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JPH04268763A - Method of forming on-chip microlens - Google Patents

Method of forming on-chip microlens

Info

Publication number
JPH04268763A
JPH04268763A JP3050754A JP5075491A JPH04268763A JP H04268763 A JPH04268763 A JP H04268763A JP 3050754 A JP3050754 A JP 3050754A JP 5075491 A JP5075491 A JP 5075491A JP H04268763 A JPH04268763 A JP H04268763A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resist film
material layer
resist
forming
lens
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3050754A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Koichi Harada
耕一 原田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP3050754A priority Critical patent/JPH04268763A/en
Publication of JPH04268763A publication Critical patent/JPH04268763A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To enable a micro-lens to be lessened in noneffective region by a method wherein a first and a second resist film are etched back until the second resist film is eliminated, the first resist film is thermally deformed into lenses, and the first resist film and a lens material layer are etched back. CONSTITUTION:Resist films 4a and 3 are etched back until the resist film 4a is fully eliminated. Then, island-like resist films 3a are thermally deformed into the shapes of lenses. The resist film 3a is formed of material excellent in thermal deformation property, so that it can be deformed into a comparatively fine lens excellent in light converging property. Thereafter, the lens-shaped resist film 3a is transferred onto a lens material layer 2 through etchback.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】0001

【産業上の利用分野】本発明は、オンチップマイクロレ
ンズの形成方法、特に固体撮像素子等のチップに多数の
マイクロレンズを形成するオンチップマイクロレンズの
形成方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for forming an on-chip microlens, and more particularly to a method for forming an on-chip microlens in which a large number of microlenses are formed on a chip such as a solid-state image sensor.

【0002】0002

【従来の技術】固体撮像素子として半導体基板の表面に
レジストあるいはプラスチックからなるマイクロレンズ
を各受光素子上に形成したものが例えば特開平2−10
3962号公報、特開平1−270362号公報等によ
り紹介されている。
2. Description of the Related Art A solid-state image sensing device in which microlenses made of resist or plastic are formed on each light receiving element on the surface of a semiconductor substrate is disclosed in, for example, JP-A-2-10
This method is introduced in Japanese Patent Application Publication No. 3962, Japanese Patent Application Laid-Open No. 1-270362, and the like.

【0003】そして、マイクロレンズの形成は、従来、
固体撮像素子の表面にプラスチックからなるレンズ材料
層を形成し、該レンズ材料層上にレジスト膜を形成し、
該レジスト膜を露光、現像により各受光素子上に矩形島
状に独立して残存するようにパターニングし、熱処理に
より各矩形島状のレジスト膜をレンズ状(略凸球面状)
に熱変形させ、そしてレジスト膜及びレンズ材料層をエ
ッチバックすることによりレンズの形状をレンズ材料層
に転写するという方法で行われた。
[0003] Conventionally, the formation of microlenses has been
forming a lens material layer made of plastic on the surface of the solid-state image sensor, forming a resist film on the lens material layer,
The resist film is patterned by exposure and development so that rectangular islands remain independently on each light-receiving element, and by heat treatment, each rectangular island-shaped resist film is shaped into a lens (approximately convex spherical shape).
The shape of the lens was transferred to the lens material layer by thermally deforming the resist film and etching back the resist film and the lens material layer.

【0004】0004

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のマイ
クロレンズの形成方法にはマイクロレンズ間の距離が1
.5μmもあり、そのため無効領域が広くなるという問
題があった。これは、従来、レンズの形成に解像度の低
いレジスト例えばHPR−204(商品名)を使用して
いたので、マイクロレンズ間の距離を小さくできなかっ
たためである。かといって解像度の良いを使用すればパ
ターニング後の熱処理によってきれいにレンズ状に熱変
形しないという問題があるのである。
[Problems to be Solved by the Invention] However, in the conventional method of forming microlenses, the distance between the microlenses is 1.
.. The thickness is as much as 5 μm, which poses a problem of widening the ineffective area. This is because conventionally, a resist with low resolution, such as HPR-204 (trade name), has been used to form the lenses, making it impossible to reduce the distance between the microlenses. On the other hand, if a high-resolution film is used, there is a problem that it will not be thermally deformed neatly into a lens shape during the heat treatment after patterning.

