JPH04212206A - 絶縁塗料、ハンダ付け可能な絶縁電線、該絶縁電線の製造方法および該絶縁電線を用いたフライバックトランス - Google Patents
絶縁塗料、ハンダ付け可能な絶縁電線、該絶縁電線の製造方法および該絶縁電線を用いたフライバックトランスInfo
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- JPH04212206A JPH04212206A JP3062316A JP6231691A JPH04212206A JP H04212206 A JPH04212206 A JP H04212206A JP 3062316 A JP3062316 A JP 3062316A JP 6231691 A JP6231691 A JP 6231691A JP H04212206 A JPH04212206 A JP H04212206A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、耐熱性に優れ、ハンダ
付け性の良い絶縁電線及び絶縁塗料に関し、さらに詳し
くは、ポリイミド樹脂又はイミド変性ポリウレタン樹脂
皮膜を導体上に形成させたハンダ付け可能な絶縁電線及
びその製造方法、並びに絶縁塗料更には前記絶縁電線を
用いたフライバックトランスに関する。
付け性の良い絶縁電線及び絶縁塗料に関し、さらに詳し
くは、ポリイミド樹脂又はイミド変性ポリウレタン樹脂
皮膜を導体上に形成させたハンダ付け可能な絶縁電線及
びその製造方法、並びに絶縁塗料更には前記絶縁電線を
用いたフライバックトランスに関する。
【０００２】
【従来の技術】最近、テレビ等家電製品の小型・軽量化
が一層進み、これに対応して、モ−タ−やトランス等の
電気機器の小型・軽量化・高性能化は著しく、また、そ
の信頼性向上も強く望まれている。
が一層進み、これに対応して、モ−タ−やトランス等の
電気機器の小型・軽量化・高性能化は著しく、また、そ
の信頼性向上も強く望まれている。
【０００３】これらの観点から、上記電気機器等に用い
られている絶縁電線の被覆材料としては耐熱性の優れた
材料が望まれ、ポリエステル樹脂塗料を用いた電線がＢ
種（１３０℃）またはＦ種（１５５℃）の絶縁電線とし
て用いられている。他に、さらに耐熱性の優れた材料と
してポリイミド樹脂が知られている。
られている絶縁電線の被覆材料としては耐熱性の優れた
材料が望まれ、ポリエステル樹脂塗料を用いた電線がＢ
種（１３０℃）またはＦ種（１５５℃）の絶縁電線とし
て用いられている。他に、さらに耐熱性の優れた材料と
してポリイミド樹脂が知られている。
【０００４】一方、電気機器の小型・軽量化・高性能化
には電線の細線化を必要とし、細線化されたポリエステ
ル絶縁電線には、一層高性能なものが求められるように
なった。
には電線の細線化を必要とし、細線化されたポリエステ
ル絶縁電線には、一層高性能なものが求められるように
なった。
【０００５】さらに、これらのポリエステル絶縁電線は
過酷な環境下で使用される為、耐熱性、電気絶縁性の他
に耐化学薬品性、耐溶剤性、耐加水分解性および耐アル
カリ性が求められている。
過酷な環境下で使用される為、耐熱性、電気絶縁性の他
に耐化学薬品性、耐溶剤性、耐加水分解性および耐アル
カリ性が求められている。
【０００６】また、原価低減を目的に工程の合理化が求
められている。
められている。
【０００７】その一環として絶縁電線の端末はく離処理
の合理化およびライン化がある。
の合理化およびライン化がある。
【０００８】現在、この端末はく離の処理方法には、機
械はく離、熱分解はく離、薬品はく離およびハンダはく
離等の諸方法があるが、作業時間、細線の導体の無傷化
および連続処理化等を考えると、上記のハンダはく離処
理方法が最も好ましい。
械はく離、熱分解はく離、薬品はく離およびハンダはく
離等の諸方法があるが、作業時間、細線の導体の無傷化
および連続処理化等を考えると、上記のハンダはく離処
理方法が最も好ましい。
【０００９】しかし、ポリエステル絶縁電線は、薬品は
く離によるライン化はすでに行なわれているものの、薬
品中への浸漬に一定時間を必要とし、また洗浄も必要に
なる。取扱う上でも薬品の危険があるため、ハンダはく
離のライン化が試みられたが、従来のポリエステル絶縁
電線ではいずれもハンダはく離性を有していなかった。
く離によるライン化はすでに行なわれているものの、薬
品中への浸漬に一定時間を必要とし、また洗浄も必要に
なる。取扱う上でも薬品の危険があるため、ハンダはく
離のライン化が試みられたが、従来のポリエステル絶縁
電線ではいずれもハンダはく離性を有していなかった。
【００１０】また、耐熱性が優れたものとしてポリイミ
ド絶縁電線があるが（特開平１−１２４９０５号）、ハ
ンダはく離性を有していない。
ド絶縁電線があるが（特開平１−１２４９０５号）、ハ
ンダはく離性を有していない。
【００１１】ハンダはく離処理が可能な絶縁電線として
は、特開昭６４−９０２６８号に見られるようにポリウ
レタン樹脂を主成分とするポリウレタン絶縁電線がある
が、耐熱性がＥ種（１２０℃）と低いものである。
は、特開昭６４−９０２６８号に見られるようにポリウ
レタン樹脂を主成分とするポリウレタン絶縁電線がある
が、耐熱性がＥ種（１２０℃）と低いものである。
【００１２】このため、ハンダはく離処理ができる、耐
熱性がＢ種（１３０℃）以上の耐熱性樹脂被覆の絶縁電
線の出現が強く望まれている。
熱性がＢ種（１３０℃）以上の耐熱性樹脂被覆の絶縁電
線の出現が強く望まれている。
【００１３】また、最近、多数のより合わせ絶縁電線を
ハンダ付けする場合には、絶縁皮膜が被ったままの絶縁
電線を直接ハンダ浴に浸漬することによって絶縁皮膜の
はく離とハンダ付けを一挙に行なう端末処理が増えてき
た。
ハンダ付けする場合には、絶縁皮膜が被ったままの絶縁
電線を直接ハンダ浴に浸漬することによって絶縁皮膜の
はく離とハンダ付けを一挙に行なう端末処理が増えてき
た。
【００１４】このためには、ハンダ浴への浸漬に続いて
絶縁皮膜はできるだけ速やかに除去されねばならない。 ハンダ浴への浸漬が短時間であればある程に良いことは
当然である。
絶縁皮膜はできるだけ速やかに除去されねばならない。 ハンダ浴への浸漬が短時間であればある程に良いことは
当然である。
【００１５】ハンダはく離においては、溶融ハンダ浴の
温度が４５０℃を超えるとハンダ浴の酸化劣化が著しく
進み、導体である銅がハンダに溶解する速度が速くなる
ために絶縁電線の線細りの問題が生じて来る。
温度が４５０℃を超えるとハンダ浴の酸化劣化が著しく
進み、導体である銅がハンダに溶解する速度が速くなる
ために絶縁電線の線細りの問題が生じて来る。
【００１６】上記のようなハンダはく離性を考慮して、
ポリエステルイミド樹脂系の絶縁皮膜を有する絶縁電線
（特開昭６３−２８９７１１号）や、ポリエステルイミ
ドとイソシアネ−トから形成されるポリウレタン系の組
成物（特開昭６３−６９８１９号）等が提案されている
が、これらは皮膜の化学構造が異なり、また、原料が特
殊なものであったり、反応が複雑であるので、製品が高
価格となる上、極性基濃度が高いため電気絶縁性に劣る
欠点がある。更に、エステル型の架橋構造が多いためハ
ンダ付け性に劣る可能性がある。
ポリエステルイミド樹脂系の絶縁皮膜を有する絶縁電線
（特開昭６３−２８９７１１号）や、ポリエステルイミ
ドとイソシアネ−トから形成されるポリウレタン系の組
成物（特開昭６３−６９８１９号）等が提案されている
が、これらは皮膜の化学構造が異なり、また、原料が特
殊なものであったり、反応が複雑であるので、製品が高
価格となる上、極性基濃度が高いため電気絶縁性に劣る
欠点がある。更に、エステル型の架橋構造が多いためハ
ンダ付け性に劣る可能性がある。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】上記の問題点に鑑み、
本発明は絶縁電線被覆材料の耐熱性がＢ種（１３０℃）
以上で、被覆材料のはく離とハンダ付けを４５０℃以下
の温度で一挙にできる、優れた熱的、機械的、電気的、
化学的特性をもつハンダ付け可能な絶縁電線及び絶縁塗
料を、比較的容易にかつ低価格にて提供すべくなされた
ものであり、さらには、上記絶縁電線を用いたフライバ
ックトランスを提供することを目的とする。
本発明は絶縁電線被覆材料の耐熱性がＢ種（１３０℃）
以上で、被覆材料のはく離とハンダ付けを４５０℃以下
の温度で一挙にできる、優れた熱的、機械的、電気的、
化学的特性をもつハンダ付け可能な絶縁電線及び絶縁塗
料を、比較的容易にかつ低価格にて提供すべくなされた
ものであり、さらには、上記絶縁電線を用いたフライバ
ックトランスを提供することを目的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明者らが鋭意検討を重ねた結果、特定の化学構
造のポリアミド酸又はポリイミドを含む絶縁塗料、ある
いは特定の化学構造のポリアミド酸とイソシアネ−ト又
はブロック化イソシアネ−トとを含む絶縁塗料を用いて
、これを導体上に塗布し焼き付けることによって、上記
の要望に応える絶縁電線が得られることを見出し、本発
明に到達した。
に、本発明者らが鋭意検討を重ねた結果、特定の化学構
造のポリアミド酸又はポリイミドを含む絶縁塗料、ある
いは特定の化学構造のポリアミド酸とイソシアネ−ト又
はブロック化イソシアネ−トとを含む絶縁塗料を用いて
、これを導体上に塗布し焼き付けることによって、上記
の要望に応える絶縁電線が得られることを見出し、本発
明に到達した。
【００１９】すなわち、本発明は、一般式（化１）
【０
０２０】
０２０】
【化１】
【００２１】で示されるポリアミド酸を含む絶縁塗料を
導体上に塗布し、焼き付けてなる、ポリイミド樹脂皮膜
を有するハンダ付け可能な絶縁電線に関する。
導体上に塗布し、焼き付けてなる、ポリイミド樹脂皮膜
を有するハンダ付け可能な絶縁電線に関する。
【００２２】但し、上記一般式（化１）中、Ｘは、ポリ
アミド酸のエンドキャップ剤であるヒドロキシルアミン
中の主鎖となるアルキレン基又はアルキレンフェニレン
基であり、特に望ましくは、Ｘは一般式（化１２）
アミド酸のエンドキャップ剤であるヒドロキシルアミン
中の主鎖となるアルキレン基又はアルキレンフェニレン
基であり、特に望ましくは、Ｘは一般式（化１２）
【０
０２３】
０２３】
【化１２】
【００２４】からなる群より選ばれるアルキレン基又は
一般式（化１３）
一般式（化１３）
【００２５】
【化１３】
【００２６】からなる群より選ばれるアルキレンフエニ
レン基である。
レン基である。
【００２７】すなわち、上記式中、ＨＯ−Ｘ−は、一般
式（化１４）
式（化１４）
【００２８】
【化１４】
【００２９】からなる群より選ばれる１価の有機基であ
り、これらの基を含むモノアミンはエンドキャップ剤と
して同等に用いられるものである。
り、これらの基を含むモノアミンはエンドキャップ剤と
して同等に用いられるものである。
【００３０】以下、本願明細書全体を通じて他の一般式
においてもＸについては同様である。
においてもＸについては同様である。
【００３１】また、ｎは正の整数であり、皮膜の機械的
強度の点からｎは５以上であることが望ましい。以下、
本願明細書全体を通じて他の一般式においてもｎについ
ては同様である。
強度の点からｎは５以上であることが望ましい。以下、
本願明細書全体を通じて他の一般式においてもｎについ
ては同様である。
【００３２】またＲ１及びＲ２については、Ｒ１が一般
式（化２）
式（化２）
【００３３】
【化２】
【００３４】からなる群より選ばれる４価の有機基であ
るとき、Ｒ２は一般式（化３）
るとき、Ｒ２は一般式（化３）
【００３５】
【化３】
【００３６】からなる群より選ばれる２価の有機基（ｈ
は２〜１６の整数、ｉ及びｊは２〜１０の整数）であり
、Ｒ１が一般式（化４）
は２〜１６の整数、ｉ及びｊは２〜１０の整数）であり
、Ｒ１が一般式（化４）
【００３７】
【化４】
【００３８】からなる群より選ばれる４価の有機基であ
るとき、Ｒ２は一般式（化５）
るとき、Ｒ２は一般式（化５）
【００３９】
【化５】
【００４０】からなる群より選ばれる２価の有機基（ｋ
は１〜１０の整数、ｌ及びｍは２〜１０の整数）である
。
は１〜１０の整数、ｌ及びｍは２〜１０の整数）である
。
【００４１】以下、本願明細書全体を通じて他の一般式
においてもＲ１及びＲ２については同様である。
においてもＲ１及びＲ２については同様である。
【００４２】上記の絶縁電線は次のようにして製造する
ことができる。
ことができる。
【００４３】すなわち、本願発明は、一般式（化６）
【
００４４】
００４４】
【化６】
【００４５】で示されるヒドロキシルアミンと、一般式
（化７）
（化７）
【００４６】
【化７】
【００４７】で示されるテトラカルボン酸二無水物と、
一般式（化８）
一般式（化８）
【００４８】
【化８】
【００４９】で示されるジアミンとを、有機溶媒の存在
下に反応させ、一般式（化１）
下に反応させ、一般式（化１）
【００５０】
【化１】
【００５１】で示されるポリアミド酸を生成させた後、
これを含む絶縁塗料を導体上に塗布し、焼き付けて、上
記一般式（化１）中のアミド基とカルボキシル基とを分
子内反応させてイミド化してポリイミド樹脂とすること
を特徴とするハンダ付け可能な絶縁電線の製造方法に関
する。
これを含む絶縁塗料を導体上に塗布し、焼き付けて、上
記一般式（化１）中のアミド基とカルボキシル基とを分
子内反応させてイミド化してポリイミド樹脂とすること
を特徴とするハンダ付け可能な絶縁電線の製造方法に関
する。
【００５２】上記製造方法において用いられる有機溶媒
は、反応促進の為に必要であり、例えば、ジメチルアセ
トアミド、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ−メチルカプロラ
クタム、ジメチルスルホン、ジメチルホルムアミド、ジ
メチルスルホキシド等である。
は、反応促進の為に必要であり、例えば、ジメチルアセ
トアミド、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ−メチルカプロラ
クタム、ジメチルスルホン、ジメチルホルムアミド、ジ
メチルスルホキシド等である。
【００５３】また、上記製造方法において、絶縁塗料中
に触媒量の第三級アミンを加えてもよい。これらは、例
えば、トリエチルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、ジ
メチルドデシルアミン、ピリジン、４−イソプロピルピ
リジン、Ｎ−ジメチルベンジルアミン、イソキノリン、
Ｎ−メチルモルホリン等である。これらの第三級アミン
は、イミド化ばかりでなく、ウレタン化の触媒としても
作用する。
に触媒量の第三級アミンを加えてもよい。これらは、例
えば、トリエチルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、ジ
メチルドデシルアミン、ピリジン、４−イソプロピルピ
リジン、Ｎ−ジメチルベンジルアミン、イソキノリン、
Ｎ−メチルモルホリン等である。これらの第三級アミン
は、イミド化ばかりでなく、ウレタン化の触媒としても
作用する。
【００５４】図１は、本発明に係る絶縁電線の断面図で
ある。図１において１は銅線などの導体であり、導体１
には、絶縁塗料を塗布し焼き付けることにより、絶縁皮
膜２が形成されている。
ある。図１において１は銅線などの導体であり、導体１
には、絶縁塗料を塗布し焼き付けることにより、絶縁皮
膜２が形成されている。
【００５５】上記一般式（化１）で示されるポリアミド
酸を含む絶縁塗料を導体上に塗布し、焼き付けることに
より、一般式（化１）中のアミド基とカルボキシル基と
が分子内反応によりイミド化してポリイミド樹脂が生成
するとともに、溶媒が揮発して強固なポリイミド樹脂皮
膜が導体上に形成される。
酸を含む絶縁塗料を導体上に塗布し、焼き付けることに
より、一般式（化１）中のアミド基とカルボキシル基と
が分子内反応によりイミド化してポリイミド樹脂が生成
するとともに、溶媒が揮発して強固なポリイミド樹脂皮
膜が導体上に形成される。
【００５６】また、上記一般式（化１）で示されるポリ
アミド酸を含む絶縁塗料は、ポリアミド酸の合成の過程
で、反応温度が高いなどの条件によっては分子内イミド
化が起こり、一般式（化９）
アミド酸を含む絶縁塗料は、ポリアミド酸の合成の過程
で、反応温度が高いなどの条件によっては分子内イミド
化が起こり、一般式（化９）
【００５７】
【化９】
【００５８】で示されるポリイミドをも含んでいる場合
もあり得る。
もあり得る。
【００５９】また更に、絶縁塗料が上記一般式（化９）
で示されるポリイミドを含むように、導体上への塗布前
にイミド化を予め進めておいてもよい。この場合ポリア
ミド酸の合成反応時に有機溶媒の中にイミド化触媒を添
加しておくことが望ましい。
で示されるポリイミドを含むように、導体上への塗布前
