JPH04219642A - 光磁気記録媒体及び光磁気記録方法 - Google Patents
光磁気記録媒体及び光磁気記録方法Info
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- JPH04219642A JPH04219642A JP41223690A JP41223690A JPH04219642A JP H04219642 A JPH04219642 A JP H04219642A JP 41223690 A JP41223690 A JP 41223690A JP 41223690 A JP41223690 A JP 41223690A JP H04219642 A JPH04219642 A JP H04219642A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はオーバーライト可能な光
磁気記録媒体及び光磁気記録方法に関する。
磁気記録媒体及び光磁気記録方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】近年、
書き換え可能な光記録媒体として、磁気光学効果を利用
した光磁気記録媒体が精力的に研究開発され、一部では
実用化されるに至っている。この光磁気記録媒体は大容
量高密度記録、非接触記録再生、アクセスの容易さ等の
利点に加え、オーバーライト（重ね書き）が可能という
点で文書情報ファイル、ビデオ・静止画ファイル、コン
ピュータ用メモリ等への利用が期待されている。光磁気
記録媒体を磁気ディスクと同等もしくはそれ以上の性能
を持った記録媒体とするためには、いくつかの技術的課
題があり、その中の主要なものの１つに、オーバーライ
ト技術がある。現在提案されているオーバーライト技術
は、記録の方法により磁界変調方式と光変調方式（マル
チビーム方式、２層膜方式等）に大別される。
書き換え可能な光記録媒体として、磁気光学効果を利用
した光磁気記録媒体が精力的に研究開発され、一部では
実用化されるに至っている。この光磁気記録媒体は大容
量高密度記録、非接触記録再生、アクセスの容易さ等の
利点に加え、オーバーライト（重ね書き）が可能という
点で文書情報ファイル、ビデオ・静止画ファイル、コン
ピュータ用メモリ等への利用が期待されている。光磁気
記録媒体を磁気ディスクと同等もしくはそれ以上の性能
を持った記録媒体とするためには、いくつかの技術的課
題があり、その中の主要なものの１つに、オーバーライ
ト技術がある。現在提案されているオーバーライト技術
は、記録の方法により磁界変調方式と光変調方式（マル
チビーム方式、２層膜方式等）に大別される。
【０００３】磁界変調方式は記録情報に応じて印加磁界
の極性を反転させて記録を行う方式である。この方式で
は、磁界の反転を高速で行わなくてはならないため、浮
上タイプの磁気ヘッドを用いる必要があり、媒体交換が
困難である。
の極性を反転させて記録を行う方式である。この方式で
は、磁界の反転を高速で行わなくてはならないため、浮
上タイプの磁気ヘッドを用いる必要があり、媒体交換が
困難である。
【０００４】一方、光変調方式は記録情報に応じて照射
レーザビームをオン・オフあるいは強度変調させて記録
させて記録を行う方式である。この方式のうちマルチビ
ーム方式は、２〜３個のレーザビームを用い、磁界の方
向を１回転毎に反転させてトラック毎に記録／消去を行
う擬似オーバーライト方式であるが、装置構成が複雑化
し、コストアップを招くなどの欠点を有している。また
、２層膜方式は光磁気記録媒体の記録層を２層膜とし、
オーバーライトを達成しようとするもので、例えば特開
昭６２−１７５９４８号公報等に開示されている。 同公報に記載されている方式は、例えばＴｂＦｅからな
るメモリ層とＴｂＦｅＣｏからなる補助層との２層膜の
記録層を備えた光磁気記録媒体を用い、初期化を行った
後、外部磁界の印加とパワーの異なるレーザビームの照
