JPH04273434A - 光ｃｖｄ方法 - Google Patents
光ｃｖｄ方法Info
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- JPH04273434A JPH04273434A JP3475691A JP3475691A JPH04273434A JP H04273434 A JPH04273434 A JP H04273434A JP 3475691 A JP3475691 A JP 3475691A JP 3475691 A JP3475691 A JP 3475691A JP H04273434 A JPH04273434 A JP H04273434A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、各種材料のＣＶＤにお
いて、レジスト塗布、露光、レジスト剥離などのプロセ
ス無しで、光利用によって空間選択性良くパターニング
できるＣＶＤ方法に関するものである。
いて、レジスト塗布、露光、レジスト剥離などのプロセ
ス無しで、光利用によって空間選択性良くパターニング
できるＣＶＤ方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】熱ＣＶＤ中に光を照射し、光照射部での
ＣＶＤ膜成長を抑制することによって直接ＣＶＤ膜のパ
ターニングを行う光反転ＣＶＤは、光照射部に膜を成長
させる通常の光ＣＶＤ方法に比べて、気相分解による降
り積もりの影響を除去できるため、パターン転写の分解
能を向上させることが出来る。この方法の従来例として
、岸田の発明による特開昭６２−１１６７８６号公報（
特願昭６０−２５４５８２号）「表面選択処理方法」や
、杉田らの発表による第３６回応用物理学関係連合講演
会（１９８９年春季）第２分冊５９２頁、講演番号２ｐ
−Ｌ−５「シンクロトロン放射光を用いたポジ型パター
ン転写ＣＶＤ」例がある。これらの方法を要約してまと
めると、基板・吸着子間結合の振動エネルギーに共鳴す
る赤外光照射による吸着子の脱離、または、真空紫外光
照射による基板・吸着子間結合切断による吸着子の脱離
を利用するものである。
ＣＶＤ膜成長を抑制することによって直接ＣＶＤ膜のパ
ターニングを行う光反転ＣＶＤは、光照射部に膜を成長
させる通常の光ＣＶＤ方法に比べて、気相分解による降
り積もりの影響を除去できるため、パターン転写の分解
能を向上させることが出来る。この方法の従来例として
、岸田の発明による特開昭６２−１１６７８６号公報（
特願昭６０−２５４５８２号）「表面選択処理方法」や
、杉田らの発表による第３６回応用物理学関係連合講演
会（１９８９年春季）第２分冊５９２頁、講演番号２ｐ
−Ｌ−５「シンクロトロン放射光を用いたポジ型パター
ン転写ＣＶＤ」例がある。これらの方法を要約してまと
めると、基板・吸着子間結合の振動エネルギーに共鳴す
る赤外光照射による吸着子の脱離、または、真空紫外光
照射による基板・吸着子間結合切断による吸着子の脱離
を利用するものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述の従来法によるＣ
ＶＤ膜のパターニング方法は、基板上の所望の部分にの
み光を照射し、この光照射部でのＣＶＤを抑制すること
によってパターニングを行っている。ＣＶＤの抑制を、
基板・吸着子間結合の振動エネルギーに共鳴する赤外光
照射による吸着子の脱離で行う場合、赤外光によって基
板が加熱されるので、吸着子の脱離だけでなく熱分解に
よる堆積が生じ、ＣＶＤの抑制は不十分になる。また、
真空紫外光照射による基板・吸着子間結合切断による吸
着子の脱離によってＣＶＤの抑制を行う場合、基板・吸
着子間の結合切断だけでなく、吸着子内の結合切断によ
る光化学的ＣＶＤが生じ、ＣＶＤの抑制は不十分になる
。
ＶＤ膜のパターニング方法は、基板上の所望の部分にの
み光を照射し、この光照射部でのＣＶＤを抑制すること