にイミド化を予め進めておいてもよい。この場合ポリア
ミド酸の合成反応時に有機溶媒の中にイミド化触媒を添
加しておくことが望ましい。
【００６０】イミド化触媒は上記した第三級アミンなど
である。
である。
【００６１】すなわち、本発明は、一般式（化９）
【０
０６２】
０６２】
【化９】
【００６３】で示されるポリイミドを含む絶縁塗料を導
体上に塗布し、焼き付けてなる、ポリイミド樹脂皮膜を
有するハンダ付け可能な絶縁電線に関する。
体上に塗布し、焼き付けてなる、ポリイミド樹脂皮膜を
有するハンダ付け可能な絶縁電線に関する。
【００６４】さらに、本発明は、上記絶縁電線の製造方
法として、一般式（化６）
法として、一般式（化６）
【００６５】
【化６】
【００６６】で示されるヒドロキシルアミンと、一般式
（化７）
（化７）
【００６７】
【化７】
【００６８】で示されるテトラカルボン酸二無水物と、
一般式（化８）
一般式（化８）
【００６９】
【化８】
【００７０】で示されるジアミンとを、有機溶媒の存在
下に反応させ、一般式（化９）
下に反応させ、一般式（化９）
【００７１】
【化９】
【００７２】で示されるポリイミドを生成させた後、こ
れを含む絶縁塗料を導体上に塗布し、焼き付けることを
特徴とするハンダ付け可能な絶縁電線の製造方法に関す
る。
れを含む絶縁塗料を導体上に塗布し、焼き付けることを
特徴とするハンダ付け可能な絶縁電線の製造方法に関す
る。
【００７３】ここにおいて、ポリイミドの生成は、イミ
ド化触媒の添加あるいは、反応温度を高くする等によっ
てなされる。
ド化触媒の添加あるいは、反応温度を高くする等によっ
てなされる。
【００７４】さらにまた、本発明は、一般式（化１）
【
００７５】
００７５】
【化１】
【００７６】で示されるポリアミド酸と、イソシアネ−
ト又はブロック化イソシアネ−トを含む絶縁塗料を導体
上に塗布し、焼き付けてなる、イミド化ポリウレタン樹
脂皮膜を有するハンダ付け可能な絶縁電線に関する。
ト又はブロック化イソシアネ−トを含む絶縁塗料を導体
上に塗布し、焼き付けてなる、イミド化ポリウレタン樹
脂皮膜を有するハンダ付け可能な絶縁電線に関する。
【００７７】ここにおいて、一般式（化１）で示される
ポリアミド酸をポリオ−ルとして、末端の２つの水酸基
とイソシアネ−トを反応させることにより、イミド化ポ
リウレタンが生成することを利用するものであり、上記
イミド化ポリウレタン樹脂皮膜を有する絶縁電線は次の
ようにして製造することができる。
ポリアミド酸をポリオ−ルとして、末端の２つの水酸基
とイソシアネ−トを反応させることにより、イミド化ポ
リウレタンが生成することを利用するものであり、上記
イミド化ポリウレタン樹脂皮膜を有する絶縁電線は次の
ようにして製造することができる。
【００７８】すなわち、本発明は、一般式（化１）
【０
０７９】
０７９】
【化１】
【００８０】で示されるポリアミド酸と、イソシアネ−
ト又はブロック化イソシアネ−トとを上記ポリアミド酸
の末端水酸基１当量につきイソシアネ−ト基０．４〜２
．０当量の割合で配合してなる絶縁塗料を導体上に塗布
し、焼き付けることにより、上記ポリアミド酸のアミド
基とカルボキシル基とが分子内反応してイミド化すると
ともに、末端水酸基がイソシアネ−ト又はブロック化イ
ソシアネ−ト基と反応してイミド化ポリウレタン樹脂が
生成することを特徴とするハンダ付け可能な絶縁電線の
製造方法に関する。
ト又はブロック化イソシアネ−トとを上記ポリアミド酸
の末端水酸基１当量につきイソシアネ−ト基０．４〜２
．０当量の割合で配合してなる絶縁塗料を導体上に塗布
し、焼き付けることにより、上記ポリアミド酸のアミド
基とカルボキシル基とが分子内反応してイミド化すると
ともに、末端水酸基がイソシアネ−ト又はブロック化イ
ソシアネ−ト基と反応してイミド化ポリウレタン樹脂が
生成することを特徴とするハンダ付け可能な絶縁電線の
製造方法に関する。
【００８１】なお、末端水酸基とイソシアネ−ト基の当
量比が上記範囲の時に、ウレタン化反応が完結し、被覆
層の諸特性が良好であり、特に、イソシアネ−ト基とし
て０．９〜１．１当量が著しく良い。
量比が上記範囲の時に、ウレタン化反応が完結し、被覆
層の諸特性が良好であり、特に、イソシアネ−ト基とし
て０．９〜１．１当量が著しく良い。
【００８２】また、イソシアネ−トとしては、ジイソシ
アネ−トあるいはトリイソシアネ−トの例として、フェ
ニレンジイソシアネ−ト、トルイレンジイソシアネ−ト
、１−エチルベンゼン−２，４−ジイソシアネ−ト、ジ
フェニルメタンジイソシアネ−ト、１−イソプロピルベ
ンゼン−２，４−ジイソシアネ−ト、１−クロルベンゼ
ン−２，４−ジイソシアネ−ト、キシリレンジイソシア
ネ−ト、１−ニトロベンゼン−２，４−ジイソシアネ−
ト、イソホロンジイソシアネ−ト、１−メトキシベンゼ
ン−２，４−ジイソシアネ−ト、ナフタレンジイソシア
ネ−ト、ジメチルビフェニレンジイソシアネ−ト、１−
メチルベンゼン−２，４，６−トリイソシアネ−ト、ト
リフェニルメタントリイソシアネ−ト、１，３，５−ト
リメチルベンゼン−２，４，６−トリイソシアネ−ト、
ナフタレン−１，３，７−トリイソシアネ−ト、ビフェ
ニル−２，４，４´−トリイソシアネ−ト、ヘキサメチ
レンジイソシアネ−ト等を挙げることができる。
アネ−トあるいはトリイソシアネ−トの例として、フェ
ニレンジイソシアネ−ト、トルイレンジイソシアネ−ト
、１−エチルベンゼン−２，４−ジイソシアネ−ト、ジ
フェニルメタンジイソシアネ−ト、１−イソプロピルベ
ンゼン−２，４−ジイソシアネ−ト、１−クロルベンゼ
ン−２，４−ジイソシアネ−ト、キシリレンジイソシア
ネ−ト、１−ニトロベンゼン−２，４−ジイソシアネ−
ト、イソホロンジイソシアネ−ト、１−メトキシベンゼ
ン−２，４−ジイソシアネ−ト、ナフタレンジイソシア
ネ−ト、ジメチルビフェニレンジイソシアネ−ト、１−
メチルベンゼン−２，４，６−トリイソシアネ−ト、ト
リフェニルメタントリイソシアネ−ト、１，３，５−ト
リメチルベンゼン−２，４，６−トリイソシアネ−ト、
ナフタレン−１，３，７−トリイソシアネ−ト、ビフェ
ニル−２，４，４´−トリイソシアネ−ト、ヘキサメチ
レンジイソシアネ−ト等を挙げることができる。
【００８３】また、ポリイソシアネ−ト化合物の例とし
ては、分子量１００〜４００程度の低分子イソシアネ−
ト、特にジイソシアネ−トと、トリメチロ−ルプロパン
、ヘキサントリオ−ル、ブタンジオ−ル等の分子量６０
〜２００程度の低分子量ポリオ−ルの単独もしくは混合
物を反応させて得られるウレタン結合含有ポリイソシア
ネ−トを挙げることができる。
ては、分子量１００〜４００程度の低分子イソシアネ−
ト、特にジイソシアネ−トと、トリメチロ−ルプロパン
、ヘキサントリオ−ル、ブタンジオ−ル等の分子量６０
〜２００程度の低分子量ポリオ−ルの単独もしくは混合
物を反応させて得られるウレタン結合含有ポリイソシア
ネ−トを挙げることができる。
【００８４】また、ブロック化イソシアネ−トとしては
上記のすべてのイソシアネ−トをブロック化した化合物
であり、分子量３００〜１０，０００程度のジイソシア
ネ−ト化合物やトリイソシアネ−ト化合物、更に、ポリ
イソシアネ−ト化合物のような一分子中に２個以上のイ
ソシアネ−ト基を持つ多価イソシアネ−ト化合物におい
て、その各々のイソシアネ−ト基を活性水素を有する化
合物、例えばフェノ−ル、クレゾ−ル、キシレノ−ル、
クロルフェノ−ル等のフェノ−ル類、メチルエチルケト
ンオキシム等のオキシム類、第一級、第二級、第三の水
酸基を有するモノアルコ−ル類、カプロラクタム類のブ
ロック化剤を用いて常法でブロック化されたものを用い
ることができる。また、上記多価イソシアネ−ト化合物
をトリメチロ−ルプロパン、ヘキサントリオ−ル、グリ
セリン等の多価アルコ−ルと反応させてブロック化して
なるものでも良い。本発明で用いることができるブロッ
ク化イソシアネ−トの市販品の例としては、日本ポリウ
レタン社製のコロネ−トＡＰステ−ブル、コロネ−ト２
５０３、コロネ−ト２５１５、ミリオネ−トＭＳ−５０
、住友バイエルウレタン社製のデスモジュ−ルＡＰ−１
２ステ−ブル、デスモジュ−ルＣＴステ−ブル等を挙げ
ることができる。
上記のすべてのイソシアネ−トをブロック化した化合物
であり、分子量３００〜１０，０００程度のジイソシア
ネ−ト化合物やトリイソシアネ−ト化合物、更に、ポリ
イソシアネ−ト化合物のような一分子中に２個以上のイ
ソシアネ−ト基を持つ多価イソシアネ−ト化合物におい
て、その各々のイソシアネ−ト基を活性水素を有する化
合物、例えばフェノ−ル、クレゾ−ル、キシレノ−ル、
クロルフェノ−ル等のフェノ−ル類、メチルエチルケト
ンオキシム等のオキシム類、第一級、第二級、第三の水
酸基を有するモノアルコ−ル類、カプロラクタム類のブ
ロック化剤を用いて常法でブロック化されたものを用い
ることができる。また、上記多価イソシアネ−ト化合物
をトリメチロ−ルプロパン、ヘキサントリオ−ル、グリ
セリン等の多価アルコ−ルと反応させてブロック化して
なるものでも良い。本発明で用いることができるブロッ
ク化イソシアネ−トの市販品の例としては、日本ポリウ
レタン社製のコロネ−トＡＰステ−ブル、コロネ−ト２
５０３、コロネ−ト２５１５、ミリオネ−トＭＳ−５０
、住友バイエルウレタン社製のデスモジュ−ルＡＰ−１
２ステ−ブル、デスモジュ−ルＣＴステ−ブル等を挙げ
ることができる。
【００８５】上記イミド化ポリウレタン樹脂皮膜を形成
するに際して、前記と同様に、絶縁塗料中に、イミド化
触媒としての第三級アミンを含めることができる。第三
級アミンはウレタン化反応の触媒としても作用する。
するに際して、前記と同様に、絶縁塗料中に、イミド化
触媒としての第三級アミンを含めることができる。第三
級アミンはウレタン化反応の触媒としても作用する。
【００８６】また、本発明は、一般式（化１０）
【００
８７】
８７】
【化１０】
【００８８】で示されるポリイミド樹脂皮膜を有するハ
ンダ付け可能な絶縁電線に関する。
ンダ付け可能な絶縁電線に関する。
【００８９】この絶縁皮膜の形成方法として、本発明は
、一般式（化７）
、一般式（化７）
【００９０】
【化７】
【００９１】で示されるテトラカルボン酸二無水物と、
一般式（化８）
一般式（化８）
【００９２】
【化８】
【００９３】で示されるジアミンとを、有機溶媒の存在
下に反応させ、一般式（化１１）
下に反応させ、一般式（化１１）
【００９４】
【化１１】
【００９５】で示されるポリアミド酸を生成させた後、
これを含む絶縁塗料を導体上に塗布し、焼き付けること
により、（化１１）式中のアミド基とカルボキシル基と
の分子内反応によりイミド化してポリイミド樹脂とする
ことを特徴とするハンダ付け可能な絶縁電線の製造方法
に関する。
これを含む絶縁塗料を導体上に塗布し、焼き付けること
により、（化１１）式中のアミド基とカルボキシル基と
の分子内反応によりイミド化してポリイミド樹脂とする
ことを特徴とするハンダ付け可能な絶縁電線の製造方法
に関する。
【００９６】ここにおいて、有機溶媒は前述と同様であ
り、また、絶縁塗料は触媒量の第三級アミンをイミド化
触媒とし含むことができる。
り、また、絶縁塗料は触媒量の第三級アミンをイミド化
触媒とし含むことができる。
【００９７】上記（化１０）式及び（化１１）式中、ｎ
は正の整数であり、５以上であることが望ましい。
は正の整数であり、５以上であることが望ましい。
【００９８】また、（化１０）式で示されるポリイミド
樹脂皮膜を有する絶縁電線は、（化１０）式で示される
ポリイミドを含む絶縁塗料を導体上に塗布し、焼き付け
ることによっても製造することもできる。
樹脂皮膜を有する絶縁電線は、（化１０）式で示される
ポリイミドを含む絶縁塗料を導体上に塗布し、焼き付け
ることによっても製造することもできる。
【００９９】すなわち、例えば、一般式（化７）
【０１
００】
００】
【化７】
【０１０１】で示されるテトラカルボン酸二無水物と、
一般式（化８）
一般式（化８）
【０１０２】
【化８】
【０１０３】で示されるジアミンとを、有機溶媒の存在
下に反応させ、一般式（化１１）
下に反応させ、一般式（化１１）
【０１０４】
【化１１】
【０１０５】で示されるポリアミド酸を生成させ、該ポ
リアミド酸をイミド化して、一般式（化１０）
リアミド酸をイミド化して、一般式（化１０）
【０１０
６】
６】
【化１０】
【０１０７】で示されるポリイミドを生成させた後、こ
れを含む絶縁塗料を導体上に塗布し、焼き付けることに
よって絶縁電線を製造する。ここにおいてイミド化は、
イミド化触媒の添加あるいは加熱などによってなされる
。イミド化触媒は前述の第三級アミンなどである。
れを含む絶縁塗料を導体上に塗布し、焼き付けることに
よって絶縁電線を製造する。ここにおいてイミド化は、
イミド化触媒の添加あるいは加熱などによってなされる
。イミド化触媒は前述の第三級アミンなどである。
【０１０８】このように、絶縁塗料がポリイミドを含ん
でいる場合には、導体上への塗布、焼き付けによって溶
媒が揮発して、強固な絶縁皮膜が形成される。
でいる場合には、導体上への塗布、焼き付けによって溶
媒が揮発して、強固な絶縁皮膜が形成される。
【０１０９】上記絶縁塗料による本発明のハンダ付け可
能な絶縁電線は、上記絶縁塗料を導体上に塗布後、汎用
の焼き付け塗装装置で焼き付けて所定の皮膜厚さとする
ことにより提供される。
能な絶縁電線は、上記絶縁塗料を導体上に塗布後、汎用
の焼き付け塗装装置で焼き付けて所定の皮膜厚さとする
ことにより提供される。
【０１１０】この時に使用する導体とは、例えば、銅、
銀又はステンレス鋼線であり、適用される導体径は極細
線から太線までいずれの径のものでも良く、特定の導体
径のものに限定されるものではない。一般的には径が約
０．０３０乃至２．０ｍｍ程度の銅線に主として適用さ
れている。
銀又はステンレス鋼線であり、適用される導体径は極細
線から太線までいずれの径のものでも良く、特定の導体
径のものに限定されるものではない。一般的には径が約
０．０３０乃至２．０ｍｍ程度の銅線に主として適用さ
れている。
【０１１１】上記導体上に絶縁皮膜を形成する方法は従
来公知の方法に準拠すれば良く、例えば、フェルト絞り
方式やダイス絞り方式等の方法により絶縁塗料を塗布し
、連続的に３００〜５００℃の温度の焼付炉中に３〜１
００秒程度ずつ、数回〜数十回通すことによって所望の
絶縁皮膜が形成される。要するに、塗料の硬化反応をほ
ぼ完了し得るに充分な温度と時間焼き付けて得られる。 また、絶縁皮膜の厚さは、ＪＩＳ、ＮＥＭＡあるいはＩ
ＥＣ等の規格に規定された皮膜厚さである。
来公知の方法に準拠すれば良く、例えば、フェルト絞り
方式やダイス絞り方式等の方法により絶縁塗料を塗布し
、連続的に３００〜５００℃の温度の焼付炉中に３〜１
００秒程度ずつ、数回〜数十回通すことによって所望の
絶縁皮膜が形成される。要するに、塗料の硬化反応をほ
ぼ完了し得るに充分な温度と時間焼き付けて得られる。 また、絶縁皮膜の厚さは、ＪＩＳ、ＮＥＭＡあるいはＩ
ＥＣ等の規格に規定された皮膜厚さである。
【０１１２】なお、上記本発明に係る絶縁電線の皮膜を
形成するために使用される絶縁塗料はすべて、電線に限
らず各種導体の絶縁被覆を形成するために用いることも
できる。
形成するために使用される絶縁塗料はすべて、電線に限
らず各種導体の絶縁被覆を形成するために用いることも
できる。
【０１１３】また、本発明は上記絶縁電線を用いてなる
フライバックトランスを提供するにある。
フライバックトランスを提供するにある。
【０１１４】
【作用】本発明に係る絶縁塗料は、特定の化学構造のポ
リアミド酸又はポリイミドあるいは特定の化学構造のポ
リアミド酸とイソシアネ−ト又はブロック化イソシアネ
−トとを含むものであり、この絶縁塗料を導体上に塗布
、焼き付けて形成されるポリイミド樹脂又はイミド化ポ
リウレタン樹脂は、優れた熱的、機械的、電気的、化学
的特性を有し、これを皮膜とする絶縁電線は、１３０℃
以上の耐熱性と良好なハンダ付け性を有する。
リアミド酸又はポリイミドあるいは特定の化学構造のポ
リアミド酸とイソシアネ−ト又はブロック化イソシアネ
−トとを含むものであり、この絶縁塗料を導体上に塗布
、焼き付けて形成されるポリイミド樹脂又はイミド化ポ
リウレタン樹脂は、優れた熱的、機械的、電気的、化学
的特性を有し、これを皮膜とする絶縁電線は、１３０℃
以上の耐熱性と良好なハンダ付け性を有する。
【０１１５】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づき詳細に説明す
るが、本発明はこれに限定されるものではない。
るが、本発明はこれに限定されるものではない。
【０１１６】実施例及び比較例においては、絶縁皮膜を
形成する塗料の原料をそれぞれ略称で示した。略称の意
味は次のとおりである。
形成する塗料の原料をそれぞれ略称で示した。略称の意
味は次のとおりである。
【０１１７】イ．一般式（化６）
【０１１８】
【化６】
【０１１９】で示されるヒドロキシルアミンとしては、