【0005】というのは、レジスト膜は熱変形性がよけ
れば解像度が悪くなり、解像度がよければ熱変形性が良
くなるという性質があるからである。即ち、レジスト膜
には熱変形性と解像度との間に二律背反の関係があるの
であり、これが無効領域を狭くすることに対する大きな
制約要因となっていたのである。
This is because a resist film has a property that if the thermal deformability is good, the resolution will be bad, and if the resolution is good, the thermal deformability will be good. That is, there is a trade-off between thermal deformability and resolution of the resist film, and this has been a major constraint on narrowing the ineffective area.

【0006】本発明はこのような問題点を解決すべく為
されたものであり、マイクロレンズの無効領域を狭くす
ることを目的とする。
The present invention has been made to solve these problems, and its purpose is to narrow the ineffective area of the microlens.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】請求項1のオンチップマ
イクロレンズの形成方法は、チップ表面のレンズ材料層
上に熱変形性の良い第1のレジスト膜を形成し、該第1
のレジスト膜上に解像度の良い第2のレジスト膜を形成
し、該第2のレジスト膜をパターニングし、該第2のレ
ジスト膜及び第1のレジスト膜を第2のレジスト膜がな
くなるまでエッチバックし、その後、熱処理により第1
のレジスト膜をレンズ状に熱変形させ、しかる後、上記
第1のレジスト膜及びレンズ材料層をエッチバックする
ことを特徴とする。請求項2のオンチップマイクロレン
ズの形成方法は、チップ表面のレンズ材料層上に第1の
レジスト膜を形成し、該第1のレジスト膜上に第2のレ
ジスト膜を密着性悪く形成し、該第2のレジスト膜をパ
ターニングし、その後、熱処理により第2のレジスト膜
をレンズ状に熱変形させ、しかる後、上記第1及び第2
のレジスト膜並びにレンズ材料層をエッチバックするこ
とを特徴とする。
[Means for Solving the Problems] A method for forming an on-chip microlens according to claim 1 includes forming a first resist film having good thermal deformability on a lens material layer on a chip surface, and forming a first resist film having good thermal deformability.
A second resist film with good resolution is formed on the resist film, the second resist film is patterned, and the second resist film and the first resist film are etched back until the second resist film is removed. After that, the first
The first resist film is thermally deformed into a lens shape, and then the first resist film and the lens material layer are etched back. A method for forming an on-chip microlens according to a second aspect includes forming a first resist film on a lens material layer on a chip surface, forming a second resist film on the first resist film with poor adhesion, and The second resist film is patterned, and then the second resist film is thermally deformed into a lens shape by heat treatment, and then the first and second resist films are patterned.
The resist film and lens material layer are etched back.

【0008】[0008]

【実施例】以下、本発明オンチップマイクロレンズの形
成方法を図示実施例に従って詳細に説明する。図1(A
)乃至(G)は本発明の一つの実施例を工程順に示す断
面図である。 (A)先ず、固体撮像素子の基板1上に図1の(A)に
示すようにプラスチックからなるレンズ材料層(例えば
CMS)2を塗布形成する。 (B)次に、図1の(B)に示すように上記レンズ材料
層2上に熱変形性の良い第1のレジスト膜を[例えばH
PR−204(商品名)]3を形成し、該第1のレジス
ト膜3に対して全面的露光処理を施す。即ち、パターニ
ングなしで感光させる。
EXAMPLES Hereinafter, a method for forming an on-chip microlens according to the present invention will be explained in detail according to the illustrated examples. Figure 1 (A
) to (G) are sectional views showing one embodiment of the present invention in the order of steps. (A) First, as shown in FIG. 1A, a lens material layer (for example, CMS) 2 made of plastic is coated and formed on a substrate 1 of a solid-state image sensor. (B) Next, as shown in FIG. 1B, a first resist film having good thermal deformability [for example, H
PR-204 (trade name)] 3 is formed, and the first resist film 3 is exposed to light over the entire surface. That is, it is exposed to light without patterning.

