JPH0423603A - 平面アンテナ - Google Patents
平面アンテナInfo
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- JPH0423603A JPH0423603A JP2129485A JP12948590A JPH0423603A JP H0423603 A JPH0423603 A JP H0423603A JP 2129485 A JP2129485 A JP 2129485A JP 12948590 A JP12948590 A JP 12948590A JP H0423603 A JPH0423603 A JP H0423603A
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- JP
- Japan
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- microstrip
- operating frequency
- conductive circular
- wavelength
- planar antenna
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、平面アンテナに関し、特にマイクロストリッ
プラインのようなマイクロストリップ素子を用いたもの
に関する。
プラインのようなマイクロストリップ素子を用いたもの
に関する。
[従来の技術]
先に本出願人は、第13図に示すような平面アンテナを
提案した。これは、誘電体基板lの裏面全体に地導体2
を設け、誘電体基板lの表面にクランク状のマイクロス
トリップライン31乃至38を設けた所謂マイクロスト
リップラインアンテナにおいて、そのマイクロストリッ
プライン31乃至38を設けた誘電体基板1の上方に、
この平面アンテナて送信または受信しようとする周波数
、すなわち使用周波数の約半波長またはその整数倍に相
当する距離たけ離れた平面7内に、使用周波数の電波に
共振する長さの導体8I、82を、マイクロストリップ
ラインの伸延方向X及びこれに直交するY方向に多数互
いに接近して配置したものである。なお6は、導体81
.82とマイクロストリップライン31乃至38との間
に上記の間隔を維持させるためにl設けた例えば発泡樹
脂等の誘電体板て5導体81、82は実際には例えばポ
リエステル樹脂の薄フィルムのような電波の透過率の高
い誘電体フィルム上に金属の蒸着や導電性インクによる
印刷によって形成されており、このフィルムを誘電体板
6上に貼着することによって導体81.82か取り付け
られている。
提案した。これは、誘電体基板lの裏面全体に地導体2
を設け、誘電体基板lの表面にクランク状のマイクロス
トリップライン31乃至38を設けた所謂マイクロスト
リップラインアンテナにおいて、そのマイクロストリッ
プライン31乃至38を設けた誘電体基板1の上方に、
この平面アンテナて送信または受信しようとする周波数
、すなわち使用周波数の約半波長またはその整数倍に相
当する距離たけ離れた平面7内に、使用周波数の電波に
共振する長さの導体8I、82を、マイクロストリップ
ラインの伸延方向X及びこれに直交するY方向に多数互
いに接近して配置したものである。なお6は、導体81
.82とマイクロストリップライン31乃至38との間
に上記の間隔を維持させるためにl設けた例えば発泡樹
脂等の誘電体板て5導体81、82は実際には例えばポ
リエステル樹脂の薄フィルムのような電波の透過率の高
い誘電体フィルム上に金属の蒸着や導電性インクによる
印刷によって形成されており、このフィルムを誘電体板
6上に貼着することによって導体81.82か取り付け
られている。
このような平面アンテナでは、マイクロストリップライ
ン31乃至3Δから使用周波数の電波が放射されると、
これか各導体81.82に到達する。このとき各導体8
1.82は使用周波数の電波に共振する長さであるので
、各導体81.82には大きな共振電流が流れ、利得を
向上させることがてきる。
