JPH04245129A - チップ型ヒューズ - Google Patents
チップ型ヒューズInfo
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- JPH04245129A JPH04245129A JP1006391A JP1006391A JPH04245129A JP H04245129 A JPH04245129 A JP H04245129A JP 1006391 A JP1006391 A JP 1006391A JP 1006391 A JP1006391 A JP 1006391A JP H04245129 A JPH04245129 A JP H04245129A
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Landscapes
- Fuses (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電子機器等に使用される
チップ型ヒューズに関する。
チップ型ヒューズに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、電子機器の誤動作、短絡等の故障
により生じた過電流による電子機器の発熱、火災等の事
故を防止するために、ガラス管の端子間に金属の可溶材
料を接続した管ヒューズが用いられる。しかし、電子機
器が小型化するにつれ、前記管ヒューズでは大き過ぎる
、量産性に劣る、配線板に表面実装しにくい、などの問
題が生じた。これを解決するために小型化が容易で量産
性に優れ、配線板に表面実装しやすいチップ型のヒュー
ズが提案された。これらのチップ型ヒューズの基板は、
ヒューズが切断されるときに発生する熱を考慮してセラ
ミックが用いられる。通常、セラミック基板として使用
されるアルミナを基板にして量産性に優れたメッキ法で
電極や可溶体を形成する方法がコスト面と性能の点で最
も有利である。
により生じた過電流による電子機器の発熱、火災等の事
故を防止するために、ガラス管の端子間に金属の可溶材
料を接続した管ヒューズが用いられる。しかし、電子機
器が小型化するにつれ、前記管ヒューズでは大き過ぎる
、量産性に劣る、配線板に表面実装しにくい、などの問
題が生じた。これを解決するために小型化が容易で量産
性に優れ、配線板に表面実装しやすいチップ型のヒュー
ズが提案された。これらのチップ型ヒューズの基板は、
ヒューズが切断されるときに発生する熱を考慮してセラ
ミックが用いられる。通常、セラミック基板として使用
されるアルミナを基板にして量産性に優れたメッキ法で
電極や可溶体を形成する方法がコスト面と性能の点で最
も有利である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、アルミナ基板
にメッキ法で電極や可溶体を形成しようとするとアルミ
ナ基板を粗化してからメッキする必要があり、可溶体を
形成する部分の表面粗さが５μｍＲｍａｘ以上にもなり
、溶融した後の可溶体がその場に残り、速断性が低下す
る。また、表面粗さが大きいと可溶体の幅や厚みが一定
にならず、ヒューズの抵抗値が一定しない等の欠点が生
じる。
にメッキ法で電極や可溶体を形成しようとするとアルミ
ナ基板を粗化してからメッキする必要があり、可溶体を
形成する部分の表面粗さが５μｍＲｍａｘ以上にもなり
、溶融した後の可溶体がその場に残り、速断性が低下す
る。また、表面粗さが大きいと可溶体の幅や厚みが一定
にならず、ヒューズの抵抗値が一定しない等の欠点が生
じる。
【０００４】本発明はメッキ法を用いて作製したチップ
型ヒューズのこのような欠点を改良し、可溶体が溶融し
た後の遮断性、特性の均一性及び量産性に優れたチップ
型ヒューズを提供するものである。
型ヒューズのこのような欠点を改良し、可溶体が溶融し
た後の遮断性、特性の均一性及び量産性に優れたチップ
型ヒューズを提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板に表面粗
さが３μｍＲｍａｘ以下の化学切削性感光性ガラスを用
いたチップ型ヒューズに関する。
さが３μｍＲｍａｘ以下の化学切削性感光性ガラスを用
いたチップ型ヒューズに関する。
【０００６】本発明において、化学切削性感光性ガラス
板（以下、感光性ガラスと呼ぶ）は、露光によって化学
切削性を有するようになるものであればよく特に制限は
ないが、一般に紫外線露光後の熱処理によって露光部分
に弗化水素酸（ＨＦ酸）に易溶なメタ珪酸リチウムの結
晶を析出し、この結晶をＨＦ酸で溶解除去後再度熱処理