によってパターニングを行っている。ＣＶＤの抑制を、
基板・吸着子間結合の振動エネルギーに共鳴する赤外光
照射による吸着子の脱離で行う場合、赤外光によって基
板が加熱されるので、吸着子の脱離だけでなく熱分解に
よる堆積が生じ、ＣＶＤの抑制は不十分になる。また、
真空紫外光照射による基板・吸着子間結合切断による吸
着子の脱離によってＣＶＤの抑制を行う場合、基板・吸
着子間の結合切断だけでなく、吸着子内の結合切断によ
る光化学的ＣＶＤが生じ、ＣＶＤの抑制は不十分になる
。
【０００４】また、このようなＣＶＤ抑制のメカニズム
からくる不十分さ以外に、光源の種類の制約がある。結
合の振動エネルギーに共鳴する赤外光照射によって吸着
子を脱離させる方法では、照射光のエネルギーを振動エ
ネルギーに共鳴させる必要がある。また、吸着子の種類
は通常一種類ではないので、全ての吸着子を脱離させる
には、それぞれに共鳴した光を使用しなければならない
ので、用意すべき光源の数が多くなり、装置構成上の障
害になる。
からくる不十分さ以外に、光源の種類の制約がある。結
合の振動エネルギーに共鳴する赤外光照射によって吸着
子を脱離させる方法では、照射光のエネルギーを振動エ
ネルギーに共鳴させる必要がある。また、吸着子の種類
は通常一種類ではないので、全ての吸着子を脱離させる
には、それぞれに共鳴した光を使用しなければならない
ので、用意すべき光源の数が多くなり、装置構成上の障
害になる。
【０００５】一方、紫外光照射によって基板・吸着子間
結合を切断して吸着子を脱離させる方法では、吸着子の
価電子励起によって、結合性軌道にある電子を反結合性
軌道へ移動させることによって行う。このことは、光励
起の始状態と、終状態が決まっていることを意味するの
で、このエネルギーに相当する波長の光の使用に限定さ
れる。また、更に波長が短い真空紫外光を用いた場合、
吸着子のイオン化が起こり、これによって吸着子・基板
間の結合が切れて吸着子の脱離が起き、真空紫外光照射
領域でのＣＶＤを抑制できる。この場合、用いる光のエ
ネルギーは、イオン化の閾値エネルギーより大きければ
良いので、上記２つの方法に比べて波長の制約が緩くな
る。しかし、価電子励起によるイオン化では、吸着子脱
離によるＣＶＤの抑制はまだ不十分であるという問題が
あり、実用的でなかった。
結合を切断して吸着子を脱離させる方法では、吸着子の
価電子励起によって、結合性軌道にある電子を反結合性
軌道へ移動させることによって行う。このことは、光励
起の始状態と、終状態が決まっていることを意味するの
で、このエネルギーに相当する波長の光の使用に限定さ
れる。また、更に波長が短い真空紫外光を用いた場合、
吸着子のイオン化が起こり、これによって吸着子・基板
間の結合が切れて吸着子の脱離が起き、真空紫外光照射
領域でのＣＶＤを抑制できる。この場合、用いる光のエ
ネルギーは、イオン化の閾値エネルギーより大きければ
良いので、上記２つの方法に比べて波長の制約が緩くな
る。しかし、価電子励起によるイオン化では、吸着子脱
離によるＣＶＤの抑制はまだ不十分であるという問題が
あり、実用的でなかった。
【０００６】また、光の回折効果によるＣＶＤ膜のパタ
ーニング上の問題がある。光照射領域はマスクの開口部
の形状で決まり、パターニング後のＣＶＤ膜のエッジ形
状の切れの良さは、マスクの開口部での光の回折による
非照射部への光の回り込みを、如何に抑えるかよって決
まる。この回り込みの大きさは、光の波長に比例するの
で、赤外光を使用するよりも、もっと波長の短い真空紫
外光を使う方が回折による光の回り込みを抑えることが
出来る。しかし、これまでに使用されている波長では、
まだ回折効果の抑制は不十分である。
ーニング上の問題がある。光照射領域はマスクの開口部
の形状で決まり、パターニング後のＣＶＤ膜のエッジ形
状の切れの良さは、マスクの開口部での光の回折による
非照射部への光の回り込みを、如何に抑えるかよって決