ン31乃至3Δから使用周波数の電波が放射されると、
これか各導体81.82に到達する。このとき各導体8
1.82は使用周波数の電波に共振する長さであるので
、各導体81.82には大きな共振電流が流れ、利得を
向上させることがてきる。
[発明が解決しようとする課題]
しかし、上記の平面アンテナでは、導体81.82は矩
形状てあり、しかもX及びY方向にのみ伸延しているの
で、X及びY方向に沿う電界において導体81.82の
共振が最も大きくなるが、X及びY方向の中間方向の電
界に対しては共振電流か少なくなる。マイクロストリッ
プライン31乃至38からの電波の放射は、その直線部
分からの放射ばかりではなく、截頭された角部りからも
電波がかなり放射されている。この角部りからの放射電
界については解析が困難であるが、X及びY方向とは異
なる方向の放射電界があると考えられる。従って、上記
の平面アンテナでは、角部りからの放射に対して共振電
流の大きさ、位相がX及びY方向の放射と異なるため、
第14図(a)のようにもともと円偏波であったマイク
ロストリップラインアンテナの軸比が、同図(b)に示
すように最大振幅方向かX及びY方向に対して斜めとな
る。このような軸比を補正することをクランク型のマイ
クロストリップラインアンテナで行なうことは困難であ
り、円偏波の利得を向上させることができなかった。
形状てあり、しかもX及びY方向にのみ伸延しているの
で、X及びY方向に沿う電界において導体81.82の
共振が最も大きくなるが、X及びY方向の中間方向の電
界に対しては共振電流か少なくなる。マイクロストリッ
プライン31乃至38からの電波の放射は、その直線部
分からの放射ばかりではなく、截頭された角部りからも
電波がかなり放射されている。この角部りからの放射電
界については解析が困難であるが、X及びY方向とは異
なる方向の放射電界があると考えられる。従って、上記
の平面アンテナでは、角部りからの放射に対して共振電
流の大きさ、位相がX及びY方向の放射と異なるため、
第14図(a)のようにもともと円偏波であったマイク
ロストリップラインアンテナの軸比が、同図(b)に示
すように最大振幅方向かX及びY方向に対して斜めとな
る。このような軸比を補正することをクランク型のマイ
クロストリップラインアンテナで行なうことは困難であ
り、円偏波の利得を向上させることができなかった。
本発明は、軸比を改善することによって、利得を向上さ
せた平面アンテナを提供することを目的とする。
せた平面アンテナを提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段]
上記の目的を達成するために1本発明は、基板上に設け
られたマイクロストリップ素子から使用周波数の電波を
放射するように形成されたマイクロストリップアンテナ
と、上記基板における上記マイクロストリップ素子が設
けられている面から使用周波数の約半波長またはこれの
整数倍の距離を隔てた位置にある平面上に多数設けられ
、使用周波数の約手波長に共振する大きさにそれぞれ形
成された導電円形素子とを、有するものである。
られたマイクロストリップ素子から使用周波数の電波を
放射するように形成されたマイクロストリップアンテナ
と、上記基板における上記マイクロストリップ素子が設
けられている面から使用周波数の約半波長またはこれの
整数倍の距離を隔てた位置にある平面上に多数設けられ
、使用周波数の約手波長に共振する大きさにそれぞれ形
成された導電円形素子とを、有するものである。
また、導電円形素子を設けた平面は、1つたけでもよい
が、これを上下方向に複数設けることもできる。この場
合、これら平面間の間隔は、使用周波数の約半波長の長
さまたはその整数倍の長さである。
が、これを上下方向に複数設けることもできる。この場
合、これら平面間の間隔は、使用周波数の約半波長の長
さまたはその整数倍の長さである。
[作用]
本発明によれば、マイクロストリップ素子から放射され
た使用周波数の電界は、導電円形素子に到達する。これ
ら導電円形素子は、使用周波数の半波長に共振する大き
さに形成されており、さらに円形であるのて、どのよう