略称Ｓ…ｐ−アミノベンジルアルコ−ル（化１５）
略称Ｓ…ｐ−アミノベンジルアルコ−ル（化１５）
【０
１２０】
１２０】
【化１５】
【０１２１】ロ．一般式（化７）
【０１２２】
【化７】
【０１２３】で示されるテトラカルボン酸二無水物と、
一般式（化８）
一般式（化８）
【０１２４】
【化８】
【０１２５】で示されるジアミンとの組合せは、以下の
２通りがある。すなわち、１．上記テトラカルボン酸二
無水物が、以下の略称（Ａ１〜Ａ８）の化合物である時
に、上記ジアミンは、以下の略称（Ｂ１〜Ｂ５）の化合
物が良く、２．上記テトラカルボン酸二無水物が、以下
の略称（Ａ９〜Ａ１７）の化合物である時に、上記ジア
ミンは、以下の略称（Ｂ６〜Ｂ１３）の化合物が良い。
２通りがある。すなわち、１．上記テトラカルボン酸二
無水物が、以下の略称（Ａ１〜Ａ８）の化合物である時
に、上記ジアミンは、以下の略称（Ｂ１〜Ｂ５）の化合
物が良く、２．上記テトラカルボン酸二無水物が、以下
の略称（Ａ９〜Ａ１７）の化合物である時に、上記ジア
ミンは、以下の略称（Ｂ６〜Ｂ１３）の化合物が良い。
【０１２６】テトラカルボン酸二無水物としては、以下
の１７種である。
の１７種である。
【０１２７】略称Ａ１…１，３，３ａ，４，５，９ｂ−
ヘキサヒドロ−５−（テトラヒドロ−２，５−ジオキソ
−３−フラニル）−ナフト［１，２−Ｃ］フラン−１，
３−ジオン（化１６）
ヘキサヒドロ−５−（テトラヒドロ−２，５−ジオキソ
−３−フラニル）−ナフト［１，２−Ｃ］フラン−１，
３−ジオン（化１６）
【０１２８】
【化１６】
【０１２９】略称Ａ２…エチレングリコ−ルビス（アン
ヒドロトリメリテ−ト）（化１７）
ヒドロトリメリテ−ト）（化１７）
【０１３０】
【化１７】
【０１３１】略称Ａ３…テトラメチレングリコ−ルビス
（アンヒドロトリメリテ−ト）（化１８）
（アンヒドロトリメリテ−ト）（化１８）
【０１３２】
【化１８】
【０１３３】略称Ａ４…ジエチレングリコ−ルビス（ア
ンヒドロトリメリテ−ト）（化１９）
ンヒドロトリメリテ−ト）（化１９）
【０１３４】
【化１９】
【０１３５】略称Ａ５…ネオペンチルグリコ−ルビス（
アンヒドロトリメリテ−ト）（化２０）
アンヒドロトリメリテ−ト）（化２０）
【０１３６】
【化２０】
【０１３７】略称Ａ６…１，４−シクロヘキサンジオ−
ルビス（アンヒドロトリメリテ−ト）（化２１）
ルビス（アンヒドロトリメリテ−ト）（化２１）
【０１
３８】
３８】
【化２１】
【０１３９】略称Ａ７…ｐ−キシリレングリコ−ルビス
（アンヒドロトリメリテ−ト）（化２２）
（アンヒドロトリメリテ−ト）（化２２）
【０１４０】
【化２２】
【０１４１】略称Ａ８…ハイドロキノン−ジ−（β−ヒ
ドロキシエチル）エ−テルビス（アンヒドロトリメリテ
−ト）（化２３）
ドロキシエチル）エ−テルビス（アンヒドロトリメリテ
−ト）（化２３）
【０１４２】
【化２３】
【０１４３】略称Ａ９…ピロメリット酸二無水物（化２
４）
４）
【０１４４】
【化２４】
【０１４５】略称Ａ１０…３，３´，４，４´−ジフェ
ニルテトラカルボン酸二無水物（化２５）
ニルテトラカルボン酸二無水物（化２５）
【０１４６】
【化２５】
【０１４７】略称Ａ１１…３，３´，４，４´−ベンゾ
フェノンテトラカルボン酸二無水物（化２６）
フェノンテトラカルボン酸二無水物（化２６）
【０１４８】
【化２６】
【０１４９】略称Ａ１２…２，３，６，７−ナフタレン
テトラカルボン酸二無水物（化２７）
テトラカルボン酸二無水物（化２７）
【０１５０】
【化２７】
【０１５１】略称Ａ１３…１，４，５，８−ナフタレン
テトラカルボン酸二無水物（化２８）
テトラカルボン酸二無水物（化２８）
【０１５２】
【化２８】
【０１５３】略称Ａ１４…１，２，５，６−ナフタレン
テトラカルボン酸二無水物（化２９）
テトラカルボン酸二無水物（化２９）
【０１５４】
【化２９】
【０１５５】略称Ａ１５…３，３´，４，４´−ジフェ
ニルエ−テルテトラカルボン酸二無水物（化３０）
ニルエ−テルテトラカルボン酸二無水物（化３０）
【０
１５６】
１５６】
【化３０】
【０１５７】略称Ａ１６…３，３´，４，４´−ジフェ
ニルメタンテトラカルボン酸二無水物（化３１）
ニルメタンテトラカルボン酸二無水物（化３１）
【０１５８】
【化３１】
【０１５９】略称Ａ１７…３，３´，４，４´−ジフェ
ニルプロパンテトラカルボン酸二無水物（化３２）
ニルプロパンテトラカルボン酸二無水物（化３２）
【０
１６０】
１６０】
【化３２】
【０１６１】一方、ジアミンとしては、以下の１３種で
ある。
ある。
【０１６２】略称Ｂ１…２，２−ビス［４−（４´−ア
ミノフェノキシ）フェニル］プロパン（化３３）
ミノフェノキシ）フェニル］プロパン（化３３）
【０１６３】
【化３３】
【０１６４】略称Ｂ２…１，３−ビス［２−（４´−ア
ミノフェニル）プロピル］ベンゼン（化３４）
ミノフェニル）プロピル］ベンゼン（化３４）
【０１６５】
【化３４】
【０１６６】略称Ｂ３…４，４´−ジアミノジフェニル
メタン（化３５）
メタン（化３５）
【０１６７】
【化３５】
【０１６８】略称Ｂ４…１，３−ビス（４−アミノフェ
ノキシ）ベンゼン（化３６）
ノキシ）ベンゼン（化３６）
【０１６９】
【化３６】
【０１７０】略称Ｂ５…４，４´−ジアミノジフェニル
エ−テル（化３７）
エ−テル（化３７）
【０１７１】
【化３７】
【０１７２】略称Ｂ６…４，４´−ジアミノジシクロヘ
キシルメタン（化３８）
キシルメタン（化３８）
【０１７３】
【化３８】
【０１７４】略称Ｂ７…１，４−ジ（アミノメチル）ベ
ンゼン（化３９）
ンゼン（化３９）
【０１７５】
【化３９】
【０１７６】略称Ｂ８…４，４´−ジアミノジフェニル
プロパン（化４０）
プロパン（化４０）
【０１７７】
【化４０】
【０１７８】略称Ｂ９…１，４−ジ（アミノメチル）シ
クロヘキサン（化４１）
クロヘキサン（化４１）
【０１７９】
【化４１】
【０１８０】略称Ｂ１０…１，４−ジアミノシクロヘキ
サン（化４２）
サン（化４２）
【０１８１】
【化４２】
【０１８２】略称Ｂ１１…４，４´−ジアミノジシクロ
ヘキシルプロパン（化４３）
ヘキシルプロパン（化４３）
【０１８３】
【化４３】
【０１８４】略称Ｂ１２…ヘキサメチレンジアミン（化
４４）
４４）
【０１８５】
【化４４】
【０１８６】略称Ｂ１３…２，２−ジメチルプロピレン
ジアミン（化４５）
ジアミン（化４５）
【０１８７】
【化４５】
【０１８８】ハ．イミド化触媒の第三級アミンとしては
、以下の２種類を用いた。
、以下の２種類を用いた。
【０１８９】略称Ｃ１…ジメチルドデシルアミン略称Ｃ
２…Ｎ−ジメチルベンジルアミン尚、ウレタン化反応用
のブロック化イソシアネ−トとしては、デスモジュ−ル
ＣＴステ−ブル（住友バイエルウレタン社製）、又イソ
シアネ−トとしては、ジフェニルメタンジイソシアネ−
ト、さらにポリアミド酸生成用の有機溶媒としては、ジ
メチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）とＮ−メチルピロリド
ン（ＮＭＰ）の混合溶媒（重量比で１：１）を用いた。
２…Ｎ−ジメチルベンジルアミン尚、ウレタン化反応用
のブロック化イソシアネ−トとしては、デスモジュ−ル
ＣＴステ−ブル（住友バイエルウレタン社製）、又イソ
シアネ−トとしては、ジフェニルメタンジイソシアネ−
ト、さらにポリアミド酸生成用の有機溶媒としては、ジ
メチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）とＮ−メチルピロリド
ン（ＮＭＰ）の混合溶媒（重量比で１：１）を用いた。
【０１９０】
（実施例１）
撹拌機、温度計、窒素導入管を取り付けた反応フラスコ
内にジアミンＢ１を６．１５ｇ（０．０１５モル）、溶
媒ＤＭＡｃを４０ｇ及びＮＭＰを４０ｇ仕込み、窒素気
流下で２５℃を保ちつつ、充分に撹拌した。この溶液に
、酸二無水物Ａ１を４．９５ｇ（０．０１６５モル）及
びヒドロキシルアミンＳを０．３６９ｇ（０．００３モ
ル）徐々に加えた。全部を加えた後、窒素気流下２５℃
で１２時間撹拌を続け、ポリアミド酸を合成した。
内にジアミンＢ１を６．１５ｇ（０．０１５モル）、溶
媒ＤＭＡｃを４０ｇ及びＮＭＰを４０ｇ仕込み、窒素気
流下で２５℃を保ちつつ、充分に撹拌した。この溶液に
、酸二無水物Ａ１を４．９５ｇ（０．０１６５モル）及
びヒドロキシルアミンＳを０．３６９ｇ（０．００３モ
ル）徐々に加えた。全部を加えた後、窒素気流下２５℃
で１２時間撹拌を続け、ポリアミド酸を合成した。
【０１９１】得られた塗料（ポリアミド酸溶液）を０．
４ｍｍφの銅線に塗布し線速１０ｍ／ｍｉｎで炉温３７
０℃、炉長３．０ｍの炉中を数回通して焼き付けを行な
い、皮膜厚さ約２０μｍの絶縁電線を得た。なお、皮膜
の赤外線吸収スペクトルには１７８０ｃｍ￣１と１３８
０ｃｍ￣１にイミド基の吸収が認められた。
４ｍｍφの銅線に塗布し線速１０ｍ／ｍｉｎで炉温３７
０℃、炉長３．０ｍの炉中を数回通して焼き付けを行な
い、皮膜厚さ約２０μｍの絶縁電線を得た。なお、皮膜
の赤外線吸収スペクトルには１７８０ｃｍ￣１と１３８
０ｃｍ￣１にイミド基の吸収が認められた。
【０１９２】得られた電線をＪＩＳ Ｃ３００３−１９
８４のエナメル銅線及びエナメルアルミニウム線試験方
法に準じて評価した。その評価結果を表１に示す。
８４のエナメル銅線及びエナメルアルミニウム線試験方
法に準じて評価した。その評価結果を表１に示す。
【０１９３】
（実施例２）
ジアミンＢ２を６．１９２ｇ（０．０１８モル）、溶媒
ＤＭＡｃを４０ｇ及びＮＭＰを４０ｇ、酸二無水物Ａ１
を５．８５ｇ（０．０１９５モル）及びヒドロキシルア
ミンＳを０．３６９ｇ（０．００３モル）用いた以外は
実施例１と同様にしてポリアミド酸を合成した。
ＤＭＡｃを４０ｇ及びＮＭＰを４０ｇ、酸二無水物Ａ１
を５．８５ｇ（０．０１９５モル）及びヒドロキシルア
ミンＳを０．３６９ｇ（０．００３モル）用いた以外は
実施例１と同様にしてポリアミド酸を合成した。
【０１９４】得られた塗料（ポリアミド酸溶液）を用い
、実施例１と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を得
、これを実施例１と同様に評価した。
、実施例１と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を得
、これを実施例１と同様に評価した。
【０１９５】その評価結果を表１に示す。
【０１９６】
（実施例３）
ジアミンＢ１を６．１５ｇ（０．０１５モル）、溶媒Ｄ
ＭＡｃを４０ｇ及びＮＭＰを４０ｇ、酸二無水物Ａ２を
６．７６５ｇ（０．０１６５モル）及びヒドロキシルア
ミンＳを０．３６９ｇ（０．００３モル）用いた以外は
実施例１と同様にしてポリアミド酸を合成した。
ＭＡｃを４０ｇ及びＮＭＰを４０ｇ、酸二無水物Ａ２を
６．７６５ｇ（０．０１６５モル）及びヒドロキシルア
ミンＳを０．３６９ｇ（０．００３モル）用いた以外は
実施例１と同様にしてポリアミド酸を合成した。
【０１９７】得られた塗料（ポリアミド酸溶液）を用い
、実施例１と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を得
、これを実施例１と同様に評価した。
、実施例１と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を得
、これを実施例１と同様に評価した。
【０１９８】その評価結果を表１に示す。
【０１９９】
（実施例４）
ジアミンＢ２を７．２２４ｇ（０．０２１モル）、溶媒
ＤＭＡｃを６０ｇ及びＮＭＰを６０ｇ、酸二無水物Ａ２
を９．２２５ｇ（０．０２２５モル）及びヒドロキシル
アミンＳを０．３６９ｇ（０．００３モル）用いた以外
は実施例１と同様にしてポリアミド酸を合成した。
ＤＭＡｃを６０ｇ及びＮＭＰを６０ｇ、酸二無水物Ａ２
を９．２２５ｇ（０．０２２５モル）及びヒドロキシル
アミンＳを０．３６９ｇ（０．００３モル）用いた以外
は実施例１と同様にしてポリアミド酸を合成した。
【０２００】得られた塗料（ポリアミド酸溶液）を用い
、実施例１と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を得
、これを実施例１と同様に評価した。
、実施例１と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を得
、これを実施例１と同様に評価した。
【０２０１】その評価結果を表１に示す。
【０２０２】
（実施例５）
ジアミンＢ１を６．１５ｇ（０．０１５モル）、溶媒Ｄ
ＭＡｃを６０ｇ及びＮＭＰを６０ｇ、酸二無水物Ａ２を
６．７６５ｇ（０．０１６５モル）及びヒドロキシルア
ミンＳを０．３６９ｇ（０．００３モル）、さらに第三
級アミンＣ１を０．０６ｇ用いた以外は実施例１と同様
にしてポリアミド酸を合成した。
ＭＡｃを６０ｇ及びＮＭＰを６０ｇ、酸二無水物Ａ２を
６．７６５ｇ（０．０１６５モル）及びヒドロキシルア
ミンＳを０．３６９ｇ（０．００３モル）、さらに第三
級アミンＣ１を０．０６ｇ用いた以外は実施例１と同様
にしてポリアミド酸を合成した。
【０２０３】得られた塗料（ポリアミド酸溶液）を用い
、実施例１と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を得
、これを実施例１と同様に評価した。
、実施例１と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を得
、これを実施例１と同様に評価した。
【０２０４】その評価結果を表１に示す。
【０２０５】
（実施例６）
ジアミンＢ１を３．６９ｇ（０．００９モル）、溶媒Ｄ
ＭＡｃを３０ｇ及びＮＭＰを３０ｇ、酸二無水物Ａ２を
４．３０５ｇ（０．０１０５モル）及びヒドロキシルア
ミンＳを０．３６９ｇ（０．００３モル）用いた以外は
実施例１と同様にしてポリアミド酸を合成した。
ＭＡｃを３０ｇ及びＮＭＰを３０ｇ、酸二無水物Ａ２を
４．３０５ｇ（０．０１０５モル）及びヒドロキシルア
ミンＳを０．３６９ｇ（０．００３モル）用いた以外は
実施例１と同様にしてポリアミド酸を合成した。
【０２０６】得られた塗料（ポリアミド酸溶液）を用い
、実施例１と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を得
、これを実施例１と同様に評価した。
、実施例１と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を得
、これを実施例１と同様に評価した。
【０２０７】その評価結果を表１に示す。
【０２０８】
（実施例７）
実施例６のポリアミド酸溶液中へ、その末端水酸基１当
量につきイソシアネ−ト基１当量の割合になるようにジ
フェニルメタンジイソシアネ−を配合して混合し塗料を
得た。
量につきイソシアネ−ト基１当量の割合になるようにジ
フェニルメタンジイソシアネ−を配合して混合し塗料を
得た。
【０２０９】得られた塗料を用い、実施例１と同様にし
て本発明のイミド化ポリウレタン樹脂絶縁電線を得、こ
れを実施例１と同様に評価した。
て本発明のイミド化ポリウレタン樹脂絶縁電線を得、こ
れを実施例１と同様に評価した。
【０２１０】その評価結果を表１に示す。
【０２１１】
（実施例８）
ジアミンＢ１を６．１５ｇ（０．０１５モル）、溶媒Ｄ
ＭＡｃを４０ｇ及びＮＭＰを４０ｇ、酸二無水物Ａ２を
６．１５ｇ（０．０１５モル）用いた以外は実施例１と
同様にしてポリアミド酸を合成した（但し、ヒドロキシ
ルアミンＳは用いなかった）。
ＭＡｃを４０ｇ及びＮＭＰを４０ｇ、酸二無水物Ａ２を
６．１５ｇ（０．０１５モル）用いた以外は実施例１と
同様にしてポリアミド酸を合成した（但し、ヒドロキシ
ルアミンＳは用いなかった）。
【０２１２】得られた塗料（ポリアミド酸溶液）を用い
、実施例１と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を得
、これを実施例１と同様に評価した。
、実施例１と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を得
、これを実施例１と同様に評価した。
【０２１３】その評価結果を表１に示す。
【０２１４】
（実施例９）
ジアミンＢ２を６．８８ｇ（０．０２モル）、溶媒ＤＭ
Ａｃを４０ｇ及びＮＭＰを４０ｇ、酸二無水物Ａ１を６
．００ｇ（０．０２モル）用いた以外は実施例１と同様
にしてポリアミド酸を合成した（但し、ヒドロキシルア
ミンＳは用いなかった）。
Ａｃを４０ｇ及びＮＭＰを４０ｇ、酸二無水物Ａ１を６
．００ｇ（０．０２モル）用いた以外は実施例１と同様
にしてポリアミド酸を合成した（但し、ヒドロキシルア
ミンＳは用いなかった）。
【０２１５】得られた塗料（ポリアミド酸溶液）を用い
、実施例１と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を得
、これを実施例１と同様に評価した。