まる。この回り込みの大きさは、光の波長に比例するの
で、赤外光を使用するよりも、もっと波長の短い真空紫
外光を使う方が回折による光の回り込みを抑えることが
出来る。しかし、これまでに使用されている波長では、
まだ回折効果の抑制は不十分である。
【０００７】本発明の目的は、光照射部での吸着子の脱
離促進による効果的なＣＶＤ抑制を行い、しかも、所望
の波長を発する光源の選択幅を大きく採れ、また、同時
に、光の回折効果を抑え、光照射部と非照射部の境界の
エッジの切れが良くて空間選択性がよい光反転パターニ
ングＣＶＤ方法を提供することにある。
離促進による効果的なＣＶＤ抑制を行い、しかも、所望
の波長を発する光源の選択幅を大きく採れ、また、同時
に、光の回折効果を抑え、光照射部と非照射部の境界の
エッジの切れが良くて空間選択性がよい光反転パターニ
ングＣＶＤ方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の光ＣＶＤ方法に
よれば、熱ＣＶＤ中に光を照射するＣＶＤ方法において
、基板、または、原料ガスを構成する原子の内、少なく
とも一種類の原子の内殻をイオン化できるエネルギーの
光を照射し、光照射部でのＣＶＤを抑制することによっ
て、光非照射部にのみＣＶＤ膜を形成し、直接ＣＶＤ膜
のパターニングを行うことを特徴とする。
よれば、熱ＣＶＤ中に光を照射するＣＶＤ方法において
、基板、または、原料ガスを構成する原子の内、少なく
とも一種類の原子の内殻をイオン化できるエネルギーの
光を照射し、光照射部でのＣＶＤを抑制することによっ
て、光非照射部にのみＣＶＤ膜を形成し、直接ＣＶＤ膜
のパターニングを行うことを特徴とする。
【０００９】また、熱ＣＶＤ中に光を照射するＣＶＤ方
法において、光照射によって照射部の表面組成を非照射
部のそれと変え、照射部でのＣＶＤ反応を抑制すること
によってＣＶＤ膜のパターニングを行うことを特徴とす
る。
法において、光照射によって照射部の表面組成を非照射
部のそれと変え、照射部でのＣＶＤ反応を抑制すること
によってＣＶＤ膜のパターニングを行うことを特徴とす
る。
【００１０】また、上記の光ＣＶＤ方法において上述の
ＣＶＤ中の光照射の工程に先立って、基板の清浄表面を
露出させる工程を含むことを特徴とする。その表面の清
浄化には電子や粒子のビームまたは高エネルギーの光の
照射により行なうことができる。
ＣＶＤ中の光照射の工程に先立って、基板の清浄表面を
露出させる工程を含むことを特徴とする。その表面の清
浄化には電子や粒子のビームまたは高エネルギーの光の
照射により行なうことができる。
【００１１】
【作用】本発明の作用上の特徴は、（１）基板、または
、吸着子を構成する原子の内、少なくとも１つの原子の
内殻励起による吸着子の分解・脱離の促進、あるいは、
このような短波長光を用いた表面組成改質による吸着阻
害と、（２）内殻励起可能な光の波長が従来使用されて
いた光に比べて短波長であることによる回折効果の抑制
との２つの要因に帰着する。
、吸着子を構成する原子の内、少なくとも１つの原子の
内殻励起による吸着子の分解・脱離の促進、あるいは、
このような短波長光を用いた表面組成改質による吸着阻
害と、（２）内殻励起可能な光の波長が従来使用されて
いた光に比べて短波長であることによる回折効果の抑制
との２つの要因に帰着する。
【００１２】本発明の方法によるＣＶＤの抑制方法の１
つは、内殻励起で形成された内殻ホールのカスケード的
なオージェ遷移によって形成された、吸着子の不安定な
多価イオンの分解・脱離によって行われる。これまで、
気相中での有機金属化合物やＳｉＨ４ などの分解反応
では、これを構成する原子の内殻を励起する方が、価電
子を励起するよりも、解離度の高い分解生成物ができる
ことが知られている。これらのことは、例えば、ナガオ
カ（Ｎａｇａｏｋａ）らによってケミカル フィジク
ス レターズ誌（Ｃｈｅｍ．Ｐｈｙ．Ｌｅｔｔ．）第
１５４巻（１９８８）の３６３ページから３６８ページ