な方向からの電界であっても同じパターンで共振する。
た使用周波数の電界は、導電円形素子に到達する。これ
ら導電円形素子は、使用周波数の半波長に共振する大き
さに形成されており、さらに円形であるのて、どのよう
な方向からの電界であっても同じパターンで共振する。
[実施例]
第1図乃至第8図に第1の実施例を示す。この実施例も
、上述した従来のものと同様にマイクロストリップライ
ンアンテナを有するものて、このマイクロストリップア
ンテナては、第2図に示すように、例えば比誘電率か1
.7て、長さ20cm、輻14cmの発泡ポリエチレン
製の誘電体基板lの裏面にアルミニウム製の地導体2か
積層され、その基板lの表面に第3図に示すようなりラ
ンク状のパターンのマイクロストリップライン31乃至
38か例えば銅箔によって形成されている。−例として
、基板l、地導体2及び銅箔31乃至38のそれぞれの
厚さは、0.8ms、1■、0.03mmである。
、上述した従来のものと同様にマイクロストリップライ
ンアンテナを有するものて、このマイクロストリップア
ンテナては、第2図に示すように、例えば比誘電率か1
.7て、長さ20cm、輻14cmの発泡ポリエチレン
製の誘電体基板lの裏面にアルミニウム製の地導体2か
積層され、その基板lの表面に第3図に示すようなりラ
ンク状のパターンのマイクロストリップライン31乃至
38か例えば銅箔によって形成されている。−例として
、基板l、地導体2及び銅箔31乃至38のそれぞれの
厚さは、0.8ms、1■、0.03mmである。
第5図に示すようにマイクロストリップライン31乃至
38の伸延方向なX、これに直交する方向をY、基板l
に垂直な方向を2とすると、マイクロストリップライン
31乃至38は、X方向の比較的長い部分Aと5X方向
の比較的短い部分Bとを交互に有し1部分A、B間はY
方向の部分Cによって結合されている。これらマイクロ
ストリップライン31乃至38は、このようなりランク
状部がそれぞれ4素子ずつ設けられているものである。
38の伸延方向なX、これに直交する方向をY、基板l
に垂直な方向を2とすると、マイクロストリップライン
31乃至38は、X方向の比較的長い部分Aと5X方向
の比較的短い部分Bとを交互に有し1部分A、B間はY
方向の部分Cによって結合されている。これらマイクロ
ストリップライン31乃至38は、このようなりランク
状部がそれぞれ4素子ずつ設けられているものである。
−例として、使用周波数が12GH,で、2方向からX
方向へ28度傾いたW方向へ電波を放射させる、即ちサ
イドルッキング型の指向特性の場合の各部の寸法は、 ライン31乃至38の輻 3.01層部分Aの中心部
の長さ 29.2mm 部分Bの中心部の長さ 21.0mm mm部分中心部の長さ 10.0mm である。なお、このようなサイドルッキング型の指向特
性とするのは、Z方向に電波を放射するブロードサイド
型の指向特性の場合には、ボールの中間に平面アンテナ
を取付けるとき、Z方向が静止衛星と対向するように配
置しなければならず、その取付が面倒であるのに対し、
サイドルッキング型の指向特性としておけば、Z方向か
ら所定の角度たけ傾いて電波を放射するのて、Z方向を
静止衛星と対向するように配置する必要かなく、取付か
容易になるからである。
方向へ28度傾いたW方向へ電波を放射させる、即ちサ
イドルッキング型の指向特性の場合の各部の寸法は、 ライン31乃至38の輻 3.01層部分Aの中心部
の長さ 29.2mm 部分Bの中心部の長さ 21.0mm mm部分中心部の長さ 10.0mm である。なお、このようなサイドルッキング型の指向特
性とするのは、Z方向に電波を放射するブロードサイド
型の指向特性の場合には、ボールの中間に平面アンテナ
を取付けるとき、Z方向が静止衛星と対向するように配
置しなければならず、その取付が面倒であるのに対し、
サイドルッキング型の指向特性としておけば、Z方向か
ら所定の角度たけ傾いて電波を放射するのて、Z方向を
静止衛星と対向するように配置する必要かなく、取付か
容易になるからである。
第3図に示すように、マイクロストリップライン31.