、実施例１と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を得
、これを実施例１と同様に評価した。
【０２１６】その評価結果を表１に示す。
【０２１７】
（実施例１０）
ジアミンＢ４を５．８４ｇ（０．０２モル）、溶媒ＤＭ
Ａｃを５０ｇ及びＮＭＰを５０ｇ、酸二無水物Ａ２を８
．２ｇ（０．０２モル）用いた以外は実施例１と同様に
してポリアミド酸を合成した（但し、ヒドロキシルアミ
ンＳは用いなかった）。
Ａｃを５０ｇ及びＮＭＰを５０ｇ、酸二無水物Ａ２を８
．２ｇ（０．０２モル）用いた以外は実施例１と同様に
してポリアミド酸を合成した（但し、ヒドロキシルアミ
ンＳは用いなかった）。
【０２１８】得られた塗料（ポリアミド酸溶液）を用い
、実施例１と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を得
、これを実施例１と同様に評価した。
、実施例１と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を得
、これを実施例１と同様に評価した。
【０２１９】その評価結果を表１に示す。
【０２２０】
（実施例１１）
ジアミンＢ５を４ｇ（０．０２モル）、溶媒ＤＭＡｃを
４０ｇ及びＮＭＰを４０ｇ、酸二無水物Ａ２を８．２ｇ
（０．０２モル）用いた以外は実施例１と同様にしてポ
リアミド酸を合成した（但し、ヒドロキシルアミンＳは
用いなかった）。
４０ｇ及びＮＭＰを４０ｇ、酸二無水物Ａ２を８．２ｇ
（０．０２モル）用いた以外は実施例１と同様にしてポ
リアミド酸を合成した（但し、ヒドロキシルアミンＳは
用いなかった）。
【０２２１】得られた塗料（ポリアミド酸溶液）を用い
、実施例１と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を得
、これを実施例１と同様に評価した。
、実施例１と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を得
、これを実施例１と同様に評価した。
【０２２２】その評価結果を表１に示す。
【０２２３】
（実施例１２）
撹拌機、温度計、窒素導入管を取り付けた反応フラスコ
内にジアミンＢ３を３．９６ｇ（０．０２モル）、溶媒
ＤＭＡｃを４０ｇ及びＮＭＰを４０ｇ仕込み、窒素気流
下で２５℃を保ちつつ、充分に撹拌した。この溶液に、
酸二無水物Ａ２を９．２２５ｇ（０．０２２５モル）及
びヒドロキシルアミンＳを０．６１５ｇ（０．００５モ
ル）徐々に加えた。全部を加えた後、窒素気流下２５℃
で１４時間撹拌を続け、ポリアミド酸を合成した。
内にジアミンＢ３を３．９６ｇ（０．０２モル）、溶媒
ＤＭＡｃを４０ｇ及びＮＭＰを４０ｇ仕込み、窒素気流
下で２５℃を保ちつつ、充分に撹拌した。この溶液に、
酸二無水物Ａ２を９．２２５ｇ（０．０２２５モル）及
びヒドロキシルアミンＳを０．６１５ｇ（０．００５モ
ル）徐々に加えた。全部を加えた後、窒素気流下２５℃
で１４時間撹拌を続け、ポリアミド酸を合成した。
【０２２４】得られた塗料（ポリアミド酸溶液）を０．
４ｍｍφの銅線に塗布し線速１０ｍ／ｍｉｎで炉温３８
０℃、炉長３．０ｍの炉中を数回通して焼き付けを行な
い、皮膜厚さ約２０μｍの絶縁電線を得た。なお、皮膜
の赤外線吸収スペクトルには１７８０ｃｍ￣１と１３８
０ｃｍ￣１にイミド基の吸収が認められた。
４ｍｍφの銅線に塗布し線速１０ｍ／ｍｉｎで炉温３８
０℃、炉長３．０ｍの炉中を数回通して焼き付けを行な
い、皮膜厚さ約２０μｍの絶縁電線を得た。なお、皮膜
の赤外線吸収スペクトルには１７８０ｃｍ￣１と１３８
０ｃｍ￣１にイミド基の吸収が認められた。
【０２２５】得られた電線をＪＩＳ Ｃ３００３−１９
８４のエナメル銅線及びエナメルアルミニウム線試験方
法に準じて評価した。その評価結果を表２に示す。
８４のエナメル銅線及びエナメルアルミニウム線試験方
法に準じて評価した。その評価結果を表２に示す。
【０２２６】
（実施例１３）
ジアミンＢ３を３．１６８ｇ（０．０１６モル）、溶媒
ＤＭＡｃを４０ｇ及びＮＭＰを４０ｇ、酸二無水物Ａ２
を６．９７ｇ（０．０１７モル）及びヒドロキシルアミ
ンＳを０．２４６ｇ（０．００２モル）用いた以外は実
施例１２と同様にしてポリアミド酸を合成した。
ＤＭＡｃを４０ｇ及びＮＭＰを４０ｇ、酸二無水物Ａ２
を６．９７ｇ（０．０１７モル）及びヒドロキシルアミ
ンＳを０．２４６ｇ（０．００２モル）用いた以外は実
施例１２と同様にしてポリアミド酸を合成した。
【０２２７】得られた塗料（ポリアミド酸溶液）を用い
、実施例１２と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を
得、これを実施例１と同様に評価した。
、実施例１２と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を
得、これを実施例１と同様に評価した。
【０２２８】その評価結果を表２に示す。
【０２２９】
（実施例１４）
ジアミンＢ３を４．９５ｇ（０．０２５モル）、溶媒Ｄ
ＭＡｃを６０ｇ及びＮＭＰを６０ｇ、酸二無水物Ａ２を
１０．６６ｇ（０．０２６モル）及びヒドロキシルアミ
ンＳを０．２４６ｇ（０．００２モル）用いた以外は実
施例１２と同様にしてポリアミド酸を合成した。
ＭＡｃを６０ｇ及びＮＭＰを６０ｇ、酸二無水物Ａ２を
１０．６６ｇ（０．０２６モル）及びヒドロキシルアミ
ンＳを０．２４６ｇ（０．００２モル）用いた以外は実
施例１２と同様にしてポリアミド酸を合成した。
【０２３０】得られた塗料（ポリアミド酸溶液）を用い
、実施例１２と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を
得、これを実施例１と同様に評価した。
、実施例１２と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を
得、これを実施例１と同様に評価した。
【０２３１】その評価結果を表２に示す。
【０２３２】
（実施例１５）
ジアミンＢ３を２．９７ｇ（０．０１５モル）、溶媒Ｄ
ＭＡｃを３０ｇ及びＮＭＰを３０ｇ、酸二無水物Ａ２を
６．５６ｇ（０．０１６モル）及びヒドロキシルアミン
Ｓを０．２４６ｇ（０．００２モル）、さらに第三級ア
ミンＣ２を０．０４５ｇ用いた以外は実施例１２と同様
にしてポリアミド酸を合成した。
ＭＡｃを３０ｇ及びＮＭＰを３０ｇ、酸二無水物Ａ２を
６．５６ｇ（０．０１６モル）及びヒドロキシルアミン
Ｓを０．２４６ｇ（０．００２モル）、さらに第三級ア
ミンＣ２を０．０４５ｇ用いた以外は実施例１２と同様
にしてポリアミド酸を合成した。
【０２３３】得られた塗料（ポリアミド酸溶液）を用い
、実施例１２と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を
得、これを実施例１と同様に評価した。
、実施例１２と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を
得、これを実施例１と同様に評価した。
【０２３４】その評価結果を表２に示す。
【０２３５】
（実施例１６）
ジアミンＢ３を３．５６４ｇ（０．０１８モル）、溶媒
ＤＭＡｃを４０ｇ及びＮＭＰを４０ｇ、酸二無水物Ａ２
を８．６１ｇ（０．０２１モル）及びヒドロキシルアミ
ンＳを０．７３８ｇ（０．００６モル）用いた以外は実
施例１２と同様にしてポリアミド酸を合成した。
ＤＭＡｃを４０ｇ及びＮＭＰを４０ｇ、酸二無水物Ａ２
を８．６１ｇ（０．０２１モル）及びヒドロキシルアミ
ンＳを０．７３８ｇ（０．００６モル）用いた以外は実
施例１２と同様にしてポリアミド酸を合成した。
【０２３６】本発明の一般式（化１）におけるｎ＝６の
ポリアミド酸であった。
ポリアミド酸であった。
【０２３７】得られた塗料（ポリアミド酸溶液）を用い
、実施例１２と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を
得、これを実施例１と同様に評価した。
、実施例１２と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を
得、これを実施例１と同様に評価した。
【０２３８】その評価結果を表２に示す。
【０２３９】
（実施例１７）
ジアミンＢ３を４．１５８ｇ（０．０２１モル）、溶媒
ＤＭＡｃを５０ｇ及びＮＭＰを５０ｇ、酸二無水物Ａ２
を９．８４ｇ（０．０２４モル）及びヒドロキシルアミ
ンＳを０．７３８ｇ（０．００６モル）用いた以外は実
施例１２と同様にしてポリアミド酸を合成した。
ＤＭＡｃを５０ｇ及びＮＭＰを５０ｇ、酸二無水物Ａ２
を９．８４ｇ（０．０２４モル）及びヒドロキシルアミ
ンＳを０．７３８ｇ（０．００６モル）用いた以外は実
施例１２と同様にしてポリアミド酸を合成した。
【０２４０】これをさらに２００℃、３時間反応させ、
イミド化を行ない、実施例１２と同様に赤外線吸収スペ
クトルで確認した。
イミド化を行ない、実施例１２と同様に赤外線吸収スペ
クトルで確認した。
【０２４１】得られた塗料（上記溶液）を用い、実施例
１２と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を得、これ
を実施例１と同様に評価した。
１２と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を得、これ
を実施例１と同様に評価した。
【０２４２】その評価結果を表２に示す。
【０２４３】
（実施例１８）
実施例１６のポリアミド酸溶液中へその末端水酸基１当
量につきイソシアネ−ト基１当量の割合になるように、
ジフェニルメタンジイソシアネ−トを配合して混合し塗
料を得た。
量につきイソシアネ−ト基１当量の割合になるように、
ジフェニルメタンジイソシアネ−トを配合して混合し塗
料を得た。
【０２４４】得られた塗料を用い、実施例１２と同様に
して本発明のイミド化ポリウレタン樹脂絶縁電線を得、
これを実施例１と同様に評価した。
して本発明のイミド化ポリウレタン樹脂絶縁電線を得、
これを実施例１と同様に評価した。
【０２４５】その評価結果を表２に示す。
【０２４６】
（実施例１９）
ジアミンＢ３を３．９６ｇ（０．０２モル）、溶媒ＤＭ
Ａｃを４０ｇ及びＮＭＰを４０ｇ、酸二無水物Ａ２を８
．２ｇ（０．０２モル）用いた以外は実施例１２と同様
にしてポリアミド酸を合成した（但し、ヒドロキシルア
ミンＳは用いなかった）。
Ａｃを４０ｇ及びＮＭＰを４０ｇ、酸二無水物Ａ２を８
．２ｇ（０．０２モル）用いた以外は実施例１２と同様
にしてポリアミド酸を合成した（但し、ヒドロキシルア
ミンＳは用いなかった）。
【０２４７】得られた塗料（ポリアミド酸溶液）を用い
、実施例１２と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を
得、これを実施例１と同様に評価した。
、実施例１２と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を
得、これを実施例１と同様に評価した。
【０２４８】その評価結果を表２に示す。
【０２４９】
（実施例２０）
ジアミンＢ３を５．９４ｇ（０．０３モル）、溶媒ＤＭ
Ａｃを６０ｇ及びＮＭＰを６０ｇ、酸二無水物Ａ２を１
２．３ｇ（０．０３モル）用いた以外は実施例１２と同
様にしてポリアミド酸を合成した。これをさらに２１０
℃、４時間反応させ、イミド化を行ない、実施例１２と
同様に赤外線吸収スペクトルで確認した。
Ａｃを６０ｇ及びＮＭＰを６０ｇ、酸二無水物Ａ２を１
２．３ｇ（０．０３モル）用いた以外は実施例１２と同
様にしてポリアミド酸を合成した。これをさらに２１０
℃、４時間反応させ、イミド化を行ない、実施例１２と
同様に赤外線吸収スペクトルで確認した。
【０２５０】得られた塗料（上記溶液）を用い、実施例
１２と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を得、これ
を実施例１と同様に評価した。
１２と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を得、これ
を実施例１と同様に評価した。
【０２５１】その評価結果を表２に示す。
【０２５２】
（実施例２１）
撹拌機、温度計、窒素導入管を取り付けた反応フラスコ
内にジアミンＢ２を６．８８ｇ（０．０２モル）、溶媒
ＤＭＡｃを５０ｇ及びＮＭＰを５０ｇ仕込み、窒素気流
下で２５℃を保ちつつ充分に撹拌した。この溶液に、酸
二無水物Ａ３を８．９７９ｇ（０．０２０５モル）及び
ヒドロキシルアミンＳを０．１２３ｇ（０．００１モル
）徐々に加えた。全部加えた後、窒素気流下２５℃で１
５時間撹拌を続け、ポリアミド酸を合成した。
内にジアミンＢ２を６．８８ｇ（０．０２モル）、溶媒
ＤＭＡｃを５０ｇ及びＮＭＰを５０ｇ仕込み、窒素気流
下で２５℃を保ちつつ充分に撹拌した。この溶液に、酸
二無水物Ａ３を８．９７９ｇ（０．０２０５モル）及び
ヒドロキシルアミンＳを０．１２３ｇ（０．００１モル
）徐々に加えた。全部加えた後、窒素気流下２５℃で１
５時間撹拌を続け、ポリアミド酸を合成した。
【０２５３】得られた塗料（ポリアミド酸溶液）を０．
４ｍｍφの銅線に塗布し線速１０ｍ／ｍｉｎで炉温３７
０℃、炉長３．０ｍの炉中を数回通して焼き付けを行な
い皮膜厚さ約２０μｍの絶縁電線を得た。なお、皮膜の
赤外線吸収スペクトルには１７８０ｃｍ￣１と１３８０
ｃｍ￣１にイミド基の吸収が認められた。
４ｍｍφの銅線に塗布し線速１０ｍ／ｍｉｎで炉温３７
０℃、炉長３．０ｍの炉中を数回通して焼き付けを行な
い皮膜厚さ約２０μｍの絶縁電線を得た。なお、皮膜の
赤外線吸収スペクトルには１７８０ｃｍ￣１と１３８０
ｃｍ￣１にイミド基の吸収が認められた。
【０２５４】得られた電線をＪＩＳ Ｃ３００３−１
９８４のエナメル銅線及びエナメルアルミニウム線試験
方法に準じて評価した。
９８４のエナメル銅線及びエナメルアルミニウム線試験
方法に準じて評価した。
【０２５５】その評価結果を表３に示す。
【０２５６】
（実施例２２）
ジアミンＢ５を３．２ｇ（０．０１６モル）、溶媒ＤＭ
Ａｃを４０ｇ及びＮＭＰを４０ｇ、酸二無水物Ａ４を７
．４９１ｇ（０．０１６５モル）及びヒドロキシルアミ
ンＳを０．１２３ｇ（０．００１モル）用いた以外は実
施例２１と同様にしてポリアミド酸を合成した。
Ａｃを４０ｇ及びＮＭＰを４０ｇ、酸二無水物Ａ４を７
．４９１ｇ（０．０１６５モル）及びヒドロキシルアミ
ンＳを０．１２３ｇ（０．００１モル）用いた以外は実
施例２１と同様にしてポリアミド酸を合成した。
【０２５７】得られた塗料（ポリアミド酸溶液）を用い
、実施例２１と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を
得、これを実施例１と同様に評価した。
、実施例２１と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を
得、これを実施例１と同様に評価した。
【０２５８】その評価結果を表３に示す。
【０２５９】
（実施例２３）
ジアミンＢ４を５．８４ｇ（０．０２モル）、溶媒ＤＭ
Ａｃを５０ｇ及びＮＭＰを５０ｇ、酸二無水物Ａ５を９
．２６６ｇ（０．０２０５モル）及びヒドロキシルアミ
ンＳを０．１２３ｇ（０．００１モル）用いた以外は実
施例２１と同様にしてポリアミド酸を合成した。
Ａｃを５０ｇ及びＮＭＰを５０ｇ、酸二無水物Ａ５を９
．２６６ｇ（０．０２０５モル）及びヒドロキシルアミ
ンＳを０．１２３ｇ（０．００１モル）用いた以外は実
施例２１と同様にしてポリアミド酸を合成した。
【０２６０】得られた塗料（ポリアミド酸溶液）を用い
、実施例２１と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を
得、これを実施例１と同様に評価した。
、実施例２１と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を
得、これを実施例１と同様に評価した。
【０２６１】その評価結果を表３に示す。
【０２６２】
（実施例２４）
ジアミンＢ３を５．９４ｇ（０．０３モル）、溶媒ＤＭ
Ａｃを７０ｇ及びＮＭＰを７０ｇ、酸二無水物Ａ６を１
４．１５２ｇ（０．０３０５モル）及びヒドロキシルア
ミンＳを０．１２３ｇ（０．００１モル）用いた以外は
実施例２１と同様にしてポリアミド酸を合成した。
Ａｃを７０ｇ及びＮＭＰを７０ｇ、酸二無水物Ａ６を１
４．１５２ｇ（０．０３０５モル）及びヒドロキシルア
ミンＳを０．１２３ｇ（０．００１モル）用いた以外は
実施例２１と同様にしてポリアミド酸を合成した。
【０２６３】得られた塗料（ポリアミド酸溶液）を用い
、実施例２１と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を
得、これを実施例１と同様に評価した。
、実施例２１と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を
得、これを実施例１と同様に評価した。
