JPH04179313A - 多値論理入力回路 - Google Patents
多値論理入力回路Info
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- JPH04179313A JPH04179313A JP2307692A JP30769290A JPH04179313A JP H04179313 A JPH04179313 A JP H04179313A JP 2307692 A JP2307692 A JP 2307692A JP 30769290 A JP30769290 A JP 30769290A JP H04179313 A JPH04179313 A JP H04179313A
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- Japan
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- input
- current
- current mirror
- circuit
- transistor
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03M—CODING; DECODING; CODE CONVERSION IN GENERAL
- H03M5/00—Conversion of the form of the representation of individual digits
- H03M5/02—Conversion to or from representation by pulses
- H03M5/20—Conversion to or from representation by pulses the pulses having more than three levels
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Manipulation Of Pulses (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は多値論理のデジタル値を入力とし、二値論理の
デジタル値を出力する論理回路に関する。
デジタル値を出力する論理回路に関する。
LSIのピン数の制限から、より多くの状態を入力する
ために、入力部のみ多値論理とすることがしばしば用い
られている。たとえば低レベル(L)、および高レベル
(H)のほかに中間レベル(M)をもつ3値入力ピンを
2ピン用意すると3×3=9通りの入力組合せに対応で
き、通常の2値を用いた2X2=4通りの2倍以上の入
力組合せに対応できる。
ために、入力部のみ多値論理とすることがしばしば用い
られている。たとえば低レベル(L)、および高レベル
(H)のほかに中間レベル(M)をもつ3値入力ピンを
2ピン用意すると3×3=9通りの入力組合せに対応で
き、通常の2値を用いた2X2=4通りの2倍以上の入
力組合せに対応できる。
第3図(a)に示すように、従来はしきい値の異ナルコ
ンパレータ1及びコンパレータ2によって、入力vIと
各々のしきい値V、、V2を比較し、結果を2値論理と
してV。l+v02に出力する。その真理値表を同図(
b)に示す。
ンパレータ1及びコンパレータ2によって、入力vIと
各々のしきい値V、、V2を比較し、結果を2値論理と
してV。l+v02に出力する。その真理値表を同図(
b)に示す。
ここで、コンパレータ1及び2としては差動増幅器を用
いたり、あるいはしきい値を異ならしめたインバータを
用いたりすることが多い。また、入力は接地(L)、開
放(M)、電源へ接続(H)の3通りでできるようにす
るため、抵抗R,R2によって中間電位(M)に相当す
るバイアスをかけている。
いたり、あるいはしきい値を異ならしめたインバータを
用いたりすることが多い。また、入力は接地(L)、開
放(M)、電源へ接続(H)の3通りでできるようにす
るため、抵抗R,R2によって中間電位(M)に相当す
るバイアスをかけている。
一般的に、差動増幅を用いたコンパレータの場合にはコ
ンパレータに常に定電流を印加しておく必要があり、そ
の分消費電力か必要であるとともに、負荷回路や出力タ
イナミ、クレンシ確保のために回路が複雑になるという
欠点があった。
ンパレータに常に定電流を印加しておく必要があり、そ
の分消費電力か必要であるとともに、負荷回路や出力タ
イナミ、クレンシ確保のために回路が複雑になるという
欠点があった。
またしきい値の異なるインバータを用いる場合には、C
MOSインバータでは入力が低レベル(L) 又は高レ
ベル(H)の場合には電力の消費はないものの、中間レ
ベル(M)の場合にはいわゆる貫通電流としてインバー
タを構成するNチャネルトランジスタとPチャネルトラ
ンジスタの両方が同時ンこオンして大きな電源電流が流
れてしまうという欠点があった。
MOSインバータでは入力が低レベル(L) 又は高レ
ベル(H)の場合には電力の消費はないものの、中間レ
ベル(M)の場合にはいわゆる貫通電流としてインバー
タを構成するNチャネルトランジスタとPチャネルトラ
ンジスタの両方が同時ンこオンして大きな電源電流が流
れてしまうという欠点があった。