32の入力導体311.321は導体11に、マイクロ
ストリップライン33.34の入力導体:131.34
1は導体12に、マイクロストリップライン35.36
の入力導体351.361は導体13に、マイクロスト
リップライン37.38の入力導体371.381は導
体14に、それぞれ結合されている。そして、導体11
.12は導体15に、導体13.14は導体16にそれ
ぞれ結合され、更に導体15.16は入力端子4に結合
されている。これらの導体311.321.331,3
41.351.361.371.38、it、 iz、
13.14.15.16及び入力端子4も、各マイクロ
ストリップライン31乃至38と同様に基板1上に銅箔
で形成されている。
32の入力導体311.321は導体11に、マイクロ
ストリップライン33.34の入力導体:131.34
1は導体12に、マイクロストリップライン35.36
の入力導体351.361は導体13に、マイクロスト
リップライン37.38の入力導体371.381は導
体14に、それぞれ結合されている。そして、導体11
.12は導体15に、導体13.14は導体16にそれ
ぞれ結合され、更に導体15.16は入力端子4に結合
されている。これらの導体311.321.331,3
41.351.361.371.38、it、 iz、
13.14.15.16及び入力端子4も、各マイクロ
ストリップライン31乃至38と同様に基板1上に銅箔
で形成されている。
また、マイクロストリップライン31.32の出力導体
312.322と接地導体41との間、マイクロストリ
ップライン33.34の出力導体332.342と接地
導体42との間、マイクロストリップライン35.36
の出力導体352.362と接地導体43との間、マイ
クロストリップライン37.38の出力導体372.3
82と接地導体44との間には、それぞれ終端抵抗51
.52.53.54か、はんた付けされている。これら
の導体312.322.332.342.352.36
2.372.382.41.42.43.44も、各マ
イクロストリップライン31乃至38と同様に基板1上
に銅箔で形成されている。終端抵抗51乃至54の抵抗
値は、マイクロストリップライン31乃至38のインピ
ーダンスに等しく設定されている。なあ、接地導体41
乃至44は、地導体2と静電的に結合することにより高
周波的に接地されている。
312.322と接地導体41との間、マイクロストリ
ップライン33.34の出力導体332.342と接地
導体42との間、マイクロストリップライン35.36
の出力導体352.362と接地導体43との間、マイ
クロストリップライン37.38の出力導体372.3
82と接地導体44との間には、それぞれ終端抵抗51
.52.53.54か、はんた付けされている。これら
の導体312.322.332.342.352.36
2.372.382.41.42.43.44も、各マ
イクロストリップライン31乃至38と同様に基板1上
に銅箔で形成されている。終端抵抗51乃至54の抵抗
値は、マイクロストリップライン31乃至38のインピ
ーダンスに等しく設定されている。なあ、接地導体41
乃至44は、地導体2と静電的に結合することにより高
周波的に接地されている。
基板lにおけるマイクロストリップライン31乃至38
を宥する表面の上には1′#s電体板、例えば低密度の
発泡スチロール板6か積層され、更に発泡スチロール板
6の表面上には薄いポリエステルフィルム7か積層され
ている。このポリエステルフィルム7の表面には、第4
図に示すように多数の導電円形素子8が2例えばアルミ
ニウム蒸着によって形成されている。−例として、この
平面アンテナの使用周波数か12GHzの場合、発泡ス
チロール板の厚さは、0.5乃至0.6 人(入は使用
周波数の波長)である12.5■鳳乃至15■■てあり
、導電円形素子8の直径は、0.30乃至0.37λで
ある7、7mm乃至9.25■Iである。また各導電円
形素子8は、第1図に示すようにX方向においては中心
から中心まての距離を約0.5人(13,7鳳■)とし
、Y方向においては約0.25λ(7,6■I)として
、第3図に示すような長いクランクと短いクランクとか
らなる1素子領域Rにそれぞれ12憫づつ各1素子領域
Rに回しパターンて位置するように配置されている。例
えば第1図の右上に示す1素子領域R1と、左上に示す
l素子領域R2ては、各クランクの位置上に対応するそ
れぞれ導電円形素子8が設けられている。なお、l素子
領域Rは、同一の終端抵抗に接続される2つのマイクロ
ストリップラインに跨がって形成されている。
を宥する表面の上には1′#s電体板、例えば低密度の
発泡スチロール板6か積層され、更に発泡スチロール板
6の表面上には薄いポリエステルフィルム7か積層され