に発表された論文や、ヤギシタ（Ｙａｇｉｓｉｔａ）ら
によってケミカル フィジクス レターズ誌（Ｃｈ
ｅｍ．Ｐｈｙ．Ｌｅｔｔ．）第１３２巻（１９８６）の
４３７ページから４４０ページに発表された論文に見ら
れる。
つは、内殻励起で形成された内殻ホールのカスケード的
なオージェ遷移によって形成された、吸着子の不安定な
多価イオンの分解・脱離によって行われる。これまで、
気相中での有機金属化合物やＳｉＨ４ などの分解反応
では、これを構成する原子の内殻を励起する方が、価電
子を励起するよりも、解離度の高い分解生成物ができる
ことが知られている。これらのことは、例えば、ナガオ
カ（Ｎａｇａｏｋａ）らによってケミカル フィジク
ス レターズ誌（Ｃｈｅｍ．Ｐｈｙ．Ｌｅｔｔ．）第
１５４巻（１９８８）の３６３ページから３６８ページ
に発表された論文や、ヤギシタ（Ｙａｇｉｓｉｔａ）ら
によってケミカル フィジクス レターズ誌（Ｃｈ
ｅｍ．Ｐｈｙ．Ｌｅｔｔ．）第１３２巻（１９８６）の
４３７ページから４４０ページに発表された論文に見ら
れる。
【００１３】このような、これまでに報告されている気
相反応だけではなく、基板上の吸着分子についても内殻
を励起する方が解離度が上がるだけでなく、解離生成物
の脱離が促進されることが、本発明者の実験結果から分
かった。従って、従来の赤外光や、真空紫外光を用いて
ＣＶＤを抑制するよりも、内殻を励起できる程の短波長
の光を用いた方が、ＣＶＤの抑制効果がある。そのため
、光照射部にＣＶＤを行う場合に問題となる、光照射領
域以外への気相生成活性種の拡散による空間選択性の低
下を、光照射部での拡散してくる活性種の脱離、吸着分
子の脱離によるＣＶＤ抑制でパターニングを行うことに
よって、従来技術に比べて顕著に空間選択性を向上させ
ることができる。
相反応だけではなく、基板上の吸着分子についても内殻
を励起する方が解離度が上がるだけでなく、解離生成物
の脱離が促進されることが、本発明者の実験結果から分
かった。従って、従来の赤外光や、真空紫外光を用いて
ＣＶＤを抑制するよりも、内殻を励起できる程の短波長
の光を用いた方が、ＣＶＤの抑制効果がある。そのため
、光照射部にＣＶＤを行う場合に問題となる、光照射領
域以外への気相生成活性種の拡散による空間選択性の低
下を、光照射部での拡散してくる活性種の脱離、吸着分
子の脱離によるＣＶＤ抑制でパターニングを行うことに
よって、従来技術に比べて顕著に空間選択性を向上させ
ることができる。
【００１４】また、本発明の方法による第２のＣＶＤの
抑制方法は、吸着子の光分解による表面組成の改質によ
って、原料ガスの吸着を阻害するものである。本発明者
の実験結果から、この改質の効果は、内殻を励起できな
い波長の光でも生じるが、内殻励起可能な波長の光を用
いた方が顕著に現れることが分かった。従って、このよ
うな波長の光を用いると、照射部と非照射部の組成の差
を大きくでき、その結果、照射部でのＣＶＤ抑制効果が
大きくなる。また、この表面改質によるＣＶＤの抑制は
、光の照射部と非照射部との吸着反応の速度差を利用し
ている。
抑制方法は、吸着子の光分解による表面組成の改質によ
って、原料ガスの吸着を阻害するものである。本発明者
の実験結果から、この改質の効果は、内殻を励起できな
い波長の光でも生じるが、内殻励起可能な波長の光を用
いた方が顕著に現れることが分かった。従って、このよ
うな波長の光を用いると、照射部と非照射部の組成の差
を大きくでき、その結果、照射部でのＣＶＤ抑制効果が
大きくなる。また、この表面改質によるＣＶＤの抑制は
、光の照射部と非照射部との吸着反応の速度差を利用し
ている。
【００１５】基板表面が清浄表面であれば、この表面は
活性なので、吸着分子の分解反応が低温で始まる。従っ
て、光照射による表面改質工程に先立って、表面を清浄
化する工程を行うことによって、ＣＶＤ抑制効果を広い
温度領域に渡り実現できる。空間選択性については、光