【０２６４】その評価結果を表３に示す。
【０２６５】
（実施例２５）
ジアミンＢ５を５．２ｇ（０．０２６モル）、溶媒ＤＭ
Ａｃを６５ｇ及びＮＭＰを６５ｇ、酸二無水物Ａ７を１
２．８７９ｇ（０．０２６５モル）及びヒドロキシルア
ミンＳを０．１２３ｇ（０．００１モル）用いた以外は
実施例２１と同様にしてポリアミド酸を合成した。
Ａｃを６５ｇ及びＮＭＰを６５ｇ、酸二無水物Ａ７を１
２．８７９ｇ（０．０２６５モル）及びヒドロキシルア
ミンＳを０．１２３ｇ（０．００１モル）用いた以外は
実施例２１と同様にしてポリアミド酸を合成した。
【０２６６】得られた塗料（ポリアミド酸溶液）を用い
、実施例２１と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を
得、これを実施例１と同様に評価した。
、実施例２１と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を
得、これを実施例１と同様に評価した。
【０２６７】その評価結果を表３に示す。
【０２６８】
（実施例２６）
ジアミンＢ４を６．４２４ｇ（０．０２２モル）、溶媒
ＤＭＡｃを６５ｇ及びＮＭＰを６５ｇ、酸二無水物Ａ８
を１２．２８５ｇ（０．０２２５モル）及びヒドロキシ
ルアミンＳを０．１２３ｇ（０．００１モル）用いた以
外は実施例２１と同様にしてポリアミド酸を合成した。
ＤＭＡｃを６５ｇ及びＮＭＰを６５ｇ、酸二無水物Ａ８
を１２．２８５ｇ（０．０２２５モル）及びヒドロキシ
ルアミンＳを０．１２３ｇ（０．００１モル）用いた以
外は実施例２１と同様にしてポリアミド酸を合成した。
【０２６９】得られた塗料（ポリアミド酸溶液）を用い
、実施例２１と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を
得、これを実施例１と同様に評価した。
、実施例２１と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を
得、これを実施例１と同様に評価した。
【０２７０】その評価結果を表３に示す。
【０２７１】
（実施例２７）
ジアミンＢ５を４．０ｇ（０．０２モル）、溶媒ＤＭＡ
ｃを４５ｇ及びＮＭＰを４５ｇ、酸二無水物Ａ３を８．
９７９ｇ（０．０２０５モル）及びヒドロキシルアミン
Ｓを０．１２３ｇ（０．００１モル）用いた以外は実施
例２１と同様にしてポリアミド酸を合成した。
ｃを４５ｇ及びＮＭＰを４５ｇ、酸二無水物Ａ３を８．
９７９ｇ（０．０２０５モル）及びヒドロキシルアミン
Ｓを０．１２３ｇ（０．００１モル）用いた以外は実施
例２１と同様にしてポリアミド酸を合成した。
【０２７２】得られた塗料（ポリアミド酸溶液）を用い
、実施例２１と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を
得、これを実施例１と同様に評価した。
、実施例２１と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を
得、これを実施例１と同様に評価した。
【０２７３】その評価結果を表３に示す。
【０２７４】
（実施例２８）
ジアミンＢ４を５．８４ｇ（０．０２モル）、溶媒ＤＭ
Ａｃを５０ｇ及びＮＭＰを５０ｇ、酸二無水物Ａ３を８
．９７９ｇ（０．０２０５モル）及びヒドロキシルアミ
ンＳを０．１２３ｇ（０．００１モル）用いた以外は実
施例２１と同様にしてポリアミド酸を合成した。
Ａｃを５０ｇ及びＮＭＰを５０ｇ、酸二無水物Ａ３を８
．９７９ｇ（０．０２０５モル）及びヒドロキシルアミ
ンＳを０．１２３ｇ（０．００１モル）用いた以外は実
施例２１と同様にしてポリアミド酸を合成した。
【０２７５】得られた塗料（ポリアミド酸溶液）を用い
、実施例２１と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を
得、これを実施例１と同様に評価した。
、実施例２１と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を
得、これを実施例１と同様に評価した。
【０２７６】その評価結果を表３に示す。
【０２７７】
（実施例２９）
ジアミンＢ４を５．８４ｇ（０．０２モル）、溶媒ＤＭ
Ａｃを５０ｇ及びＮＭＰを５０ｇ、酸二無水物Ａ３を８
．９７９ｇ（０．０２０５モル）及びヒドロキシルアミ
ンＳを０．１２３ｇ（０．００１モル）、さらに第三級
アミンＣ１を０．０５ｇ用いた以外は実施例２１と同様
にしてポリアミド酸を合成した。
Ａｃを５０ｇ及びＮＭＰを５０ｇ、酸二無水物Ａ３を８
．９７９ｇ（０．０２０５モル）及びヒドロキシルアミ
ンＳを０．１２３ｇ（０．００１モル）、さらに第三級
アミンＣ１を０．０５ｇ用いた以外は実施例２１と同様
にしてポリアミド酸を合成した。
【０２７８】得られた塗料（ポリアミド酸溶液）を用い
、実施例２１と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を
得、これを実施例１と同様に評価した。
、実施例２１と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を
得、これを実施例１と同様に評価した。
【０２７９】その評価結果を表４に示す。
【０２８０】
（実施例３０）
ジアミンＢ４を２．９２ｇ（０．０１モル）、溶媒ＤＭ
Ａｃを３０ｇ及びＮＭＰを３０ｇ、酸二無水物Ａ３を４
．８１８ｇ（０．０１１モル）及びヒドロキシルアミン
Ｓを０．２４６ｇ（０．００２モル）用いた以外は実施
例２１と同様にしてポリアミド酸を合成した。
Ａｃを３０ｇ及びＮＭＰを３０ｇ、酸二無水物Ａ３を４
．８１８ｇ（０．０１１モル）及びヒドロキシルアミン
Ｓを０．２４６ｇ（０．００２モル）用いた以外は実施
例２１と同様にしてポリアミド酸を合成した。
【０２８１】得られた塗料（ポリアミド酸溶液）を用い
、実施例２１と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を
得、これを実施例１と同様に評価した。
、実施例２１と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を
得、これを実施例１と同様に評価した。
【０２８２】その評価結果を表４に示す。
【０２８３】
（実施例３１）
実施例３０のポリアミド酸溶液中へ、その末端水酸基１
当量につきイソシアネ−ト基１当量の割合になるように
、ジフェニルメタンジイソシアネ−トを配合して混合し
塗料を得た。
当量につきイソシアネ−ト基１当量の割合になるように
、ジフェニルメタンジイソシアネ−トを配合して混合し
塗料を得た。
【０２８４】得られた塗料を用い、実施例２１と同様に
して本発明のイミド化ポリウレタン樹脂絶縁電線を得、
これを実施例１と同様に評価した。
して本発明のイミド化ポリウレタン樹脂絶縁電線を得、
これを実施例１と同様に評価した。
【０２８５】その評価結果を表４に示す。
【０２８６】
（実施例３２）
ジアミンＢ４を５．８４ｇ（０．０２モル）、溶媒ＤＭ
Ａｃを５０ｇ及びＮＭＰを５０ｇ、酸二無水物Ａ３を８
．７６ｇ（０．０２モル）用いた以外は実施例２１と同
様にしてポリアミド酸を合成した（但し、ヒドロキシル
アミンＳは用いなかった）。
Ａｃを５０ｇ及びＮＭＰを５０ｇ、酸二無水物Ａ３を８
．７６ｇ（０．０２モル）用いた以外は実施例２１と同
様にしてポリアミド酸を合成した（但し、ヒドロキシル
アミンＳは用いなかった）。
【０２８７】得られた塗料（ポリアミド酸溶液）を用い
、実施例２１と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を
得、これを実施例１と同様に評価した。
、実施例２１と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を
得、これを実施例１と同様に評価した。
【０２８８】その評価結果を表４に示す。
【０２８９】
（実施例３３）
ジアミンＢ５を４．０ｇ（０．０２モル）、溶媒ＤＭＡ
ｃを４５ｇ及びＮＭＰを４５ｇ、酸二無水物Ａ３を８．
７６ｇ（０．０２モル）用いた以外は実施例２１と同様
にしてポリアミド酸を合成した（但し、ヒドロキシルア
ミンＳは用いなかった）。
ｃを４５ｇ及びＮＭＰを４５ｇ、酸二無水物Ａ３を８．
７６ｇ（０．０２モル）用いた以外は実施例２１と同様
にしてポリアミド酸を合成した（但し、ヒドロキシルア
ミンＳは用いなかった）。
【０２９０】得られた塗料（ポリアミド酸溶液）を用い
、実施例２１と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を
得、これを実施例１と同様に評価した。
、実施例２１と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を
得、これを実施例１と同様に評価した。
【０２９１】その評価結果を表４に示す。
【０２９２】
（実施例３４）
ジアミンＢ２を６．８８ｇ（０．０２モル）、溶媒ＤＭ
Ａｃを５５ｇ及びＮＭＰを５５ｇ、酸二無水物Ａ３を８
．７６ｇ（０．０２モル）用いた以外は実施例２１と同
様にしてポリアミド酸を合成した（但し、ヒドロキシル
アミンＳは用いなかった）。
Ａｃを５５ｇ及びＮＭＰを５５ｇ、酸二無水物Ａ３を８
．７６ｇ（０．０２モル）用いた以外は実施例２１と同
様にしてポリアミド酸を合成した（但し、ヒドロキシル
アミンＳは用いなかった）。
【０２９３】得られた塗料（ポリアミド酸溶液）を用い
、実施例２１と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を
得、これを実施例１と同様に評価した。
、実施例２１と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を
得、これを実施例１と同様に評価した。
【０２９４】その評価結果を表４に示す。
【０２９５】
（実施例３５）
ジアミンＢ４を５．８４ｇ（０．０２モル）、溶媒ＤＭ
Ａｃを５５ｇ及びＮＭＰを５５ｇ、酸二無水物Ａ４を９
．０８ｇ（０．０２モル）用いた以外は実施例２１と同
様にしてポリアミド酸を合成した（但し、ヒドロキシル
アミンＳは用いなかった）。
Ａｃを５５ｇ及びＮＭＰを５５ｇ、酸二無水物Ａ４を９
．０８ｇ（０．０２モル）用いた以外は実施例２１と同
様にしてポリアミド酸を合成した（但し、ヒドロキシル
アミンＳは用いなかった）。
【０２９６】得られた塗料（ポリアミド酸溶液）を用い
、実施例２１と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を
得、これを実施例１と同様に評価した。
、実施例２１と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を
得、これを実施例１と同様に評価した。
【０２９７】その評価結果を表４に示す。
【０２９８】
（実施例３６）
撹拌機、温度計、窒素導入管を取り付けた反応フラスコ
内にジアミンＢ７を２．７２ｇ（０．０２モル）、溶媒
ＤＭＡｃを２５ｇ及びＮＭＰを２５ｇ仕込み、窒素気流
下で２５℃を保ちつつ充分に撹拌した。この溶液に、酸
二無水物Ａ９を４．５７８ｇ（０．０２１モル）及びヒ
ドロキシルアミンＳを０．２４６ｇ（０．００２モル）
徐々に加えた。全部加えた後、窒素気流下２５℃で１５
時間撹拌を続け、ポリアミド酸を合成した。
内にジアミンＢ７を２．７２ｇ（０．０２モル）、溶媒
ＤＭＡｃを２５ｇ及びＮＭＰを２５ｇ仕込み、窒素気流
下で２５℃を保ちつつ充分に撹拌した。この溶液に、酸
二無水物Ａ９を４．５７８ｇ（０．０２１モル）及びヒ
ドロキシルアミンＳを０．２４６ｇ（０．００２モル）
徐々に加えた。全部加えた後、窒素気流下２５℃で１５
時間撹拌を続け、ポリアミド酸を合成した。
【０２９９】得られた塗料（ポリアミド酸溶液）を０．
４ｍｍφの銅線に塗布し線速１０ｍ／ｍｉｎで炉温３７
０℃、炉長３．０ｍの炉中を数回通して焼き付けを行な
い皮膜厚さ約２０μｍの絶縁電線を得た。なお、皮膜の
赤外線吸収スペクトルには１７８０ｃｍ￣１と１３８０
ｃｍ￣１にイミド基の吸収が認められた。
４ｍｍφの銅線に塗布し線速１０ｍ／ｍｉｎで炉温３７
０℃、炉長３．０ｍの炉中を数回通して焼き付けを行な
い皮膜厚さ約２０μｍの絶縁電線を得た。なお、皮膜の
赤外線吸収スペクトルには１７８０ｃｍ￣１と１３８０
ｃｍ￣１にイミド基の吸収が認められた。
【０３００】得られた電線をＪＩＳ Ｃ３００３−１
９８４のエナメル銅線及びエナメルアルミニウム線試験
方法に準じて評価した。
９８４のエナメル銅線及びエナメルアルミニウム線試験
方法に準じて評価した。
【０３０１】その評価結果を表５に示す。
【０３０２】
（実施例３７）
ジアミンＢ８を６．７８ｇ（０．０３モル）、溶媒ＤＭ
Ａｃを５５ｇ及びＮＭＰを５５ｇ、酸二無水物Ａ１０を
９．１１４ｇ（０．０３１モル）及びヒドロキシルアミ
ンＳを０．２４６ｇ（０．００２モル）用いた以外は実
施例３６と同様にしてポリアミド酸を合成した。
Ａｃを５５ｇ及びＮＭＰを５５ｇ、酸二無水物Ａ１０を
９．１１４ｇ（０．０３１モル）及びヒドロキシルアミ
ンＳを０．２４６ｇ（０．００２モル）用いた以外は実
施例３６と同様にしてポリアミド酸を合成した。
【０３０３】得られた塗料（ポリアミド酸溶液）を用い
、実施例３６と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を
得、これを実施例１と同様に評価した。
、実施例３６と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を
得、これを実施例１と同様に評価した。
【０３０４】その評価結果を表５に示す。
【０３０５】
（実施例３８）
ジアミンＢ６を３．３６ｇ（０．０１６モル）、溶媒Ｄ
ＭＡｃを３０ｇ及びＮＭＰを３０ｇ、酸二無水物Ａ１１
を５．４７４ｇ（０．０１７モル）及びヒドロキシルア
ミンＳを０．２４６ｇ（０．００２モル）用いた以外は
実施例３６と同様にしてポリアミド酸を合成した。
ＭＡｃを３０ｇ及びＮＭＰを３０ｇ、酸二無水物Ａ１１
を５．４７４ｇ（０．０１７モル）及びヒドロキシルア
ミンＳを０．２４６ｇ（０．００２モル）用いた以外は
実施例３６と同様にしてポリアミド酸を合成した。
【０３０６】得られた塗料（ポリアミド酸溶液）を用い
、実施例３６と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を
得、これを実施例１と同様に評価した。
、実施例３６と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を
得、これを実施例１と同様に評価した。
【０３０７】その評価結果を表５に示す。
【０３０８】
（実施例３９）
ジアミンＢ９を２．８４ｇ（０．０２モル）、溶媒ＤＭ
Ａｃを３０ｇ及びＮＭＰを３０ｇ、酸二無水物Ａ１２を
５．６２８ｇ（０．０２１モル）及びヒドロキシルアミ
ンＳを０．２４６ｇ（０．００２モル）用いた以外は実
施例３６と同様にしてポリアミド酸を合成した。
Ａｃを３０ｇ及びＮＭＰを３０ｇ、酸二無水物Ａ１２を
５．６２８ｇ（０．０２１モル）及びヒドロキシルアミ
ンＳを０．２４６ｇ（０．００２モル）用いた以外は実
施例３６と同様にしてポリアミド酸を合成した。
【０３０９】得られた塗料（ポリアミド酸溶液）を用い
、実施例３６と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を
得、これを実施例１と同様に評価した。
、実施例３６と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を
得、これを実施例１と同様に評価した。
【０３１０】その評価結果を表５に示す。
【０３１１】
（実施例４０）
ジアミンＢ１０を２．９６４ｇ（０．０２６モル）、溶
媒ＤＭＡｃを３５ｇ及びＮＭＰを３５ｇ、酸二無水物Ａ
１３を７．２３６ｇ（０．０２７モル）及びヒドロキシ
ルアミンＳを０．２４６ｇ（０．００２モル）用いた以
外は実施例３６と同様にしてポリアミド酸を合成した。
媒ＤＭＡｃを３５ｇ及びＮＭＰを３５ｇ、酸二無水物Ａ
１３を７．２３６ｇ（０．０２７モル）及びヒドロキシ
ルアミンＳを０．２４６ｇ（０．００２モル）用いた以
外は実施例３６と同様にしてポリアミド酸を合成した。
【０３１２】得られた塗料（ポリアミド酸溶液）を用い
、実施例３６と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を
得、これを実施例１と同様に評価した。
、実施例３６と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を
得、これを実施例１と同様に評価した。
【０３１３】その評価結果を表５に示す。
【０３１４】
（実施例４１）
ジアミンＢ１１を５．７１２ｇ（０．０２４モル）、溶
媒ＤＭＡｃを４５ｇ及びＮＭＰを４５ｇ、酸二無水物Ａ
１４を６．７ｇ（０．０２５モル）及びヒドロキシルア
ミンＳを０．２４６ｇ（０．００２モル）用いた以外は