本発明は従来より簡単な構成と少ない電力で多値入力回
路を実現することを目的としている。
路を実現することを目的としている。
本発明による多値論理入力回路は二つのカレントミラー
回路を利用して多値の論理入力を可能としたものである
。
回路を利用して多値の論理入力を可能としたものである
。
次に本発明による多値論理入力回路の第一の実施例を第
1図に示す。第3図と同じものには同じ番号を付してい
る。入力端子v1は抵抗Rt 、 R2を介してそれぞ
れカレントミラー回路の入力段を構成するQl、Q2に
接続されており、入力端子v1が開放時には電源■。0
からトランジスタQ1゜i抗R1,抵抗R2、及びトラ
ンジスタQ2のルートでバイアス電流が流れている。
1図に示す。第3図と同じものには同じ番号を付してい
る。入力端子v1は抵抗Rt 、 R2を介してそれぞ
れカレントミラー回路の入力段を構成するQl、Q2に
接続されており、入力端子v1が開放時には電源■。0
からトランジスタQ1゜i抗R1,抵抗R2、及びトラ
ンジスタQ2のルートでバイアス電流が流れている。
カレントミラー回路の電流比(あるいはトランジスタサ
イズ比、あるいはgm比)をたとえばQ、:Ql:Q5
=1 : 1 : 2゜Q2:Q、:Q、=1 : 2
: 1とする。入力端子V1開放時には、Q、とQ4
ではQ4の電流すいこみ能力がQlより大きいので、Q
、は三極管領域でQlと同じ電流を流し出し、Q4は三
極管領域に入ってQlと等しい電流で小さなドレインソ
ース間電圧の状態になり、したがってV。2は低レベル
(L)となる。同様にvolは高レベル(H)となる。
イズ比、あるいはgm比)をたとえばQ、:Ql:Q5
=1 : 1 : 2゜Q2:Q、:Q、=1 : 2
: 1とする。入力端子V1開放時には、Q、とQ4
ではQ4の電流すいこみ能力がQlより大きいので、Q
、は三極管領域でQlと同じ電流を流し出し、Q4は三
極管領域に入ってQlと等しい電流で小さなドレインソ
ース間電圧の状態になり、したがってV。2は低レベル
(L)となる。同様にvolは高レベル(H)となる。
ここで消費電流は
で与えられる。ここでV。51 + VO5□はそれぞ
れトランジスタQ + 、 Q 2のケートソース間電
圧であり、概略各々1v程度である。
れトランジスタQ + 、 Q 2のケートソース間電
圧であり、概略各々1v程度である。
次に入力端子■1を低電位(L)もしくは接地した場合
を考えると、カレントミラー回路Q2゜Q、、Q6に流
れる電流はほとんど0となる。−方、トランジスタQ1
には Vcc l Vos+ 1 t で与えられる電流(これは前述の入力端子■工を開放し
たときの概略2倍である)が流れ、トランジスタQ s
、 Q sをオンにするものの、前記のとおりトラン
ジスタQ 4 、 Q sには電流が流れないためにト
ランジスタQ3.Q、も電流は流れず出力v01゜vo
2はともに高レベル(H)となる。
を考えると、カレントミラー回路Q2゜Q、、Q6に流
れる電流はほとんど0となる。−方、トランジスタQ1
には Vcc l Vos+ 1 t で与えられる電流(これは前述の入力端子■工を開放し
たときの概略2倍である)が流れ、トランジスタQ s
、 Q sをオンにするものの、前記のとおりトラン
ジスタQ 4 、 Q sには電流が流れないためにト
ランジスタQ3.Q、も電流は流れず出力v01゜vo
2はともに高レベル(H)となる。
P[に入力V1が高レベル(H)のときについて考えれ
ば、トランジスタQl、Q3.Q5がオフとなり、トラ
ンジスタQ2.Q<、Qaがオンし、出力V01 r
V O2はともに低レベル(L)となる。また消費電流
は V CCV Q S 2 で与えられる。
ば、トランジスタQl、Q3.Q5がオフとなり、トラ
ンジスタQ2.Q<、Qaがオンし、出力V01 r
V O2はともに低レベル(L)となる。また消費電流
は V CCV Q S 2 で与えられる。
上述の各場合において、抵抗1又は2に流れる電流分(
これは第 図の従来例でも流れている)を除くと、入力
V1が低レベル(L)や高レベル(H)のときはOとな
り、入力vIが中間レベル(M)のときにはその3倍程
度(低レベルや高しさルで抵抗に流れる電流の3/2倍
程度)である。
これは第 図の従来例でも流れている)を除くと、入力
V1が低レベル(L)や高レベル(H)のときはOとな
り、入力vIが中間レベル(M)のときにはその3倍程
度(低レベルや高しさルで抵抗に流れる電流の3/2倍
程度)である。
この値はCMOSインバータの貫通電流に比べ十分低い
値である。
値である。
第2図は第1図の回路のNチャネルMO3)ランジスタ
をNPN)ランジスタに、PチャネルMO8)ランジス
タをPNP )ランジスタにおきかえたものであり、基
本的に第1図と同様の動作を行う。
をNPN)ランジスタに、PチャネルMO8)ランジス
タをPNP )ランジスタにおきかえたものであり、基
本的に第1図と同様の動作を行う。
ここでQ 3 、 Q sあるいはQ 4. Q eは
それぞれ同時に飽和(三極管領域)に入ることがあるの
で、電流ホッギングの影響をやわらげるため各々のベー
スに抵抗を入れておくほうがよい。
それぞれ同時に飽和(三極管領域)に入ることがあるの