照射領域以外へ気相生成活性種が拡散しても、照射部で
の密な表面組成改質に比べて改質される度合が低いので
ＣＶＤを抑制するに至らず、従来技術に比べて空間選択
性を非常に向上させることができる。
活性なので、吸着分子の分解反応が低温で始まる。従っ
て、光照射による表面改質工程に先立って、表面を清浄
化する工程を行うことによって、ＣＶＤ抑制効果を広い
温度領域に渡り実現できる。空間選択性については、光
照射領域以外へ気相生成活性種が拡散しても、照射部で
の密な表面組成改質に比べて改質される度合が低いので
ＣＶＤを抑制するに至らず、従来技術に比べて空間選択
性を非常に向上させることができる。
【００１６】また、光照射部でのＣＶＤ抑制によって膜
をパターニングする場合、基板上への光照射領域を決め
るマスクの開口部の端で回折された回折光が、非照射部
にも照射される。その結果、回折されずに直進する光に
よる照射部だけでなく、非照射部でも回折光によってＣ
ＶＤが部分的に抑制されてしまい、所望の形状にＣＶＤ
膜をパターニングできない。しかし、用いる光の波長が
内殻励起可能なほど短波長になると、これまで使用され
ている赤外光や価電子励起可能な真空紫外光に比べて、
回折光の強度、及び、回り込みが２〜３桁小さくなるの
で、直進する光による照射部だけでＣＶＤを抑制でき、
所望の形状にＣＶＤ膜をパターニングできる。
をパターニングする場合、基板上への光照射領域を決め
るマスクの開口部の端で回折された回折光が、非照射部
にも照射される。その結果、回折されずに直進する光に
よる照射部だけでなく、非照射部でも回折光によってＣ
ＶＤが部分的に抑制されてしまい、所望の形状にＣＶＤ
膜をパターニングできない。しかし、用いる光の波長が
内殻励起可能なほど短波長になると、これまで使用され
ている赤外光や価電子励起可能な真空紫外光に比べて、
回折光の強度、及び、回り込みが２〜３桁小さくなるの
で、直進する光による照射部だけでＣＶＤを抑制でき、
所望の形状にＣＶＤ膜をパターニングできる。
【００１７】以上説明したように本発明の光ＣＶＤ方法
によれば、マスクパターンを反転した、空間選択性の良
い、高品質のＣＶＤ膜が形成できる。
によれば、マスクパターンを反転した、空間選択性の良
い、高品質のＣＶＤ膜が形成できる。
【００１８】
【実施例】以下、本発明光ＣＶＤ方法の第１の実施例に
ついて図１を参照しながら説明する。本実施例では、Ｓ
ｉデバイスの形成において、Ａｌ配線を選択的に形成す
る場合について述べる。
ついて図１を参照しながら説明する。本実施例では、Ｓ
ｉデバイスの形成において、Ａｌ配線を選択的に形成す
る場合について述べる。
【００１９】図１（ａ）は、Ｓｉ基板１１上に熱酸化膜
１２がパターニングされており、この上の全面にｐｏｌ
ｙ−Ｓｉ膜１３が成膜されている。
１２がパターニングされており、この上の全面にｐｏｌ
ｙ−Ｓｉ膜１３が成膜されている。
【００２０】図１（ｂ）には、図１（ａ）の基板上に、
Ａｌ配線１４を光１５を用いて直接パターニングしなが
ら堆積させ、Ａｌ配線１４をｐｏｌｙ−Ｓｉ膜１３を介
してＳｉ基板１１に対して電気的コンタクトを形成する
方法を示してある。具体的成膜方法を以下に示す。
Ａｌ配線１４を光１５を用いて直接パターニングしなが
ら堆積させ、Ａｌ配線１４をｐｏｌｙ−Ｓｉ膜１３を介
してＳｉ基板１１に対して電気的コンタクトを形成する
方法を示してある。具体的成膜方法を以下に示す。
【００２１】図１（ａ）の構造を持つ基板をＣＶＤチャ
ンバに装着し、Ａｌ原料としてのジメチルアルミニウム
ハイドライド、Ａｌ（ＣＨ３ ）２Ｈをチャンバ内に導
入し、基板温度を３００℃にして熱ＣＶＤを行う。光１
５としてＡｌ原子、Ｃ原子、Ｓｉ原子の内殻を励起でき
る１００ｅＶよりも高エネルギーのシンクロトロン放射
光を用い、マスク１６で配線形成領域に光１５を当てな
いようにして、この光の当たらない部分にのみＡｌのＣ
ＶＤを行いＡｌ配線１４を形成する。即ちマスクパター