ている。このポリエステルフィルム7の表面には、第4
図に示すように多数の導電円形素子8が2例えばアルミ
ニウム蒸着によって形成されている。−例として、この
平面アンテナの使用周波数か12GHzの場合、発泡ス
チロール板の厚さは、0.5乃至0.6 人(入は使用
周波数の波長)である12.5■鳳乃至15■■てあり
、導電円形素子8の直径は、0.30乃至0.37λで
ある7、7mm乃至9.25■Iである。また各導電円
形素子8は、第1図に示すようにX方向においては中心
から中心まての距離を約0.5人(13,7鳳■)とし
、Y方向においては約0.25λ(7,6■I)として
、第3図に示すような長いクランクと短いクランクとか
らなる1素子領域Rにそれぞれ12憫づつ各1素子領域
Rに回しパターンて位置するように配置されている。例
えば第1図の右上に示す1素子領域R1と、左上に示す
l素子領域R2ては、各クランクの位置上に対応するそ
れぞれ導電円形素子8が設けられている。なお、l素子
領域Rは、同一の終端抵抗に接続される2つのマイクロ
ストリップラインに跨がって形成されている。
第6図に示す実線は第1図に示す構成において、導電円
形素子8の直径を変化させたときの利得変化を示すもの
で、これより直径を0.3乃至0637λとすれば利得
か向上することか明らかである。なお、同図に点線で示
したのは、上述した従来の矩形の導波素子を用いた平面
アンテナにおいて導波素子の長さを変化させた場合の利
得変化を示したものて、従来のものては導波素子を設け
ていない平面アンテナと比較して最高でも約L8 dB
しか利得か向上していないのに対し、この実施例では導
電円形素子8を設けていな平面アンテナと比較して、最
低でも約3dB、最高的:1.8 dBまで利得か向上
している。
形素子8の直径を変化させたときの利得変化を示すもの
で、これより直径を0.3乃至0637λとすれば利得
か向上することか明らかである。なお、同図に点線で示
したのは、上述した従来の矩形の導波素子を用いた平面
アンテナにおいて導波素子の長さを変化させた場合の利
得変化を示したものて、従来のものては導波素子を設け
ていない平面アンテナと比較して最高でも約L8 dB
しか利得か向上していないのに対し、この実施例では導
電円形素子8を設けていな平面アンテナと比較して、最
低でも約3dB、最高的:1.8 dBまで利得か向上
している。
第7図に示す実線は、第1図に示す構成において、発泡
スチロール板6の厚さtを変化させた場合の利得変化を
示すもので、これより発泡スチロール板6の厚さtを約
λ/2の整数倍としても利得か向上することか明らかで
ある。なお、同図に点線て示すのは上述した従来の矩形
導波素子を用いた平面アンテナにおいて発泡スチロール
6の厚さtを変化させた場合の利得変化てあって、これ
においても発泡スチロールの厚さを入/2の整数倍とす
ることによって利得か向上するか、本実施例の方か利得
向上の程度が高いことか明らかである。
スチロール板6の厚さtを変化させた場合の利得変化を
示すもので、これより発泡スチロール板6の厚さtを約
λ/2の整数倍としても利得か向上することか明らかで
ある。なお、同図に点線て示すのは上述した従来の矩形
導波素子を用いた平面アンテナにおいて発泡スチロール
6の厚さtを変化させた場合の利得変化てあって、これ
においても発泡スチロールの厚さを入/2の整数倍とす
ることによって利得か向上するか、本実施例の方か利得
向上の程度が高いことか明らかである。
このように利得か向上するのは、導電円形素子8を設け
たことにより、導電円形素子8がどのような方向からの
電界に対しても同しパターンで共振するのて、軸比の大
きな変動がないからである。なお、本実施例の場合でも
、第8図(a)に実線で示すような円偏波は、同図(b
)に実線で示すように変化するか、マイクロストリップ
ライン31乃至38から放射される電波の軸比な同図(
a)に点線で示すように縦長にしておけば、同図(b)
に点線で示すように完全な円偏波とすることができる。
たことにより、導電円形素子8がどのような方向からの
電界に対しても同しパターンで共振するのて、軸比の大
きな変動がないからである。なお、本実施例の場合でも
、第8図(a)に実線で示すような円偏波は、同図(b
)に実線で示すように変化するか、マイクロストリップ
ライン31乃至38から放射される電波の軸比な同図(
a)に点線で示すように縦長にしておけば、同図(b)
に点線で示すように完全な円偏波とすることができる。
第1図に示すアンテナにおいて、導電円形素子8の直径
を8.5mm 、誘電体板6の厚さを14■璽とすると
、26dBの利得か得られ、投影面積から見たアンテナ
開口効率は約80%に達した。
を8.5mm 、誘電体板6の厚さを14■璽とすると
