JPH0426679A - 液晶性化合物、それを含有する液晶組成物およびそれを使用した液晶素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、新規な液晶性化合物、それを含有する液晶組
成物およびそれを使用した液晶素子に関し、さらに詳し
くは電界に対する応答特性が改善された新規な液晶組成
物、およびそれを使用した液晶表示素子や液晶−光シヤ
ツター等に利用される液晶素子に関するものである。

［従来の技術］ 従来より、液晶は電気光学素子として種々の分野で応用
されている。現在実用化されている液晶素子はほとんど
が、例えばエム　シャット（Ｍ。

５ｃｈａｄｔ）とダブリュ　ヘルフリッヒ（Ｗ、　Ｈｅ
１ｆｒｉｃｈ）著“アプライド　フィジックス　レター
ズ゛（”Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｌｅｔｔｅ
ｒｓ　”　）　Ｖｏ、１ｇ、　Ｎｏ、４（１９７１，２
，１５）Ｐ、　１２７〜１２８の°’Ｖｏｌｔａｇｅ　
ＤｅｐｅｎｄｅｎｔＯｐｔｉｃａｌ　Ａｃｔｉｖｉｔｙ
　ｏｆ　ａ　Ｔｗｉｓｔｅｄ　Ｎｅｍａｔｉｃ　１ｉｑ
ｕｉｄＣｒｙｓｔａｌ°°に示されたＴＮ（Ｔｗｉｓｔ
ｅｄ　Ｎｅｍａｔｉｃ）型の液晶を用いたものである。

これらは、液晶の誘電的配列効果に基づいており、液晶
分子の誘電異方性のために平均分子軸方向が、加えられ
た電場により特定の方向に向く効果を利用している。こ
れらの素子の光学的な応答速度の限界はミリ秒であると
いわれ、多くの応用のためには遅すぎる。一方、大型平
面デイスプレィへの応用では、価格、生産性などを考え
合わせると、単純マトリクス方式による駆動が最も有力
である。単純マトリクス方式においては、走査電極群と
信号電極群をマトリクス状に構成した電極構成が採用さ
れ、その駆動のためには、走査電極群に順次周期的にア
ドレス信号を選択印加し、信号電極群には所定の情報信
号をアドレス信号と同期させて並列的に選択印加する時
分割駆動方式が採用されている。

しかし、この様な駆動方式の素子に前述したＴＮ型の液
晶を採用すると、走査電極が選択され、信号電極が選択
されない領域、或いは走査電極が選択されず、信号電極
が選択される領域（所謂゛半選択点°°）にも有限に電
界がかかってしまう。

選択点にかかる電圧と、半選択点にかかる電圧の差が充
分に大きく、液晶分子を電界に垂直に配列させるのに要
する電圧閾値がこの中間の電圧値に設定されるならば、
表示素子は正常に動作するわけであるが、走査線数（Ｎ
）を増加して行った場合、画面全体（１フレーム）を走
査する間に一つの選択点に有効な電界がかかっている時
間（ｄｕｔｙ比）力月／Ｎの割合で減少してしまう。

このために、くり返し走査を行なった場合の選択点と非
選択点にかかる実効値としての電圧差は、走査線数が増
えれば増える程小さくなり、結果的には画像コントラス
トの低下やクロストークが避は難い欠点となっている。

この様な現象は、双安定性を有さない液晶（電極面に対
し、液晶分子が水平に配向しているのが安定状態であり
、電界が有効に印加されている間のみ垂直に配向する）
を時間的蓄積効果を利用して駆動する（即ち、繰り返し
走査する）ときに生ずる本質的には避は難い問題点であ
る。

この点を改良するために、電圧平均化法、２周波駆動法
や、多重マトリクス法等が既に提案されているが、いず
れの方法でも不充分であり、表示素子の大画面化や高密
度化は走査線数が充分に増やせないことによって頭打ち
になっているのが現状である。

この様な従来型の液晶素子の欠点を改善するものとして
、双安定性を有する液晶素子の使用が、クラーク（Ｃ１
ａｒｋ）およびラガウエル（Ｌａｇｅｒｗａｌｌ）によ
り提案されている（特開昭５６−１０７２１６号公報、
米国特許第４３６７９２４号明細書等）。

双安定性液晶としては、一般にカイラルスメクティック
Ｃ相（Ｓ＋＋＋ｆｌ：’相）又はＨ相（ＳｍＨ”相）を
有する強誘電性液晶が用いられる。

この強誘電性液晶は電界に対して第１の光学的安定状態
と第２の光学的安定状態からなる双安定状態を有し、従
って前述のＴＮ型の液晶で用いられた光学変調素子とは
異なり、例えば一方の電界ベクトルに対して第１の光学
的安定状態に液晶が配向し、他方の電界ベクトルに対し
ては第２の光学的安定状態に液晶が配向されている。ま
た、この型の液晶は、加えられる電界に応答して、上記
２つの安定状態のいずれかを取り、かつ、電界の印加の
ないときはその状態を維持する性質（双安定性）を有す
る。

以上の様な双安定性を有する特徴に加えて、強誘電性液
晶は高速応答性であるという優れた特徴を持つ。それは
強誘電性液晶の持つ自発分極と印加電場が直接作用して
配向状態の転移を誘起するためであり、誘電率異方性と
電場の作用による応答速度より３〜４オーダー速い。

この様に強誘電性液晶はきわめて優れた特性を潜在的に
有しており、この様な性質を利用することにより上述し
た従来のＴＮ型素子の問題点の多くに対して、かなり本
質的な改善が得られる。特に、高速光学光シャッターや
高密度、大画面デイスプレィへの応用が期待される。こ
のため強誘電性を持つ液晶材料に関しては広く研究がな
されているが、現在までに開発された強誘電性液晶材料
は、低温作動特性、高速応答性等を含めて液晶素子に用
いる十分な特性を備えているとは言い難い。

応答時間τと自発分極の大きさＰｓおよび粘度ηの間に
は、下記の式［ｎ］ （ただし、Ｅは印加電界である） の関係が存在する。したがって応答速度を速（するには
、 （ア）自発分極の大きさＰｓを太き（する（イ）粘度η
を小さくする （つ）印加電界Ｅを大きくする 方法がある。しかじ印加電界は、ＩＣ等で駆動するため
上限があり、出来るだけ低い方が望ましい。