で、電流ホッギングの影響をやわらげるため各々のベー
スに抵抗を入れておくほうがよい。
第3図は5値入力の例であり、第1図のPチャネル型、
Nチャネル型各々のカレントミラー回路の出力の本数を
ふやして相互に接続して出力を引きだしたものである。
Nチャネル型各々のカレントミラー回路の出力の本数を
ふやして相互に接続して出力を引きだしたものである。
ここで電流比を、たとえば
Q、:Q、:Q5:Qア:Q、=1:1/2:1:2:
5Qz:Q4:Qs:Qa:Q+o=1 : 5 :
2 : 1 : 1/2とする。
5Qz:Q4:Qs:Qa:Q+o=1 : 5 :
2 : 1 : 1/2とする。
ここで入力が低レベル(L)のときは前述のとおりでト
ランジスタQ2.Q4.Q6.Qs、Q+oすべてがオ
フとなり、したがって出力■。l + VO2+vo8
.■。4すべてが高レベル(H)となる。同様に入力■
1が高レベル(H)のときは出力V。1゜VO2,V。
ランジスタQ2.Q4.Q6.Qs、Q+oすべてがオ
フとなり、したがって出力■。l + VO2+vo8
.■。4すべてが高レベル(H)となる。同様に入力■
1が高レベル(H)のときは出力V。1゜VO2,V。
3.■。4はすべて低レベル(L)となる。
また入力が開放のときは出力V0..V、2は高レベル
(H)、出力V 03 、 V 04 ハ低レベル(L
)となることが容易に導びける。
(H)、出力V 03 、 V 04 ハ低レベル(L
)となることが容易に導びける。
次に入力V+が開放時の電圧(ふつうはV。0/2近く
に選ぶ)よりやや低く、それでいてQ 2 。
に選ぶ)よりやや低く、それでいてQ 2 。
Q 4 、 Q s 、 Q toがオフには至らない
電圧にバイアスされた場合、トランジスタQ6.Qs、
Q+oの電流すいこみ能力はあきらかにそれぞれトラン
ジスタQs、Q7.Q9の電流はきだし能力より小さい
ため、これらの出力■。l、 VOI、 V。、は高レ
ベル(H)になる。またトランジスタQ2の電流は少な
いながら流れているのでトランジスタQ4の電流すいこ
み能力はQ2の電流の5倍まで可能であるので、この値
がトランジスタQ3の電流はき出し能力より大きい間は
出力V04を低レベル(L)にすることができる。すな
わち「やや低い」という入力レベルがデコードできる。
電圧にバイアスされた場合、トランジスタQ6.Qs、
Q+oの電流すいこみ能力はあきらかにそれぞれトラン
ジスタQs、Q7.Q9の電流はきだし能力より小さい
ため、これらの出力■。l、 VOI、 V。、は高レ
ベル(H)になる。またトランジスタQ2の電流は少な
いながら流れているのでトランジスタQ4の電流すいこ
み能力はQ2の電流の5倍まで可能であるので、この値
がトランジスタQ3の電流はき出し能力より大きい間は
出力V04を低レベル(L)にすることができる。すな
わち「やや低い」という入力レベルがデコードできる。
同様に「やや高い」という入力レベルがトランジスタQ
e 、 Q 1゜により出力VOIにデコードするこ
とができる。これにより入力■1は低レベル(GND)
、やや低い、中間(開放)、やや高い。
e 、 Q 1゜により出力VOIにデコードするこ
とができる。これにより入力■1は低レベル(GND)
、やや低い、中間(開放)、やや高い。
高レベル(■cc)の5値に対応できる。
以上のべたように本発明によれば(従来のバイアス回路
分を除いて考えれば)、わずか6トランジスタで3値入
力回路を実現でき、その消費電流モ低レベル(L)や高
レベル(H)ではOであり、中間値では前記バイアス回
路分のオーダで済みインバータを用いた従来例のような
大きな貫通電流が流れることはない。
分を除いて考えれば)、わずか6トランジスタで3値入
力回路を実現でき、その消費電流モ低レベル(L)や高
レベル(H)ではOであり、中間値では前記バイアス回
路分のオーダで済みインバータを用いた従来例のような
大きな貫通電流が流れることはない。
また、差動増幅器を用いた従来例のように低レベル(L
)や高レベル(H)入力時でも差動回路にバイアス電流
を流しておく必要がないため低消費電力である。
)や高レベル(H)入力時でも差動回路にバイアス電流
を流しておく必要がないため低消費電力である。
第1図〜第3図は本発明を実施した多値論理入力回路の
例であり、第4図(a)は従来の多値論理入力回路の例
であり同図(b)はその真理値表である。 ■1・・・・・・入力端子、VOI r VO2r v
Ol * VO4”’ ”’出力端子、Q1〜Q1゜・
・・・・・トランジスタ、R1,R2・・・・・・抵抗
。 代理人 弁理士 内 原 音 茅 l 閃 箒 2 m
例であり、第4図(a)は従来の多値論理入力回路の例
であり同図(b)はその真理値表である。 ■1・・・・・・入力端子、VOI r VO2r v
Ol * VO4”’ ”’出力端子、Q1〜Q1゜・
・・・・・トランジスタ、R1,R2・・・・・・抵抗
。 代理人 弁理士 内 原 音 茅 l 閃 箒 2 m
Claims (1)
- 入力端子に接続された第1及び第2の抵抗と、かかる第
1の抵抗の他端に入力が接続されかつ複数個の出力を備
える第1極性のカレントミラー回路と、前記第2の抵抗
の他端に入力が接続されかつ複数個の出力を備える第2
極性のカレントミラー回路を有し、これらの両極性のカ
