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JPH0424942A - ウェハ固定治具およびそれを備えた露光装置 - Google Patents

ウェハ固定治具およびそれを備えた露光装置

Info

Publication number
JPH0424942A
JPH0424942A JP2125750A JP12575090A JPH0424942A JP H0424942 A JPH0424942 A JP H0424942A JP 2125750 A JP2125750 A JP 2125750A JP 12575090 A JP12575090 A JP 12575090A JP H0424942 A JPH0424942 A JP H0424942A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
exposure light
fixing jig
exposure
tapered surface
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2125750A
Other languages
English (en)
Inventor
Shigeru Mochizuki
望月 茂
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Renesas Eastern Japan Semiconductor Inc
Original Assignee
Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd, Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd
Priority to JP2125750A priority Critical patent/JPH0424942A/ja
Publication of JPH0424942A publication Critical patent/JPH0424942A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/707Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 :産業上の利用分野〕 本発明は、ウェハ固定治具およびそれを用しまた露光装
置に関し、特に、ウェハ面における露光光の照度分布の
均一化に有効な技術に関する。
〔従来の技術〕
たとえば、半導体集積回路装置の製造工程におけるフォ
トリングラフィに用いられる露光装置では、半導体基板
(以下ウェハと記す)が載置されるステージに当該ウェ
ハを安定に固定するなどの目的で、はぼ円形のウェハの
外周部をステージとの間で挟持する環状のウェハ固定治
具が用いられる場合がある。
通常、このようなウェハ固定治具においては、固定すべ
きウェハの外縁部に沿う内側孔が、ウェハに入射する露
光光の到来方向に拡がるようなテーバをなすようにして
、ウェハの外周部における露光光の照射が制約されない
ように、すなわち固定治具の影がウェハに生じることが
ないように配慮している。
なお、ウェハの露光技術については、たとえば、株式会
社工業調査会、昭和60年11月20日発行、[電子材
料J 1985年11月号別冊P95〜P102などの
文献に記載されている。
〔発明が解決しようとする課題〕
ところが、上記の従来技術のように、ウェハ固定治具の
内周面が、露光光の到来方向に拡がるようなテーバをな
している場合には、露光光の一部がテーバ領域で乱反射
されることによってウエノ飄内の不定領域に入射し、ウ
ェハの全域における露光光の照度が不均一になる結果、
露光むらが発生し、ウェハに転写されるパターンの誤転
写や、転写精度の劣化を生じるという問題がある。
そこで、本発明の目的は、ウェハに対する露光光の入射
を制約することなく、ウェハの露光精度を向上させるこ
とが可能なウェハ固定治具を提供することにある。
本発明の他の目的は、ウェハに対する露光光の入射を制
約することなく、ウェハの露光精度を向上させることが
可能な露光装置を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
〔課題を解決するための手段〕
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、本発明になるウェハ固定治具は、ウェハ外周
