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JPH04184727A - 光ディスク用スタンパーの作製方法 - Google Patents

光ディスク用スタンパーの作製方法

Info

Publication number
JPH04184727A
JPH04184727A JP31480190A JP31480190A JPH04184727A JP H04184727 A JPH04184727 A JP H04184727A JP 31480190 A JP31480190 A JP 31480190A JP 31480190 A JP31480190 A JP 31480190A JP H04184727 A JPH04184727 A JP H04184727A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
glass substrate
photoresist
stamper
optical disc
substrate surface
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP31480190A
Other languages
English (en)
Inventor
Yuji Akiyama
雄治 秋山
Michio Mitsui
教夫 三津井
Mitsuru Toyokawa
満 豊川
Toshiyuki Kashiwagi
俊行 柏木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP31480190A priority Critical patent/JPH04184727A/ja
Publication of JPH04184727A publication Critical patent/JPH04184727A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ビデオディスク、コンパクトディスク、光磁
気ディスク等の光ディスク、特に高密度記録の光ディス
クの作製に用いられる光ディスク用スタンバ−の作製方
法に係わる。
〔発明の概要〕
本発明は、光ディスク用スタンバ−の作製方法に係り、
ガラス基体面にカップリング剤処理を行って後フォトレ
ジストを形成し、これに露光、現像処理によって記録情
報に応じた開口を形成して、このフォトレジストをマス
クとしてガラス基体面にエツチングを行ってガラス基体
面に記録情報に応じた凹部を形成し、このガラス基体面
に金属メッキを施し、この金属メッキ層をガラス基体面
から剥離してこれを光ディスクを得るためのスタンパ−
1或いはこのスタンパ−を得るためのメタルマスクとす
るものであって、このようにして高密度記録の光ディス
クを形成するためのスタンパ−を確実に得ることができ
るようにする。
〔従来の技術〕
例えば第4図にその工程図を示すように、ビデオディス
ク、コンパクトディスク、光磁気ディスク等の光ディス
クを得る方法としては、平滑面(1a)を有するガラス
基体(1)のその面(1a)上に、全面的にフォトレジ
スト(2)を塗布し、これに対し記録しようとする情報
に応じたパターン露光をなし、その後現像処理を行って
所要のパターンの開口(3)を穿設する(第4図A)。
次に開口(3)内を含んで全面的にNi等の金属を、こ
の後の電気メッキを行うための無電解メッキ、蒸着スパ
ッタ等によって被着して導電化膜(4)を形成する(第
4図B)。
更にこれの上Niの電気メッキによって金属電気メッキ
層(5)を形成する(第4図C)。
そして、導電化膜(4)と金属電気メッキ層(4)とに
よる金属メッキ層(6)をガラス基体(1)から剥離し
てスタンパ−(7)を作製する(第4図D)。
このようにして得たスタンパ−())によって、例えば
アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂等を成型してスタ
ンパ−(5)の凹凸面が転写された逆パターンの凸凹面
による凹部(8)すなわち情報ピットが形成された光デ
ィスク(9)を得る(第4図E)。
ところが、このようにして得た光ディスク(7)の情報
記録面、すなわちそのスタンパ−(5)の凹凸面が第4
図Cをみて明らかなようにその大部分がレジスト(2)
の面で形成されるものであり、このレジスト(2)の面