射によりオーバーライトを実現しようとするものである
。すなわち、この方式では、記録に先立ち予め初期化用
磁界により補助層の磁化を一方向に揃え、高出力レーザ
ビームを照射して媒体温度ＴをＴ＞Ｔｃ２（Ｔｃ２は補
助層のキュリー温度）なる温度迄昇温させ、記録用磁界
（初期化用磁界と反対方向）を印加して補助層の磁化を
反転させ、媒体が冷却される際にその磁化をメモリ層に
転写させることにより記録を行い、また、低出力レーザ
ビームを照射して媒体温度をＴｃ１＜Ｔ＜Ｔｃ２（Ｔｃ
１はメモリ層のキュリー温度）なる温度迄昇温させ、補
助層の磁化方向をメモリ層に転写させることにより消去
を行う。そのため、この方式では、媒体設計が難しい等
の問題があった。
レーザビームをオン・オフあるいは強度変調させて記録
させて記録を行う方式である。この方式のうちマルチビ
ーム方式は、２〜３個のレーザビームを用い、磁界の方
向を１回転毎に反転させてトラック毎に記録／消去を行
う擬似オーバーライト方式であるが、装置構成が複雑化
し、コストアップを招くなどの欠点を有している。また
、２層膜方式は光磁気記録媒体の記録層を２層膜とし、
オーバーライトを達成しようとするもので、例えば特開
昭６２−１７５９４８号公報等に開示されている。 同公報に記載されている方式は、例えばＴｂＦｅからな
るメモリ層とＴｂＦｅＣｏからなる補助層との２層膜の
記録層を備えた光磁気記録媒体を用い、初期化を行った
後、外部磁界の印加とパワーの異なるレーザビームの照
射によりオーバーライトを実現しようとするものである
。すなわち、この方式では、記録に先立ち予め初期化用
磁界により補助層の磁化を一方向に揃え、高出力レーザ
ビームを照射して媒体温度ＴをＴ＞Ｔｃ２（Ｔｃ２は補
助層のキュリー温度）なる温度迄昇温させ、記録用磁界
（初期化用磁界と反対方向）を印加して補助層の磁化を
反転させ、媒体が冷却される際にその磁化をメモリ層に
転写させることにより記録を行い、また、低出力レーザ
ビームを照射して媒体温度をＴｃ１＜Ｔ＜Ｔｃ２（Ｔｃ
１はメモリ層のキュリー温度）なる温度迄昇温させ、補
助層の磁化方向をメモリ層に転写させることにより消去
を行う。そのため、この方式では、媒体設計が難しい等
の問題があった。
【０００５】本発明は以上のような従来技術の欠点を解
消し、信頼性が高く、媒体構成が簡単で、しかも単一レ
ーザビーム、単一磁界でオーバーライトできる光磁気記
録媒体及び光磁気記録方法を提供することを目的とする
。
消し、信頼性が高く、媒体構成が簡単で、しかも単一レ
ーザビーム、単一磁界でオーバーライトできる光磁気記
録媒体及び光磁気記録方法を提供することを目的とする
。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
、本発明によれば、垂直磁気異方性を示す強磁性膜から
なるメモリ層と、室温で面内磁気異方性を示し室温より
高い該メモリ層のキュリー温度付近の温度で磁気相転移
を生じて垂直磁気異方性を示す反強磁性膜からなる補助
層とを積層した２層膜からなる記録層を有することを特
徴とする光磁気記録媒体が提供される。
、本発明によれば、垂直磁気異方性を示す強磁性膜から
なるメモリ層と、室温で面内磁気異方性を示し室温より
高い該メモリ層のキュリー温度付近の温度で磁気相転移
を生じて垂直磁気異方性を示す反強磁性膜からなる補助
層とを積層した２層膜からなる記録層を有することを特
徴とする光磁気記録媒体が提供される。
【０００７】また、本発明によれば、上記光磁気記録媒
体を用い、記録時には媒体温度が前記磁気相転移の生じ
る温度以上となる迄昇温するような高いパワーのレーザ
ビームを照射するとともに外部磁界Ｈｅｘを印加し、消
去時には媒体温度が前記磁気相転移の生じる温度より下
の温度となる迄昇温するような低いパワーのレーザビー
ムを照射するとともに記録時と同じ外部磁界Ｈｅｘを印
加することを特徴とするオーバーライト可能な光磁気記
録方法が提供される。