ンを反転した配線となる。このようにして、Ａｌ配線１
４を光１５を用いて直接パターニングしながら堆積させ
、電気的コンタクトを形成することができる。
ンバに装着し、Ａｌ原料としてのジメチルアルミニウム
ハイドライド、Ａｌ（ＣＨ３ ）２Ｈをチャンバ内に導
入し、基板温度を３００℃にして熱ＣＶＤを行う。光１
５としてＡｌ原子、Ｃ原子、Ｓｉ原子の内殻を励起でき
る１００ｅＶよりも高エネルギーのシンクロトロン放射
光を用い、マスク１６で配線形成領域に光１５を当てな
いようにして、この光の当たらない部分にのみＡｌのＣ
ＶＤを行いＡｌ配線１４を形成する。即ちマスクパター
ンを反転した配線となる。このようにして、Ａｌ配線１
４を光１５を用いて直接パターニングしながら堆積させ
、電気的コンタクトを形成することができる。
【００２２】この後、堆積させたＡｌをマスクにして、
ｐｏｌｙ−Ｓｉをプラズマエッチングで取り除いてＡｌ
配線形成プロセスが終了する。この方法でＡｌ配線を形
成した後、この配線とコンタクトを形成していない配線
との間の抵抗を測定したところ電気的リークはなく、絶
緑は良好であった。
ｐｏｌｙ−Ｓｉをプラズマエッチングで取り除いてＡｌ
配線形成プロセスが終了する。この方法でＡｌ配線を形
成した後、この配線とコンタクトを形成していない配線
との間の抵抗を測定したところ電気的リークはなく、絶
緑は良好であった。
【００２３】本発明の第２の実施例について説明する。
第１の実施例と同じＳｉデバイスの形成プロセスにおけ
るＡｌ配線の形成について図２を用いて述べる。図２は
ＣＶＤ工程を説明する断面模式図である。先の実施例と
同じ構造の基板を超高真空のチャンバーに設置し、図２
（ａ）の様に、電子ビームシャワー１７を照射し、ｐｏ
ｌｙ−Ｓｉ膜１３の表面を終端している水素原子を取り
除いて清浄表面を出す。
るＡｌ配線の形成について図２を用いて述べる。図２は
ＣＶＤ工程を説明する断面模式図である。先の実施例と
同じ構造の基板を超高真空のチャンバーに設置し、図２
（ａ）の様に、電子ビームシャワー１７を照射し、ｐｏ
ｌｙ−Ｓｉ膜１３の表面を終端している水素原子を取り
除いて清浄表面を出す。
【００２４】次に、Ａｌ原料としてのＡｌ（ＣＨ３ ）
２ Ｈをチャンバ内に導入し、基板温度を２００℃にし
て熱ＣＶＤを行う。清浄表面が出ていないときは、２５
０℃以下ではＣＶＤは生じないが、清浄表面を出すこと
によって、２００℃でもＣＶＤが生じる。光１５として
Ａｌ原子、Ｃ原子、Ｓｉ原子の内殻を励起可能な４ｎｍ
近傍の波長の放射光を用い、マスク１６で配線形成領域
に光１５を当てないようにして、この光の当たらない部
分にのみ即ちマスクの開口形状を反転した部分に、Ａｌ
のＣＶＤを行い図２（ｂ）に示すようにＡｌ配線１４を
形成する。このようにして、Ａｌ配線１４を光１５を用
いて直接パターニングしながら堆積させ、電気的コンタ
クトを形成することができる。
２ Ｈをチャンバ内に導入し、基板温度を２００℃にし
て熱ＣＶＤを行う。清浄表面が出ていないときは、２５
０℃以下ではＣＶＤは生じないが、清浄表面を出すこと
によって、２００℃でもＣＶＤが生じる。光１５として
Ａｌ原子、Ｃ原子、Ｓｉ原子の内殻を励起可能な４ｎｍ
近傍の波長の放射光を用い、マスク１６で配線形成領域
に光１５を当てないようにして、この光の当たらない部
分にのみ即ちマスクの開口形状を反転した部分に、Ａｌ
のＣＶＤを行い図２（ｂ）に示すようにＡｌ配線１４を
形成する。このようにして、Ａｌ配線１４を光１５を用
いて直接パターニングしながら堆積させ、電気的コンタ
クトを形成することができる。
【００２５】この後、堆積させたＡｌをマスクにして、
ｐｏｌｙ−Ｓｉをプラズマエッチングで取り除いてＡｌ
配線形成プロセスが終了する。光照射部でのＣＶＤの抑
制効果は、ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜１３の清浄化を行わなかっ
た第１の実施例に比べて、大きい。また本実施例は回折
