工程(n)で形成したセラミック
基板15上のバンプ35を有するポリイミド多層配線層
の第2のブロック12を位置合わせを行った後重ね合わ
せ、加圧およびPTFフィルムの流動温度まで加熱を行
い、互いのポリイミド多層配線層のブロック1および1
2を接着し固定する。この時、錫鉛半田37は溶解し、
工程(e)で形成した金属バンプ10と接合し、二つの
積層構造体1および12が電気的に接続する。加圧およ
び加熱方法は以下の通りである。加圧・加熱はオートク
レーブ型真空プレス装置を使用し、加圧気体は窒素ガス
を使用し、加圧は基板温度130℃までは3kg/cm
2、基板温度130℃から180℃までは14kg/c
m2で行う。この時、基板はプラテン上に置かれポリイ
ミドフィルムを用いて密封して、真空ポンプを接続して
内部を10Torr以下の減圧状態にする。工程(p)
から工程(s)で示すアルミニウム平板2の除去工程、
新たな半田プールの形成工程及び積層一体化工程は図4
に示した工程(q)から工程(s)と同一なので説明は
省略する。なお、上述した図5および図6の実施例では
接着する二つのポリイミド多層配線層の内の一方の表面
にのみ接着剤を塗布またはラミネートしたが、ポリイミ
ド表面の凹凸が大きい場合は両方の表面層にラミネート
し、接着面の凹凸の影響を軽減して接着を行う。
In step (o), the first block 1 of the polyimide multilayer wiring layer having the PTF film 40 on the aluminum flat plate 2 formed in steps (a) to (g), and the first block 1 of the polyimide multilayer wiring layer formed in steps (h) to ( After aligning the second block 12 of the polyimide multilayer wiring layer having the bumps 35 on the ceramic substrate 15 formed in step n), they are stacked, pressed, and heated to the flow temperature of the PTF film to bond each other's polyimide. Blocks 1 and 1 of multilayer wiring layers
Glue and fix 2. At this time, the tin-lead solder 37 melts,
It is joined to the metal bump 10 formed in step (e), and the two laminated structures 1 and 12 are electrically connected. The pressurization and heating methods are as follows. For pressurization and heating, an autoclave type vacuum press device is used, and the pressurized gas is nitrogen gas, and the pressure is 3 kg/cm up to the substrate temperature of 130°C.
2. 14kg/c when the substrate temperature is from 130℃ to 180℃
Do it in m2. At this time, the substrate is placed on a platen and sealed using a polyimide film, and a vacuum pump is connected to reduce the internal pressure to 10 Torr or less. Process (p)
The step of removing the aluminum flat plate 2 shown in step (s) from
The new solder pool formation process and lamination integration process are shown in Figure 4.
Since the process is the same as step (q) to step (s) shown in , the explanation will be omitted. Note that in the embodiments shown in FIGS. 5 and 6 described above, adhesive was applied or laminated only to one surface of the two polyimide multilayer wiring layers to be bonded, but if the polyimide surface is highly uneven, both surface layers may be coated or laminated. The adhesive is laminated to reduce the effects of unevenness on the adhesive surface.

【0023】[0023]

【発明の効果】以上説明したように本発明に係るポリイ
ミド多層配線基板は、複数の配線層の積層体を一つのブ
ロックとし、このブロックを複数個積層した積層構造と
したので、各々のブロックを並行して製造でき、このた
めに製造日数の大幅な短縮が図れるとともに、ポリイミ
ド樹脂にかかるキュア工程の熱ストレスが各ブロック毎
に分散されるため、製造工程で生じていたポリイミド樹
脂の劣化を最小限にとどめることができる。また各ブロ
ックの製造精度を高めることができて高多層高配線密度
のポリイミド多層配線基板が得られる。また、各ブロッ
ク間の接合をガラス転移点を有するポリイミド樹脂の自
己接着あるいは溶融硬化型接着剤または溶融型接着剤で
行うようにしたので、加圧条件を緩和でき、このために
製造工程におけるストレスが発生せず、歩留の向上につ
ながる。
Effects of the Invention As explained above, the polyimide multilayer wiring board according to the present invention has a laminated structure in which a stack of a plurality of wiring layers is made into one block, and a plurality of these blocks are stacked. It can be manufactured in parallel, which significantly shortens the manufacturing time, and because the heat stress of the curing process applied to the polyimide resin is distributed to each block, the deterioration of the polyimide resin that occurs during the manufacturing process is minimized. It can be kept to a limit. Further, the manufacturing precision of each block can be improved, and a polyimide multilayer wiring board with high multilayer wiring density can be obtained. In addition, since each block is bonded by self-adhesive polyimide resin with a glass transition point, or by a melt-curing adhesive or a melt-melting adhesive, the pressure conditions can be eased, and this reduces stress during the manufacturing process. There is no occurrence of this, leading to an improvement in yield.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

【図1】本発明に係るポリイミド多層配線基板の断面図
である。
FIG. 1 is a sectional view of a polyimide multilayer wiring board according to the present invention.