よって、実際には粘度ηを小さくするか、自発分極の大
きさＰｓの値を大きくする必要がある。

−数的に自発分極の大きい強誘電性カイラルスメクチッ
ク液晶化合物においては、自発分極のもたらすセルの内
部電界も太き（、双安定状態をとり得る素子構成への制
約が多くなる傾向にある。

又、いたずらに自発分極を大きくしても、それにつれて
粘度も大きくなる傾向にあり、結果的には応答速度はあ
まり速くならないことが考えられる。

また、実際のデイスプレィとしての使用温度範囲が、例
えば５〜４０℃程度とした場合、応答速度の変化が一般
に２０倍程もあり、駆動電圧及び周波数による調節の限
界を越えているのが現状である。

以上述べたように、強誘電性液晶素子を実用化するため
には、粘度が低く、高速応答性を有し、かつ応答速度の
温度依存性の小さな強誘電性カイラルスメクチック液晶
組成物が要求されている。

［発明が解決しようとする課題］ 本発明の目的は、強誘電性液晶素子を実用できるように
するために、応答速度が速く、しかもその応答速度の温
度依存性が軽減された液晶組成物、特に強誘電性カイラ
ルスメクチック液晶組成物、および該液晶組成物を使用
する液晶素子を提供することにある。

［課題を解決するための手段］および［作用］すなわち
、本発明の第一の発明は、下記一般式（Ｉ）で示される
液晶性化合物である。

一般式（Ｉ） （式中、Ｒ１は炭素原子数１〜１８の置換基を有してい
てもよい直鎖状または分岐状のアルキル基、Ｘｌは単結
合または一〇−１Ｘ２はフッ素原子または水素原子を示
す。ｎはＯ〜８、ｍは１〜１８を示す。） また、第二の発明は、前記一般式（Ｉ）で示される液晶
性化合物の少なくとも一種を含有することを特徴とする
強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物である。

さらに、第三の発明は、前記一般式（Ｉ）で示される液
晶性化合物の少なくとも一種を含有する強誘電性カイラ
ルスメクチック液晶組成物を一対の電極基板間に配置し
てなることを特徴とする液晶素子である。

以下、本発明の詳細な説明する。

前記一般式（Ｉ）で示される液晶性化合物において、Ｒ
１は炭素原子数１〜１８の置換基を有していてもよい直
鎖状または分岐状のアルキル基であるが、好ましくは下
記の（ｉ）　、　　（ｔｉ）　、　　（ｉｉｉ）から選
ばれるものが望ましい。

（ｉ）炭素原子数が１〜１８のｎ−アルキル基、さらに
好ましくは炭素原子数が３〜１４のｎ−アルキル基。

（ｉｉ　） ？１゜ 一←Ｈ２÷「づＨ−Ｃ１Ｈ，、、。

（ｐは０〜７の整数、ｑは１〜９の整数を示す。ただし
、光学活性は除く。） （ｆｉｔ　） ？１゜ −（−ＣＨ２−ｈ−ＣＨ−（−ＣＨ２升ＨＣ−Ｈ２−＋
（ｒば０〜７の整数、Ｓは０または１、ｔは１〜１４の
整数を示す。ただし、光学活性は除く。） また、Ｘｌは単結合または−０−１Ｘ２はフッ素原子ま
たは水素原子を示す。

ｎは０〜８、好ましくは０〜２であり、特にｘＩが単結
合の時には、ｎは１または２が好ましい。また、ｍは１
〜１８である。

なお、特願昭６３−２７４５１号公報、特開平１−１０
４０３１号公報に開示されている一般式で示される化合
物は、フェニルピリミジン骨格とポリフルオロアルキル
基を有する化合物である。しかしながら、前者はカイラ
ル化合物に限定されたものであり、後者は骨格とポリフ
ルオロアルキル基の結合子がエステルに限定されており
、またフェニルピリミジン骨格を有する化名物について
は実際には例示されておらず、またその化合物を用いる
ことについての具体的な効果についても何ら示されてい
ない。

これに対して、本発明の一般式（Ｉ）で示される液晶性
化合物を含有する強誘電性液晶組成物は応答速度が早く
、かつ応答速度の温度依存性が軽減されることが判明し
た。

次に、前記一般式（Ｉ）で表わされる液晶性化合物の一
般的な合成例を以下に示す。

一般式（Ｉ）において、 ■Ｘ１が一〇−の場合 ■Ｘ１が単結合の場合 ＣｐＣ−＋ＣＨ２＋Ｔ−ｒ−＋ＣＦ２÷ｍ　Ｘ２８２Ｎ
（狸ＣＨ２刊→ＣＦｚ品Ｘ２ ＮＧ（トＣＨ２←ＣＦ、チＸ２ 次に、 前記−形式（Ｉ） で示される液晶性化合 物の具体的な構造式を以下に示す。

（Ｉ　−２） （■ （Ｉ （Ｉ　−５） （Ｉ　−６） （Ｉ （Ｉ　−８） （■ （Ｉ　−１１ （■ （Ｉ　−１３ （Ｉ　−１５ （Ｉ　−１７ （Ｉ　−１８ （Ｉ （■ （Ｉ　−２２ （■ （Ｉ （Ｉ （Ｉ　−２６ （Ｉ （Ｉ　−２８ （■ （Ｉ　−３０ （Ｉ　−３１ （Ｉ　−３２ （Ｉ　−３３ （Ｉ　−３４ （Ｉ　−３５ （Ｉ （Ｉ （Ｉ　−３８ （■ （Ｉ　−４０ （Ｉ　−４１ （Ｉ　−４２ （■ （Ｉ　−４４ （Ｉ　−４５ （Ｉ　−４６ 本発明の液晶組成物は前記−形式（Ｉ）で示される液晶
性化合物の少なくとも１種と、他の液晶性化合物の１種
以上とを適当な割合で混合することにより得ることがで
きる。

また、本発明による液晶組成物は強誘電性液晶組成物、
特に強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物が好まし
い。