レントミラー回路の出力を相互に接続して、複数個の出
力端子へ導出する構成であって前記カレントミラー回路
の出力のうち少くとも1本は他と異なる電流比であるこ
とを特徴とする多値論理入力回路。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2307692A JPH04179313A (ja) | 1990-11-14 | 1990-11-14 | 多値論理入力回路 |
US07/791,243 US5194766A (en) | 1990-11-14 | 1991-11-13 | Multi-level logic input circuit |
EP91119392A EP0486010B1 (en) | 1990-11-14 | 1991-11-13 | Multi-level logic input circuit |
DE69124925T DE69124925T2 (de) | 1990-11-14 | 1991-11-13 | Mehrfachpegellogische Eingangsschaltung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2307692A JPH04179313A (ja) | 1990-11-14 | 1990-11-14 | 多値論理入力回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04179313A true JPH04179313A (ja) | 1992-06-26 |
Family
ID=17972077
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2307692A Pending JPH04179313A (ja) | 1990-11-14 | 1990-11-14 | 多値論理入力回路 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5194766A (ja) |
EP (1) | EP0486010B1 (ja) |
JP (1) | JPH04179313A (ja) |
DE (1) | DE69124925T2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US5789940A (en) * | 1995-04-18 | 1998-08-04 | Texas Instruments Incorporated | Reduced complexity multiple resonant tunneling circuits for positive digit multivalued logic operations |
Families Citing this family (12)
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JP2689871B2 (ja) * | 1993-11-10 | 1997-12-10 | 日本電気株式会社 | 3値入力バッファ回路 |
US5598110A (en) * | 1994-11-01 | 1997-01-28 | Acer Incorporated | Detector circuit for use with tri-state logic devices |
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-
1990
- 1990-11-14 JP JP2307692A patent/JPH04179313A/ja active Pending
-
1991
- 1991-11-13 DE DE69124925T patent/DE69124925T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-11-13 US US07/791,243 patent/US5194766A/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-11-13 EP EP91119392A patent/EP0486010B1/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
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Also Published As
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EP0486010A2 (en) | 1992-05-20 |
EP0486010A3 (en) | 1994-05-25 |
US5194766A (en) | 1993-03-16 |
DE69124925T2 (de) | 1997-09-18 |
DE69124925D1 (de) | 1997-04-10 |
EP0486010B1 (en) | 1997-03-05 |
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