部に係合する固定爪が突設された内縁部が、ウェハに照
射される露光光の到来方向に向かって拡がるテーパ面を
なすウェハ固定治具てあって、テーパ面に複数の段差部
を刻設したものである。
また、本発明になるウェハ固定治具は、ウェハ外周部に
係合する固定爪が突設された内縁部が、ウェハに照射さ
れる露光光の到来方向に向かって拡がるテーパ面をなす
ウェハ固定治具であって、テーパ面に、露光光に対する
反射防止膜を形成したものである。
また、本発明になる露光装置は、露光光を発生する光源
と、所望の透光パターンが形成された原版を支持するマ
スクステージと、ウェハ固定治具を介してウェハが載置
されるウェハステージと、光源から発生する露光光を、
原版を透過させてウェハに照射させる光学系とからなる
露光装置であって、ウェハ固定治具として請求項1〜3
記載のウェハ固定治具を用いるようにしたものである。
〔作用〕
上記した本発明のウェハ固定治具によれば、たとえばウ
ェハ外周部に臨んでテーパ面をなす内縁部に刻設された
段差部の個々の平面の、露光光の到来方向と交差する角
度を適宜設定することにより、当該テーパ面に入射する
露光光を、ウェハとは反対側の当該露光光の到来方向の
側に戻るように反射させることが可能となり、テーパ面
で乱反射した露光光がウェハの不定領域に入射すること
に起因する照度むらの発生を確実防止できる。
この結果、内縁部がテーパ面をなすことでウェハに対す
る露光光の照射を制約することなく、ウェハ内における
露光光の照度を均一にすることができ、露光光の照度の
過不足などに起因する転写パターンの寸法のばらつきが
なくなり、ウェハに対する所望の転写パターンの露光精
度が向上する。
また、請求項3記載の本発明になるウェハ固定治具によ
ればウェハ外周部に臨んでテーパ面をなす内縁部に、露
光光に対する反射防止膜が形成されているので、テーパ
面に入射する一部の露光光が、当該反射防止膜において
吸収されるかまたは減衰するので、乱反射した露光光が
ウェハの不定位置に入射することによる照度むらの発生
が確実に防止される。
この結果、内縁部がテーパ面をなすことでウェハに対す
る露光光の照射を制約することなく、ウェハ内における
露光光の照度を均一にすることができ、ウェハに対する
所望の転写パターンの露光精度が向上する。
また、本発明になる露光装置によれば、請求項1〜3記
載のウェハ固定治具を用いて、ウェハステージに対する
ウェハの固定を行うので、917%固定治具に照射され
る一部の露光光が乱反射してウェハの不定位置に入射す
ることによる照度むらの発生が確実に防止される。
この結果、ウェハ固定治具の内縁部がテーパ面をなすこ
とでウェハに対する露光光の照射を制約することなく、
ウェハ内における露光光の照度を均一にすることができ
、ウェハに対する所望の転写パターンの露光精度が向上
する。
口実施例1〕 以下、図面を参照しながら、本発明の一実施例であるウ
ェハ固定治具およびそれを用いた露光装置の一例につい
て詳細に説胡する。
第1図は、本発明の一実施例である917%固定治具の
要部を拡大して示す断面図であり、第2図(a)および
ら)は、その全体構成の一例を示す平面図および側面図
である。
また、第3図は、このウェハ固定治具を用し)だ露光装
置の構成の一例を模式的に示す側面図である。
まず、本実施例の露光装置は、第3図に示されるように
、光源部100と、キャリッジ部200と、反射光学系
300とを備えている。
光源部100には、露光光Pを発生する光源101や、
後述の反射光学系300によって定まる所望の半径の弧
状の透光部102aが形成され、露光光Pを所望の円弧
形状に透過させるスリット102などが設けられている
キャリッジ部200は、所望の転写パターンに透光部や
遮光部が形成された原版Mを載置するマスクステージ2
01と、所望の感光剤が塗布されたウェハWが保持され
るウェハステージ202とが、所望の間隔をなして平行
かつ一体に設けられており、図示しない駆動機構によっ
て水平方向に移動可能になっている。
一方、反射光学系300は、前言己キャリッジ部200
のマスクステージ201とウェハステージ202との間
に位置し、一対の反射面を当該マスクステージ201お
よびウェハステージ202にそれぞれ向けた台形鏡30
1と、これに対向して配置された凹面鏡302と、この
両者の間に、反射面を凹面鏡302の側に向けた状態に
配置された凸面鏡303とを備えている。