体を用い、記録時には媒体温度が前記磁気相転移の生じ
る温度以上となる迄昇温するような高いパワーのレーザ
ビームを照射するとともに外部磁界Ｈｅｘを印加し、消
去時には媒体温度が前記磁気相転移の生じる温度より下
の温度となる迄昇温するような低いパワーのレーザビー
ムを照射するとともに記録時と同じ外部磁界Ｈｅｘを印
加することを特徴とするオーバーライト可能な光磁気記
録方法が提供される。
【０００８】以下本発明を図面に基づき詳述する。本発
明の光磁気記録媒体は記録層が垂直磁気異方性を示す強
磁性膜からなるメモリ層と、室温で面内磁気異方性を示
し室温より高い該メモリ層のキュリー温度付近の温度で
磁気相転移を生じて垂直磁気異方性を示す反強磁性膜と
を積層してなる。図１にこのような光磁気記録媒体の一
構成例を示す。この記録媒体は、ガラス、プラスチック
、セラミックスなどからなる透明支持体１上にＳｉ３Ｎ
４、ＳｉＯ、ＳｉＯ２などからなる保護膜２（膜厚１０
０Å〜５０００Å）を設け、その上に垂直磁気異方性を
示す強磁性膜３（膜厚１００Å〜５０００Å）を設け、
その上に室温で面内磁気異方性を示し室温より高い温度
であって強磁性膜３のキュリー温度付近の温度で磁気相
転移を生じて垂直磁気異方性を示す反強磁性膜４（膜厚
１００Å〜１００００Å）を設け、さらにその上にＳｉ
３Ｎ４、ＳｉＯ、ＳｉＯ２などからなる保護膜５（膜厚
１００Å〜５０００Å）を設けて構成される。各膜はス
パッタ法、蒸着法、イオンプレーティング法等により形
成することができる。強磁性膜３は例えばＴｂ−Ｆｅ，
Ｇｄ−Ｆｅ，Ｄｙ−Ｆｅ，Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ，Ｔｂ−Ｄ
ｙ−Ｆｅ，Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ，Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｇｄ
−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ−
Ｃｏ，Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃ
ｏなどの希土類−遷移金属系アモルファス膜、あるいは
Ｍｎ−Ｂｉ，Ｍｎ−Ｃｕ−Ｂｉ，Ｃｏ−Ｐｔ，Ｃｏスピ
ネルフェライト，Ｂａフェライトなどの多結晶膜により
構成することができる。反強磁性膜４はＲＣｏ（Ｒ＝Ｄ
ｙ，Ｎｄ等）系膜を用いて構成することができる。これ
ら強磁性膜３及び反強磁性膜４は図２に示す如き保磁力
の温度特性を有している必要がある。すなわち、強磁性
膜３のキュリー温度をＴｃ１、反強磁性膜４のキュリー
温度をＴｃ２、反強磁性膜４の磁気相転移温度をＴｐｃ
、強磁性膜３の保磁力Ｈｃ１とバイアス磁界Ｈｅｘとが
等しくなる温度をＴａ、反強磁性膜４の保磁力Ｈｃ２と
バイアス磁界Ｈｅｘとが等しくなる温度をＴｂとすると
、次のような関係が成立している。 Ｔｐｃ≦Ｔ＜Ｔｂのとき Ｈｃ２＞
Ｈｃ１＋Ｈｅｘ Ｔａ＜Ｔ＜Ｔｐｃのとき
Ｈｃ１＜Ｈｅｘ Ｔ≦Ｔａのとき
Ｈｃ１≧Ｈｅｘ
明の光磁気記録媒体は記録層が垂直磁気異方性を示す強
磁性膜からなるメモリ層と、室温で面内磁気異方性を示
し室温より高い該メモリ層のキュリー温度付近の温度で
磁気相転移を生じて垂直磁気異方性を示す反強磁性膜と
を積層してなる。図１にこのような光磁気記録媒体の一
構成例を示す。この記録媒体は、ガラス、プラスチック
、セラミックスなどからなる透明支持体１上にＳｉ３Ｎ
４、ＳｉＯ、ＳｉＯ２などからなる保護膜２（膜厚１０
０Å〜５０００Å）を設け、その上に垂直磁気異方性を
示す強磁性膜３（膜厚１００Å〜５０００Å）を設け、
その上に室温で面内磁気異方性を示し室温より高い温度
であって強磁性膜３のキュリー温度付近の温度で磁気相
転移を生じて垂直磁気異方性を示す反強磁性膜４（膜厚
１００Å〜１００００Å）を設け、さらにその上にＳｉ