光の回り込みが十分小さいので、マスクの反転パターン
を正確に反映し、エッジでの切れの良いパターンが形成
できた。
ｐｏｌｙ−Ｓｉをプラズマエッチングで取り除いてＡｌ
配線形成プロセスが終了する。光照射部でのＣＶＤの抑
制効果は、ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜１３の清浄化を行わなかっ
た第１の実施例に比べて、大きい。また本実施例は回折
光の回り込みが十分小さいので、マスクの反転パターン
を正確に反映し、エッジでの切れの良いパターンが形成
できた。
【００２６】この例では、清浄表面を出すのに、電子ビ
ームシャワーを用いたが、これ以外にも、イオンビーム
や高エネルギーの光を照射してもよい。また、デバイス
の構造上、加熱による清浄化が出来れば、この方法でも
よい。
ームシャワーを用いたが、これ以外にも、イオンビーム
や高エネルギーの光を照射してもよい。また、デバイス
の構造上、加熱による清浄化が出来れば、この方法でも
よい。
【００２７】以上の実施例では、Ａｌ（ＣＨ３ ）２
Ｈを原料としたＡｌの反転ＣＶＤについて述べたが、原
料はこれに限られることはなく、トリイソブチルアルミ
ニウム、Ａｌ−ｉｓｏ（Ｃ４ Ｈ９ ）３ 等の他の有
機金属でも良いし、塩素原子を含んでいても良い。また
、基板も実施例に限らず、他の半導体基板でも有効であ
る。
Ｈを原料としたＡｌの反転ＣＶＤについて述べたが、原
料はこれに限られることはなく、トリイソブチルアルミ
ニウム、Ａｌ−ｉｓｏ（Ｃ４ Ｈ９ ）３ 等の他の有
機金属でも良いし、塩素原子を含んでいても良い。また
、基板も実施例に限らず、他の半導体基板でも有効であ
る。
【００２８】また、反転ＣＶＤさせるものも、Ａｌに限
らず、ＣｕやＡｕ等の金属を初め、ＳｉやＧａＡｓ等の
半導体やこれらの混晶であってもよいし、ＳｉＯ２ を
初めとする絶緑膜であっても良い。これらの成長するも
のに応じて、基板や原料ガスや，光のエネルギー、基板
温度などの成長条件を、作用の項で述べた原理に合うよ
うに変えればよい。
らず、ＣｕやＡｕ等の金属を初め、ＳｉやＧａＡｓ等の
半導体やこれらの混晶であってもよいし、ＳｉＯ２ を
初めとする絶緑膜であっても良い。これらの成長するも
のに応じて、基板や原料ガスや，光のエネルギー、基板
温度などの成長条件を、作用の項で述べた原理に合うよ
うに変えればよい。
【００２９】
【発明の効果】本発明によれば、各種材料のＣＶＤにお
いて、レジスト塗布、露光、レジスト剥離などのプロセ
ス無しで、高エネルギー光の利用によって、所望の微細
パターン形状においても、マスクパターンを反転した、
空間選択性良くパターニングできる光ＣＶＤ方法を得る
ことができる。
いて、レジスト塗布、露光、レジスト剥離などのプロセ
ス無しで、高エネルギー光の利用によって、所望の微細
パターン形状においても、マスクパターンを反転した、
空間選択性良くパターニングできる光ＣＶＤ方法を得る
ことができる。
【図１】本発明の光ＣＶＤ方法を配線形成を例にして説
明するための図である。
明するための図である。
【図２】本発明の光ＣＶＤ方法を配線形成を例にして説
明するための図である。
明するための図である。
１１ Ｓｉ基板
１２ 熱酸化膜
１３ ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜
１４ Ａｌ配線
１５ 光
１６ マスク
１７ 電子ビームシャワー
Claims (3)
- 【請求項１】 熱ＣＶＤ中に光を照射するＣＶＤ方法
において、基板、または、原料ガスを構成する原子の内
、少なくとも一種類の原子の内殻をイオン化できるエネ
ルギーの光を照射し、光照射部でのＣＶＤを抑制するこ
とによってＣＶＤ膜のパターニングを行うことを特徴と
する光ＣＶＤ方法。 - 【請求項２】 熱ＣＶＤ中に光を照射するＣＶＤ方法
において、光照射によって照射部の表面組成を非照射部