次に、本発明で用いられる他の液晶性化合物の具体例を
下記の一般式（ｍ）〜（刈）で示す。

ｅ：Ｏまたは１゜ ｆ　： ０または１゜ ただしｅ＋ｆ＝０ または１ Ｙ′： Ｈ。

ハロゲン。

ＣＨ，。

ＣＦ。

（ＩＩＴ） 式の好ましい化合物として、 下記の （Ｈｌａ） （Ｉｌｌｄ）が挙げられる。

（ＩＶ） Ｉ ｈ：Ｏまたはｌ。

ただしｇ＋ｈ＝１ １　　： ０または１ （ｒｖ） 式の好ましい化合物として、 下記の （ＩＶ　ａ　） （ＩＶｃ）が挙げられる。

ｊ：０または１ Ｙ、’、　Ｙ２’、　Ｙ、’　　：　Ｈ，ハロゲン、　
ＣＨ３，ＣＦ２（Ｖ） 式の好ましい化合物として、 下記の （Ｖａ） （ｖｂ）が挙げられる。

（Ｖｌ） ｋ＋　ｆ！　＋　ｍ　：　Ｏまたはｌ、ただしに＋ｊ２
＋ｍ＝０．１または２ （Ｖｌ） 式の好ましい化合物として、 下記の （ＶＴ　ａ　） （Ｖｌｆ）が挙げられる。

Ｒ，’Ｘ、’→Ｅ）−Ｘ、’℃Ｈトｘｚ　’　Ｒ２’（
Ｖｌａ） Ｒ＋　’　Ｘ　Ｉ’　ｕ　Ｌ　’　＋Ｌ　’　Ｒａ　’
（Ｖｌｂ） Ｒ、′ｘ　、′５　ｘ４’　＋ｘ　２’　Ｒ２’（Ｖｌ
ｄ） Ｒ，’ｘ、’ハ）（Ｘｘ、’＋ｘ２’Ｒ２’（ＶＩｅ） Ｒ，’Ｘ１′！Ｘｉ’（妊Ｘ２’Ｒ２’（Ｖｌｆ） ここで、Ｒ＋’、　　Ｒ２′は炭素原子数１〜１８の直
鎖状または分岐状のアルキル基であり、該アルキル基中
の１つもしくは隣接しない２つ以上の−ＣＨ２−基は−
ＣＨハロゲン−によって置換されていてもよい。さらに
、ｘ、’、　　ｘ２’と直接結合する＝ＣＩ（２−基を
除（１つ若しくは隣接しない２つ以上の−Ｃ１，−基は
、されていてもよい。ただし、Ｒ１またはＲ２が１個の
−ＣＨ２−基を−ＣＨハロゲン−で置換したハロゲン化
アルキルである場合、Ｒ＋’　　またはＲｔ’　　は環
に対して単結合で結合しない。

Ｒ１’、　Ｒ２’は、好ましくは下記のｉ）〜ｖｉｉ　
）が挙げられる。

ｉ）炭素原子数１〜１５の直鎖状アルキル基ＣＨ。

−（−ＣＨ，モｐ　ＣＨ−ＣｑＨ２ｑ＋＋ｐｒｏ〜５、
ｑ：１〜１１の整数、 光学活性でもよい。

ＣＨ３ 一＋ｃＨ２＋−Ｆ−ＣＨチＨ２±ｓ　０ＣｔＨ２ｔ＋＋
ｒ：０〜６、ｓ：ｏ、１、ｔ：１〜１４の整数、光学活
性でもよい。

ｕ　：　０゜ １、 ｌ〜１６の整数、 ＣＨ。

ＣＨＣＯＣｗＨ２ｗ＋１ １〜１５の整数、 光学活性でもよい。

ｖｉ） Ｎ −印Ｈ２÷ｘ−ＣＨ−ＣｓＨ２ａ−＋ Ａ　： ０〜２、 Ｂ　： １〜１５の整数、 光学活性でもよい。

ｖｉｉ　） Ｃ： ０〜２、　Ｄ　： １〜１５の整数、 光学活性でもよい。

（ｎｌ　ａ　）〜 （ｍｄ）のさらに好ましい化合物として、下 記の （ＩＴＩ　ａａ） （ＩＩＩ　ｄｃ） が挙げられる。

Ｕ （ｒＶ　ａ　）〜 （ｒＶｃ）のさらに好ましい化合物として、下 記の （ＩＶａａ） （ｒＶｃｄ） が挙げられる。

（Ｖａ）〜 （ｖｂ）のさらに好ましい化合物として、下 記の （Ｖ　ａａ） （Ｖ　ｂｆ） が挙げられる。

Ｒ，’（）（妊Ｒ２′ （Ｖ　ａａ） Ｒ、′＋ＣＨ、ＣＨ２＋Ｒ２’ ′舎ＣＨ，ＣＨ２Ｃ０＋Ｒ，ｉ’ Ｒ＋’　＋ＣＨ＝　ＣＨＣＯ＋Ｒ２’ ハ Ｒ，’＋ＣＨ２Ｏ＋ Ｒ２′ （Ｖ　ａｄ） （Ｖａｅ） （Ｖａｆ） （Ｖａｇ） Ｖ−’ （Ｖｌ　ａ　）〜 （ＶＩ　ｆ　）のさらに好ましい化合物として、下 記の （Ｖｌａａ） （Ｖｌｆａ） が挙げられる。

Ｒ，’８ＣＨ２０やＨトＲ２’ （Ｖｌａｂ） Ｅ　： ０またはｌ （■） Ｆ。

Ｇｏｏまたは１ （■） 式の好ましい化合物として、 下記の （■ａ） （■ｂ）が挙げられる。

（■） 式の好ましい化合物として、 下記の （■ａ） （■ｂ）が挙げられる。

（■ａ） （■ｂ）のさらに好ましい化合物として、下 記の （■ａａ） （■ｂｂ） が挙げられる。

ここで、Ｒｓ　　、　　Ｒ４’は炭素原子数１〜１８の
直鎖状または分岐状のアルキル基であり、該アルキル基
中の１つもしくは隣接しない２つ以上の−ＣＨ２−基は
−ＣＨハロゲン−によって置換されていてもよい。さら
に、ｘ、’、　　ｘ２’と直接結合する一ＣＨ２−基を
除く１つ若しくは隣接しない２つ以上の−ＣＨ２−基は
、されていてもよい。ただし、Ｒ３またはＲ４が１個の
−ＣＨ２−基を−ＣＨハロゲン−で置換したハロゲン化
アルキルである場合、Ｒ３′　　またはＲ４は環に対し
て単結合で結合しない。