は、平滑にすくれているものではないことから、光学的
表面として問題があり、更に、凹部(力の側面がレジス
ト(2)の側面を踏襲する50゜程度傾いた面となるの
で特に高記録密度化に伴って情報ピットのピッチ及び大
きさが小さくなってくるにつれ、その表面性の問題と共
に、その記録、再生特性に問題が生じて来る。
このようにレジスト(2)の表面性の問題を解決するも
のとして、その作製方法の工程図を第5図に示すように
、ガラス基体(1)の平滑面(1a)上に、フォトレジ
スト(12)を全面的に塗布し、これに対し露光、現像
を行って所要のパターンの開口(3)を有するレジスト
(2)を形成する(第5図A)。
このレジスト(2)を、エツチングレジストとして、そ
の開口(3)を通じてガラス基体(1)の面(1a)を
RIE(反応性イオンエツチング)、或いは弗酸による
化学的エツチングによって凹部(8)、すなわち情報ピ
ットを形成する(第5図B)。
レジスト(2)を除去することによって情報ピット(凹
部)(8)を有する光ディスク(9)を形成する(第5
図C)。
しかしながら、実際上このようにガラス基体(1)上に
フォトレジストを塗布して得たレジスト(2)は、ガラ
ス基体(1)との密着性に問題があり、これをマスクと
してガラス基体(1)をエツチングして得た凹部(8)
、すなわち情報ピットの形状寸法の精度を低下させると
いう問題があり、高密度化に問題がある。
更に、このように第5図の工程を経て、1枚づつ光ディ
スク(9)を作製することは、著しく生産性が低い。そ
こで、第5図Cで得たガラス基体(1)をメッキ原盤と
して、これに第4図B−Dで説明したと同様の寸法によ
って金属メッキ層(6)を形成し、これをガラス基体(
1)から剥離して光ディスクを得るためのスタンパ−を
作製するということが考えれらる。しかしながら、実際
上ガラス面にNi等の無電解メッキ、スパッタ等による
導電化膜(4)を形成したり、これの上に電気メッキ層
(5)を形成することはガラス面とNiの密着力が弱い
ことから、そのその無電解メッキ、スパッタリング、電
気メンキ時の応力でこのNi層が剥離してしまって、精
度の低下を来す。
そこで、このNi層の形成に当って、ガラス基体(1)
の表面のNi層の被着面を弗酸等で粗面化するとか、表
面に例えばセラミックを焼付けるなどの方法が採られる
が、このようにして表面性を低下させることは、このN
i金属層を剥離して得たスタンパ−の凹凸面の鏡面性を
阻害し情報記録光学面の特性低下を来す。
〔発明が解決しようとする課題〕
本発明は、高密度光ディスクを確実に得ることのできる
光ディスク用スタンバ−の作製方法を提供する。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は、ガラス基体面をSi、 Ti等の金属原子の
少くとも一方に親水基を有し、他方に親油基を有するカ
ップリング剤により処理する工程と、ガラス基体面にフ
ォトレジストを塗布する工程と、このフォトレジストを
所要のパターンに露光、現像して開口を形成する工程と
、フォトレジストをエツチングレジストとしてその開口
を通じてガラス基体面をエツチングして凹部を形成する
工程と、フォトレジストを除去する工程と、凹部内を含
んでガラス基体面に金属メッキを施す工程と、この金属
メッキをガラス基体面から剥離工程を得て、スタンパ−
またはスタンパ−を得るためのメタルマスクを作製する
また本発明においては、上述したガラス基体面に金属メ
ッキを施す前に、その凹部内を含んでガラス基体面を洗
浄し、上述したと同様のカップリング剤で処理する。
〔作用〕
上述した本発明製法では、ガラス基体に凹部を形成し、
これに金属メッキ層を形成し、これを剥離してスタンパ
−或いはスタンパ−を得るに供するマスターを形成する
ので、このスタンパ−の、情報ピットを形成するための
凹凸面は、すぐれた表面性を有する。
そして、ガラス基体に凹部を形成するためのフォトレジ
ストをカップリング剤処理されたガラス基体面に被着す
るので、すぐれた密着性をもって形成することができ、
これをエツチングレジストとしてガラス基体面にRIE
、或いは化学的エツチングによって形成する。凹部は、
高精度に形成できる。したがってこれをメッキ原盤とし
て形成したスタンパ−1更にこれにより得る光ディスク
を高精度にすぐれた光学的情報面として形成することが
できる。
更に、上述した凹部を形成したガラス基体をメッキ原盤