【0009】(C)次に、図1の(C)に示すように上
記熱変形性の良い第1のレジスト膜3上に解像度の良い
第2のレジスト膜[例えばPFR(商品名)]4を塗布
形成する。 (D)次に、図1の(D)に示すように上記解像度の良
い第2のレジスト膜4を露光(マスク越しの露光)及び
現像によりパターニングして各受光素子(図示しない)
に対応する位置に他から独立した上から視て矩形の島状
レジスト膜4a、4a、…を形成する。
(C) Next, as shown in FIG. 1C, a second resist film [for example, PFR (trade name)] 4 with good resolution is coated on the first resist film 3 with good thermal deformability. Form by applying. (D) Next, as shown in (D) of FIG. 1, the second resist film 4 with good resolution is patterned by exposure (exposure through a mask) and development to form each light receiving element (not shown).
Island-shaped resist films 4a, 4a, . . . , which are rectangular when viewed from above and are independent from the others, are formed at positions corresponding to .

【0010】(E)次に、レジスト膜4a、4a、…及
びレジスト膜3をレジスト膜4a、4a、…がなくなる
ところまでエッチバックする。図1の(E)はこのエッ
チバック後の状態を示す。このエッチバックにより各受
光素子に対応する位置に互いに他から独立したところの
上から視て矩形状の島状レジスト膜3a、3aが形成さ
れることになり、このパターンは工程(D)における露
光、現像により形成されたレジスト膜4a、4a、…の
パターンと全く同じである。即ち、エッチバックにより
レジスト膜4a、4a、…のパターンがそのままレジス
ト膜3a、3a、…に転写されることになる。尚、この
転写がきれいに為されるようにするには第1のレジスト
膜3と第2のレジスト膜4のエッチングレートができる
だけ近いことが好ましいことはいうまでもない。
(E) Next, the resist films 4a, 4a, . . . and the resist film 3 are etched back until the resist films 4a, 4a, . FIG. 1E shows the state after this etchback. As a result of this etchback, island-shaped resist films 3a, 3a, which are rectangular when viewed from above and are independent of each other, are formed at positions corresponding to each light receiving element, and this pattern is formed by the exposure in step (D). , the pattern of the resist films 4a, 4a, . . . formed by development is exactly the same. That is, the patterns of the resist films 4a, 4a, . . . are transferred as they are to the resist films 3a, 3a, . It goes without saying that it is preferable that the etching rates of the first resist film 3 and the second resist film 4 be as similar as possible to ensure that this transfer is performed clearly.

【0011】(F)次に、加熱処理により各島状レジス
ト膜3a、3a、…を図1の(F)に示すようにレンズ
状に熱変形させる。該レジスト膜3a、3a,…は、も
ともと熱変形性の良い材料からなるので比較的きれいな
レンズ状に形成され、良好な集光特性を持つ。 (G)その後、エッチバックすることによりレンズ状の
レジスト膜3a、3a、…の形状を図1の(G)に示す
ようにレンズ材料層2に転写する。これによりレンズ材
料層2にマイクロレンズ2a、2a、…が形成される。
(F) Next, each island-shaped resist film 3a, 3a, . . . is thermally deformed into a lens shape as shown in FIG. 1(F) by heat treatment. Since the resist films 3a, 3a, . . . are originally made of a material with good thermal deformability, they are formed into a relatively clean lens shape and have good light focusing characteristics. (G) Thereafter, by etching back, the shapes of the lens-shaped resist films 3a, 3a, . . . are transferred to the lens material layer 2 as shown in FIG. 1(G). As a result, microlenses 2a, 2a, . . . are formed in the lens material layer 2.

【0012】このようなオンチップマイクロレンズの形
成方法によれば、マイクロレンズを形成するためのパタ
ーニングは解像度の良い第2のレジスト膜4に対する露
光、現像処理より行うので、各マイクロレンズ2a、2
a間の間隔を狭くすることができる。具体的には従来1
.5μm以下にできなかったマイクロレンズ間の間隔を
1.0μm程度に狭くすることができた。そして、マイ
クロレンズ間の間隔を狭くすることができるので無効領
域を狭くすることができ、延いては固体撮像素子の集積
度を高めることができる。また、熱変形性の良い第2の
レジスト膜に対する熱処理による熱変形によりマイクロ
レンズの形状を得るので、良好な形状のマイクロレンズ
を形成することができ、延いては集光特性を高めること
ができる。しかして、集光特性の低下を伴うことなく無
効領域を小さくすることが可能となるのである。
According to such an on-chip microlens formation method, patterning for forming microlenses is performed by exposing and developing the second resist film 4 with good resolution, so that each microlens 2a, 2
The interval between a can be narrowed. Specifically, conventional 1
.. The distance between the microlenses, which could not be reduced to 5 μm or less, could be reduced to about 1.0 μm. Since the distance between the microlenses can be narrowed, the ineffective area can be narrowed, and the degree of integration of the solid-state image sensor can be increased. In addition, since the shape of the microlens is obtained by thermally deforming the second resist film, which has good thermal deformability, it is possible to form a microlens with a good shape, and as a result, the light focusing property can be improved. . Therefore, it becomes possible to reduce the ineffective area without deteriorating the light collection characteristics.