３Ｎ４、ＳｉＯ、ＳｉＯ２などからなる保護膜５（膜厚
１００Å〜５０００Å）を設けて構成される。各膜はス
パッタ法、蒸着法、イオンプレーティング法等により形
成することができる。強磁性膜３は例えばＴｂ−Ｆｅ，
Ｇｄ−Ｆｅ，Ｄｙ−Ｆｅ，Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ，Ｔｂ−Ｄ
ｙ−Ｆｅ，Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ，Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｇｄ
−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ−
Ｃｏ，Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃ
ｏなどの希土類−遷移金属系アモルファス膜、あるいは
Ｍｎ−Ｂｉ，Ｍｎ−Ｃｕ−Ｂｉ，Ｃｏ−Ｐｔ，Ｃｏスピ
ネルフェライト，Ｂａフェライトなどの多結晶膜により
構成することができる。反強磁性膜４はＲＣｏ（Ｒ＝Ｄ
ｙ，Ｎｄ等）系膜を用いて構成することができる。これ
ら強磁性膜３及び反強磁性膜４は図２に示す如き保磁力
の温度特性を有している必要がある。すなわち、強磁性
膜３のキュリー温度をＴｃ１、反強磁性膜４のキュリー
温度をＴｃ２、反強磁性膜４の磁気相転移温度をＴｐｃ
、強磁性膜３の保磁力Ｈｃ１とバイアス磁界Ｈｅｘとが
等しくなる温度をＴａ、反強磁性膜４の保磁力Ｈｃ２と
バイアス磁界Ｈｅｘとが等しくなる温度をＴｂとすると
、次のような関係が成立している。 Ｔｐｃ≦Ｔ＜Ｔｂのとき Ｈｃ２＞
Ｈｃ１＋Ｈｅｘ Ｔａ＜Ｔ＜Ｔｐｃのとき
Ｈｃ１＜Ｈｅｘ Ｔ≦Ｔａのとき
Ｈｃ１≧Ｈｅｘ
【０００９】なお
、本発明の光磁気記録媒体の層構成は第１図に示すもの
に限定されるものでなく種々の変形、変更が可能であり
、例えば保護膜５の上に反射膜を設けても良いし、保護
膜２，５を適当に除いても良い。
、本発明の光磁気記録媒体の層構成は第１図に示すもの
に限定されるものでなく種々の変形、変更が可能であり
、例えば保護膜５の上に反射膜を設けても良いし、保護
膜２，５を適当に除いても良い。
【００１０】次に、上記光磁気記録媒体を用いた光磁気
記録方法について説明する。記録は、高いパワーのレー
ザビームを記録すべき部分に照射して媒体温度を強磁性
膜３のキュリー温度Ｔｃ１付近迄上げるとともに、外部
磁界Ｈｅｘを印加して行う。当該記録すべき部分の磁化
は通常の媒体駆動状態において強磁性膜３が上向き（ま
たは下向き）で反強磁性膜４が見かけ上ゼロであったも
のが、高いパワーのレーザビーム照射によりＴｃ１付近
迄昇温するため強磁性膜３では磁化が消失ないし殆んど
零となり、反強磁性膜４では磁気相転移が生じて（Ｔｐ
ｃで生じる）面内磁気異性から垂直磁気異方性に変化し
、しかも図中下向き（飽和磁化とは逆方向）の磁化が生
じる。この下向きの磁化は、冷却の過程で強磁性膜３の
方へ転写され、そのまま保持される。図３の（ａ）には
記録後の降温時における磁化状態が示してある。なお記
録を行うときの温度範囲はＴｐｃ≦Ｔ＜Ｔｂで、Ｔｂ以
上に温度を上げると反強磁性膜４の磁化方向がバイアス
磁界Ｈｅｘ方向（図では上方向）を向いてしまい、記録
できなくなる。
記録方法について説明する。記録は、高いパワーのレー
ザビームを記録すべき部分に照射して媒体温度を強磁性
膜３のキュリー温度Ｔｃ１付近迄上げるとともに、外部
磁界Ｈｅｘを印加して行う。当該記録すべき部分の磁化
は通常の媒体駆動状態において強磁性膜３が上向き（ま
たは下向き）で反強磁性膜４が見かけ上ゼロであったも
のが、高いパワーのレーザビーム照射によりＴｃ１付近
迄昇温するため強磁性膜３では磁化が消失ないし殆んど
零となり、反強磁性膜４では磁気相転移が生じて（Ｔｐ
ｃで生じる）面内磁気異性から垂直磁気異方性に変化し
、しかも図中下向き（飽和磁化とは逆方向）の磁化が生