【図2】本発明に係るポリイミド多層配線基板の第2の
実施例の断面図である。
FIG. 2 is a sectional view of a second embodiment of the polyimide multilayer wiring board according to the present invention.

【図3】図1のポリイミド多層配線基板の製造工程を示
す。
3 shows a manufacturing process of the polyimide multilayer wiring board shown in FIG. 1. FIG.

【図4】図1のポリイミド多層配線基板の製造工程の第
2の実施例を示す。
4 shows a second embodiment of the manufacturing process of the polyimide multilayer wiring board of FIG. 1; FIG.

【図5】図1のポリイミド多層配線基板の製造工程の第
3の実施例を示す。
5 shows a third embodiment of the manufacturing process of the polyimide multilayer wiring board of FIG. 1; FIG.

【図6】図1のポリイミド多層配線基板の製造工程の第
4の実施例を示す。
6 shows a fourth embodiment of the manufacturing process of the polyimide multilayer wiring board of FIG. 1. FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1    ポリイミド多層配線層の第1のブロック2 
   アルミニウム平板 4    ガラス転移点を有するポリイミド樹脂10 
   バンプ 12    ポリイミド多層配線層の第2のブロック2
7    半田プール 35    マレイミド樹脂 40    PTFフィルム
1 First block 2 of polyimide multilayer wiring layer
Aluminum flat plate 4 Polyimide resin having a glass transition point 10
Bump 12 Second block 2 of polyimide multilayer wiring layer
7 Solder pool 35 Maleimide resin 40 PTF film

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】  基板上にポリイミド多層配線層を有す
る多層配線基板であって、前記ポリイミド多層配線層は
、複数の配線層の積層体を一つのブロックとし、このブ
ロックを複数積層した積層構造で構成し、各ブロック間
の電気的接続を各ブロックの積層体の表面上に形成した
金属バンプと、半田プールとの鑞着で行ったことを特徴
とするポリイミド多層配線基板。
1. A multilayer wiring board having a polyimide multilayer wiring layer on a substrate, wherein the polyimide multilayer wiring layer has a laminated structure in which a stack of a plurality of wiring layers is used as one block, and a plurality of blocks are stacked. 1. A polyimide multilayer wiring board, characterized in that electrical connections between each block are made by soldering metal bumps formed on the surface of a laminate of each block and a solder pool.
【請求項2】  特許請求の範囲第1項記載のポリイミ
ド多層配線基板において、各ブロック間の接合面の少な
くともどちらか一方にガラス転移点を有するポリイミド
樹脂を使用し、各ブロックの接合をポリイミド樹脂の自
己接着性で接着するとともに、金属バンプと半田プール
とを鑞着して積層体間を電気的に接続したことを特徴と
するポリイミド多層配線基板の製造方法。
2. In the polyimide multilayer wiring board according to claim 1, a polyimide resin having a glass transition point is used for at least one of the bonding surfaces between each block, and each block is bonded using a polyimide resin. A method for manufacturing a polyimide multilayer wiring board, characterized in that the laminates are electrically connected by adhering them with self-adhesive properties, and by brazing metal bumps and solder pools.
【請求項3】  特許請求の範囲第1項記載のポリイミ
ド多層配線基板において、各ブロック間の接合面に溶融
硬化型または溶融型接着剤を使用し、各ブロックの接合
をこの溶融硬化型接着剤または溶融型接着剤で接着する
とともに、金属バンプと半田プールとを鑞着して積層体
間を電気的に接続したことを特徴とするポリイミド多層
配線基板の製造方法。
3. In the polyimide multilayer wiring board according to claim 1, a melt-curing or melt-curing adhesive is used on the bonding surface between each block, and each block is bonded using the melt-curing adhesive. Alternatively, a method for manufacturing a polyimide multilayer wiring board, characterized in that the laminates are electrically connected by bonding with a melt-type adhesive and by brazing metal bumps and solder pools.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO1994029897A1 (en) * 1993-06-08 1994-12-22 Minnesota Mining And Manufacturing Company Method for providing electrical interconnections between adjacent circuit board layers of a multi-layer circuit board
EP0624904B1 (en) * 1993-04-21 2002-11-20 Nec Corporation A multi-layer wiring board and a manufacturing method thereof

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