、26dBの利得か得られ、投影面積から見たアンテナ
開口効率は約80%に達した。
第2の実施例を第9図及び第10図に示す。この実施例
は、第10図に示すように長さか50cmで、横幅が4
4c■の基板1a上に、16411のマイクロストリッ
プライン3a、3a・・・・・・・を設けた平面アンテ
ナを有し、各マイクロストリップライン3a、3a・・
・・・・・は、それぞれ10個のクランク状素子からな
る。
は、第10図に示すように長さか50cmで、横幅が4
4c■の基板1a上に、16411のマイクロストリッ
プライン3a、3a・・・・・・・を設けた平面アンテ
ナを有し、各マイクロストリップライン3a、3a・・
・・・・・は、それぞれ10個のクランク状素子からな
る。
100はシールド板で、マイクロストリップライン3a
、3a・・・・・・・の給電回路を包囲するように設け
られ、その高さは例えば7mmである。このシールド板
100は、給電回路から放射する電波の放射損失を少な
くするために設けられている。
、3a・・・・・・・の給電回路を包囲するように設け
られ、その高さは例えば7mmである。このシールド板
100は、給電回路から放射する電波の放射損失を少な
くするために設けられている。
この実施例でも、導電円形素子8aを第1の実施例と同
様に配置しているか、その直径は8.5Iである。また
発泡スチロール板6aの高さは、シールド板100側の
端部ての高さhlが13mmて、終端側の端部の高さh
lか14.5mmとされている。即ち、給電回路側から
終端側に向って上昇傾斜している。
様に配置しているか、その直径は8.5Iである。また
発泡スチロール板6aの高さは、シールド板100側の
端部ての高さhlが13mmて、終端側の端部の高さh
lか14.5mmとされている。即ち、給電回路側から
終端側に向って上昇傾斜している。
このように発泡スチロール板6aを設けた場合の利得を
第11図に点線て示す。また終端側と給電側での発泡ス
チロール板6aの高さを共に13s■と均一にした場合
の利得を同図に一点鎖線で示す。両者の比較から明らか
な様に、この実施例にように発泡スチロール板6aに傾
斜をつけると、利得が0.3乃至0.5dB程度向上し
た。
第11図に点線て示す。また終端側と給電側での発泡ス
チロール板6aの高さを共に13s■と均一にした場合
の利得を同図に一点鎖線で示す。両者の比較から明らか
な様に、この実施例にように発泡スチロール板6aに傾
斜をつけると、利得が0.3乃至0.5dB程度向上し
た。
これは次の理由による。発泡スチロール板6aの高さ、
即ち導電円形素子8aと各マイクロストリップライン3
aとの距離によって、各マイクロストリップライン3a
の1素子当りの放射減衰量(給電側から終端側へ1素子
通過したときの放射により信号レベルの低下)か大きく
変化する。最も減衰する高さ、即ち最も多く放射される
高さは、本実施例の場合、0.58人(14,51麿、
第7図参照)であり、これよりも大きくても小さくても
減衰量は小さくなる。即ち、放射は小さくなる。平面ア
ンテナにおいて、最も利得を高めるための条件は、導電
円形素子8aが設けられている面において同一電界とす
ることである。クランク状のマイクロストリップライン
を用いた場合、終端側に近づくほど伝送されてくる電力
か小さくなり、放射電界は小さくなっている。そこで、
最も効率良く放射される14.51園に終端側での発泡
スチロールの高さを選択し、各円形導波素子8aからの
放射電界を均等にしているので、利得か向上している。
即ち導電円形素子8aと各マイクロストリップライン3
aとの距離によって、各マイクロストリップライン3a
の1素子当りの放射減衰量(給電側から終端側へ1素子
通過したときの放射により信号レベルの低下)か大きく
変化する。最も減衰する高さ、即ち最も多く放射される
高さは、本実施例の場合、0.58人(14,51麿、
第7図参照)であり、これよりも大きくても小さくても
減衰量は小さくなる。即ち、放射は小さくなる。平面ア
ンテナにおいて、最も利得を高めるための条件は、導電
円形素子8aが設けられている面において同一電界とす
ることである。クランク状のマイクロストリップライン
を用いた場合、終端側に近づくほど伝送されてくる電力
か小さくなり、放射電界は小さくなっている。そこで、
最も効率良く放射される14.51園に終端側での発泡
スチロールの高さを選択し、各円形導波素子8aからの
放射電界を均等にしているので、利得か向上している。
第3の実施例を第12図に示す。この実施例は、導電円
形素子8b、8cを二層に設けたものて、下側の導電円
形素子8bは、直径か8m11のものて、この導電円形
素子8bか載っている発泡スチロール板6bは2給電側
及び終端側共に高さか13m■てあり、上側の導電円形
素子8cは、直径が7.5■lであり、この導電円形素