じる。この下向きの磁化は、冷却の過程で強磁性膜３の
方へ転写され、そのまま保持される。図３の（ａ）には
記録後の降温時における磁化状態が示してある。なお記
録を行うときの温度範囲はＴｐｃ≦Ｔ＜Ｔｂで、Ｔｂ以
上に温度を上げると反強磁性膜４の磁化方向がバイアス
磁界Ｈｅｘ方向（図では上方向）を向いてしまい、記録
できなくなる。
【００１１】消去は、記録時より低いパワーのレーザビ
ームを消去すべき部分に照射して媒体温度をＴａ≦Ｔ＜
Ｔｐｃの温度迄上げるとともに、外部磁界Ｈｅｘを印加
して行う（図３の（ｂ））。
ームを消去すべき部分に照射して媒体温度をＴａ≦Ｔ＜
Ｔｐｃの温度迄上げるとともに、外部磁界Ｈｅｘを印加
して行う（図３の（ｂ））。
【００１２】このように反強磁性膜からなる補助層の磁
化は常に同一方向を向いているため、磁化の初期化とい
う操作は必要なく、単一ビーム、単一磁界でのオーバー
ライトが可能となる。また、再生は媒体温度がＴａ以下
となるパワーレベルのレーザビームを照射することによ
り行われる。
化は常に同一方向を向いているため、磁化の初期化とい
う操作は必要なく、単一ビーム、単一磁界でのオーバー
ライトが可能となる。また、再生は媒体温度がＴａ以下
となるパワーレベルのレーザビームを照射することによ
り行われる。
【００１３】〔実施例〕次に本発明を実施例により更に
詳細に説明するが、本発明はここに例示の実施例に限定
されるものではない。グルーブ付きポリカーボネート基
板（直径１３０ｍｍ）の上にｒｆ２元マグネトロンスパ
ッタ法により下記の膜を真空中で順次積層し、記録媒体
を得た。 保護膜：Ｓｉ３Ｎ４膜（１０００Å） 強磁性膜
：Ｔｂ０．２（Ｆｅ０．９８Ｃｏ０．０２）０．８膜（
６００Å） 反強磁性膜：ＤｙＣｏ５膜（１５００Å
） 保護膜：Ｓｉ３Ｎ４膜（１０００Å）
詳細に説明するが、本発明はここに例示の実施例に限定
されるものではない。グルーブ付きポリカーボネート基
板（直径１３０ｍｍ）の上にｒｆ２元マグネトロンスパ
ッタ法により下記の膜を真空中で順次積層し、記録媒体
を得た。 保護膜：Ｓｉ３Ｎ４膜（１０００Å） 強磁性膜
：Ｔｂ０．２（Ｆｅ０．９８Ｃｏ０．０２）０．８膜（
６００Å） 反強磁性膜：ＤｙＣｏ５膜（１５００Å
） 保護膜：Ｓｉ３Ｎ４膜（１０００Å）
【００１４
】強磁性膜のキュリー温度Ｔｃ１、反強磁性膜のキュリ
ー温度Ｔｃ２及び磁気相転移温度Ｔｐｃ、強磁性膜の保
磁力Ｈｃ１とバイアス磁界Ｈｅｘとが等しくなる温度Ｔ
ａ、反強磁性膜の保磁力Ｈｃ２とバイアス磁界Ｈｅｘと
が等しくなる温度Ｔｂは次の通りであった。 Ｔｃ１＝１３０℃ Ｔｃ２＝３００℃ Ｔｐｃ＝１００℃ Ｔａ＝７０℃ Ｔｂ＝１８０℃
】強磁性膜のキュリー温度Ｔｃ１、反強磁性膜のキュリ
ー温度Ｔｃ２及び磁気相転移温度Ｔｐｃ、強磁性膜の保
磁力Ｈｃ１とバイアス磁界Ｈｅｘとが等しくなる温度Ｔ
ａ、反強磁性膜の保磁力Ｈｃ２とバイアス磁界Ｈｅｘと
が等しくなる温度Ｔｂは次の通りであった。 Ｔｃ１＝１３０℃ Ｔｃ２＝３００℃ Ｔｐｃ＝１００℃ Ｔａ＝７０℃ Ｔｂ＝１８０℃
【００１５】以上のようにして得た記録媒体を線速１０
ｍ／秒で駆動させ、外部磁界Ｈｅｘ＝７００ Ｏｅ（記
録時と消去時ともに同一方向）を印加するとともに、記
録時、消去時及び再生時で以下のように照射レーザパワ
ーを変化させて１ＭＨｚの信号を記録再生し、記録／再
生特性の評価を行った。 記録時のレーザパワー：６ｍＷ 消去時のレーザパワー：４ｍＷ 再生時のレーザパワー：１ｍＷ その結果、Ｃ／Ｎ比は４７ｄＢであった。さらに、同記
録媒体上に同一条件で２ＭＨｚの記録周波数でオーバー
ライトを実施したところ、Ｃ／Ｎ比４７ｄＢで良好な値
を示した。
ｍ／秒で駆動させ、外部磁界Ｈｅｘ＝７００ Ｏｅ（記
録時と消去時ともに同一方向）を印加するとともに、記
録時、消去時及び再生時で以下のように照射レーザパワ
ーを変化させて１ＭＨｚの信号を記録再生し、記録／再
