JPH04171170A - ウエハー研磨方法とこれに用いるトップリング - Google Patents
ウエハー研磨方法とこれに用いるトップリングInfo
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- JPH04171170A JPH04171170A JP2299640A JP29964090A JPH04171170A JP H04171170 A JPH04171170 A JP H04171170A JP 2299640 A JP2299640 A JP 2299640A JP 29964090 A JP29964090 A JP 29964090A JP H04171170 A JPH04171170 A JP H04171170A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title description 6
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
- B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B41/00—Component parts such as frames, beds, carriages, headstocks
- B24B41/06—Work supports, e.g. adjustable steadies
- B24B41/061—Work supports, e.g. adjustable steadies axially supporting turning workpieces, e.g. magnetically, pneumatically
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、シリコン半導体等のウェハーの研磨方法およ
びこれに用いるウェハー研磨装置用トップリングに関す
るものである。
びこれに用いるウェハー研磨装置用トップリングに関す
るものである。
［従来の技術］
従来シリコン半導体等のウェハーを鏡面研磨する場合に
は、第２図に示すような研磨装置が実用されている。
は、第２図に示すような研磨装置が実用されている。
すなわちウェハー１をプレート２の１面に貼り付け、ウ
ェハー１を下にして研磨定盤１上に載置し、プレート１
の上面をトップリング生の逆皿状ヘッド５で押圧し、研
磨定盤主とトップリング生を回転してウェハー１を研磨
する。ウェハー１に対する押圧力はヘッド５上に置かれ
、ヘッドと共に回転するリング状ウェイト６の量を加減
して調節する。
ェハー１を下にして研磨定盤１上に載置し、プレート１
の上面をトップリング生の逆皿状ヘッド５で押圧し、研
磨定盤主とトップリング生を回転してウェハー１を研磨
する。ウェハー１に対する押圧力はヘッド５上に置かれ
、ヘッドと共に回転するリング状ウェイト６の量を加減
して調節する。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながらかかる装置では、ウェハー１を貼り付けた
プレート２とヘッド５は一体となって回転しているので
、ヘッド５の抑圧のバランスが少しでも狂っていると、
このアンバランスは終始同じ状態で各ウェハーに影響し
、ウェハー１は貼り付は場所によって強く押圧されたり
弱く押圧されたりして、不均一に研磨され品質の低下を
きたすという不利があった・ ［課題を解決するための手段］ 本発明者は、かへる不利を解決するため検討を重ねた結
果本発明を完成したのであって、これは。
プレート２とヘッド５は一体となって回転しているので
、ヘッド５の抑圧のバランスが少しでも狂っていると、
このアンバランスは終始同じ状態で各ウェハーに影響し
、ウェハー１は貼り付は場所によって強く押圧されたり
弱く押圧されたりして、不均一に研磨され品質の低下を
きたすという不利があった・ ［課題を解決するための手段］ 本発明者は、かへる不利を解決するため検討を重ねた結
果本発明を完成したのであって、これは。
プレートに貼り付けたウェハーを、ウェイトを載置して
回転するトップリングにより研磨定盤に押圧して研磨す
る方法において、該ウェイトの回転を阻止状態におくこ
とを特徴とするウェハー研磨方法と、プレートに貼り付
けたウェハーを、ウェイトを載置して回転するトップリ
ングにより研磨定盤に押圧して研磨するウェハー研磨装
置において、該ウェイトに回転阻止手段を設けてなるこ
とを特徴とするウェハー研磨装置用トップリングである
。
回転するトップリングにより研磨定盤に押圧して研磨す
る方法において、該ウェイトの回転を阻止状態におくこ
とを特徴とするウェハー研磨方法と、プレートに貼り付
けたウェハーを、ウェイトを載置して回転するトップリ
ングにより研磨定盤に押圧して研磨するウェハー研磨装
置において、該ウェイトに回転阻止手段を設けてなるこ
とを特徴とするウェハー研磨装置用トップリングである
。
かかる本発明の装置における回転阻止手段によりウェイ
トの回転を止めた結果、各ウェハーはウェイトに対し無
関係に移動し、その移動軌跡はウェイトの抑圧面の各部
を通過するので、押圧力がバランスしていなくてもウェ
ハーは均一に押圧され、高精度の研磨が行われる。
トの回転を止めた結果、各ウェハーはウェイトに対し無
関係に移動し、その移動軌跡はウェイトの抑圧面の各部
を通過するので、押圧力がバランスしていなくてもウェ
ハーは均一に押圧され、高精度の研磨が行われる。
以下図面によって本発明をさらに詳細に説明する。
第１図は本発明の方法を実施する装置を示すもので、研
磨定盤且は水平に回転するターンテーブル７と、この上
に接看されたクロス８よりなり、その外周部に上から回
転自在のトップリング土が垂下している。トップリング
の下部には逆皿状のヘッド５を備え、その周縁に可撓性
薄膜９を取付け、ヘッドと薄膜で形成された密閉空間に
流体供給管１０から流体を圧入する。つぎに−面にウェ
ハー１を貼り付けたプレート２をウェハー側を下にして
トップリング±の直下のクロス８上に載置し、トップリ
ングエラ下降させ可撓性薄膜９の下面でプレートを押圧
する。ついで流体供給管１０から注入する流体の圧力を
調節して可撓性薄膜９がプレート２を全面にわたって均
等に押圧するようにし、ノズル１１より砥液をクロス８
上に流しながら、ターンテーブル７、トップリング土を
図示しない回転機構により回転させると、ウェハー１の
下面がクロス８により研磨される。このときウェイト６
の量を加減して押圧力を調節し、適切な研磨速度でウェ
ハーを研磨するが、ウェイト６は、載置台１２に載せら
れ、ウェイトを貫通する回転阻止腕１３によって回転し
ないトップリング主軸１４に固定されて−いるので、ヘ
ッドが回転してもウェイト６は回転しない、載置台はト
ップリング主軸保持部１５にボールベアリング１６を介
して接しているので、ヘッドの回転を妨げることはない
。