として、シランカップリング剤処理を施して、金属メッ
キ層を形成することによって、例えばこの金属メッキ層
を無電解メッキ(化学メッキ)による導電化膜とこれの
上に電気メッキを施して形成したときにその応力による
剥離を生ずることがない程度の密着性を得ることかでき
、しかもこの金属メッキ層をガラス基体面から良好に剥
離させることができて高精度のスタンパ−1或いは更に
スタンパ−を得るためのメタルマスターを得ることがで
きた。
〔実施例〕
第1図を参照して本発明の一実施例を説明する。
この例においては、先ず第1図Aに示すように、表面(
lla)を研磨して平滑面としたガラス基体(11)の
表面をカップリング剤処理する。そしてこのガラス基体
(11)上に、膜厚がこれに対する露光波長のλ/4n
(n:屈折率)以上の例えば500人〜1500人の例
えばポジ型の感光性樹脂すなわちポジ型のフォトレジス
ト(12)を塗布する。
第1図Bに示すように、フォトレジスト(12)に対し
例えばレーザー光照射による記録情報に応じたパターン
露光を行い第1図Cに示すように、例えばアセトンによ
る現像を行って開口(13)を形成する。このとき、フ
ォトレジスト(12)の現像後の開口(13)のレーザ
光入射側端面における開ロ輻W1ガラス基体(11)と
の境界部における開口軸W、より大となるようにレーザ
光hνのエネルギー、出力を調節して記録情報に応じて
選択的に露光する。
なお、このときのレーザ光hνは、フォトレジスト層(
12)の表面でスポット径が0.4μイとなるようにし
た。
このようにしてW+ >Wzの断面台形の開口(13)
を形成する。
このときの開口部(13)のガラス基体(11)側にお
ける開口幅W2は、0.4mm以下となった。
次に、開口(13)を有するフォトレジスト(12)を
エツチングマスクとしてガラス基体(11)の面(ll
a)を例えば最終的に得る光ディスクに対する記録再生
に用いる光の波長λのλ/4nの深さにエツチングして
凹部を形成する。
この結果、第1図りに示すように、凹部(14)の開口
幅W、はフォトレジスト(11)の開口(13)の幅W
2に応じた幅として形成される。
次いで、フォトマスクを除去し、洗浄し、再びガラス基
体(11)の凹部(14)内を含んでその表面をカップ
リング剤処理する。
以下、通常の光ディスクの製造技術に準じてマザー、ス
タンパ−等を作製して光ディスクを作製する。
例えば、上述のようにして得た凹部(14)を有するガ
ラス基板(11)をメッキ原盤としこれに対して第1図
已に示すように、例えば触媒であるパラジウムのすず酸
コロイドによる前処理を行って後、例えばNiを無電解
メッキ(化学メッキ)するとか、或いはスパッタリング
して導電化膜厚(15)を形成し、これの上に例えばN
iの電気メッキ(16)を形成して所要の強度を有する
金属メッキ層(17)を形成する。
次に、第1図Fに示すように、メッキ層(17)をガラ
ス基板(11)より剥離してスタンパ−ないしはスタン
パ−を形成するためのメタルマスクを作製する。この剥
離されたスタンパ−或いはメタルマスク(18)には、
基体(11)に形成されたピットすなわち凹部(14)
が転写された凸部(19)が形成される。
次いで、これをメタルマスクとするときは同第1図Fに
示すように、このメタルマスク(18)によってマザー
(20)を転写作製する。
この結果、このマザー(20)には、メタルマスク(1
8)に形成された凸部(19)が転写された凹部(21
)が形成される。
次に、第1図Gに示すように、マザー(20)によって
スタンパ−(22)を作製する。
このスタンパ−(22)には、マザー(20)に形成さ
れた凹部(21)が転写された凸部(23)が形成され
る。
次いで、第1図Hに示すように、スタンパ−(22)を
例えばアクリル樹脂やポリカーボネート樹脂等に押し付
けるとかモールド成型に用いて光デイスク基板(24)
を作製する。
この光デイスク基板(24)には、スタンパ−(22)
に形成された凸部(23)に応じた凹部(25)すなわ
ちピットが形成される。
この光ディスク(24)には第1図Iに示すように、凹
部(ピット)(25)内を含めて例えばアルミニウム等
の反射膜(26)として形成する。
また、第1図Jに示すように、反射膜(26)上に樹脂
等による保護膜層(27)を形成し、高密度光ディスク
を完成する。
上述のスタンパ−の製造方法におけるカップリング剤処