実施例３６と同様にしてポリアミド酸を合成した。
媒ＤＭＡｃを４５ｇ及びＮＭＰを４５ｇ、酸二無水物Ａ
１４を６．７ｇ（０．０２５モル）及びヒドロキシルア
ミンＳを０．２４６ｇ（０．００２モル）用いた以外は
実施例３６と同様にしてポリアミド酸を合成した。
【０３１５】得られた塗料（ポリアミド酸溶液）を用い
、実施例３６と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を
得、これを実施例１と同様に評価した。
、実施例３６と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を
得、これを実施例１と同様に評価した。
【０３１６】その評価結果を表５に示す。
【０３１７】
（実施例４２）
ジアミンＢ１２を３．４８ｇ（０．０３モル）、溶媒Ｄ
ＭＡｃを５０ｇ及びＮＭＰを５０ｇ、酸二無水物Ａ１５
を９．６１ｇ（０．０３１モル）及びヒドロキシルアミ
ンＳを０．２４６ｇ（０．００２モル）用いた以外は実
施例３６と同様にしてポリアミド酸を合成した。
ＭＡｃを５０ｇ及びＮＭＰを５０ｇ、酸二無水物Ａ１５
を９．６１ｇ（０．０３１モル）及びヒドロキシルアミ
ンＳを０．２４６ｇ（０．００２モル）用いた以外は実
施例３６と同様にしてポリアミド酸を合成した。
【０３１８】得られた塗料（ポリアミド酸溶液）を用い
、実施例３６と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を
得、これを実施例１と同様に評価した。
、実施例３６と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を
得、これを実施例１と同様に評価した。
【０３１９】その評価結果を表５に示す。
【０３２０】
（実施例４３）
ジアミンＢ１３を２．０４ｇ（０．０２モル）、溶媒Ｄ
ＭＡｃを３０ｇ及びＮＭＰを３０ｇ、酸二無水物Ａ１６
を６．４６８ｇ（０．０２１モル）及びヒドロキシルア
ミンＳを０．２４６ｇ（０．００２モル）用いた以外は
実施例３６と同様にしてポリアミド酸を合成した。
ＭＡｃを３０ｇ及びＮＭＰを３０ｇ、酸二無水物Ａ１６
を６．４６８ｇ（０．０２１モル）及びヒドロキシルア
ミンＳを０．２４６ｇ（０．００２モル）用いた以外は
実施例３６と同様にしてポリアミド酸を合成した。
【０３２１】得られた塗料（ポリアミド酸溶液）を用い
、実施例３６と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を
得、これを実施例１と同様に評価した。
、実施例３６と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を
得、これを実施例１と同様に評価した。
【０３２２】その評価結果を表５に示す。
【０３２３】
（実施例４４）
ジアミンＢ８を４．５２ｇ（０．０２モル）、溶媒ＤＭ
Ａｃを４０ｇ及びＮＭＰを４０ｇ、酸二無水物Ａ１７を
７．０５６ｇ（０．０２１モル）及びヒドロキシルアミ
ンＳを０．２４６ｇ（０．００２モル）用いた以外は実
施例３６と同様にしてポリアミド酸を合成した。
Ａｃを４０ｇ及びＮＭＰを４０ｇ、酸二無水物Ａ１７を
７．０５６ｇ（０．０２１モル）及びヒドロキシルアミ
ンＳを０．２４６ｇ（０．００２モル）用いた以外は実
施例３６と同様にしてポリアミド酸を合成した。
【０３２４】得られた塗料（ポリアミド酸溶液）を用い
、実施例３６と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を
得、これを実施例１と同様に評価した。
、実施例３６と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を
得、これを実施例１と同様に評価した。
【０３２５】その評価結果を表５に示す。
【０３２６】
（実施例４５）
ジアミンＢ８を４．５２ｇ（０．０２モル）、溶媒ＤＭ
Ａｃを４０ｇ及びＮＭＰを４０ｇ、酸二無水物Ａ１１を
６．７６２ｇ（０．０２１モル）及びヒドロキシルアミ
ンＳを０．２４６ｇ（０．００２モル）用いた以外は実
施例３６と同様にしてポリアミド酸を合成した。
Ａｃを４０ｇ及びＮＭＰを４０ｇ、酸二無水物Ａ１１を
６．７６２ｇ（０．０２１モル）及びヒドロキシルアミ
ンＳを０．２４６ｇ（０．００２モル）用いた以外は実
施例３６と同様にしてポリアミド酸を合成した。
【０３２７】得られた塗料（ポリアミド酸溶液）を用い
、実施例３６と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を
得、これを実施例１と同様に評価した。
、実施例３６と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を
得、これを実施例１と同様に評価した。
【０３２８】その評価結果を表６に示す。
【０３２９】
（実施例４６）
ジアミンＢ１１を４．７６ｇ（０．０２モル）、溶媒Ｄ
ＭＡｃを４０ｇ及びＮＭＰを４０ｇ、酸二無水物Ａ１６
を６．４６８ｇ（０．０２１モル）及びヒドロキシルア
ミンＳを０．２４６ｇ（０．００２モル）用いた以外は
実施例３６と同様にしてポリアミド酸を合成した。
ＭＡｃを４０ｇ及びＮＭＰを４０ｇ、酸二無水物Ａ１６
を６．４６８ｇ（０．０２１モル）及びヒドロキシルア
ミンＳを０．２４６ｇ（０．００２モル）用いた以外は
実施例３６と同様にしてポリアミド酸を合成した。
【０３３０】得られた塗料（ポリアミド酸溶液）を用い
、実施例３６と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を
得、これを実施例１と同様に評価した。
、実施例３６と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を
得、これを実施例１と同様に評価した。
【０３３１】その評価結果を表６に示す。
【０３３２】
（実施例４７）
ジアミンＢ８を４．５２ｇ（０．０２モル）、溶媒ＤＭ
Ａｃを４０ｇ及びＮＭＰを４０ｇ、酸二無水物Ａ１１を
６．７６２ｇ（０．０２１モル）及びヒドロキシルアミ
ンＳを０．２４６ｇ（０．００２モル）、さらに第三級
アミンＣ１を０．０６ｇ用いた以外は実施例３６と同様
にしてポリアミド酸を合成した。
Ａｃを４０ｇ及びＮＭＰを４０ｇ、酸二無水物Ａ１１を
６．７６２ｇ（０．０２１モル）及びヒドロキシルアミ
ンＳを０．２４６ｇ（０．００２モル）、さらに第三級
アミンＣ１を０．０６ｇ用いた以外は実施例３６と同様
にしてポリアミド酸を合成した。
【０３３３】得られた塗料（ポリアミド酸溶液）を用い
、実施例３６と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を
得、これを実施例１と同様に評価した。
、実施例３６と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を
得、これを実施例１と同様に評価した。
【０３３４】その評価結果を表６に示す。
【０３３５】
（実施例４８）
ジアミンＢ８を２．２６ｇ（０．０１モル）、溶媒ＤＭ
Ａｃを２５ｇ及びＮＭＰを２５ｇ、酸二無水物Ａ１１を
３．７０３ｇ（０．０１１５モル）及びヒドロキシルア
ミンＳを０．３６９ｇ（０．００３モル）用いた以外は
実施例３６と同様にしてポリアミド酸を合成した。
Ａｃを２５ｇ及びＮＭＰを２５ｇ、酸二無水物Ａ１１を
３．７０３ｇ（０．０１１５モル）及びヒドロキシルア
ミンＳを０．３６９ｇ（０．００３モル）用いた以外は
実施例３６と同様にしてポリアミド酸を合成した。
【０３３６】得られた塗料（ポリアミド酸溶液）を用い
、実施例３６と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を
得、これを実施例１と同様に評価した。
、実施例３６と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を
得、これを実施例１と同様に評価した。
【０３３７】その評価結果を表６に示す。
【０３３８】
（実施例４９）
実施例４８のポリアミド酸溶液中へ、その末端水酸基１
当量につきイソシアネ−ト基１当量の割合になるように
、ジフェニルメタンジイソシアネ−トを配合して混合し
塗料を得た。
当量につきイソシアネ−ト基１当量の割合になるように
、ジフェニルメタンジイソシアネ−トを配合して混合し
塗料を得た。
【０３３９】得られた塗料を用い、実施例３６と同様に
して本発明のイミド化ポリウレタン樹脂絶縁電線を得、
これを実施例１と同様に評価した。
して本発明のイミド化ポリウレタン樹脂絶縁電線を得、
これを実施例１と同様に評価した。
【０３４０】その評価結果を表６に示す。
【０３４１】
（実施例５０）
ジアミンＢ８を４．５２ｇ（０．０２モル）、溶媒ＤＭ
Ａｃを４０ｇ及びＮＭＰを４０ｇ、酸二無水物Ａ１１を
６．４４ｇ（０．０２モル）用いた以外は実施例３６と
同様にしてポリアミド酸を合成した（但し、ヒドロキシ
ルアミンＳは用いなかった）。
Ａｃを４０ｇ及びＮＭＰを４０ｇ、酸二無水物Ａ１１を
６．４４ｇ（０．０２モル）用いた以外は実施例３６と
同様にしてポリアミド酸を合成した（但し、ヒドロキシ
ルアミンＳは用いなかった）。
【０３４２】得られた塗料（ポリアミド酸溶液）を用い
、実施例３６と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を
得、これを実施例１と同様に評価した。
、実施例３６と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を
得、これを実施例１と同様に評価した。
【０３４３】その評価結果を表６に示す。
【０３４４】
（実施例５１）
ジアミンＢ６を４．２ｇ（０．０２モル）、溶媒ＤＭＡ
ｃを３５ｇ及びＮＭＰを３５ｇ、酸二無水物Ａ１２を５
．３６ｇ（０．０２モル）用いた以外は実施例３６と同
様にしてポリアミド酸を合成した（但し、ヒドロキシル
アミンＳは用いなかった）。
ｃを３５ｇ及びＮＭＰを３５ｇ、酸二無水物Ａ１２を５
．３６ｇ（０．０２モル）用いた以外は実施例３６と同
様にしてポリアミド酸を合成した（但し、ヒドロキシル
アミンＳは用いなかった）。
【０３４５】得られた塗料（ポリアミド酸溶液）を用い
、実施例３６と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を
得、これを実施例１と同様に評価した。
、実施例３６と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を
得、これを実施例１と同様に評価した。
【０３４６】その評価結果を表６に示す。
【０３４７】
（実施例５２）
ジアミンＢ１０を２．２８ｇ（０．０２モル）、溶媒Ｄ
ＭＡｃを３５ｇ及びＮＭＰを３５ｇ、酸二無水物Ａ１７
を６．７２ｇ（０．０２モル）用いた以外は実施例３６
と同様にしてポリアミド酸を合成した（但し、ヒドロキ
シルアミンＳは用いなかった）。
ＭＡｃを３５ｇ及びＮＭＰを３５ｇ、酸二無水物Ａ１７
を６．７２ｇ（０．０２モル）用いた以外は実施例３６
と同様にしてポリアミド酸を合成した（但し、ヒドロキ
シルアミンＳは用いなかった）。
【０３４８】得られた塗料（ポリアミド酸溶液）を用い
、実施例３６と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を
得、これを実施例１と同様に評価した。
、実施例３６と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を
得、これを実施例１と同様に評価した。
【０３４９】その評価結果を表６に示す。
【０３５０】
（実施例５３）
ジアミンＢ１３を２．０４ｇ（０．０２モル）、溶媒Ｄ
ＭＡｃを２５ｇ及びＮＭＰを２５ｇ、酸二無水物Ａ９を
４．３６ｇ（０．０２モル）用いた以外は実施例３６と
同様にしてポリアミド酸を合成した（但し、ヒドロキシ
ルアミンＳは用いなかった）。
ＭＡｃを２５ｇ及びＮＭＰを２５ｇ、酸二無水物Ａ９を
４．３６ｇ（０．０２モル）用いた以外は実施例３６と
同様にしてポリアミド酸を合成した（但し、ヒドロキシ
ルアミンＳは用いなかった）。
【０３５１】得られた塗料（ポリアミド酸溶液）を用い
、実施例３６と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を
得、これを実施例１と同様に評価した。
、実施例３６と同様にして本発明のイミド化絶縁電線を
得、これを実施例１と同様に評価した。
【０３５２】その評価結果を表６に示す。
【０３５３】次に比較例について示す。
【０３５４】
比較例１
撹拌機、温度計、窒素導入管を取り付けた反応フラスコ
内にジアミンＢ５を３．００ｇ（０．０１５モル）、溶
媒ＤＭＡｃを２０ｇ及びＮＭＰを２０ｇ仕込み、窒素気
流下で２５℃を保ちつつ充分に撹拌した。この溶液に、
酸二無水物Ａ９を３．５９７ｇ（０．０１６５モル）及
びヒドロキシルアミンＳを０．３６９ｇ（０．００３モ
ル）徐々に加えた。全部加えた後、窒素気流下２５℃で
１２時間撹拌を続け、ポリアミド酸を合成した。
内にジアミンＢ５を３．００ｇ（０．０１５モル）、溶
媒ＤＭＡｃを２０ｇ及びＮＭＰを２０ｇ仕込み、窒素気
流下で２５℃を保ちつつ充分に撹拌した。この溶液に、
酸二無水物Ａ９を３．５９７ｇ（０．０１６５モル）及
びヒドロキシルアミンＳを０．３６９ｇ（０．００３モ
ル）徐々に加えた。全部加えた後、窒素気流下２５℃で
１２時間撹拌を続け、ポリアミド酸を合成した。
【０３５５】得られた塗料（ポリアミド酸溶液）を０．
４ｍｍφの銅線に塗布し線速１０ｍ／ｍｉｎで炉温３７
０℃、炉長３．０ｍの炉中を数回通して焼き付けを行な
い皮膜厚さ約２０μｍの絶縁電線を得た。なお、皮膜の
赤外線吸収スペクトルには１３８０ｃｍ￣１と７３０ｃ
ｍ￣１にイミド基の吸収が認められた。
４ｍｍφの銅線に塗布し線速１０ｍ／ｍｉｎで炉温３７
０℃、炉長３．０ｍの炉中を数回通して焼き付けを行な
い皮膜厚さ約２０μｍの絶縁電線を得た。なお、皮膜の
赤外線吸収スペクトルには１３８０ｃｍ￣１と７３０ｃ
ｍ￣１にイミド基の吸収が認められた。
【０３５６】得られた電線を上記実施例１と同様に、Ｊ
ＩＳ Ｃ３００３−１９８４のエナメル銅線及びエナ
メルアルミニウム線試験方法に準じて評価し、その評価
結果を表１に示す。
ＩＳ Ｃ３００３−１９８４のエナメル銅線及びエナ
メルアルミニウム線試験方法に準じて評価し、その評価
結果を表１に示す。
【０３５７】
比較例２
ジアミンＢ３を２．９７ｇ（０．０１５モル）、溶媒Ｄ
ＭＡｃを２０ｇ及びＮＭＰを２０ｇ、酸二無水物Ａ９を
３．５９７ｇ（０．０１６５モル）及びヒドロキシルア
ミンＳを０．３６９ｇ（０．００３モル）用いた以外は
比較例１と同様にしてポリアミド酸を合成した。
ＭＡｃを２０ｇ及びＮＭＰを２０ｇ、酸二無水物Ａ９を
３．５９７ｇ（０．０１６５モル）及びヒドロキシルア
ミンＳを０．３６９ｇ（０．００３モル）用いた以外は
比較例１と同様にしてポリアミド酸を合成した。
【０３５８】得られた塗料（ポリアミド酸溶液）を用い
、比較例１と同様にイミド化絶縁電線を得、これを実施
例１と同様に評価した。
、比較例１と同様にイミド化絶縁電線を得、これを実施
例１と同様に評価した。
【０３５９】その評価結果を表１に示す。
【０３６０】
比較例３
ジアミンＢ５を３．００ｇ（０．０１５モル）、溶媒Ｄ
ＭＡｃを２０ｇ及びＮＭＰを２０ｇ、酸二無水物Ａ９を
３．２７ｇ（０．０１５モル）用いた以外は比較例１と
同様にしてポリアミド酸を合成した（但し、ヒドロキシ
ルアミンＳは用いなかった）。
ＭＡｃを２０ｇ及びＮＭＰを２０ｇ、酸二無水物Ａ９を
３．２７ｇ（０．０１５モル）用いた以外は比較例１と
同様にしてポリアミド酸を合成した（但し、ヒドロキシ
ルアミンＳは用いなかった）。
【０３６１】得られた塗料（ポリアミド酸溶液）を用い
、比較例１と同様にイミド化絶縁電線を得、これを実施
例１と同様に評価した。
、比較例１と同様にイミド化絶縁電線を得、これを実施
例１と同様に評価した。
【０３６２】その評価結果を表１に示す。
【０３６３】
比較例４
ジアミンＢ３を３．９６ｇ（０．０２モル）、溶媒ＤＭ
Ａｃを２５ｇ及びＮＭＰを２５ｇ、酸二無水物Ａ９を４
．３６ｇ（０．０２モル）用いた以外は比較例１と同様
にしてポリアミド酸を合成した（但し、ヒドロキシルア
ミンＳは用いなかった）。
Ａｃを２５ｇ及びＮＭＰを２５ｇ、酸二無水物Ａ９を４
．３６ｇ（０．０２モル）用いた以外は比較例１と同様
にしてポリアミド酸を合成した（但し、ヒドロキシルア
ミンＳは用いなかった）。
【０３６４】得られた塗料（ポリアミド酸溶液）を用い
、比較例１と同様にイミド化絶縁電線を得、これを実施
例１と同様に評価した。
、比較例１と同様にイミド化絶縁電線を得、これを実施
例１と同様に評価した。
【０３６５】その評価結果を表１に示す。
【０３６６】
比較例５
撹拌機、温度計、窒素導入管を取り付けた反応フラスコ
内にジアミンＢ３を３．９６ｇ（０．０２モル）、溶媒
ＤＭＡｃを４０ｇ及びＮＭＰを４０ｇ仕込み、窒素気流