生特性の評価を行った。 記録時のレーザパワー：６ｍＷ 消去時のレーザパワー：４ｍＷ 再生時のレーザパワー：１ｍＷ その結果、Ｃ／Ｎ比は４７ｄＢであった。さらに、同記
録媒体上に同一条件で２ＭＨｚの記録周波数でオーバー
ライトを実施したところ、Ｃ／Ｎ比４７ｄＢで良好な値
を示した。
【００１６】
【発明の効果】本発明によれば、前記構成としたことに
より、単一ビーム、単一磁界でのオーバーライトが信頼
性良く行える。
より、単一ビーム、単一磁界でのオーバーライトが信頼
性良く行える。
【図１】本発明に係る光磁気記録媒体の層構成を示す断
面図である。
面図である。
【図２】本発明の光磁気記録媒体の強磁性膜及び反強磁
性膜の保磁力Ｈｃの温度特性を示す図である。
性膜の保磁力Ｈｃの温度特性を示す図である。
【図３】（ａ）は記録時における磁化状態を示し、（ｂ
）は消去時における磁化状態を示す図である。
）は消去時における磁化状態を示す図である。
１ 支持体
２，５ 保護膜
３ 強磁性膜（メモリ層）
４ 反強磁性膜（補助層）
Claims (2)
- 【請求項１】 垂直磁気異方性を示す強磁性膜からな
るメモリ層と、室温で面内磁気異方性を示し室温より高
い該メモリ層のキュリー温度付近の温度で磁気相転移を
生じて垂直磁気異方性を示す反強磁性膜からなる補助層
とを積層した２層膜からなる記録層を有することを特徴
とする光磁気記録媒体。 - 【請求項２】 請求項１記載の光磁気記録媒体を用い
、記録時には媒体温度が前記磁気相転移の生じる温度以
上となる迄昇温するような高いパワーのレーザビームを
照射するとともに外部磁界Ｈｅｘを印加し、消去時には
媒体温度が前記磁気相転移の生じる温度より下の温度と
なる迄昇温するような低いパワーのレーザビームを照射
するとともに記録時と同じ外部磁界Ｈｅｘを印加するこ
とを特徴とするオーバーライト可能な光磁気記録方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP41223690A JPH04219642A (ja) | 1990-12-19 | 1990-12-19 | 光磁気記録媒体及び光磁気記録方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP41223690A JPH04219642A (ja) | 1990-12-19 | 1990-12-19 | 光磁気記録媒体及び光磁気記録方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04219642A true JPH04219642A (ja) | 1992-08-10 |
Family
ID=18521100
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP41223690A Pending JPH04219642A (ja) | 1990-12-19 | 1990-12-19 | 光磁気記録媒体及び光磁気記録方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04219642A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997048094A1 (fr) * | 1996-06-14 | 1997-12-18 | Seiko Epson Corporation | Support d'enregistrement magneto-optique |
| EP1143434A2 (en) * | 1992-08-28 | 2001-10-10 | Canon Kabushiki Kaisha | A magnetooptical recording medium and information recording and reproducing methods using the recording medium |