そして、光源部100から出射して原版Mを平行に透過
した露光光Pは、台形鏡301.凹面鏡302、凸面鏡
303、台形鏡301を経て、ウェハステージ202に
保持されているウェハWに入射するように導かれ、原版
Mの透光部(遮光部)のパターンが等倍に、ウェハWに
転写されるようになっている。
この場合、ウェハステージ202は、たとえば第1図お
よび第2図などに示されるような形状のウェハ固定治具
10が設けられており、ウエノ\チャック202Aとの
間にウェハWを保持する#i造となっている。
すなわち、本実施例のウェハ固定治具10は、ウェハW
の輪郭よりも所定の寸法だけ大きくなるように中央部が
くりぬかれた環形状を呈しており、その内縁部11には
、周方向を等分する位置に、複数の固定爪12が突設さ
れている。そして、当該固定爪12をウェハWの外周部
に係合させることにより、ウェハチャック202Aとの
間てウェハWの固定動作が行われるようになっている。
内縁部11および固定爪12は、露光光Pの到来方向に
向かって拡がるようなテーパ面11aおよびテーパ面1
2aをなしており、ウェハWの周辺領域に、固定爪12
や内縁部11の影などを生じることがないように、すな
わち、ウェハWに対する露光光Pの照射範囲が制約され
ないように配慮されている。
また、ウェハWの外周部に接する固定爪12の下面には
、周方向に逃げ溝12bが刻設されており、当該ウェハ
Wの鋭利な外縁部に固定爪12の下面が接することによ
る塵埃の発生などが防止されるようになっている。
この場合、前記内縁部11および固定爪12のテーパ面
11aおよびテーパ面12aには、第1図に示されるよ
うに、角部が角度θ3(たとえば90度)をなす段差部
13が刻設されている。
すなわち、テーパ面11aおよび12aは、露光光Pの
光軸方向に垂直な平面に対して、傾斜角度θ1 (たと
えば70度)をなしており、さらに前記段差部13の個
々の角部は、当該傾斜角度θ1に対して、さらに傾斜角
度θ2 (たとえば45度)をなすように配列されてい
る。
すなわち、上述のように、ウェハ固定治具10の内縁部
11および固定爪12のテーパ面11aおよび12aに
複数の段差部13が刻設されていることにより、当該テ
ーパ面11aおよび12aに入射する露光光Pは、下方
に位置するウェハWとは反対側の、当該露光光Pの到来
方向の側に反射され、ウェハWの不定領域に入射するこ
とによる照度むらの発生が防止されるものである。
以下、本実施例のウェハ固定治具IQおよびそれを備え
た露光装置の作用の一例について詳細に説明する。
まず、表面に図示しないホトレジストなどの感光剤が塗
布されたウェハWが、ウェハステージ202におけるウ
ェハ固定治具10の複数の固定爪12と当該ウェハチャ
ック202Aとの間に挟持された状態で固定される。
その後、光#!部100を作動させる二とにより、スリ
ット102を介して円弧状の断面をなして出射される露
光光Pは、台形鏡301.凹面鏡302、凸面鏡303
1台形鏡301を経て、マスクステージ202上のウェ
ハWに照射され、この時、ウェハWにおける露光光Pの
照射領域は、第2図(a)に破線で示されるように、ウ
ェハWを横断し、反射光学系300 (スリブ) 10
2)によって定まる単径の弧状を呈する状態となる。
そして、キャリッジ部200によって、光源部100か
ら出射される露光光Pの光軸に直交する方向に、マスク
ステージ201に載置された原版Mおよびウェハステー
ジ202に載置されたウェハWを同時に、同一方向に移
動させることによって、露光光PによるウェハW全域の
走査を行い、原版Mの全体に形成されている透光(遮光
)パターンのウェハWの全体に対する等倍での転写を行
う。
この時、従来のように、ウェハ固定治具10の内縁部1
1のテーパ面11aおよび複数の固定爪12のテーパ面
12aが平坦な場合には、当該テーパ面11aおよび1
2aに照射される露光光Pは、テーパ面11aおよび1
2aで乱反射してウヱハW内の不定領域に入射して照度
むらを発生させ、ウェハWにおける図示しないホトレジ
ストなどの露光光Pによる露光程度のばらつきの一因と
なり、転写パターンの精度を劣化させることが懸念され
る。
ところが、本実施例の場合には、このテーパ面11aお
よび12aに、段差部13が刻設されているので、当該
テーパ面11aおよび12aに入射する露光光Pは、ウ
ェハWとは反対側の、当該露光光Pの到来方向に反射さ
れ、ウェハWの不定領域に入射して照度むらを生じさせ