下で２５℃を保ちつつ充分に撹拌した。この溶液に、酸
二無水物Ａ９を４．５７８ｇ（０．０２１モル）及びヒ
ドロキシルアミンＳを０．２４６ｇ（０．００２モル）
徐々に加えた。全部加えた後、窒素気流下２５℃で１４
時間撹拌を続け、ポリアミド酸を合成した。
内にジアミンＢ３を３．９６ｇ（０．０２モル）、溶媒
ＤＭＡｃを４０ｇ及びＮＭＰを４０ｇ仕込み、窒素気流
下で２５℃を保ちつつ充分に撹拌した。この溶液に、酸
二無水物Ａ９を４．５７８ｇ（０．０２１モル）及びヒ
ドロキシルアミンＳを０．２４６ｇ（０．００２モル）
徐々に加えた。全部加えた後、窒素気流下２５℃で１４
時間撹拌を続け、ポリアミド酸を合成した。
【０３６７】得られた塗料（ポリアミド酸溶液）を０．
４ｍｍφの銅線に塗布し線速１０ｍ／ｍｉｎで炉温３８
０℃、炉長３．０ｍの炉中を数回通して焼き付けを行な
い皮膜厚さ約２０μｍの絶縁電線を得た。なお、皮膜の
赤外線吸収スペクトルには１７８０ｃｍ￣１と１３８０
ｃｍ￣１にイミド基の吸収が認められた。
４ｍｍφの銅線に塗布し線速１０ｍ／ｍｉｎで炉温３８
０℃、炉長３．０ｍの炉中を数回通して焼き付けを行な
い皮膜厚さ約２０μｍの絶縁電線を得た。なお、皮膜の
赤外線吸収スペクトルには１７８０ｃｍ￣１と１３８０
ｃｍ￣１にイミド基の吸収が認められた。
【０３６８】得られた電線を上記実施例１と同様に、Ｊ
ＩＳ Ｃ３００３−１９８４のエナメル銅線及びエナ
メルアルミニウム線試験方法に準じて評価し、その評価
結果を表２に示す。
ＩＳ Ｃ３００３−１９８４のエナメル銅線及びエナ
メルアルミニウム線試験方法に準じて評価し、その評価
結果を表２に示す。
【０３６９】
比較例６
ジアミンＢ３を３．９６ｇ（０．０２モル）、溶媒ＤＭ
Ａｃを４０ｇ及びＮＭＰを４０ｇ、酸二無水物Ａ９を４
．３６ｇ（０．０２モル）用いた以外は比較例５と同様
にしてポリアミド酸を合成した（但し、ヒドロキシルア
ミンＳは用いなかった）。
Ａｃを４０ｇ及びＮＭＰを４０ｇ、酸二無水物Ａ９を４
．３６ｇ（０．０２モル）用いた以外は比較例５と同様
にしてポリアミド酸を合成した（但し、ヒドロキシルア
ミンＳは用いなかった）。
【０３７０】得られた塗料（ポリアミド酸溶液）を用い
、比較例５と同様にイミド化絶縁電線を得、これを実施
例１と同様に評価した。
、比較例５と同様にイミド化絶縁電線を得、これを実施
例１と同様に評価した。
【０３７１】その評価結果を表２に示す。
【０３７２】
比較例７
多価アルコ−ルと多価カルボン酸より合成されたポリエ
ステルポリオ−ル（住友バイエルウレタン社製デスモフ
ェン６００）１０ｇ、ブロック化イソシアネ−トとして
（住友バイエルウレタン社製デスモジュ−ルＣＴステ−
ブル）２１．２ｇ、さらに、オクチル酸鉛０．２ｇをク
レゾ−ル４０ｇに溶解し、塗料組成物を得た。
ステルポリオ−ル（住友バイエルウレタン社製デスモフ
ェン６００）１０ｇ、ブロック化イソシアネ−トとして
（住友バイエルウレタン社製デスモジュ−ルＣＴステ−
ブル）２１．２ｇ、さらに、オクチル酸鉛０．２ｇをク
レゾ−ル４０ｇに溶解し、塗料組成物を得た。
【０３７３】得られた塗料組成物を用い、比較例５と同
様にして絶縁電線を得、これを実施例１と同様に評価し
た。
様にして絶縁電線を得、これを実施例１と同様に評価し
た。
【０３７４】その評価結果を表２に示す。
【０３７５】
比較例８
撹拌機、温度計、窒素導入管を取り付けた反応フラスコ
内にジアミンＢ３を３．９６ｇ（０．０２モル）、溶媒
ＤＭＡｃを３０ｇ及びＮＭＰを３０ｇ仕込み、窒素気流
下で２５℃を保ちつつ充分に撹拌した。この溶液に、酸
二無水物Ａ９を４．４６９ｇ（０．０２０５モル）及び
ヒドロキシルアミンＳを０．１２３ｇ（０．００１モル
）徐々に加えた。全部加えた後、窒素気流下２５℃で１
５時間撹拌を続け、ポリアミド酸を合成した。
内にジアミンＢ３を３．９６ｇ（０．０２モル）、溶媒
ＤＭＡｃを３０ｇ及びＮＭＰを３０ｇ仕込み、窒素気流
下で２５℃を保ちつつ充分に撹拌した。この溶液に、酸
二無水物Ａ９を４．４６９ｇ（０．０２０５モル）及び
ヒドロキシルアミンＳを０．１２３ｇ（０．００１モル
）徐々に加えた。全部加えた後、窒素気流下２５℃で１
５時間撹拌を続け、ポリアミド酸を合成した。
【０３７６】得られた塗料（ポリアミド酸溶液）を０．
４ｍｍφの銅線に塗布し線速１０ｍ／ｍｉｎで炉温３７
０℃、炉長３．０ｍの炉中を数回通して焼き付けを行な
い皮膜厚さ約２０μｍの絶縁電線を得た。なお、皮膜の
赤外線吸収スペクトルには１３８０ｃｍ￣１と７３０ｃ
ｍ￣１にイミド基の吸収が認められた。
４ｍｍφの銅線に塗布し線速１０ｍ／ｍｉｎで炉温３７
０℃、炉長３．０ｍの炉中を数回通して焼き付けを行な
い皮膜厚さ約２０μｍの絶縁電線を得た。なお、皮膜の
赤外線吸収スペクトルには１３８０ｃｍ￣１と７３０ｃ
ｍ￣１にイミド基の吸収が認められた。
【０３７７】得られた電線を上記実施例１と同様に、Ｊ
ＩＳ Ｃ３００３−１９８４のエナメル銅線及びエナ
メルアルミニウム線試験方法に準じて評価し、その評価
結果を表３及び表４に示す。
ＩＳ Ｃ３００３−１９８４のエナメル銅線及びエナ
メルアルミニウム線試験方法に準じて評価し、その評価
結果を表３及び表４に示す。
【０３７８】
比較例９
ジアミンＢ３を３．９６ｇ（０．０２モル）、溶媒ＤＭ
Ａｃを３５ｇ及びＮＭＰを３５ｇ、酸二無水物Ａ１０を
６．０２７ｇ（０．０２０５モル）及びヒドロキシルア
ミンＳを０．１２３ｇ（０．００１モル）用いた以外は
比較例８と同様にしてポリアミド酸を合成した。
Ａｃを３５ｇ及びＮＭＰを３５ｇ、酸二無水物Ａ１０を
６．０２７ｇ（０．０２０５モル）及びヒドロキシルア
ミンＳを０．１２３ｇ（０．００１モル）用いた以外は
比較例８と同様にしてポリアミド酸を合成した。
【０３７９】得られた塗料（ポリアミド酸溶液）を用い
、比較例８と同様にイミド化絶縁電線を得、これを実施
例１と同様に評価した。
、比較例８と同様にイミド化絶縁電線を得、これを実施
例１と同様に評価した。
【０３８０】その評価結果を表３及び表４に示す。
【０３８１】
比較例１０
ジアミンＢ３を３．９６ｇ（０．０２モル）、溶媒ＤＭ
Ａｃを３５ｇ及びＮＭＰを３５ｇ、酸二無水物Ａ１１を
６．４４ｇ（０．０２モル）用いた以外は比較例８と同
様にしてポリアミド酸を合成した（但し、ヒドロキシル
アミンＳは用いなかった）。
Ａｃを３５ｇ及びＮＭＰを３５ｇ、酸二無水物Ａ１１を
６．４４ｇ（０．０２モル）用いた以外は比較例８と同
様にしてポリアミド酸を合成した（但し、ヒドロキシル
アミンＳは用いなかった）。
【０３８２】得られた塗料（ポリアミド酸溶液）を用い
、比較例８と同様にイミド化絶縁電線を得、これを実施
例１と同様に評価した。
、比較例８と同様にイミド化絶縁電線を得、これを実施
例１と同様に評価した。
【０３８３】その評価結果を表３及び表４に示す。
【０３８４】
比較例１１
ジアミンＢ３を３．９６ｇ（０．０２モル）、溶媒ＤＭ
Ａｃを３０ｇ及びＮＭＰを３０ｇ、酸二無水物Ａ９を４
．３６ｇ（０．０２モル）用いた以外は比較例８と同様
にしてポリアミド酸を合成した（但し、ヒドロキシルア
ミンＳは用いなかった）。
Ａｃを３０ｇ及びＮＭＰを３０ｇ、酸二無水物Ａ９を４
．３６ｇ（０．０２モル）用いた以外は比較例８と同様
にしてポリアミド酸を合成した（但し、ヒドロキシルア
ミンＳは用いなかった）。
【０３８５】得られた塗料（ポリアミド酸溶液）を用い
、比較例８と同様にイミド化絶縁電線を得、これを実施
例１と同様に評価した。
、比較例８と同様にイミド化絶縁電線を得、これを実施
例１と同様に評価した。
【０３８６】その評価結果を表３及び表４に示す。
【０３８７】
比較例１２
撹拌機、温度計、窒素導入管を取り付けた反応フラスコ
内にジアミンＢ３を３．９６ｇ（０．０２モル）、溶媒
ＤＭＡｃを３０ｇ及びＮＭＰを３０ｇ仕込み、窒素気流
下で２５℃を保ちつつ充分に撹拌した。
内にジアミンＢ３を３．９６ｇ（０．０２モル）、溶媒
ＤＭＡｃを３０ｇ及びＮＭＰを３０ｇ仕込み、窒素気流
下で２５℃を保ちつつ充分に撹拌した。
【０３８８】この溶液に、酸二無水物Ａ９を４．５７８
ｇ（０．０２１モル）及びヒドロキシルアミンＳを０．
２４６ｇ（０．００２モル）徐々に加えた。全部加えた
後、窒素気流下２５℃で１５時間撹拌を続け、ポリアミ
ド酸を合成した。
ｇ（０．０２１モル）及びヒドロキシルアミンＳを０．
２４６ｇ（０．００２モル）徐々に加えた。全部加えた
後、窒素気流下２５℃で１５時間撹拌を続け、ポリアミ
ド酸を合成した。
【０３８９】得られた塗料（ポリアミド酸溶液）を０．
４ｍｍφの銅線に塗布し線速１０ｍ／ｍｉｎで炉温３７
０℃、炉長３．０ｍの炉中を数回通して焼き付けを行な
い皮膜厚さ約２０μｍの絶縁電線を得た。なお、皮膜の
赤外線吸収スペクトルには１７８０ｃｍ￣１と１３８０
ｃｍ￣１にイミド基の吸収が認められた。
４ｍｍφの銅線に塗布し線速１０ｍ／ｍｉｎで炉温３７
０℃、炉長３．０ｍの炉中を数回通して焼き付けを行な
い皮膜厚さ約２０μｍの絶縁電線を得た。なお、皮膜の
赤外線吸収スペクトルには１７８０ｃｍ￣１と１３８０
ｃｍ￣１にイミド基の吸収が認められた。
【０３９０】得られた電線を上記実施例１と同様に、Ｊ
ＩＳ Ｃ３００３−１９８４のエナメル銅線及びエナ
メルアルミニウム線試験方法に準じて評価し、その評価
結果を表５及び表６に示す。
ＩＳ Ｃ３００３−１９８４のエナメル銅線及びエナ
メルアルミニウム線試験方法に準じて評価し、その評価
結果を表５及び表６に示す。
【０３９１】
比較例１３
ジアミンＢ５を４．０ｇ（０．０２モル）、溶媒ＤＭＡ
ｃを３５ｇ及びＮＭＰを３５ｇ、酸二無水物Ａ１２を５
．６２８ｇ（０．０２１モル）及びヒドロキシルアミン
Ｓを０．２４６ｇ（０．００２モル）用いた以外は比較
例１２と同様にしてポリアミド酸を合成した。
ｃを３５ｇ及びＮＭＰを３５ｇ、酸二無水物Ａ１２を５
．６２８ｇ（０．０２１モル）及びヒドロキシルアミン
Ｓを０．２４６ｇ（０．００２モル）用いた以外は比較
例１２と同様にしてポリアミド酸を合成した。
【０３９２】得られた塗料（ポリアミド酸溶液）を用い
、比較例１２と同様にイミド化絶縁電線を得、これを実
施例１と同様に評価した。
、比較例１２と同様にイミド化絶縁電線を得、これを実
施例１と同様に評価した。
【０３９３】その評価結果を表５及び表６に示す。
【０３９４】
比較例１４
ジアミンＢ３を３．９６ｇ（０．０２モル）、溶媒ＤＭ
Ａｃを３０ｇ及びＮＭＰを３０ｇ、酸二無水物Ａ９を４
．３６ｇ（０．０２モル）用いた以外は比較例１２と同
様にしてポリアミド酸を合成した（但し、ヒドロキシル
アミンＳは用いなかった）。
Ａｃを３０ｇ及びＮＭＰを３０ｇ、酸二無水物Ａ９を４
．３６ｇ（０．０２モル）用いた以外は比較例１２と同
様にしてポリアミド酸を合成した（但し、ヒドロキシル
アミンＳは用いなかった）。
【０３９５】得られた塗料（ポリアミド酸溶液）を用い
、比較例１２と同様にイミド化絶縁電線を得、これを実
施例１と同様に評価した。
、比較例１２と同様にイミド化絶縁電線を得、これを実
施例１と同様に評価した。
【０３９６】その評価結果を表５及び表６に示す。
【０３９７】
比較例１５
ジアミンＢ５を４．０ｇ（０．０２モル）、溶媒ＤＭＡ
ｃを３５ｇ及びＮＭＰを３５ｇ、酸二無水物Ａ１２を５
．３６ｇ（０．０２モル）用いた以外は比較例１２と同
様にしてポリアミド酸を合成した（但し、ヒドロキシル
アミンＳは用いなかった）。
ｃを３５ｇ及びＮＭＰを３５ｇ、酸二無水物Ａ１２を５
．３６ｇ（０．０２モル）用いた以外は比較例１２と同
様にしてポリアミド酸を合成した（但し、ヒドロキシル
アミンＳは用いなかった）。
【０３９８】得られた塗料（ポリアミド酸溶液）を用い
、比較例１２と同様にイミド化絶縁電線を得、これを実
施例１と同様に評価した。
、比較例１２と同様にイミド化絶縁電線を得、これを実
施例１と同様に評価した。
【０３９９】その評価結果を表５及び表６に示す。
【０４００】
【表１】
【０４０１】
【表２】
【０４０２】
【表３】
【０４０３】
【表４】
【０４０４】
【表５】
【０４０５】
【表６】
【０４０６】表１〜表６の結果から明らかな如く、本発
明の絶縁電線は、従来品（比較例）に比べ、一般特性に
おいて同等乃至それ以上の特性を有するとともに、優れ
たハンダ付け性を有していることが明らかである。
明の絶縁電線は、従来品（比較例）に比べ、一般特性に
おいて同等乃至それ以上の特性を有するとともに、優れ
たハンダ付け性を有していることが明らかである。
【０４０７】すなわち、本発明の電線は耐熱性に優れる
とともに、ハンダ付けも可能である優れた電線である。
とともに、ハンダ付けも可能である優れた電線である。
【０４０８】次に、カラ−ＴＶ用フライバックトランス
への応用例を示す。
への応用例を示す。
【０４０９】本発明の電線を用いたフライバックトラン
ス（ＦＢＴ）の電圧印加時寿命試験を行なった。
ス（ＦＢＴ）の電圧印加時寿命試験を行なった。
【０４１０】図２にカラ−ＴＶ用ＦＢＴの概略断面図を
示す。また、図３には寿命に著しく関わる高圧コイル部
の拡大図を示す。
示す。また、図３には寿命に著しく関わる高圧コイル部
の拡大図を示す。
【０４１１】これらの図において、３は高圧巻線、４は
高圧ボビン、５は低圧巻線、６は低圧ボビンである。高
圧巻線３は、高圧ボビン４に形成された溝内に装巻され
ている。低圧巻線５は、低圧ボビン６に形成された溝内
に装巻されている。
高圧ボビン、５は低圧巻線、６は低圧ボビンである。高
圧巻線３は、高圧ボビン４に形成された溝内に装巻され
ている。低圧巻線５は、低圧ボビン６に形成された溝内
に装巻されている。
【０４１２】また、７は充填剤、８は収納ケ−ス、９は
コアである。
コアである。
【０４１３】通常、接触している巻線間の電圧は１０〜
３００Ｖと言われている。
３００Ｖと言われている。
【０４１４】そこで、電線２本を接触してプラスチック
円筒に巻いて、充填剤（エポキシレジン）中に埋め込ん
で、空気中に出ている両端間に３ｋＶの電圧を印加しつ
つ１１０℃に放置して、ＦＢＴの加速寿命試験を行ない
、絶縁破壊するまでの時間を求めた。
円筒に巻いて、充填剤（エポキシレジン）中に埋め込ん
で、空気中に出ている両端間に３ｋＶの電圧を印加しつ
つ１１０℃に放置して、ＦＢＴの加速寿命試験を行ない
、絶縁破壊するまでの時間を求めた。
【０４１５】ワイブルプロットによると、本発明の実施
例１、２、３、２２、２８、３２、３５、３７、４９、
５０、５１の被覆材料を用いた電線（但し、銅線の径：
０．０６ｍｍ、皮膜厚さ：０．０１ｍｍ）による寿命試
験では、１％不良率が発生する時間は４５０ｈｒ、５０
０ｈｒ、６００ｈｒ、５３０ｈｒ、５５０ｈｒ、５８０
ｈｒ、５６０ｈｒ、５４０ｈｒ、５５０ｈｒ、５７０ｈ
ｒ、５６０ｈｒであった。
例１、２、３、２２、２８、３２、３５、３７、４９、
５０、５１の被覆材料を用いた電線（但し、銅線の径：
０．０６ｍｍ、皮膜厚さ：０．０１ｍｍ）による寿命試
験では、１％不良率が発生する時間は４５０ｈｒ、５０
０ｈｒ、６００ｈｒ、５３０ｈｒ、５５０ｈｒ、５８０
ｈｒ、５６０ｈｒ、５４０ｈｒ、５５０ｈｒ、５７０ｈ
ｒ、５６０ｈｒであった。
【０４１６】一方、比較用被覆材料として、住友バイエ
ルウレタン社製デスモフェン８００（ポリオ−ル）とデ
スモジュ−ルＣＴステ−ブル（ブロック型イソシアネ−
ト）からなる汎用ポリウレタン樹脂を選び、絶縁電線を
作り、上記と同じ加速寿命試験を行なった。その結果、
１％不良率が発生する時間は、わずか４０ｈｒにしか過
ぎず、実施例に比べ極めて劣っていることが明らかにな
った。
ルウレタン社製デスモフェン８００（ポリオ−ル）とデ
スモジュ−ルＣＴステ−ブル（ブロック型イソシアネ−
ト）からなる汎用ポリウレタン樹脂を選び、絶縁電線を
作り、上記と同じ加速寿命試験を行なった。その結果、
１％不良率が発生する時間は、わずか４０ｈｒにしか過
ぎず、実施例に比べ極めて劣っていることが明らかにな
った。
【０４１７】すなわち、本発明の電線を用いることによ
り、汎用のポリウレタン樹脂を用いた従来品（比較例）
に比べ、ＦＢＴの長寿命化や高出力化が可能となる。
り、汎用のポリウレタン樹脂を用いた従来品（比較例）
に比べ、ＦＢＴの長寿命化や高出力化が可能となる。
【０４１８】
【発明の効果】本発明の絶縁電線は、電気特性、機械特
性及び化学特性を損なうことなく、耐熱性とハンダ付け
性の両立化を可能にしたものであり、トランス等の耐熱
性を要する電気機器に広く、作業性良く使用し得る効果
を有する。
性及び化学特性を損なうことなく、耐熱性とハンダ付け
性の両立化を可能にしたものであり、トランス等の耐熱
性を要する電気機器に広く、作業性良く使用し得る効果
を有する。
【０４１９】また、本発明の絶縁塗料は、耐熱性と絶縁
性を必要とする皮膜として、各種の導体を被覆するのに
用いることができる。
性を必要とする皮膜として、各種の導体を被覆するのに
用いることができる。
【図１】本発明に係る絶縁電線の断面図である。
【図２】カラ−ＴＶ用フライバックトランスの概略断面
図である。
図である。