【0013】図2(A)乃至(F)は本発明オンチップ
マイクロレンズの形成方法の他の実施例を工程順に示す
断面図である。 (A)先ず、固体撮像素子の基板1上に図2の(A)に
示すようにプラスチックからなるレンズ材料層(例えば
CMS)2を塗布形成する。 (B)次に、図2の(B)に示すように上記レンズ材料
層2上に第1のレジスト膜を[例えばHPR−204(
商品名)]3を形成し、該第1のレジスト膜3に対して
全面的に露光処理を施す。即ち、パターニングなしで感
光させる。
FIGS. 2A to 2F are cross-sectional views showing another embodiment of the method for forming an on-chip microlens according to the present invention in the order of steps. (A) First, as shown in FIG. 2A, a lens material layer (for example, CMS) 2 made of plastic is coated and formed on a substrate 1 of a solid-state image sensor. (B) Next, as shown in FIG. 2B, a first resist film [for example, HPR-204 (
(trade name)] 3 is formed, and the first resist film 3 is exposed to light over the entire surface. That is, it is exposed to light without patterning.

【0014】(C)次に、図2の(C)に示すように、
上記第1のレジスト膜3上に例えば同じ材料からなる第
2のレジスト膜4を密着性悪く塗布形成する。第2のレ
ジスト膜4は図1の実施例の場合と異なり解像度が高い
ことはさほど必要ではなく、それよりも熱変形性の良い
ことが必要である。 (D)次に、図2の(D)に示すように上記第2のレジ
スト膜4を露光、現像によりパターニングして各受光素
子(図示しない)に対応する位置に互いに他から独立し
上から視て矩形状の島状レジスト膜4a、4a、…を形
成する。
(C) Next, as shown in FIG. 2 (C),
A second resist film 4 made of, for example, the same material is coated on the first resist film 3 with poor adhesion. Unlike the embodiment shown in FIG. 1, the second resist film 4 does not need to have high resolution, but rather needs to have good thermal deformability. (D) Next, as shown in FIG. 2(D), the second resist film 4 is patterned by exposure and development, so that the second resist film 4 is patterned at positions corresponding to each light-receiving element (not shown) from above, independently from each other. Island-shaped resist films 4a, 4a, . . . having a rectangular shape when viewed are formed.

【0015】(E)次に、加熱処理を施すことにより各
島状レジスト膜4a、4aをレンズ状に熱変形させる。 すると、図2の(E)に示すように各レジスト膜4a、
4aの周縁がずれて隣り合うレジスト膜4a、4aの周
縁どうしが略接するようになる。というのは、工程(B
)において2上に第2のレジスト膜3を密着性を悪く形
成したためである。従って、無効領域を略0ないし極め
て小さくすることができ、実効的な開口率を高めること
ができる。
(E) Next, each island-shaped resist film 4a, 4a is thermally deformed into a lens shape by performing a heat treatment. Then, as shown in FIG. 2(E), each resist film 4a,
The peripheral edges of resist films 4a are shifted, and the peripheral edges of adjacent resist films 4a, 4a come into substantially contact with each other. This is because the process (B
), the second resist film 3 was formed on 2 with poor adhesion. Therefore, the ineffective area can be reduced to approximately 0 to extremely small, and the effective aperture ratio can be increased.

【0016】(F)その後、第2のレジスト膜4a、4
a、…、第1のレジスト膜2及びレンズ材料層2をエッ
チバックすることにより図2の(F)に示すように第2
のレジスト膜4a、4a、…をレンズ材料層2に転写し
てマイクロレンズ2a、2a、…を形成する。
(F) After that, the second resist films 4a, 4
a,..., by etching back the first resist film 2 and the lens material layer 2, the second resist film 2 is etched back as shown in FIG. 2(F).
The resist films 4a, 4a, . . . are transferred onto the lens material layer 2 to form microlenses 2a, 2a, .