子8Cが載っている発泡スチロール板6Cの高さは給電
側で1311、終端側で14m5である。
形素子8b、8cを二層に設けたものて、下側の導電円
形素子8bは、直径か8m11のものて、この導電円形
素子8bか載っている発泡スチロール板6bは2給電側
及び終端側共に高さか13m■てあり、上側の導電円形
素子8cは、直径が7.5■lであり、この導電円形素
子8Cが載っている発泡スチロール板6Cの高さは給電
側で1311、終端側で14m5である。
この実施例の利得を第11図に実線で示す。これからも
明らかなように、導電円形素子を二層に設けたことによ
り第2の実施例のもの(点線)よりも広帯域化か図れて
いる。
明らかなように、導電円形素子を二層に設けたことによ
り第2の実施例のもの(点線)よりも広帯域化か図れて
いる。
上記の各実施例では基板1、Iaに発泡ポリエチレン基
板を用いたか、ポリエチレン基板等の他の;基板を用い
ることもてきる。マイクロストリップラインはクランク
状のものを示したか、他の形状のマイクロストリップラ
インを用いることかできるし、マイクロストリップアン
テナとして機能するものてあれば、マイクロストリップ
ラインアンテナに限ったものではない。また、導電円形
素子8.8aは、ポリエステル樹脂の薄膜フィルムに設
けたか、電波の透過率か良い誘電体フィルムてあれば他
のものでも使用てきる。また導電円形素子は、蒸着によ
って設けたか、導電印刷インクによって誘電体フィルム
上に印刷してもよい。また誘電体板として発泡ポリスチ
ロールを用いたか、これに代えて紙や合成樹脂のような
低損失材料で作ったハニカム構造体の板を使用すること
もてきる。また、各1素子領域Rは、同一の終端抵抗に
接続される2つのマイクロストリップラインに跨かって
設けたか、第3図に符号R′て示すように異なる終端抵
抗に接続される2つのマイクロストリップライン間に跨
がって形成してもよい。
板を用いたか、ポリエチレン基板等の他の;基板を用い
ることもてきる。マイクロストリップラインはクランク
状のものを示したか、他の形状のマイクロストリップラ
インを用いることかできるし、マイクロストリップアン
テナとして機能するものてあれば、マイクロストリップ
ラインアンテナに限ったものではない。また、導電円形
素子8.8aは、ポリエステル樹脂の薄膜フィルムに設
けたか、電波の透過率か良い誘電体フィルムてあれば他
のものでも使用てきる。また導電円形素子は、蒸着によ
って設けたか、導電印刷インクによって誘電体フィルム
上に印刷してもよい。また誘電体板として発泡ポリスチ
ロールを用いたか、これに代えて紙や合成樹脂のような
低損失材料で作ったハニカム構造体の板を使用すること
もてきる。また、各1素子領域Rは、同一の終端抵抗に
接続される2つのマイクロストリップラインに跨かって
設けたか、第3図に符号R′て示すように異なる終端抵
抗に接続される2つのマイクロストリップライン間に跨
がって形成してもよい。
[発明の効果]
以上のように1本発明によれば、マイクロストリップ素
子から使用周波数の約半波長またはその整数倍の距離た
け上方に、使用周波数の約半波長に共振する大きさの導
電円形素子を設けているので、利得か従来のものよりも
格段に向上する。更に、導電円形素子を複数段に設ける
と、広帯域化を図ることかてきる。
子から使用周波数の約半波長またはその整数倍の距離た
け上方に、使用周波数の約半波長に共振する大きさの導
電円形素子を設けているので、利得か従来のものよりも
格段に向上する。更に、導電円形素子を複数段に設ける
と、広帯域化を図ることかてきる。
第1図は本発明による平面アンテナの第1の実施例の部
分破断平面図、第2図は同第1の実施例の部分破断省略
縦断面図、第3図は同第1の実施例に用いる平面アンテ
ナの平面図、第4図は同第1の実施例に用いる導電円形
素子を設けたフィルムの平面図、第5図は同第1の実施
例における電波の放射方向の説明図、第6図は同第1の
実施例の導電円形素子の直径及び従来のものの導波素子
の長さと利得との関係を示す図、第7図は同第1の実施
例と従来のものとにおける発泡スチロールの高さと利得
との関係を示す図、第8図は同第1の実施例の給電電界
と放射電界とを示す図、第9図は第2の実施例の側面図
、第10図は同第2の実施例に使用する平面アンテナの
平面図、第11図は第2の実施例及び第3の実施例の周
波数対利得特性図、第12図は第3の実施例の側面図、
第13図は従来の平面アンテナの部分省略破断平面図、
第14図は従来の平面アンテナの給電電界と放射電界と
を示す図である。 l 、 1a・・・・基板、 31乃至38.3a・・・・・マイクロストリップライ
ン、 8. 8a・・・・導電円形素子。
分破断平面図、第2図は同第1の実施例の部分破断省略