る懸念がなくなる。
二の結果、ウェハWにおける露光光Pの照度が全域で均
一になり、ウェハWに塗布されている図示しないホトレ
ジストの露光状態の過不足などを生じることが無くなり
、原版MからウェハWへの露光光Pによるパターンの転
写精度が確実に向上する。
これにより、たとえば、ウェハWの表面に対する絶縁膜
の形成の一手法として用いられるポリイミドなどの樹脂
の塗着工程などにおいて、ポンディングパッドなどの領
域を選択的に除去するフォトリングラフィ工程における
作業精度が向上し、製品歩留りを確実に向上させること
ができる。
〔実施例2〕 第4図は、本発明の他の実施例であるウェハ固定治具の
一例を示す略断面図である。
この実施例2の場合には、ウェハ固定治具10の内縁部
11ふよび複数の固定爪12のそれぞれのテーパ面11
aおよび12aに刻設される段差部14の断面形状が、
櫛歯状を呈するようにしたものである。
これにより、前記実施例1の場合と同様に、当該テーパ
面11aおよび12aに入射する露光光Pを、ウェハW
とは反対側の、当該露光光Pの到来方向に反射させて、
ウェハWの不定領域に入射することによる照度むらの発
生を防止することができる。
この結果、ウェハWにおける露光光Pの照度が全域で均
一になり、露光状態の過不足などを生じることが無くな
り、原版MからウェハWへの露光光Pによるパターンの
転写精度が向上する。
〔実施例3〕 第5図は、本発明のさらに他の実施例であるウェハ固定
治具の一例を示す断面図である。
この実施例3の場合にはウェハ固定治具10の内縁部1
1および固定爪12のテーパ面11aおよび12aに、
露光光Pに対する反射防止作用、すなわち吸収または減
衰作用を有する反射防止膜15を塗着したものである。
これにより、テーパ面11aおよび12aに入射する露
光光Pが反射防止膜15によって吸収されるか、または
減衰するため、乱反射によって、ウェハWの不定領域に
入射することによる照度むらの発生の懸念が無くなり、
ウェハWの全域における露光光Pの照度分布を均一に保
つことが可能となる結果、露光状態の過不足などを生じ
ることが無くなり、原版MからウェハWへの露光光Pに
よるパターンの転写精度が向上する。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
たとえば、ウェハ固定治具に刻設される段差部の断面形
状としては、前記各実施例において例示した階段状や横
歯形などに限らず、露光光を、ウェハとは反対側の、そ
の到来方向側に反射できるものであれば、いかなる形状
であってもよい。
また、露光装置としては、前言己の各実施例に例示した
ものに限定されない。
〔発明の効果〕
本願において開示される発明のうち、代表的なものによ
って得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりで
ある。
すなわち、本発明になるウェハ固定治具によれば、ウェ
ハ外周部に係合する固定爪が突設された内縁部が、前記
ウェハに照射される露光光の到来方向に向かって拡がる
テーパ面をなすウェハ固定治具であって、前記テーパ面
に、複数の段差部を刻設したので、たとえば、ウェハ外
周部に臨んでテーパ面をなす内縁部に刻設された段差部
の個々の平面の、露光光の到来方向と交差する角度を適
宜設定することにより、当該テーパ面に入射する露光光
が、到来方向に戻るように乱反射させることが可能とな
り、テーパ面で乱反射した露光光がウェハの不定領域に
入射して照度むらを生じることを確実に防止できる。
この結果、内縁部がテーパ面をなすことでつエバに対す
る露光光の照射を制約することなく、ウェハ内における
露光光の照度を均一にすることができ、露光光の照度の
過不足などに起因する転写パターンの寸法のばらつきが
なくなり、ウェハに対する所望の転写パターンの露光精
度が向−ヒする。
また、本発明になるウェハ固定治具によれば、ウェハ外
周部に係合する固定爪が突設された内縁部が、前記ウェ
ハに照射される露光光の到来方向に向かって拡がるテー
パ面をなすウェハ固定治具であって、前記テーパ面に、
前記露光光に対する反射防止膜を形成してなる構造であ
るため、テーパ面に入射する一部の露光光が、当該反射
防止膜において吸収または減衰するので、乱反射してウ
ェハの不定位置に入射して照度むらを生じることが確実
に防止される。
この結果、内縁部がテーパ面をなすことでウェハに対す
る露光光の照射を制約することなく、ウェハ内における