【0017】本オンチップマイクロレンズの形成方法に
よれば、第1のレジスト膜3上に密着性悪く形成した第
2のレジスト膜4からなる島状レジスト膜4a、4aを
熱変形させてマイクロレンズを形成するので、熱変形さ
せる際に隣接する各レジスト膜4a、4aの周縁が外側
にずれて無効領域がなくなる、あるいは狭くなる。従っ
て、実効的開口率を高くすることができる。
According to the present on-chip microlens forming method, the island-shaped resist films 4a, 4a consisting of the second resist film 4 formed on the first resist film 3 with poor adhesion are thermally deformed to form a microlens. Therefore, during thermal deformation, the peripheral edges of the adjacent resist films 4a, 4a shift outward, eliminating or narrowing the ineffective area. Therefore, the effective aperture ratio can be increased.

【0018】[0018]

【発明の効果】請求項1のオンチップマイクロレンズの
形成方法は、チップ表面上にレンズ材料層を形成し、該
上記レンズ材料層上に熱変形性の良い第1のレジスト膜
を形成し、該第1のレジスト膜上に解像度の良い第2の
レジスト膜を形成し、該第2のレジスト膜に対して露光
処理及び現像処理を施すことにより該膜を各マイクロレ
ンズ形成領域毎に島状に独立して存在するようにパター
ニングし、該第2のレジスト膜及び第1のレジスト膜を
該第2のレジスト膜がなくなるまでエッチバックし、そ
の後、熱処理により上記第1のレジスト膜を熱変形によ
りマイクロレンズ状にし、しかる後上記第1のレジスト
膜及びレンズ材料層をエッチバックすることを特徴とす
るものである。従って、請求項1のオンチップマイクロ
レンズの形成方法によれば、無効領域の幅は解像度の良
い第1のレジスト膜により決定することができるので狭
くすることができる。そして、マイクロレンズの形状は
熱処理により熱変形性の良い第2のレジスト膜に熱変形
させることによりつくるので、良好な形状のマイクロレ
ンズを得ることができる。従ってマイクロレンズの形状
を良好にしつつ無効領域を小さくすることができる。請
求項2のオンチップマイクロレンズの形成方法は、チッ
プ表面上にレンズ材料層を形成し、該レンズ材料層上に
第1のレジスト膜を形成し、該第1のレジスト膜上に第
2のレジスト膜を密着性悪く形成し、該第2のレジスト
膜に対して露光処理及び現像処理を施すことにより該膜
を各マイクロレンズ形成領域毎に島状に独立して存在す
るようにパターニグし、その後、熱処理することにより
該第2のレジスト膜をレンズ状に熱変形させ、しかる後
第1及び第2のレジスト膜並びにレンズ材料層をエッチ
バックすることを特徴とするものである。従って、請求
項2のオンチップマイクロレンズの形成方法によれば、
第1のレジスト膜上に密着性悪く形成した第2のレジス
ト膜からなる島状レジスト膜を熱変形させてマイクロレ
ンズの形状をつくるので、その際に各島状レジスト膜の
周縁が外側にずれてレジスト膜間の隙間が少なくなり、
無効領域が少なくなる。依って、実効的開口率を高くす
ることができる。
The method for forming an on-chip microlens according to claim 1 includes forming a lens material layer on a chip surface, forming a first resist film having good heat deformability on the lens material layer, and A second resist film with good resolution is formed on the first resist film, and by exposing and developing the second resist film, the film is formed into an island shape for each microlens forming area. The second resist film and the first resist film are etched back until the second resist film is removed, and then the first resist film is thermally deformed by heat treatment. The method is characterized in that the first resist film and the lens material layer are etched back. Therefore, according to the method for forming an on-chip microlens according to the first aspect, the width of the ineffective region can be determined by the first resist film having good resolution, and thus can be made narrower. Since the shape of the microlens is formed by thermally deforming the second resist film having good thermal deformability through heat treatment, it is possible to obtain a microlens with a good shape. Therefore, the shape of the microlens can be improved and the ineffective area can be reduced. The method for forming an on-chip microlens according to claim 2 includes forming a lens material layer on the chip surface, forming a first resist film on the lens material layer, and forming a second resist film on the first resist film. forming a resist film with poor adhesion, and patterning the second resist film so that each microlens formation region exists independently in the form of an island by subjecting the second resist film to exposure and development; Thereafter, the second resist film is thermally deformed into a lens shape by heat treatment, and then the first and second resist films and the lens material layer are etched back. Therefore, according to the on-chip microlens forming method of claim 2,
Since the island-like resist film consisting of the second resist film formed on the first resist film with poor adhesion is thermally deformed to create the shape of a microlens, the periphery of each island-like resist film shifts outward at that time. The gap between the resist films is reduced,
Invalid area is reduced. Therefore, the effective aperture ratio can be increased.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