することによりジ珪酸リチウム結晶を生ずるものが好ま
しい。このジ珪酸リチウム結晶を生じた感光性ガラスが
、チップ型ヒューズ用基板であり、この基板をＨＦ酸等
に浸漬して表面を粗化した後、公知のめっき、フォトリ
ソグラフィ、エッチング等をして基板の表面に電極及び
可溶体の金属膜を配設し、分割してチップ型ヒューズと
される。
板（以下、感光性ガラスと呼ぶ）は、露光によって化学
切削性を有するようになるものであればよく特に制限は
ないが、一般に紫外線露光後の熱処理によって露光部分
に弗化水素酸（ＨＦ酸）に易溶なメタ珪酸リチウムの結
晶を析出し、この結晶をＨＦ酸で溶解除去後再度熱処理
することによりジ珪酸リチウム結晶を生ずるものが好ま
しい。このジ珪酸リチウム結晶を生じた感光性ガラスが
、チップ型ヒューズ用基板であり、この基板をＨＦ酸等
に浸漬して表面を粗化した後、公知のめっき、フォトリ
ソグラフィ、エッチング等をして基板の表面に電極及び
可溶体の金属膜を配設し、分割してチップ型ヒューズと
される。
【０００７】粗化後の表面粗さは、３μｍＲｍａｘ以下
である必要があり、これより大きいとメッキ次いでパタ
ーンエッチングして形成される可溶体部分の厚さ及び幅
の精度が低下し、ヒューズとしての抵抗値が一定しなく
なる。また、３μｍＲｍａｘより大きいと、溶融した後
の可溶体が移動し難くなり、速断性が低下する。
である必要があり、これより大きいとメッキ次いでパタ
ーンエッチングして形成される可溶体部分の厚さ及び幅
の精度が低下し、ヒューズとしての抵抗値が一定しなく
なる。また、３μｍＲｍａｘより大きいと、溶融した後
の可溶体が移動し難くなり、速断性が低下する。
【０００８】粗化液としては、ＨＦ酸と塩酸、硫酸、硝
酸等の強酸との混酸、ＨＦ酸とＫＦ、ＮａＦ、ＬｉＦ等
のアルカリ金属の弗化物との混合液等を用いるのが好ま
しく、これらの粗化液を用いれば、粗化後の表面粗さを
３μｍＲｍａｘ以下にすることができる。
酸等の強酸との混酸、ＨＦ酸とＫＦ、ＮａＦ、ＬｉＦ等
のアルカリ金属の弗化物との混合液等を用いるのが好ま
しく、これらの粗化液を用いれば、粗化後の表面粗さを
３μｍＲｍａｘ以下にすることができる。
【０００９】
【実施例】０．７５ｍｍ厚で６０ｍｍ×６０ｍｍの化学
切削性感光性ガラス（住田光学ガラス製、ＰＳＧ−１）
に、スルーホール形成部分に対応するところだけＣｒ蒸
着のない石英ガラスマスクを重ねて、オーク製作所製ガ
ラス基板用高精度露光装置ＯＲＣＨＭＷ−６６１Ｂ−１
を用いて紫外線１０Ｊ／ｃｍ２照射した。次に、該紫外
線露光したガラスを電気炉に入れ、大気中５４５℃で３
時間保持して露光部分だけを結晶化させてメタ珪酸リチ
ウムを析出させた。該部分的に結晶化させた感光性ガラ
スを２ＮのＨＦ水溶液に９０分浸漬し、撹拌して結晶部
分を溶解した。その後、洗浄、乾燥して再度熱処理用の
電気炉に入れ、８１０℃で２時間熱処理してスルーホー
ルを有するチップ型ヒューズ用基板を得た。次にこの基
板を３０℃の４ＮのＨＦと４Ｎの塩酸の混酸に液を撹拌
しながら１０分間浸漬し、表面を粗化した。
切削性感光性ガラス（住田光学ガラス製、ＰＳＧ−１）
に、スルーホール形成部分に対応するところだけＣｒ蒸
着のない石英ガラスマスクを重ねて、オーク製作所製ガ
ラス基板用高精度露光装置ＯＲＣＨＭＷ−６６１Ｂ−１
を用いて紫外線１０Ｊ／ｃｍ２照射した。次に、該紫外
線露光したガラスを電気炉に入れ、大気中５４５℃で３
時間保持して露光部分だけを結晶化させてメタ珪酸リチ
ウムを析出させた。該部分的に結晶化させた感光性ガラ
スを２ＮのＨＦ水溶液に９０分浸漬し、撹拌して結晶部
分を溶解した。その後、洗浄、乾燥して再度熱処理用の
電気炉に入れ、８１０℃で２時間熱処理してスルーホー
ルを有するチップ型ヒューズ用基板を得た。次にこの基
板を３０℃の４ＮのＨＦと４Ｎの塩酸の混酸に液を撹拌
しながら１０分間浸漬し、表面を粗化した。
【００１０】また、比較例１として、ガラスの粗化に通
常用いられるノングレア液の３０℃に保った液に、該熱
処理した基板を液を撹拌しながら１０分間浸漬し、同様
に表面を粗化した。
常用いられるノングレア液の３０℃に保った液に、該熱
処理した基板を液を撹拌しながら１０分間浸漬し、同様
に表面を粗化した。
【００１１】これらを流水洗浄後３０重量％のＨＣｌ溶
液に一分間浸漬し、増感剤（日立化成工業製、ＨＳ−１
０１Ｂ）に５分間浸漬後流水洗浄した。次にこれらを密
着促進剤（日立化成工業製、ＡＤＰ−２０１）に５分間
浸漬し浸漬後流水洗浄してから、７０℃に加熱した無電
解メッキ浴（日立化成工業製、Ｌ−５９）に２時間浸漬
し、４μｍの銅メッキを施した。この後、感光性レジス