| USRE38501E1 (en) | 1992-08-28 | 2004-04-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Magnetooptical recording medium and information recording and reproducing methods using the recording medium |
| USRE38922E1 (en) | 1992-08-28 | 2005-12-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Magneto-optical recording medium and method for reproducing information from a magneto-optical recording medium having three layers |
-
1990
- 1990-12-19 JP JP41223690A patent/JPH04219642A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1143434A2 (en) * | 1992-08-28 | 2001-10-10 | Canon Kabushiki Kaisha | A magnetooptical recording medium and information recording and reproducing methods using the recording medium |
| EP1143434A3 (en) * | 1992-08-28 | 2001-12-12 | Canon Kabushiki Kaisha | A magnetooptical recording medium and information recording and reproducing methods using the recording medium |
| USRE38501E1 (en) | 1992-08-28 | 2004-04-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Magnetooptical recording medium and information recording and reproducing methods using the recording medium |
| USRE38922E1 (en) | 1992-08-28 | 2005-12-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Magneto-optical recording medium and method for reproducing information from a magneto-optical recording medium having three layers |
| WO1997048094A1 (fr) * | 1996-06-14 | 1997-12-18 | Seiko Epson Corporation | Support d'enregistrement magneto-optique |
| US6146752A (en) * | 1996-06-14 | 2000-11-14 | Seiko Epson Corporation | Magneto-optical recording medium |
| KR100509664B1 (ko) * | 1996-06-14 | 2005-10-28 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 광자기기록매체 |
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