さらに、Ｒａ’、　Ｒ−’は、好ましくは下記のｉ）〜
ｖｉｉ）が挙げられる。

ｉ）炭素原子数１〜１５の直鎖状アルキル基Ｈａ −（（、Ｈ，÷、ＣＨ−Ｃ１［２，、。

ｐ　： ０〜５、 ｑ　： １〜１１の整数、 光学活性でもよい。

ｔｉｔ　） Ｈａ −（−ＣＩ、＋−Ｆ−ＣＨ−（−ＣＨ，−１０ｃｔＥ１
．　ｔ、　。

ｒ：ｏ〜６、ｓ：ｏ、１、ｔ：１〜１４の整数、光学活
性でもよい。

ｉｖ） −１−ＣＨ，÷ｒｒｃＨｃｖＨ２ｖ＊１Ｕ：Ｏ。

１． １−１６の整数、 ■） ｗｌ〜１５の整数、光学活性でもよい。

ｖｉ） Ｎ −＋ｃＨ２÷１７ＣＨ−ＣＪｉＢ−１ Ａ　： Ｏ〜２、 Ｂ　： １〜１５の整数、 光学活性でもよい。

ｖｉｉ　） Ｎ −（−ＣＨ，÷ｒＣ−ＣｏＨ２ｏ＋＋ Ｈ３ Ｃ： Ｏ〜２、 Ｄ　＝ １〜１５の整数、 光学活性でもよい。

Ｒｓ　’　−Ｘ　＋　’　＋Ｘ　３′←１’　−Ｘ４’
＞　Ｘ−◎＋ｙ　Ｘ２’　−８６’（ＩＩ） Ｈｌ Ｊ：Ｏまたば１１ ただしＨ＋Ｊ＝Ｏまたは１ Ｒ，′ ’−Ａｘ’−Ｘｓ’　＋Ｘ４’　＋　Ｘｉ’−Ｒ６’（
Ｘ） （ＸＩ） （■） 式の好ましい化合物として、 下記の （ＩＸ　ａ　） （ＩＸｃ）が挙げられる。

Ｒ６’−Ｘ＋’−ＡＩ’　＋Ｘ２’−Ｒａ’（ｒＸａ） （ｒｘ’ｂ） （ＩＸｃ） （Ｘ）式の好ましい化合物として、下記の（Ｘａ）（ｘ
ｂ）が挙げられる。

Ｒ５’−Ｘ＋’−Ａ＋’＋Ｘ５’（沢Ｘ２’−Ｒｅ’Ｒ
ａ’−Ｘ＋’　＋Ａ、’（沢ｘ２／−Ｒ６／Ｒ６’−Ｘ
＋’−Ａｌｌ’　＋ｘ４’舎Ｘｔ’　−Ｒａ’（Ｘａ） Ｒｓ’−Ｘ、’−Ａ２’−Ｘ３’　Ｗ　Ｘ２’−Ｒｅ’
（ｘｂ） （ＤＣａ　）〜（■ｃ）のさらに好ましい化合物として
、下記の（ＩＸａａ）〜（ＩＸｃｃ）が挙げられる。

Ｒ５′ Ａ１′舎Ｒ６′ （ＩＸａａ） Ｒ６’−Ａ、’＋０Ｃ−Ｒ，’ ハ Ｒ５’　−〇−Ａ　、　’　＋Ｒ、’ Ｒｓ’−Ａ、′（）（沢Ｒ６′ Ｒ５′−ｏ−Ａ、’（）℃沢Ｒａ’ Ｒｓ’−Ａ＋’Ｗ　ＱＣ−Ｒｅ’ 菖 Ｒ５’−ＡＩ’　＋ｏｃ＋Ｒ６’ ハ Ｒｓ　’　−Ａ　＋　’　＋ＯＣＨ２＋Ｒｓ　’Ｒ５′
＋Ａ１′＋Ｒ６′ Ｒｓ’＋Ａ＋’　＋ＯＲ６’ （ＩＸａｃ） （ＩＸａｄ） （ｒＸｂａ） （ｒＸ　ｂｂ） （ＩＸｂｃ） （ＩＸｂｄ） （ＩＸｂｅ） （ＩＸｃａ） （ＩＸｃｂ） （Ｘａ）。

（Ｘｂ）のさらに好ましい化合物として、下 記の （Ｘ　ａａ） （ｘｂｂ） が挙げられる。

Ｒ５’　−Ａ　２　’　＋０ＣＲ２舎Ｒ６′（Ｘａｃ） Ｒ５’−Ａ２’（）（ＸＲｓ’ （Ｘ　ｂａ） （ＸＩ） のより好ましい化合物として、 下記の （Ｘｌａ） （Ｘ１ｇ）が挙げられる。

ここで、 Ｒ５ Ｒｅ’は炭素原子数１〜１８の直鎖状 または分岐状のアルキル基であり、 該アルキル基 Ｏ 中のＸ。

ｘ２′と直接結合する一ＣＨ２− 基を除く１つ 若しくは隣接しない２つ以上の−ＣＨ２基は、 されていてもよい。

さらに、Ｒ５′。

Ｒｅ’は、 好ましくは下記のｉ） 〜ｖｉ　） が挙げられる。

ｉ）炭素原子数１〜１５の直鎖状アルキル基ｉｉ　） ＣＨ。

一＋ＣＨ２÷、ＣＨ−Ｃ，Ｈ２，。

：　０〜５、 ｑ　： １〜１１の整数、 光学活性でもよい。

ｉｉｉ　） ？１・ 一印Ｈ２＋Ｆ−ＣＨ−＋ＣＨ２＋ＴＯＣ１Ｈ２，。１ｒ
　： ０〜６、 ｓ：０゜ ■、 ｔ　： １〜１４の整数、 光学活性でもよい。

ＣＨ３ Ｃ：ＨＣＯＣｗＨ２Ｗ、１ ｗ：１〜１５の整数、 光学活性でもよい。

Ｎ 一←Ｈ２÷１７ＣＨ−ＣａＨ２＋＋＋ Ａ　： ０〜２、 Ｂ　： １〜１５の整数、 光学活性でもよい。

Ｎ −代Ｈ２＋ｌ７Ｃ−ＣｏＨ２Ｉ、＋、 ＣＨ。

０〜２、 Ｄ　＝ １〜１５の整数、 光学活性でもよい。

本発明の液晶性化合物と、１種以上の他の液晶性化合物
あるいはそれを含む液晶組成物（これらは強誘電性液晶
化合物および強誘電性液晶組成物であっても良い。以下
、これらを液晶材料と略記する。）との配合割合は、液
晶材料１００重量部に対し、本発明による液晶性化合物
を１〜５００重量部とすることが望ましい。