【図1】(A)乃至(G)は本発明オンチップマイクロ
レンズの形成方法の一つの実施例を工程順に示す断面図
である。
1A to 1G are cross-sectional views showing one embodiment of the method for forming an on-chip microlens according to the present invention in the order of steps;

【図2】(A)乃至(F)は本発明オンチップマイクロ
レンズの形成方法の他の実施例を工程順に示す断面図で
ある。
FIGS. 2A to 2F are cross-sectional views showing another embodiment of the method for forming an on-chip microlens according to the present invention in the order of steps;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1  チップ 2  レンズ材料層 2a  マイクロレンズ 3  第1のレジスト膜 4  第2のレジスト膜 1 Chip 2 Lens material layer 2a Micro lens 3 First resist film 4 Second resist film

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】  チップ表面上にレンズ材料層を形成し
、上記レンズ材料層上に熱変形性の良い第1のレジスト
膜を形成し、上記第1のレジスト膜上に解像度の良い第
2のレジスト膜を形成し、上記第2のレジスト膜に対し
て露光処理及び現像処理を施すことにより第2のレジス
ト膜を各マイクロレンズ形成領域毎に島状に独立して存
在するようにパターニングし、上記第2のレジスト膜及
び第1のレジスト膜を該第2のレジスト膜がなくなるま
でエッチバックし、その後、熱処理により上記第1のレ
ジスト膜をレンズ状に熱変形させ、しかる後、上記第1
のレジスト膜及びレンズ材料層をエッチバックすること
を特徴とするオンチップマイクロレンズの形成方法。
1. A lens material layer is formed on a chip surface, a first resist film with good thermal deformability is formed on the lens material layer, and a second resist film with good resolution is formed on the first resist film. forming a resist film, and patterning the second resist film so that it exists independently in the form of islands for each microlens forming region by subjecting the second resist film to exposure and development; The second resist film and the first resist film are etched back until the second resist film is removed, and then the first resist film is thermally deformed into a lens shape by heat treatment.
A method for forming an on-chip microlens, comprising etching back a resist film and a lens material layer.
【請求項2】  チップ表面上にレンズ材料層を形成し
、上記レンズ材料層上に第1のレジスト膜を形成し、上
記第1のレジスト膜上に第2のレジスト膜を密着性悪く
形成し、上記第2のレジスト膜に対して露光処理及び現
像処理を施すことにより第2のレジスト膜を各マイクロ
レンズ形成領域毎に島状に独立して存在するようにパタ
ーニグし、その後、熱処理により上記第2のレジスト膜
をレンズ状に熱変形させ、しかる後、上記第1及び第2
のレジスト膜並びにレンズ材料層をエッチバックするこ
とを特徴とするオンチップマイクロレンズの形成方法。
2. A lens material layer is formed on a chip surface, a first resist film is formed on the lens material layer, and a second resist film is formed on the first resist film with poor adhesion. , the second resist film is subjected to exposure treatment and development treatment to pattern the second resist film so that each microlens formation region is independently formed into an island shape, and then heat treatment is performed to form the second resist film as described above. The second resist film is thermally deformed into a lens shape, and then the first and second resist films are
A method for forming an on-chip microlens, comprising etching back a resist film and a lens material layer.
JP3050754A 1991-02-23 1991-02-23 Method of forming on-chip microlens Pending JPH04268763A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3050754A JPH04268763A (en) 1991-02-23 1991-02-23 Method of forming on-chip microlens

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JP3050754A JPH04268763A (en) 1991-02-23 1991-02-23 Method of forming on-chip microlens

Publications (1)

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JPH04268763A true JPH04268763A (en) 1992-09-24

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ID=12867633

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