【図３】上記トランス断面図の高圧コイル部拡大図であ
る。
る。
１…導体、２…絶縁皮膜、３…高圧巻線、４…高圧ボビ
ン、５…低圧巻線、６…低圧ボビン、７…充填剤、８…
収納ケ−ス、９…コア。
ン、５…低圧巻線、６…低圧ボビン、７…充填剤、８…
収納ケ−ス、９…コア。
Claims (22)
- 【請求項１】一般式（化１） 【化１】 で示されるポリアミド酸を含む絶縁塗料を導体上に塗布
し、焼き付けてなる、ポリイミド樹脂皮膜を有するハン
ダ付け可能な絶縁電線。但し、上記一般式（化１）中、
Ｘはアルキレン基又はアルキレンフエニレン基、ｎは正
の整数であり、Ｒ１が一般式（化２） 【化２】 からなる群より選ばれる４価の有機基であるとき、Ｒ２
は一般式（化３） 【化３】 からなる群より選ばれる２価の有機基（ｈは２〜１６の
整数、ｉ及びｊは２〜１０の整数）であり、Ｒ１が一般
式（化４） 【化４】 からなる群より選ばれる４価の有機基であるとき、Ｒ２
は一般式（化５） 【化５】 からなる群より選ばれる２価の有機基（ｋは１〜１０の
整数、ｌ及びｍは２〜１０の整数）である。 - 【請求項２】一般式（化６） 【化６】 で示されるヒドロキシルアミンと、一般式（化７）【化
７】 で示されるテトラカルボン酸二無水物と、一般式（化８
） 【化８】 で示されるジアミンとを、有機溶媒の存在下に反応させ
、一般式（化１） 【化１】 で示されるポリアミド酸を生成させた後、これを含む絶
縁塗料を導体上に塗布し、焼き付けて、上記一般式（化
１）中のアミド基とカルボキシル基とを分子内反応させ
てイミド化してポリイミド樹脂とすることを特徴とする
ハンダ付け可能な絶縁電線の製造方法。但し、上記一般
式（化６）、（化７）、（化８）及び（化１）中、Ｘは
アルキレン基又はアルキレンフエニレン基、ｎは正の整
数であり、Ｒ１が一般式（化２） 【化２】 からなる群より選ばれる４価の有機基であるとき、Ｒ２
は一般式（化３） 【化３】 からなる群より選ばれる２価の有機基（ｈは２〜１６の
整数、ｉ及びｊは２〜１０の整数）あり、Ｒ１が一般式
（化４） 【化４】 からなる群より選ばれる４価の有機基であるとき、Ｒ２
は一般式（化５） 【化５】 からなる群より選ばれる２価の有機基（ｋは１〜１０の
整数、ｌ及びｍは２〜１０の整数）である。 - 【請求項３】絶縁塗料中に触媒量の第三級アミンを含む
ことを特徴とする請求項第２項記載のハンダ付け可能な
絶縁電線の製造方法。 - 【請求項４】一般式（化１） 【化１】 で示されるポリアミド酸を含む絶縁塗料。 但し、上記一般式（化１）中、Ｘはアルキレン基又はア
ルキレンフエニレン基、ｎは正の整数であり、Ｒ１は一
般式（化２） 【化２】 からなる群より選ばれる４価の有機基であるとき、Ｒ２
は一般式（化３） 【化３】 からなる群より選ばれる２価の有機基（ｈは２〜１６の
整数、ｉ及びｊは２〜１０の整数）であり、Ｒ１が一般
式（化４） 【化４】 からなる群より選ばれる４価の有機基であるとき、Ｒ２
は一般式（化５） 【化５】 からなる群より選ばれる２価の有機基（ｋは１〜１０の
整数、ｌ及びｍは２〜１０の整数）である。 - 【請求項５】一般式（化１） 【化１】 で示されるポリアミド酸と、イソシアネ−ト又はブロッ
ク化イソシアネ−トを含む絶縁塗料を導体上に塗布し、
焼き付けてなる、イミド化ポリウレタン樹脂皮膜を有す
るハンダ付け可能な絶縁電線。 但し、上記一般式（化１）中、Ｘはアルキレン基又はア
ルキレンフエニレン基、ｎは正の整数であり、Ｒ１が一
般式（化２） 【化２】 からなる群より選ばれる４価の有機基であるとき、Ｒ２
は一般式（化３） 【化３】 からなる群より選ばれる２価の有機基（ｈは２〜１６の
整数、ｉ及びｊは２〜１０の整数）であり、Ｒ１が一般
式（化４） 【化４】 からなる群より選ばれる４価の有機基であるとき、Ｒ２
は一般式（化５） 【化５】 からなる群より選ばれる２価の有機基（ｋは１〜１０の
整数、ｌ及びｍは２〜１０の整数）である。 - 【請求項６】一般式（化１） 【化１】 で示されるポリアミド酸と、イソシアネ−ト又はブロッ
ク化イソシアネ−トとを、上記ポリアミド酸の末端水酸
基１当量につきイソシアネ−ト基０．４〜２．０当量の
割合で配合してなる絶縁塗料を導体上に塗布し、焼き付
けることにより、上記ポリアミド酸のアミド基とカルボ
キシル基とが分子内反応してイミド化するとともに、末
端水酸基がイソシアネ−ト又はブロック化イソシアネ−
トと反応してイミド化ポリウレタン樹脂が生成すること
を特徴とするハンダ付け可能な絶縁電線の製造方法。 但し、上記一般式（化１）中、Ｘはアルキレン基又はア
ルキレンフエニレン基、ｎは正の整数であり、Ｒ１が一
般式（化２） 【化２】 からなる群より選ばれる４価の有機基であるとき、Ｒ２
は一般式（化３） 【化３】 からなる群より選ばれる２価の有機基（ｈは２〜１６の
整数、ｉ及びｊは２〜１０の整数）であり、Ｒ１が一般
式（化４） 【化４】 からなる群より選ばれる４価の有機基であるとき、Ｒ２
は一般式（化５） 【化５】 からなる群より選ばれる２価の有機基（ｋは１〜１０の
整数、ｌ及びｍは２〜１０の整数）である。 - 【請求項７】絶縁塗料中に触媒量の第三級アミンを含む
ことを特徴とする請求項第６項記載のハンダ付け可能な
絶縁電線の製造方法。 - 【請求項８】一般式（化１） 【化１】 で示されるポリアミド酸と、イソシアネ−ト又はブロッ
ク化イソシアネ−トとを、上記ポリアミド酸の末端水酸
基１当量につきイソシアネ−ト基０．４〜２．０当量の
割合で配合してなる絶縁塗料。但し、上記一般式（化１
）中、Ｘはアルキレン基又はアルキレンフエニレン基、
ｎは正の整数であり、Ｒ１が一般式（化２） 【化２】 からなる群より選ばれる４価の有機基であるとき、Ｒ２
は一般式（化３） 【化３】 からなる群より選ばれる２価の有機基（ｈは２〜１６の
整数、ｉ及びｊは２〜１０の整数）であり、Ｒ１が一般
式（化４） 【化４】 からなる群より選ばれる４価の有機基であるとき、Ｒ２
は一般式（化５） 【化５】 からなる群より選ばれる２価の有機基（ｋは１〜１０の
整数、ｌ及びｍは２〜１０の整数）である。 - 【請求項９】一般式（化９） 【化９】 で示されるポリイミドを含む絶縁塗料を導体上に塗布し
、焼き付けてなる、ポリイミド樹脂皮膜を有するハンダ
付け可能な絶縁電線。但し、上記一般式（化９）中、Ｘ
はアルキレン基又はアルキレンフエニレン基、ｎは正の
整数であり、Ｒ１が一般式（化２） 【化２】 からなる群より選ばれる４価の有機基であるとき、Ｒ２
は一般式（化３） 【化３】 からなる群より選ばれる２価の有機基（ｈは２〜１６の
整数、ｉ及びｊは２〜１０の整数）であり、Ｒ１が一般
式（化４） 【化４】 からなる群より選ばれる４価の有機基であるとき、Ｒ２
は一般式（化５） 【化５】 からなる群より選ばれる２価の有機基（ｋは１〜１０の
整数、ｌ及びｍは２〜１０の整数）である。 - 【請求項１０】一般式（化６） 【化６】 で示されるヒドロキシルアミンと、一般式（化７）【化
７】 で示されるテトラカルボン酸二無水物と、一般式（化８
） 【化８】 で示されるジアミンとを、有機溶媒の存在下に反応させ
、一般式（化９） 【化９】 で示されるポリイミドを生成させた後、これを含む絶縁
塗料を導体上に塗布し、焼き付けることを特徴とするハ
ンダ付け可能な絶縁電線の製造方法。但し、上記一般式
（化６）、（化７）、（化８）及び（化９）中、Ｘはア
ルキレン基又はアルキレンフエニレン基、ｎは正の整数
であり、Ｒ１が一般式（化２） 【化２】 からなる群より選ばれる４価の有機基であるとき、Ｒ２
は一般式（化３） 【化３】 からなる群より選ばれる２価の有機基（ｈは２〜１６の
整数、ｉ及びｊは２〜１０の整数）であり、Ｒ１が一般
式（化４） 【化４】 からなる群より選ばれる４価の有機基であるとき、Ｒ２
は一般式（化５） 【化５】 からなる群より選ばれる２価の有機基（ｋは１〜１０の
整数、ｌ及びｍは２〜１０の整数）である。 - 【請求項１１】一般式（化９） 【化９】 で示されるポリイミドを含む絶縁塗料。但し、上記一般
式（化９）中、Ｘはアルキレン基又はアルキレンフエニ
レン基、ｎは正の整数であり、Ｒ１が一般式（化２）【
化２】 からなる群より選ばれる４価の有機基であるとき、Ｒ２
は一般式（化３） 【化３】 からなる群より選ばれる２価の有機基（ｈは２〜１６の
整数、ｉ及びｊは２〜１０の整数）であり、Ｒ１が一般
式（化４） 【化４】 からなる群より選ばれる４価の有機基であるとき、Ｒ２
は一般式（化５） 【化５】 からなる群より選ばれる２価の有機基（ｋは１〜１０の
整数、ｌ及びｍは２〜１０の整数）である。 - 【請求項１２】一般式（化１０） 【化１０】 で示されるポリイミド樹脂皮膜を有するハンダ付け可能
な絶縁電線。但し、上記一般式（化１０）中、ｎは正の
整数であり、Ｒ１が一般式（化２） 【化２】 からなる群より選ばれる４価の有機基であるとき、Ｒ２
は一般式（化３） 【化３】 からなる群より選ばれる２価の有機基（ｈは２〜１６の
整数、ｉ及びｊは２〜１０の整数）であり、Ｒ１が一般
式（化４） 【化４】 からなる群より選ばれる４価の有機基であるとき、Ｒ２
は一般式（化５） 【化５】 からなる群より選ばれる２価の有機基（ｋは１〜１０の
整数、ｌ及びｍは２〜１０の整数）である。 - 【請求項１３】一般式（化７） 【化７】 で示されるテトラカルボン酸二無水物と、一般式（化８
） 【化８】 で示されるジアミンとを、有機溶媒の存在下に反応させ
、一般式（化１１） 【化１１】 で示されるポリアミド酸を生成させた後、これを含む絶
縁塗料を導体上に塗布し、焼き付けることにより、上記
一般式（化１１）中のアミド基とカルボキシル基とを分
子内反応させてイミド化してポリイミド樹脂とすること
を特徴とするハンダ付け可能な絶縁電線の製造方法。但
し、上記一般式（化７）、（化８）及び（化１１）中、
ｎは正の整数であり、Ｒ１が一般式（化２）【化２】 からなる群より選ばれる４価の有機基であるとき、Ｒ２
が一般式（化３） 【化３】 からなる群より選ばれる２価の有機基（ｈは２〜１６の
整数、ｉ及びｊは２〜１０の整数）であり、Ｒ１が一般
式（化４） 【化４】 からなる群より選ばれる４価の有機基であるとき、Ｒ２
は一般式（化５） 【化５】 からなる群より選ばれる２価の有機基（ｋは１〜１０の
整数、ｌ及びｍは２〜１０の整数）である。 - 【請求項１４】絶縁塗料が触媒量の第三級アミンを含む
ことを特徴とする請求項第１３項記載のハンダ付け可能
な絶縁電線の製造方法。 - 【請求項１５】一般式（化１１） 【化１１】 で示されるポリアミド酸を含む絶縁塗料。但し、上記一
般式（化１１）中、ｎは正の整数であり、Ｒ１が一般式
（化２） 【化２】 からなる群より選ばれる４価の有機基であるとき、Ｒ２
は一般式（化３） 【化３】 からなる群より選ばれる２価の有機基（ｈは２〜１６の
整数、ｉ及びｊは２〜１０の整数）であり、Ｒ１が一般
式（化４） 【化４】 からなる群より選ばれる４価の有機基であるとき、Ｒ２
は一般式（化５） 【化５】 からなる群より選ばれる２価の有機基（ｋは１〜１０の
整数、ｌ及びｍは２〜１０の整数）である。 - 【請求項１６】一般式（化１０） 【化１０】 で示されるポリイミドを含む絶縁塗料を導体上に塗布し
、焼き付けることを特徴とする上記一般式（化１０）で
示されるポリイミド樹脂皮膜を有するハンダ付け可能な
絶縁電線の製造方法。但し、上記一般式（化１０）中、
ｎは正の整数であり、Ｒ１が一般式（化２）【化２】 からなる群より選ばれる４価の有機基であるとき、Ｒ２
は一般式（化３） 【化３】 からなる群より選ばれる２価の有機基（ｈは２〜１６の
整数、ｉ及びｊは２〜１０の整数）であり、Ｒ１が一般
式（化４） 【化４】 からなる群より選ばれる４価の有機基であるとき、Ｒ２
は一般式（化５） 【化５】 からなる群より選ばれる２価の有機基（ｋは１〜１０の
整数、ｌ及びｍは２〜１０の整数）である。 - 【請求項１７】一般式（化７） 【化７】 で示されるテトラカルボン酸二無水物と、一般式（化８
） 【化８】 で示されるジアミンとを、有機溶媒の存在下に反応させ
、一般式（化１１） 【化１１】 で示されるポリアミド酸を生成させ、該ポリアミド酸を
イミド化して、一般式（化１０） 【化１０】 で示されるポリイミドを生成させた後、これを含む絶縁
塗料を導体上に塗布し、焼き付けることを特徴とするハ
ンダ付け可能な絶縁電線の製造方法。但し、上記一般式
（化７）、（化８）、（化１１）及び（化１１）中、ｎ
は正の整数であり、Ｒ１が一般式（化２）【化２】 からなる群より選ばれる４価の有機基であるとき、Ｒ２
は一般式（化３） 【化３】 からなる群より選ばれる２価の有機基（ｈは２〜１６の
整数、ｉ及びｊは２〜１０の整数）であり、Ｒ１が一般
式（化４） 【化４】 からなる群より選ばれる４価の有機基であるとき、Ｒ２
は一般式（化５） 【化５】 からなる群より選ばれる２価の有機基（ｋは１〜１０の
整数、ｌ及びｍは２〜１０の整数）である。 - 【請求項１８】一般式（化１０） 【化１０】 で示されるポリイミドを含む絶縁塗料。但し、上記一般
式（化１０）中、ｎは正の整数であり、Ｒ１が一般式（
化２） 【化２】 からなる群より選ばれる４価の有機基であるとき、Ｒ２
は一般式（化３） 【化３】 からなる群より選ばれる２価の有機基（ｈは２〜１６の
整数、ｉ及びｊは２〜１０の整数）であり、Ｒ１が一般
式（化４） 【化４】 からなる群より選ばれる４価の有機基であるとき、Ｒ２
は一般式（化５） 【化５】 からなる群より選ばれる２価の有機基（ｋは１〜１０の
整数、ｌ及びｍは２〜１０の整数）である。 - 【請求項１９】Ｘが一般式（化１２） 【化１２】 からなる群より選ばれるアルキレン基又は一般式（化１
３） 【化１３】 からなる群より選ばれるアルキレンフエニレン基である
請求項第１項、第５項又は第９項のいずれかに記載の絶
縁電線。 - 【請求項２０】Ｘが一般式（化１２） 【化１２】 からなる群より選ばれるアルキレン基又は一般式（化１
３） 【化１３】 からなる群より選ばれるアルキレンフエニレン基である
請求項第２項、第３項、第６項、第７項又は第１０項の
いずれかに記載の絶縁電線の製造方法。 - 【請求項２１】Ｘが一般式（化１２） 【化１２】 からなる群より選ばれるアルキレン基又は一般式（化１
３） 【化１３】 からなる群より選ばれるアルキレンフエニレン基である
請求項第４項、第８項又は第１１項のいずれかに記載の
絶縁塗料。 - 【請求項２２】請求項第１項、第５項、第９項又は第１
２項に記載の絶縁電線を用いることを特徴とするフライ
バックトランス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3062316A JPH04212206A (ja) | 1990-03-27 | 1991-03-27 | 絶縁塗料、ハンダ付け可能な絶縁電線、該絶縁電線の製造方法および該絶縁電線を用いたフライバックトランス |
Applications Claiming Priority (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7730990 | 1990-03-27 | ||
| JP2-77309 | 1990-03-27 | ||
| JP2-96428 | 1990-04-13 | ||
| JP2-233254 | 1990-09-05 | ||
| JP23325490 | 1990-09-05 | ||
| JP2-252547 | 1990-09-20 | ||
| JP25254790 | 1990-09-20 | ||
| JP3062316A JPH04212206A (ja) | 1990-03-27 | 1991-03-27 | 絶縁塗料、ハンダ付け可能な絶縁電線、該絶縁電線の製造方法および該絶縁電線を用いたフライバックトランス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04212206A true JPH04212206A (ja) | 1992-08-03 |
Family
ID=27464155
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3062316A Pending JPH04212206A (ja) | 1990-03-27 | 1991-03-27 | 絶縁塗料、ハンダ付け可能な絶縁電線、該絶縁電線の製造方法および該絶縁電線を用いたフライバックトランス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04212206A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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1991
- 1991-03-27 JP JP3062316A patent/JPH04212206A/ja active Pending
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