露光光の照度を均一にする二とができ、ウェハに対する
所望の転写パターンの露光精度が向上する。
また、本発明になる露光装置によれば、露光光を発生す
る光源と、所望の透光パターンが形成された原版を支持
するマスクステージと、ウェハ固定治具を介してウェハ
が載置されるウェハステージと、前記光源から発生する
前記露光光を、前記原版を透過させて前記ウェハに照射
させる光学系とからなる露光装置であって、前記ウェハ
固定治具として、請求項1〜3記載のウェハ固定治具を
用いるので、ウェハ固定治具に照射される一部の露光光
が乱反射してウェハの不定位置に入射することに起因す
る照度むらの発生が確実に防止される。
この結果、ウェハ固定治具の内縁部がテーパ面をなすこ
とでウェハに対する露光光の照射を制約することなく、
ウェハ内における露光光の照度を均一にすることができ
、ウェハに対する所望の転写パターンの露光精度が向上
する。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の一実施例であるウェハ固定治具の要
部を拡大して示す断面図、 第2図(a)およびら)は、その全体構成の一例を示す
平面図および側面図、 第3図は、本発明の一実施例である露光装置の構成の一
例を模式的に示す側面図、 第4図は、本発明の他の実施例であるウェハ固定治具の
一例を示す断面図、 第5図は、本発明のさらに他の実施例であるウェハ固定
治具の一例を示す断面図である。 10・・・ウェハ固定治具、11・・・内縁部、11a
・・・テーパ面、12・・・固定爪、12a・・・テー
パ面、12b・・・逃げ溝、13゜14・・・段差部、
15・・・反射防止膜、100・・・光源部、101・
・・光源、102・・・スリット、102a・・・透光
部、200・・・キャリッジ部、201・・・マスクス
テージ、202・・・ウェハステージ、202A・・・
ウェハチャック、300・・・反射光学系、301・・
・台形鏡、302・・・凹面鏡、303・・・凸面鏡、
M・・・原版、P・・・露光光、W・・・ウェハ。 第 図 2b 第 図 (a) (b) 11a(12a) P:露光光 W:ウエハ

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、ウェハ外周部に係合する固定爪が突設された内縁部
    が、前記ウェハに照射される露光光の到来方向に向かっ
    て拡がるテーパ面をなすウェハ固定治具であって、前記
    テーパ面に、複数の段差部を刻設したことを特徴とする
    ウェハ固定治具。 2、複数の前記段差部の断面が、階段状または櫛歯状を
    呈するようにしたことを特徴とする請求項1記載のウェ
    ハ固定治具。 3、ウェハ外周部に係合する固定爪が突設された内縁部
    が、前記ウェハに照射される露光光の到来方向に向かっ
    て拡がるテーパ面をなすウェハ固定治具であって、前記
    テーパ面に、前記露光光に対する反射防止膜を形成して
    なることを特徴とするウェハ固定治具。 4、露光光を発生する光源と、所望の透光パターンが形
    成された原版を支持するマスクステージと、ウェハ固定
    治具を介してウェハが載置されるウェハステージと、前
    記光源から発生する前記露光光を、前記原版を透過させ
    て前記ウェハに照射させる光学系とからなる露光装置で
    あって、前記ウェハ固定治具として、請求項1〜3記載
    のウェハ固定治具を用いたことを特徴とする露光装置。
JP2125750A 1990-05-16 1990-05-16 ウェハ固定治具およびそれを備えた露光装置 Pending JPH0424942A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008211252A (ja) * 1996-07-30 2008-09-11 Applied Materials Inc ワークピースの縁部をシールドする装置
JP2012089641A (ja) * 2010-10-19 2012-05-10 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2008211252A (ja) * 1996-07-30 2008-09-11 Applied Materials Inc ワークピースの縁部をシールドする装置
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