縦断面図、第3図は同第1の実施例に用いる平面アンテ
ナの平面図、第4図は同第1の実施例に用いる導電円形
素子を設けたフィルムの平面図、第5図は同第1の実施
例における電波の放射方向の説明図、第6図は同第1の
実施例の導電円形素子の直径及び従来のものの導波素子
の長さと利得との関係を示す図、第7図は同第1の実施
例と従来のものとにおける発泡スチロールの高さと利得
との関係を示す図、第8図は同第1の実施例の給電電界
と放射電界とを示す図、第9図は第2の実施例の側面図
、第10図は同第2の実施例に使用する平面アンテナの
平面図、第11図は第2の実施例及び第3の実施例の周
波数対利得特性図、第12図は第3の実施例の側面図、
第13図は従来の平面アンテナの部分省略破断平面図、
第14図は従来の平面アンテナの給電電界と放射電界と
を示す図である。 l 、 1a・・・・基板、 31乃至38.3a・・・・・マイクロストリップライ
ン、 8. 8a・・・・導電円形素子。
Claims (2)
- (1)基板上に設けられたマイクロストリップ素子から
使用周波数の電波を放射するように形成されたマイクロ
ストリップアンテナと、上記基板における上記マイクロ
ストリップ素子が設けられている面から上記使用周波数
の約半波長またはこれの整数倍の距離を隔てた位置にあ
る平面上に多数設けられ上記使用周波数の約半波長に共
振する大きさにそれぞれ形成された円形素子とを、有す
る平面アンテナ。 - (2)基板上に設けられたマイクロストリップ素子から
使用周波数の電波を放射するように形成されたマイクロ
ストリップアンテナと、上記基板における上記マイクロ
ストリップ素子が設けられている面から上記使用周波数
の約半波長またはこれの整数倍の距離を隔てた複数の位
置にある各平面上にそれぞれ多数設けられ上記使用周波
数の約半波長に共振する大きさにそれぞれ形成された円
形素子とを、有する平面アンテナ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2129485A JP2640012B2 (ja) | 1990-05-18 | 1990-05-18 | 平面アンテナ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2129485A JP2640012B2 (ja) | 1990-05-18 | 1990-05-18 | 平面アンテナ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0423603A true JPH0423603A (ja) | 1992-01-28 |
JP2640012B2 JP2640012B2 (ja) | 1997-08-13 |
Family
ID=15010650
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2129485A Expired - Fee Related JP2640012B2 (ja) | 1990-05-18 | 1990-05-18 | 平面アンテナ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2640012B2 (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59207703A (ja) * | 1983-05-11 | 1984-11-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | マイクロストリツプアンテナ |
JPH01248805A (ja) * | 1988-03-30 | 1989-10-04 | Shigeru Egashira | マイクロストリップアンテナ |
-
1990
- 1990-05-18 JP JP2129485A patent/JP2640012B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59207703A (ja) * | 1983-05-11 | 1984-11-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | マイクロストリツプアンテナ |
JPH01248805A (ja) * | 1988-03-30 | 1989-10-04 | Shigeru Egashira | マイクロストリップアンテナ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2640012B2 (ja) | 1997-08-13 |
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