と変え、照射部でのＣＶＤ反応を抑制することによって
、非照射部のみにＣＶＤ膜を選択的に形成することを特
徴とする光ＣＶＤ方法。 - 【請求項３】 請求項２記載の光ＣＶＤ方法において
基板の清浄表面を露出させる工程の後に、光照射を用い
たＣＶＤ工程を行なうことを特徴とする請求項２記載の
光ＣＶＤ方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3034756A JP2770578B2 (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | 光ｃｖｄ方法 |
| US07/717,603 US5393577A (en) | 1990-06-19 | 1991-06-19 | Method for forming a patterned layer by selective chemical vapor deposition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3034756A JP2770578B2 (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | 光ｃｖｄ方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04273434A true JPH04273434A (ja) | 1992-09-29 |
| JP2770578B2 JP2770578B2 (ja) | 1998-07-02 |
Family
ID=12423163
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3034756A Expired - Lifetime JP2770578B2 (ja) | 1990-06-19 | 1991-02-28 | 光ｃｖｄ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2770578B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0778776A (ja) * | 1993-07-14 | 1995-03-20 | Nec Corp | 熱ｃｖｄ方法 |
| JPH10259481A (ja) * | 1997-03-19 | 1998-09-29 | Sanyo Electric Co Ltd | 非晶質炭素系被膜の形成方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0452278A (ja) * | 1990-06-19 | 1992-02-20 | Nec Corp | 光反転ｃｖｄ方法 |
-
1991
- 1991-02-28 JP JP3034756A patent/JP2770578B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0452278A (ja) * | 1990-06-19 | 1992-02-20 | Nec Corp | 光反転ｃｖｄ方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0778776A (ja) * | 1993-07-14 | 1995-03-20 | Nec Corp | 熱ｃｖｄ方法 |
| JPH10259481A (ja) * | 1997-03-19 | 1998-09-29 | Sanyo Electric Co Ltd | 非晶質炭素系被膜の形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2770578B2 (ja) | 1998-07-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980317 |