また、本発明の液晶性化合物を２種以上用いる場合も液
晶材料との配合割合は、前述した液晶材料１００重量部
当り、本発明による液晶性化合物の２種以上の混合物を
１〜５００重量部とすることが望ましい。

第１図は強誘電性液晶素子の構成の説明のために、本発
明の強誘電性液晶層を有する液晶素子の一例を示す断面
概略図である。

第１図において、符号１は強誘電性液晶層、２はガラス
基板、３は透明電極、４は絶縁性配向制御層、５はスペ
ーサー、６はリード線、７は電源、８は偏光板、９は光
源を示している。

２枚のガラス基板２には、それぞれＩｎ２０ａ＋ＳｎＯ
７あるいはＩＴＯ（インジウム　チン　オキサイド；　
Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　０ｘｉｄｅ）等の薄膜から成る
透明電極３が被覆されている。その上にポリイミドの様
な高分子の薄膜をガーゼやアセテート植毛布等でラビン
グして、液晶をラビング方向に並べる絶縁性配向制御層
４が形成されている。また、絶縁物質として、例えばシ
リコン窒化物、水素を含有するシリコン炭化物、シリコ
ン酸化物、硼素窒化物、水素を含有する硼素窒化物、セ
リウム酸化物、アルミニウム酸化物、ジルコニウム酸化
物、ヂクン酸化物やフッ化マグネシウムなどの無機物質
絶縁層を形成し、その上にポリビニルアルコール、ポリ
イミド、ポリアミドイミド、ポリエステルイミド、ポリ
バラキシレン、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリ
ビニルアセクール、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、
ポリアミド、ボリスヂレン、セルロース樹脂、メラミン
樹脂、ユリャ樹脂、アクリル樹脂やフォトレジスト樹脂
などの有機絶縁物質を配向制御層として、２層で絶縁性
配向制御層４が形成されていてもよく、また無機物質絶
縁性配向制御層あるいは有機物質絶縁性配向制御層単層
であっても良い。この絶縁性配向制御層が無機系ならば
蒸着法などで形成でき、有機系ならば有機絶縁物質を溶
解させた溶液、またはその前駆体溶液（溶剤に０．１〜
２０重量％、好ましくは０．２〜１０重量％）を用いて
、スピンナー塗布法、浸漬塗布法、スクリーン印刷法、
スプレー塗布法、ロール塗布法等で塗布し、所定の硬化
条件下（例えば加熱下）で硬化させ形成させることがで
きる。

絶縁性配向制御層４の層厚は通常３０人〜１μｍ、好ま
しくは３０人〜３０００人、さらに好ましくは５０人〜
１０００人が適している。

この２枚のガラス基板２はスペーサー５によって任意の
間隔に保たれている。例えば、所定の直径を持つシリカ
ビーズ、アルミナビーズをスペーサーとしてガラス基板
２枚で挟持し、周囲をシール材、例えばエポキシ系接着
材を用いて密封する方法がある。その他、スペーサーと
して高分子フィルムやガラスファイバーを使用しても良
い。

この２枚のガラス基板の間に強誘電性液晶が封入されて
いる。

強誘電性液晶が封入された強誘電性液晶層１は、一般に
は０．５〜２０μｍ、好ましくは１〜５μｍである。

また、この強誘電性液晶は、室温を含む広い温度域（特
に低温側）でＳｍＣ”相（カイラルスメクチックＣ相）
を有し、高速応答性を有することが望ましい。さらに、
応答速度の温度依存性が小さいこと、及び駆動電圧マー
ジンが広いことが望まれる。

また、特に素子とした場合に、良好な均一配向性を示し
モノドメイン状態を得るには、その強誘電性液晶は、等
方相からｃｈ相（コレステリック相）−３ｍＡ相（スメ
クチック相）−ＳｍＣ”相（カイラルスメクチックＣ相
）という相転位系列を有していることが望ましい。

透明電極３からはリード線によって外部の電源７に接続
されている。

またガラス基板２の外側には偏光板８が貼り合わせであ
る。

第１図は透過型なので光源９を備えている。

第２図は、強誘電性液晶子の動作説明のために、セルの
例を模式的に描いたものである。２１ａと２１ｂは、そ
れぞれＩｎ２０ｉ　、　５ｎＯｚあるいはＩＴＯ（Ｉｎ
ｄｉｕｍ−Ｔｉｎ　０ｘｉｄｅ）等の薄膜からなる透明
電極で被覆された基板（ガラス板）であり、その間に液
晶分子層２２がガラス面に垂直になるよう配向したＳｍ
（：”相又はＳｍＨ”相の液晶が封入されている。太線
で示した線２３が液晶分子を表わしており、この液晶分
子２３はその分子に直交した方向に双極子モーメント（
Ｐｌ　）　２４を有している。基板２１ａと２１ｂ上の
電極間に一定の閾値以上の電圧を印加すると、液晶分子
２３のらせん構造がほどけ、双極子モーメント（Ｐよ）
２４がすべて電界方向に向くよう、液晶分子２３は配向
方向を変えることができる。液晶分子２３は、細長い形
状を有しており、その長軸方向と短軸方向で屈折率異方
性を示し、従って例えばガラス面の上下に互いにクロス
ニコルの偏光子を置けば、電圧印加極性によって光学特
性が変わる液晶光学変調素子となることは、容易に理解
される。