理に用いるカップリング剤は、S1+ TI等の金属原
子の少くとも一方に親水基、他方に親油基を有するすな
わち例えば末端にアミノ基、エポキシ基等を有する例え
ばシランカップリング剤と、チタン系カップリング剤を
用い得る。シランカップリング剤としては、例えばT−
(2−アミノエチル)・アノミプロビル・トリメトキシ
・シラン(NHzChCHJHCHzCI(zcHzs
i(OCH+)z )の例えば■東し・ダウンエンダ・
シリコーン社製、製品名586020Pを用いた。この
ようなカップリング剤、例えばシランカップリング剤に
よる密着性の向上は、・Si (OCHs)が加水分解
して・Si (OH) 3となり、これがガラス表面の
5i−OHと水素結合し、更に加熱によりSi −0−
5iの化学結合となり強固な密着力が得られることに因
る。そしてフォトレジスト(12)との密着力は、残る
疎水基(親油基)のアミノM (NH,−、−NH−)
がレジストと反応することに因る。更に化学メッキ層と
の密着力は、アミノ基の極性により、化学メッキに際し
て行われ前処理の例えばパラジウムのすず酸コロイドと
の間に親和力が生じ、適度な密着力と剥離性が得られる
ものと考えられる。
上述の方法によれば、ガラス基体(11)上に、フォト
レジスト(12)によるエツチングマスクを形成し、そ
の開口(13)を通じてエツチングを行って凹部(14
)を形成するので、第4図Cで説明したレジストによる
凹部に比し側面の傾むきを小さくでき、特に凹部(14
)の形成をRIE等の異方性エツチングによって形成す
れば、より垂直性にすぐれた寸法精度の高い凹部(14
)を形成することができる。
尚、上述した例では、金属メッキ層(17)をメタルマ
スクとして、スタンパ−(22)を作製した場合である
が、金属メッキ層(17)自体をスタンパ−として光デ
ィスクの成型を行うこともできる。
また、上述の本発明作製方法において、第1図りで得た
凹部(14)を形成したガラス基体(11)に対する金
属メッキ層(17)の形成、すなわちスタンパ−ないし
はメタルマスク(18)の作製は同一ガラス基体(11
)に対し数回繰返えし用いることができ、この場合、そ
の都度メッキ処理前に、メッキ原盤としてのガラス基体
(11)を洗浄し、シランカップリング処理する。
更に上述のフォトレジスト(12)に対するレーザー光
によるパターン露光について説明する。
通常、レーザ光hνをガラス基体(11)上のフォトレ
ジスト層(12)に集光させて照射すると、レーザ光h
νは第2図Aに示すような分布となり、またこのときの
レーザ光hνの強度分布は、同図中−点鎖線aで示す分
布となる。このような条件で現像可能な状態に露光され
る領域は、同図中破線すで囲まれる領域、すなわちレー
ザ光hνの強度分布に応した形となる。
従って、これを現像すると、第2図Bに示すように、露
光された部分に形成される開口(13)は、レーザ光入
射側端面における開口幅W、がガラス基体(工1)との
境界部における開口幅W!より大となされ、断面形状が
いわゆる台形状となる。
そこで、このような強度分布特性を有するレーザ光の出
力を変化させれば、この出力に応じた露光を行うことか
できる。
すなわち、第3図Aに示すように、ガラス基体(11)
上に形成されたフォトレジスト(12)に図中左から右
に行くに従い次第に出力が小さくなるようにレーザ光h
v、、hνz l  hv3.hv、のスポット径は、
いずれもレジスト(12)の表面で0.4μmとなるよ
うにする。
次いで、露光されたレジスト層(12)を現像すると第
3図Bに示すように、一番強い出力で露光された部分に
形成される開口(13a)は、レーザ光hν1の入射側
の端面における開口幅W0がガラス基体(11)との境
界部における開口幅W、2と略同じ幅(0,4μm)と
なる。一方、レーザ光hν2゜hv3の出力を次第に弱
くして露光して形成した開口(13b) 、 (13c
)においては、レーザ光hv、。
hv3の入射側の端面における開口幅W b、、W、。
がガラス基体(11)との境界部における開口幅Wh2
゜Wc2に対して小さくなる。例えば、レーザ光hν2
゜hv3の入射側の端面における開口幅W、、、Wc。
が0.4μmであるのに対して、ガラス基一体(11)
との境界部における開口幅Wbt、 Wc2がそれぞれ
0.2μm、 0.1μmとなる。一方、一番弱い出力
で露光した部分に形成される開口(13d)は、レーザ
