JPH04179298A - 混成集積回路装置 - Google Patents
混成集積回路装置Info
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- JPH04179298A JPH04179298A JP30767790A JP30767790A JPH04179298A JP H04179298 A JPH04179298 A JP H04179298A JP 30767790 A JP30767790 A JP 30767790A JP 30767790 A JP30767790 A JP 30767790A JP H04179298 A JPH04179298 A JP H04179298A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000008188 pellet Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000002470 thermal conductor Substances 0.000 claims description 5
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 8
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 8
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 abstract 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000013464 silicone adhesive Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業−にの利用分野１
本発明は混成集積回路装置に関し、特に消費電力め大き
いパワー混成集積回路装置に関する。
いパワー混成集積回路装置に関する。
従来からパワー混成集積回路装置としては、種々の構造
がとられている。いずれの場合も半導体ペレットからの
発熱をいかに効率良く外部へ放熱させるかという点で二
Ｉ−夫がなされている。放熱の方法としては、セラミッ
ク配線基板ヒに半導体ペレッ１へを実装する方法、第３
図に示すように、金属コアの絶縁基板３１上、に半導体
ベレ・７１〜３２を導電性接着剤３４て接着する方法等
、主に熱放散性の良好な配線基板を使用することにより
放熱性を高めている。
がとられている。いずれの場合も半導体ペレットからの
発熱をいかに効率良く外部へ放熱させるかという点で二
Ｉ−夫がなされている。放熱の方法としては、セラミッ
ク配線基板ヒに半導体ペレッ１へを実装する方法、第３
図に示すように、金属コアの絶縁基板３１上、に半導体
ベレ・７１〜３２を導電性接着剤３４て接着する方法等
、主に熱放散性の良好な配線基板を使用することにより
放熱性を高めている。
一方で近年半導体素子の高集積化、多機能化に伴い、半
導体素子の多ピン化が進展しているなめ、それを使用す
る混成集積回路装置の配線基板についても高集積化、フ
ァインパターン化が要求されてきている。
導体素子の多ピン化が進展しているなめ、それを使用す
る混成集積回路装置の配線基板についても高集積化、フ
ァインパターン化が要求されてきている。
配線パターンルールとして金属コア基板はパターンピッ
チか６００〜８００μｍであり、厚膜印刷によるセラミ
ック基板ては、４００〜，６００ ）、ｔｍである。こ
れに対して、熱導電性は非常に劣るガラスエポキシ等の
有機系のプリンＩ・基板ては、２００μｍピッチの配線
パターンが可能であり高集積化に適している。
チか６００〜８００μｍであり、厚膜印刷によるセラミ
ック基板ては、４００〜，６００ ）、ｔｍである。こ
れに対して、熱導電性は非常に劣るガラスエポキシ等の
有機系のプリンＩ・基板ては、２００μｍピッチの配線
パターンが可能であり高集積化に適している。
上述した様に、パワー混成集積回路装置でかつ高集積化
に適する基板がない為、両者を要求されるパワー混成集
積回路装置の実現は困難であった。
に適する基板がない為、両者を要求されるパワー混成集
積回路装置の実現は困難であった。
本発明の混成集積回路装置はプリント基板のベレット搭
載位置に穴を設け、熱の良導体、例えばＡ（等の金属片
を穴にかん合させ、プリント基板の半導体ベレットを実
装しない面（裏面）は金属片とプリント基板が同一基板
上に位置するようにし、かつ、このプリント基板裏面に
熱の良導体を取付けている。
載位置に穴を設け、熱の良導体、例えばＡ（等の金属片
を穴にかん合させ、プリント基板の半導体ベレットを実
装しない面（裏面）は金属片とプリント基板が同一基板
上に位置するようにし、かつ、このプリント基板裏面に
熱の良導体を取付けている。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の混成集積回路装置の断面図である。プ
リント基板１１は半導体のベレット１２の実装位置に角
穴を設けＡ（片から成るヒートシンク１３がはめ込まれ
ている。ヒートシンク］３は角穴の内寸法（Ｌとする）
より０．０５ｍｍ程度小さく設定されている。取付けは
、シリコーン系の接着剤を使用し、脱落防Ｉトのためし
−１〜シンク１３の上部は厚さ０．２〜０．５ｍｍのつ
ばを設けている。プリント基板１１とヒートシンク１３
の下面は同一平面上に設定され、大型のＡｐ板よりなる
、ヒートシンク１６をプリント基板裏面に取付け、接着
面の熱抵抗の増大を防止している。
リント基板１１は半導体のベレット１２の実装位置に角
穴を設けＡ（片から成るヒートシンク１３がはめ込まれ
ている。ヒートシンク］３は角穴の内寸法（Ｌとする）
より０．０５ｍｍ程度小さく設定されている。取付けは
、シリコーン系の接着剤を使用し、脱落防Ｉトのためし
−１〜シンク１３の上部は厚さ０．２〜０．５ｍｍのつ
ばを設けている。プリント基板１１とヒートシンク１３
の下面は同一平面上に設定され、大型のＡｐ板よりなる
、ヒートシンク１６をプリント基板裏面に取付け、接着
面の熱抵抗の増大を防止している。
ヒートシンク１３の上には導電接着剤１４により半導体
ペレット１２が実装され、ワイヤ１５によりプリント基
板上の配線に電気的に接続されている。
ペレット１２が実装され、ワイヤ１５によりプリント基
板上の配線に電気的に接続されている。
第２図は、他の実施例の断面図を示す。
この実施例は、ヒートシンク２３につばが設けられてい
ない点を除いては先の実施例と同じ構成である。ヒート