本発明における光学変調素子で好ましく用いられる液晶
セルは、その厚さを充分に薄く　（例えばｌＯμ以下）
することができる。このように液晶層が薄くなるにした
がい、第３図に示すように電界を印加していない状態で
も液晶分子のらせん構造がほどけ、その双極子モーメン
トＰａまたはｐｂは上向き（３４ａ）又は下向き（３４
ｂ）のどちらかの状態をとる。このようなセルに、第３
図に示す如（一定の閾値以上の極性の異なる電界Ｅａ又
はＥｂを電圧印加手段３１ａと３１ｂにより付与すると
、双極子モーメントは、電界Ｅａ又はＥｂの電界ベクト
ルに対応して上向き３４ａ又は下向き３４ｂと向きを変
え、それに応じて液晶分子は、第１の安定状態３３ａか
あるいは第２の安定状態３３ｂの何れか一方に配向する
。

このような強誘電性液晶素子を光学変調素子として用い
ることの利点は、先にも述べたが２つある。

その第１は、応答速度が極めて速いことであり、第２は
液晶分子の配向が双安定性を有することである。第２の
点を、例えば第３図によって更に説明すると、電界Ｅａ
を印加すると液晶分子は第１の安定状態３３ａに配向す
るが、この状態は電界を切っても安定である。又、逆向
きの電界Ｅｂを印加すると、液晶分子は第２の安定状態
３３ｂに配向して、その分子の向きを変えるが、やはり
電界を切ってもこの状態に留っている。又、与える電界
ＥａあるいはＥｂが一定の閾値を越えない限り、それぞ
れ前の配向状態にやはり維持されている。

［実施例］ 以下、実施例により本発明について更に詳細に説明する
が、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない
。

実施例１ ５−ｎ−デシル−２−［４−（１，１−ジヒドロペルフ
ルオロブチルオキシ）フェニル］ピリミジン（例示化合
物Ｎｏ、　Ｉ　−２０）の製造 ｎ−ブタノール５０ｍｊ）に５−ｎ−デシル−２−（４
−ヒドロキシフェニル）ピリミジン０．３ｇ　（９，６
ｍｍｏｊ’　）とｐ−トルエンスルホン酸１，１−ジヒ
ドロペルフルオロブチル２．８９ｇ（８，２ｍｍｏ＃　
）を加え、その溶液に水酸化カリウム０．９５ｇを溶解
させたｎ−ブタノール溶液２０ｍｐを滴下し、７時間加
熱還流した。反応終了後、飽和食塩水５００ｍｆを加え
イソプロピルエーテルで抽出した。その抽出液に無水硫
酸ナトリウムを加え、乾燥したのち溶媒を留去し、得ら
れた粗結晶３．４ｇをカラムクロマトグラフィー（ｎ−
ヘキサン／酢酸エチル＝６／１）及び再結晶（エタノー
ル）により精製して目的物１．６ｇを得た。

相転移温度（’Ｃ） １４．２　　　　　　　２！Ｊ、３　　　　　　　５’
／、Ｕ実施例２ ５−ｎ−デシル−２−［４−（１，１，２，２−テトラ
ヒドロペルフルオロデシルオキシ）フェニル］ピリミジ
ン（例示化合物Ｎｏ、　ｌ−３５）の製造ｎ−ブタノー
ル５０ｍｊ？に５−ｎ−デシル−２−（４−ヒドロキシ
フェニル）ピリミジン２．７７ｇ　　（８，９ｍｍｏｊ
りとｐ−トルエンスルホン酸１，１，２．２−テトラヒ
ドロペルフルオロデシル５．５０ｇ（８，９ｍｍｏｊ＞
　）を加え、その溶液に水酸化カリウム０．８８ｇを溶
解させたｎ＝ブタノール溶液２０ｍｊ＋を滴下し、１７
時間加熱還流した。反応終了後、飽和食塩水５００ｍｐ
を加えイソプロピルエーテルで抽出した。その抽出液に
無水硫酸ナトリウムを加え、乾燥したのち溶媒を留去し
、得られた粗結晶３．０ｇをカラムクロマトグラフィー
（ｎヘキサン／イソプロピルエーテル＝５／１）により
精製して目的物０．３ｇを得た。

相転移温度 （’Ｃ） 実施例３ 下記化合物を下記の重量部で混合し、 液晶組成 物Ａを作成した。

構 にミ 式 更に、この液晶組成物Ａに対して、例示化合物Ｎｏ、　
ｌ−２０を以下に示す重量部で混合し、液晶組成物Ｂを
作成した。

例示化合物Ｎｏ、　　　　構造式　　　　　　重量部液
晶組成物Ａ これは下記の相転移温度 （”Ｃ） を示す。

１０．４　　　　　５５．０　　　　　６５．５　　　
７６．６Ｃｒｙｓｔ、、−ン５ｌｌｌ（：”−ンＳｍＡ
　　−ンＣｈ　−）Ｉ　ｓ　ｏ　。

実施例４ ２枚の０．７ｍｍ厚のガラス板を用意し、それぞれのガ
ラス板上にＩＴＯ膜を形成し、電圧印加電極を作成し、
さらにこの上にＳｉＯ□を蒸着させ絶縁層とした。ガラ
ス板上にシランカップリング剤［信越化学■製、ＫＢＭ
−６０２］　０．２％イソプロピルアルコール溶液を回
転数２００Ｏｒ、ｐ、ｍ、のスピンナーで１５秒間塗布
し、表面処理を施した。この後１２０℃にて２０分間加
熱乾燥処理を施した。

さらに、表面処理を行なったＩＴＯ膜付きのガラス板上
にポリイミド樹脂前駆体［東し■製、５Ｐ−５１０］　
１．５％ジメチルアセトアミド溶液を回転数２００Ｏｒ
、　ｐ、　ｍ、のスピンナーで１５秒間塗布した。成膜
後、６０分間、３００℃で加熱縮合焼成処理を施した。

この時の塗膜の膜厚は、約２５０人であった。

この焼成後の被膜には、アセテート植毛布によるラビン
グ処理がなされ、その後イソプロピルアルコール液で洗
浄し、平均粒径２μｍのアルミナビーズを一方のガラス
板上に散布した後、それぞれのラビング処理軸が互いに
平行となる様にし、接着シール剤〔チッソ■製、リクソ
ンボンド］を用いてガラス板をはり合わせ、６０分間、
１００℃にて加熱乾燥しセルを作成した。

このセルに実施例３で混合した液晶組成物Ｂを等方性液
体状態で注入し、等方相から２０℃／ｈで２５°Ｃまで
徐冷することにより強誘電性液晶素子を作成した。この
セルのセル厚をベレツク位相板によって測定したところ
、約２μｍであった。