光hν4による現像可能な状態の露光領域がガラス基体
(11)まで到達しないため、レーザ光hν4の入射側
の端面における開口幅W41は0.4μmとなるものの
、ガラス基体(11)上には開口されない。
このようにレーザ光のスポット径をレジスト層表面で一
定にしても、このレーザ光の出力によって形成される開
口部の形状が異なったものとなる特性を利用することに
よってフォトレジスト(12)に対するレーザ光の出力
の選定によって、第1図Cの開口(13)のガラス基体
(11)側の開口幅 W2の選定、すなわち、光ディス
クの微小ピット、つまり、高密度記録の光ディスクを得
ることができることになる。
〔発明の効果〕
上述したように本発明によれば、第1図りに示す凹部(
14)を有するガラス基体(11)をメッキ原盤として
、金属メッキ(17)を形成するものであることから最
終的に得る光ディスクは、この表面性にすぐれたガラス
面による凹凸を踏襲した表面性を有するものであって冒
頭に述べたようなフォトレジスト面によらないことから
、光学的にすぐれた情報ビットを形成することができる
また、第1図りで示した凹部(14)を有するメッキ原
盤としてのガラス基体(11)に対し、シランカップリ
ング剤等のカップリング剤処理の適用によってガラス基
体(11)に対し良好な密着性をもって、しかも金属メ
ッキ層(エフ)の形成後は適度の剥離性をもってこれを
剥離でき、このガラス基板は繰返えし利用して複数のス
タンパ−を得ることができるので、高精度のスタンパ−
を量産的に作製することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による光ディスク用スタンパ−の作製方
法の一例の工程図、第2図及び第3図はフォトレジスト
への露光と開口との関係の説明図、第4図及び第5図は
それぞれ従来方法の工程図である。 (11)はガラス基体、(12)はフォトレジスト、(
17)は金属メッキ層である。 1尤し一す゛光と開口との関係の銑斬111第3図 水発岨方法の1郡図 第1図(での1) 第1図(ぞの2) フォトレジ゛ストへ11’)開口輪の言えジ■乃第2図 名1来の光テlズク用ズタンパーの葎!!!!去弘のエ
ネ駈記第4図 第5図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、ガラス基体面を金属原子の少くとも一方に親水基を
    有し、他方に親油基を有するカップリング剤によって処
    理する工程と、 上記ガラス基体面にフォトレジストを塗布する工程と、 このフォトレジストを所要のパターンに露光、現像して
    開口を形成する工程と、 上記フォトレジストをエッチングレジストとして上記開
    口を通じて上記ガラス基体面をエッチングして凹部を形
    成する工程と、 上記フォトレジストを除去する工程と、 上記凹部内を含んで上記ガラス基体面に金属メッキを施
    す工程と、 この金属メッキを上記ガラス基体面から剥離する工程と
    、 を有することを特徴とする光ディスク用スタンパーの作
    製方法。 2、請求項1に於て上記ガラス基体面に金属メッキを施
    す前に、上記凹部内を含んで上記ガラス基体面を洗浄し
    、金属原子の少くとも一方に親水基を有し、他方に親油
    基を有するカップリング剤によって処理する ことを特徴とする光ディスク用スタンパーの作製方法。
JP31480190A 1990-11-20 1990-11-20 光ディスク用スタンパーの作製方法 Pending JPH04184727A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0694916A2 (en) 1994-07-27 1996-01-31 Sony Corporation Method of fabricating stamper

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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EP0694916A2 (en) 1994-07-27 1996-01-31 Sony Corporation Method of fabricating stamper

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