シンク２３には、脱落防止のつばが設けられていないの
でヒートシンク２６にプリント基板２１を接着する時に
同時にヒートシンク２３を接着するか、又はプリント基
板２１をヒートシンク６に接着した後でヒートシンク２
３を接着している。さらに、ヒートシンク２３の上に半
導体ペレット２２を導電接着剤２４で接着し、ワイヤ２
５にて電気的接続を行っている。
ない点を除いては先の実施例と同じ構成である。ヒート
シンク２３には、脱落防止のつばが設けられていないの
でヒートシンク２６にプリント基板２１を接着する時に
同時にヒートシンク２３を接着するか、又はプリント基
板２１をヒートシンク６に接着した後でヒートシンク２
３を接着している。さらに、ヒートシンク２３の上に半
導体ペレット２２を導電接着剤２４で接着し、ワイヤ２
５にて電気的接続を行っている。
以上説明したように、本発明は、２００μｍピッチの配
線パターンが可能なガラスエポキシ等の熱伝導性の低い
有機基板を使用し、かつ発熱量の多い半導体ペレットは
Ａ、ｆｆ等のヒートシンクをはめ込んだ部分に実装し、
全体をさらにＡβ等のヒートシンクに接着することによ
り高集積度で消費電力の大きい混成集積回路装置を実現
することができる。熱抵抗は、１０℃／Ｗ以下が容易に
実現できる。
線パターンが可能なガラスエポキシ等の熱伝導性の低い
有機基板を使用し、かつ発熱量の多い半導体ペレットは
Ａ、ｆｆ等のヒートシンクをはめ込んだ部分に実装し、
全体をさらにＡβ等のヒートシンクに接着することによ
り高集積度で消費電力の大きい混成集積回路装置を実現
することができる。熱抵抗は、１０℃／Ｗ以下が容易に
実現できる。
また、ペレット搭載部にヒートシンクをうめこんである
ため導電性接着剤がスクリーン印刷で供給でき、ディス
ペンス等のより複雑な手法をとる必要がない利点がある
。
ため導電性接着剤がスクリーン印刷で供給でき、ディス
ペンス等のより複雑な手法をとる必要がない利点がある
。
さらに、プリント基板の下面がヒートシンクと同一平面
としであるため、プリント基板裏面にヒ−Ｉ〜シンクを
接着する場合８熱抵抗の増大が防止されている。
としであるため、プリント基板裏面にヒ−Ｉ〜シンクを
接着する場合８熱抵抗の増大が防止されている。
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は第２の実
施例、第３図は従来例の断面図である。 １１．２１・・・プリント基板、１２，２２．３２・・
・半導体ペレット、１３，１６，２３．２６・・・ヒー
トシンク、１４，２４．３４・・・導電接着剤、１５．
２５・・・ワイヤ、３１・・・金属コア基板。
施例、第３図は従来例の断面図である。 １１．２１・・・プリント基板、１２，２２．３２・・
・半導体ペレット、１３，１６，２３．２６・・・ヒー
トシンク、１４，２４．３４・・・導電接着剤、１５．
２５・・・ワイヤ、３１・・・金属コア基板。
Claims (1)
- 半導体ペレットをガラスエポキシ等の有機材料で成る
プリント基板に実装した混成集積回路装置において、半
導体ペレット搭載位置に穴を設け、熱の良導体をこの穴
にかん合させ、少なくとも半導体ペレットを実装しない
面はプリント基板面と前記熱の良導体とが、同一平面上
となるようにし、さらにプリント基板裏面全体に熱の良
導体を取付けたことを特徴とする混成集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30767790A JPH04179298A (ja) | 1990-11-14 | 1990-11-14 | 混成集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30767790A JPH04179298A (ja) | 1990-11-14 | 1990-11-14 | 混成集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04179298A true JPH04179298A (ja) | 1992-06-25 |
Family
ID=17971912
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30767790A Pending JPH04179298A (ja) | 1990-11-14 | 1990-11-14 | 混成集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04179298A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5461201A (en) * | 1993-01-22 | 1995-10-24 | Siemens Aktiengesellschaft | Insulating part with integral cooling element |
| US5550326A (en) * | 1994-07-13 | 1996-08-27 | Parker-Hannifin Corporation | Heat dissipator for electronic components |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4929456A (ja) * | 1972-07-18 | 1974-03-15 |
-
1990
- 1990-11-14 JP JP30767790A patent/JPH04179298A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4929456A (ja) * | 1972-07-18 | 1974-03-15 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5461201A (en) * | 1993-01-22 | 1995-10-24 | Siemens Aktiengesellschaft | Insulating part with integral cooling element |
| US5550326A (en) * | 1994-07-13 | 1996-08-27 | Parker-Hannifin Corporation | Heat dissipator for electronic components |
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