この強誘電性液晶素子を使って自発分極の大きさＰｓと
ピーク・トウ・ピーク電圧Ｖｐｐ”２０Ｖの電圧印加に
より直交ニコル下での光学的な応答（透過光量変化０〜
９０％）を検知して応答速度（以後、光学応答速度とい
う）を測定した。その結果を次に示す。

実施例５ 下記化合物を下記の重量部で混合し、 液晶組成 物Ｃを作成した。

構 １ヨ 式 Ｃ９Ｈ＋ｏＯ＋　０ＣＨ２噸）（トｃ７ＨＩＢυ 更に、この液晶組成物Ｃに対して、以下に示す例示化合
物を各々以下に示す重量部で混合し、液晶組成物りを作
成した。

例示化合物Ｎｏ、　　　　構造式　　　　　　重量部液
晶組成物Ｃ９０ 液晶組成物りをセル内に注入する以外は、全〈実施例４
と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、光学応答速
度を測定した。

その結果を次に示す。

１０　　℃　　　　２５　℃　　　　４０　℃応答速度
（ｇｓｅｃ）　　　６３０　　　３２２　　　１７４比
較例１ 実施例５で混合した液晶組成物Ｃをセル内に注入する以
外は、全〈実施例４と同様の方法で強誘電性液晶素子を
作成し、光学応答速度を測定した。

その結果を次に示す。

１０　℃　　　　２５　℃　　　　４０　℃応答速度（
ル５ｅｃ）　　　７８４　　　３７３　　　１９７実施
例６ 実施例５で使用した例示化合物Ｎｏ、Ｉ−４，ｌ−１４
、ｌ−２０の代わりに、以下に示す例示化合物を各々以
下に示す重量部で混合し、液晶組成物Ｅを作成した。

例示化合物Ｎｏ、　　　　構造式　　　　　　重量部液
晶組成物Ｃ９０ この液晶組成物Ｅを用いた以外は、全〈実施例４と同様
の方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例４と同様の
方法で光学応答速度を測定した。

その測定結果を次に示す。

１０　℃　　　　２５　℃　　　　４０　℃応答速度（
色５ｅｃ）　　　６２５　　　３２１　　　１７５実施
例７ 実施例５で使用した例示化合物Ｎｏ、Ｉ−４，１−１４
、ｌ−２０の代わりに、以下に示す例示化合物を各々以
下に示す重量部で混合し、液晶組成物Ｆを作成した。

例示化合物Ｎｏ、　　　　構造式　　　　　　重量部液
晶組成物Ｃ８ｇ この液晶組成物Ｆを用いた以外は、全〈実施例４と同様
の方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例４と同様の
方法で光学応答速度を測定した。

その測定結果を次に示す。

１０℃　　２５℃ 応答速度（ル５ｅｃ）　　　６４２　　　３３４４０　
℃ 実施例８ 下記化合物を下記の重量部で混合し、液晶組成物Ｇを作
成した。

構造式 ％式％ 更に、この液晶組成物Ｇに対して、以下に示す例示化合
物を各々以下に示す重量部で混合し、液晶組成物Ｈを作
成した。

例示化合物Ｎｏ、　　　　構造式　　　　　　重量部液
晶組成物Ｇ　　　　　　　　９２ 液晶組成物Ｈをセル内に注入する以外は、全〈実施例４
と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、光学応答速
度を測定した。

その結果を次に示す。

１０　℃　　　　２５　℃　　　　４０　℃応答速度（
Ｉｌ、５ｅｃ）　　　５４１　　　２７０　　　１４１
比較例２ 実施例８で混合した液晶組成物Ｇをセル内に注入する以
外は全（実施例４と同様の方法で強誘電性液晶素子を作
成し、実施例１と同様の方法で光学応答速度を測定した
。

その結果を次に示す。

１０℃　　２５℃　　４０℃ 応答速度し５ｅｃ）　　　６５３　　　３１７　　　１
５９実施例９ 実施例８で使用した例示化合物Ｎｏ、Ｉ−７，ｌ−３０
の代わりに、以下に示す例示化合物を各々以下に示す重
量部で混合し、液晶組成物■を作成した。

例示化合物Ｎｏ、　　　　構造式　　　　　　重量部液
晶組成物Ｇ　　　　　　　　９０ この液晶組成物を用いた以外は、全（実施例４と同様の
方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例４と同様の方
法で光学応答速度を測定した。

その測定結果を次に示す。

１０℃　　２５℃　　４０℃ 応答速度（ｐｓｅｃ）　　　５５８　　　２８５　　　
１４７実施例１０ 実施例８で使用した例示化合物Ｎｏ、Ｉ−７，ｌ−３０
の代わりに、以下に示す例示化合物を各々以下に示す重
量部で混合し、液晶組成物Ｊを作成した。

例示化合物 Ｎｏ。

構造式 ％式％（１ この液晶組成物を用いた以外は、全〈実施例４と同様の
方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例４と同様の方
法で光学応答速度を測定した。

その測定結果を次に示す。

１０℃　　２５℃　　４０℃ 応答速度（ｐ、５ｅｃ）　　　５５５　　　２８６　　
　１４５実施例１１ 実施例８で使用した例示化合物Ｎｏ、ｒ−１，ｌ−３０
の代わりに、以下に示す例示化合物を各々以下に示す重
量部で混合し、液晶組成物Ｋを作成した。

例示化合物Ｎｏ。

構造式 ％式％ この液晶組成物を用いた以外は、全〈実施例４と同様の
方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例４と同様の方
法で光学応答速度を測定した。

その測定結果を次に示す。

１０℃　　２５℃　　４０℃ 応答速度（ル５ｅｃ）　　　５６２　　　２９１　　　
１５３実施例１２ 下記化合物を下記の重量部で混合し、液晶組成物りを作
成した。

構 造 式 更に、この液晶組成物りに対して、以下に示す例示化合
物を各々以下に示す重量部で混合し、液晶組成物Ｍを作
成した。

例示化合物Ｎｏ、　　　　構造式　　　　　　重量部液
晶組成物Ｌ 液晶組成物Ｍをセル内に注入する以外は、全〈実施例４
と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、光学応答速
度を測定し、スイッチング状態等を観察した。この液晶
素子内の均一配向性は良好であり、モノドメイン状態が
得られた。