ト（日立化成工業製、ＰＨＴ−８６２ＡＦ−４０）を銅
メッキ膜上に密着し、可溶体パターン及び電極パターン
に対応する部分露光用マスクを該銅メッキ膜を形成した
感光性ガラスに重ね、１００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を照
射し、１重量％の炭酸ナトリウム水溶液でレジストを現
像し、塩化銅水溶液で銅メッキ膜をエッチングしてレジ
ストフィルムを剥離してから分割して図１に示すチップ
型ヒューズを得た。図において１は感光性ガラスの基板
、２は銅メッキ膜、３は可溶体及び４は電極用スルーホ
ールである。得られたチップ型ヒューズの可溶体部分の
幅は６０μｍ、高さは４μｍ及び長さは１．８ｍｍであ
る。
液に一分間浸漬し、増感剤（日立化成工業製、ＨＳ−１
０１Ｂ）に５分間浸漬後流水洗浄した。次にこれらを密
着促進剤（日立化成工業製、ＡＤＰ−２０１）に５分間
浸漬し浸漬後流水洗浄してから、７０℃に加熱した無電
解メッキ浴（日立化成工業製、Ｌ−５９）に２時間浸漬
し、４μｍの銅メッキを施した。この後、感光性レジス
ト（日立化成工業製、ＰＨＴ−８６２ＡＦ−４０）を銅
メッキ膜上に密着し、可溶体パターン及び電極パターン
に対応する部分露光用マスクを該銅メッキ膜を形成した
感光性ガラスに重ね、１００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を照
射し、１重量％の炭酸ナトリウム水溶液でレジストを現
像し、塩化銅水溶液で銅メッキ膜をエッチングしてレジ
ストフィルムを剥離してから分割して図１に示すチップ
型ヒューズを得た。図において１は感光性ガラスの基板
、２は銅メッキ膜、３は可溶体及び４は電極用スルーホ
ールである。得られたチップ型ヒューズの可溶体部分の
幅は６０μｍ、高さは４μｍ及び長さは１．８ｍｍであ
る。
【００１２】比較例２としてアルミナ基板を用いたチッ
プ型ヒューズを以下のようにして作製した。
プ型ヒューズを以下のようにして作製した。
【００１３】直径０．８ｍｍのスルーホールを開孔した
０．６３５ｍｍ厚で６０ｍｍ×６０ｍｍの９６％アルミ
ナ基板を、日立化成工業製脱脂液ＨＣＲ−２０１で洗浄
し、水洗、乾燥後、３５０℃に加熱したＮａＯＨ融液中
に５分間浸漬して粗化した。次いで濃度１０重量％のＨ
２ＳＯ４溶液中に５分間浸漬した後水洗してアルミナ表
面を中和した。この後実施例と同様の条件で銅メッキ、
フォトマスク形成、エッチングを行った後、分割して図
１と同じ構成のアルミナ基板を用いたチップ型ヒューズ
を得た。得られたチップ型ヒューズの可溶体部分の幅は
６０μｍ、高さは４μｍ及び長さは１．８ｍｍである。
０．６３５ｍｍ厚で６０ｍｍ×６０ｍｍの９６％アルミ
ナ基板を、日立化成工業製脱脂液ＨＣＲ−２０１で洗浄
し、水洗、乾燥後、３５０℃に加熱したＮａＯＨ融液中
に５分間浸漬して粗化した。次いで濃度１０重量％のＨ
２ＳＯ４溶液中に５分間浸漬した後水洗してアルミナ表
面を中和した。この後実施例と同様の条件で銅メッキ、
フォトマスク形成、エッチングを行った後、分割して図
１と同じ構成のアルミナ基板を用いたチップ型ヒューズ
を得た。得られたチップ型ヒューズの可溶体部分の幅は
６０μｍ、高さは４μｍ及び長さは１．８ｍｍである。
【００１４】得られた実施例のチップ型ヒューズ及び比
較例のチップ型ヒューズの基板面の表面粗さ及び可溶体
部分の抵抗値及び抵抗値ばらつき、２アンペアの電流を
流したときの溶断に至るまでの時間の平均値を表１に示
した。
較例のチップ型ヒューズの基板面の表面粗さ及び可溶体
部分の抵抗値及び抵抗値ばらつき、２アンペアの電流を
流したときの溶断に至るまでの時間の平均値を表１に示
した。
【００１５】表１から明らかなように、実施例のチップ
型ヒューズは比較例のものに比べて基板面の表面粗さが
小さく、可溶体部分の抵抗値のばらつきも小さく、また
２アンペアの電流を流したときの速断性にも優れること
が分かった。
型ヒューズは比較例のものに比べて基板面の表面粗さが
小さく、可溶体部分の抵抗値のばらつきも小さく、また
２アンペアの電流を流したときの速断性にも優れること
が分かった。
【００１６】
【表１】
【００１７】
【発明の効果】本発明のチップ型ヒューズは、抵抗値が
安定し、速断性及び製造の際の量産性に優れる。
安定し、速断性及び製造の際の量産性に優れる。
【図１】本発明の実施例におけるチップ型ヒューズであ
る。
る。
１ 基板
２ 銅メッキ膜
３ 可溶体
４ 電極用スルーホール
Claims (1)
- 【請求項１】 基板に表面粗さが３μｍＲｍａｘ以下
の化学切削性感光性ガラスを用いたチップ型ヒューズ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1006391A JPH04245129A (ja) | 1991-01-30 | 1991-01-30 | チップ型ヒューズ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1006391A JPH04245129A (ja) | 1991-01-30 | 1991-01-30 | チップ型ヒューズ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04245129A true JPH04245129A (ja) | 1992-09-01 |
Family
ID=11739924
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1006391A Pending JPH04245129A (ja) | 1991-01-30 | 1991-01-30 | チップ型ヒューズ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04245129A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996041359A1 (en) * | 1995-06-07 | 1996-12-19 | Littelfuse, Inc. | Improved method and apparatus for a surface-mounted fuse device |
| US5790008A (en) * | 1994-05-27 | 1998-08-04 | Littlefuse, Inc. | Surface-mounted fuse device with conductive terminal pad layers and groove on side surfaces |
| US5844477A (en) * | 1994-05-27 | 1998-12-01 | Littelfuse, Inc. | Method of protecting a surface-mount fuse device |
| US5974661A (en) * | 1994-05-27 | 1999-11-02 | Littelfuse, Inc. | Method of manufacturing a surface-mountable device for protection against electrostatic damage to electronic components |
| US6878004B2 (en) | 2002-03-04 | 2005-04-12 | Littelfuse, Inc. | Multi-element fuse array |
| US7183891B2 (en) | 2002-04-08 | 2007-02-27 | Littelfuse, Inc. | Direct application voltage variable material, devices employing same and methods of manufacturing such devices |
| US7202770B2 (en) | 2002-04-08 | 2007-04-10 | Littelfuse, Inc. | Voltage variable material for direct application and devices employing same |
| US7233474B2 (en) | 2003-11-26 | 2007-06-19 | Littelfuse, Inc. | Vehicle electrical protection device and system employing same |
-
1991
- 1991-01-30 JP JP1006391A patent/JPH04245129A/ja active Pending
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| WO1996041359A1 (en) * | 1995-06-07 | 1996-12-19 | Littelfuse, Inc. | Improved method and apparatus for a surface-mounted fuse device |
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