その測定結果を次に示す。

１０℃　　２５℃　　４０℃ 応答速度（ル５ｅｃ）　　　５６２　　　２９９　　　
１６５比較例３ 実施例１２で混合した液晶組成物りをセル内に注入する
以外は全〈実施例４と同様の方法で強誘電性液晶素子を
作成し、光学応答速度を測定した。

その結果を次に示す。

１０　℃　　　　　２５　℃　　　　　４０　℃応答速
度（ル５ｅｅ）　　　６６８　　　３４０　　　１８２
実施例１３ 実施例１２で使用した例示化合物Ｎｏ、Ｉ−２，Ｉ２５
、ｌ−３７の代わりに、以下に示す例示化合物を各々以
下に示す重量部で混合し、液晶組成物Ｎを作成した。

例示化合物Ｎｏ、　　　構造式　　　　　　重量部液晶
組成物Ｌ　　　　　　　　９１ この液晶組成物を用いた以外は、全〈実施例４と同様の
方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例４と同様の方
法で光学応答速度を測定し、スイツチング状態等を観察
した。この液晶素子内の均一配向性は良好であり、モノ
ドメイン状態が得られた。

その測定結果を次に示す。

１０℃　　２５℃　　４０℃ 応答速度（ｐｓｅｃ）　　　５５８　　　３００　　　
１６７実施例１４ 実施例１２で使用した例示化合物Ｎｏ、Ｉ−２，Ｉ２５
、ｌ−３７の代わりに、以下に示す例示化合物を各々以
下に示す重量部で混合し、液晶組成物Ｏを作成した。

例示化合物Ｎｏ、　　　　構造式　　　　　　重量部液
晶組成物Ｌ　　　　　　　　９２ この液晶組成物を用いた以外は、全〈実施例４と同様の
方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例４と同様の方
法で光学応答速度を測定し、スイッチング状態等を観察
した。この液晶素子内の均一配向性は良好であり、モノ
ドメイン状態が得られた。

その測定結果を次に示す。

１０℃　　２５℃　　４０℃ 応答速度（ｐ、５ｅｃ）　　　５８３　　　３０５　　
　１７０実施例５〜１４の結果より明らかな様に、本発
明による液晶組成物Ｄ〜Ｆ、Ｈ−におよびＭ〜０を含有
する強誘電性液晶素子は、低温における作動特性、高速
応答性が改善され、また応答速度の温度依存性も軽減さ
れていることが認られる。

実施例１５ 実施例７で使用したポリイミド樹脂前駆体１．５％ジメ
チルアセトアミド溶液に代えて、ポリビニルアルコール
樹脂〔クラレ■製、ＰＵＡ−１１７］　２％水溶液を用
いた他は全く同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、
実施例４と同様の方法で光学応答速度を測定した。その
結果を次に示す。

１０℃　　２５℃　　４０℃ 応答速度（ｘｓｅｃ）　　　６１９　　　３１９　　　
１７１実施例１６ 実施例７で使用した５ｉＯａを用いずに、ポリイミド樹
脂だけで配向制御層を作成した以外は全（実施例４と同
様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例４と同様
の方法で光学応答速度を測定した。その結果を次に示す
。

１０℃　　２５℃　　４０℃ 応答速度（川５ｅｃ）　　　６１１　　　３２１　　　
１７５実施例１５．１６より明らかな様に、素子構成を
変えた場合でも本発明に係わる強誘電性液晶組成物を含
有する素子は、実施例７と同様に、低温作動特性が非常
に改善され、かつ、応答速度の温度依存性の軽減された
ものとなっている。

［発明の効果］ 以上説明した様に、本発明の液晶性化合物を含有する強
誘電性液晶組成物を使用した素子は、スイッチング特性
が良好で、低温作動特性の改善された液晶素子、及び応
答速度の温度依存性の軽減された液晶素子とすることが
できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の強誘電性液晶層を用いた液晶表示素子
の一例を示す断面概略図、第２図および第３図は強誘電
性液晶素子の動作説明のために、素子セルの一例を模式
的に表わす斜視図である。 １・・・強誘電性液晶層　２・・・ガラス基板３・・・
透明電極　　　　４・・・絶縁性配向制御層５・・・ス
ペーサー　　　６・・・リード線７・・・電源　　　　
　　８・・・偏光板９・・・光源　　　　　　Ｉ。・・
・入射光■・・・透過光 ２１ａ・・・基板　　　　　２１ｂ・・・基板２２・・
・液晶分子層　　　２３・・・液晶分子２４・・・双極
子モーメント（Ｐよ） ３１ａ、　３１ｂ・・・電圧印加手段 ３３ａ・・・第１の安定状態 ３３ｂ・・・第２の安定状態 ３４ａ・・・上向き双極子モーメント ３４ｂ・・・下向き双極子モーメント Ｅａ・・・上向きの電界 Ｅｂ・・・下向きの電界

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）下記一般式（ I ）で示される液晶性化合物。 一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＿１は炭素原子数１〜１８の置換基を有して
   いてもよい直鎖状または分岐状のアルキル基、Ｘ＿１は
   単結合または−Ｏ−、Ｘ＿２はフッ素原子または水素原
   子を示す。ｎは０〜８、ｍは１〜１８を示す。）
2. （２）下記一般式（ I ）で示される液晶性化合物の少
   なくとも一種を含有することを特徴とする強誘電性カイ
   ラルスメクチック液晶組成物。 一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＿１は炭素原子数１〜１８の置換基を有して
   いてもよい直鎖状または分岐状のアルキル基、Ｘ＿１は
   単結合または−Ｏ−、Ｘ＿２はフッ素原子または水素原
   子を示す。ｎは０〜８、ｍは１〜１８を示す。）
3. （３）下記一般式（ I ）で示される液晶性化合物の少
   なくとも一種を含有する強誘電性カイラルスメクチック
   液晶組成物を一対の電極基板間に配置してなることを特
   徴とする液晶素子。 一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＿１は炭素原子数１〜１８の置換基を有して
   いてもよい直鎖状または分岐状のアルキル基、Ｘ＿１は
   単結合または−Ｏ−、Ｘ＿２はフッ素原子または水素原
   子を示す。ｎは０〜８、ｍは１〜１８を示す。）