磨定盤且は水平に回転するターンテーブル７と、この上
に接看されたクロス８よりなり、その外周部に上から回
転自在のトップリング土が垂下している。トップリング
の下部には逆皿状のヘッド５を備え、その周縁に可撓性
薄膜９を取付け、ヘッドと薄膜で形成された密閉空間に
流体供給管１０から流体を圧入する。つぎに−面にウェ
ハー１を貼り付けたプレート２をウェハー側を下にして
トップリング±の直下のクロス８上に載置し、トップリ
ングエラ下降させ可撓性薄膜９の下面でプレートを押圧
する。ついで流体供給管１０から注入する流体の圧力を
調節して可撓性薄膜９がプレート２を全面にわたって均
等に押圧するようにし、ノズル１１より砥液をクロス８
上に流しながら、ターンテーブル７、トップリング土を
図示しない回転機構により回転させると、ウェハー１の
下面がクロス８により研磨される。このときウェイト６
の量を加減して押圧力を調節し、適切な研磨速度でウェ
ハーを研磨するが、ウェイト６は、載置台１２に載せら
れ、ウェイトを貫通する回転阻止腕１３によって回転し
ないトップリング主軸１４に固定されて−いるので、ヘ
ッドが回転してもウェイト６は回転しない、載置台はト
ップリング主軸保持部１５にボールベアリング１６を介
して接しているので、ヘッドの回転を妨げることはない
。
かかる構成によってウェハーの移動軌跡は、ウェイトの
各部を均等に通過し、ウェハーは均一に抑圧、研磨され
る。
各部を均等に通過し、ウェハーは均一に抑圧、研磨され
る。
［発明の効果］
本発明により、ウェハーに対するウェイトの抑圧にアン
バランスがあっても、ウェイトに対しウェハーが相対運
動をして結果的に均一な研磨が行われ高品質のウェハー
を得ることができる。
バランスがあっても、ウェイトに対しウェハーが相対運
動をして結果的に均一な研磨が行われ高品質のウェハー
を得ることができる。
第１図は本発明のトップリングをもつウェハー研磨装置
の部分断面図、第２図は従来のウェハー研磨装置の部分
断面図である。 １・・・ウェハー、 ２・・・プレート、 −塁一・・
・研磨定盤、４・・・トップリング、 ５・・・ヘッ
ド、６・・・ウェイト、 ７・・・ターンテへプル、
８・・・クロス、 ９・・・可撓性薄膜。 １０・・・流体供給管、 １１・・・ノズル、１２・
・・載置台、 １３・・・回転阻止腕、１４・・・ト
ップリング主軸、 １５・・・トップリング主軸保持部。 １６・・・ボールベアリング。 第１図 第２図
の部分断面図、第２図は従来のウェハー研磨装置の部分
断面図である。 １・・・ウェハー、 ２・・・プレート、 −塁一・・
・研磨定盤、４・・・トップリング、 ５・・・ヘッ
ド、６・・・ウェイト、 ７・・・ターンテへプル、
８・・・クロス、 ９・・・可撓性薄膜。 １０・・・流体供給管、 １１・・・ノズル、１２・
・・載置台、 １３・・・回転阻止腕、１４・・・ト
ップリング主軸、 １５・・・トップリング主軸保持部。 １６・・・ボールベアリング。 第１図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）プレートに貼り付けたウェハーを、ウェイトを載置
して回転するトップリングにより研磨定盤に押圧して研
磨する方法において、該ウェイトの回転を阻止状態にお
くことを特徴とするウェハー研磨方法。 ２）プレートに貼り付けたウェハーを、ウェイトを載置
して回転するトップリングにより研磨定盤に押圧して研
磨するウェハー研磨装置において、該ウェイトに回転阻
止手段を設けてなることを特徴とするウェハー研磨装置
用トップリング。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02299640A JP3118457B2 (ja) | 1990-11-05 | 1990-11-05 | ウエハー研磨方法とこれに用いるトップリング |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02299640A JP3118457B2 (ja) | 1990-11-05 | 1990-11-05 | ウエハー研磨方法とこれに用いるトップリング |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04171170A true JPH04171170A (ja) | 1992-06-18 |
| JP3118457B2 JP3118457B2 (ja) | 2000-12-18 |
Family
ID=17875206
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02299640A Expired - Fee Related JP3118457B2 (ja) | 1990-11-05 | 1990-11-05 | ウエハー研磨方法とこれに用いるトップリング |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3118457B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5449316A (en) * | 1994-01-05 | 1995-09-12 | Strasbaugh; Alan | Wafer carrier for film planarization |
| US5851140A (en) * | 1997-02-13 | 1998-12-22 | Integrated Process Equipment Corp. | Semiconductor wafer polishing apparatus with a flexible carrier plate |
| US5993302A (en) * | 1997-12-31 | 1999-11-30 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with a removable retaining ring for a chemical mechanical polishing apparatus |
| US6080050A (en) * | 1997-12-31 | 2000-06-27 | Applied Materials, Inc. | Carrier head including a flexible membrane and a compliant backing member for a chemical mechanical polishing apparatus |
-
1990
- 1990-11-05 JP JP02299640A patent/JP3118457B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5449316A (en) * | 1994-01-05 | 1995-09-12 | Strasbaugh; Alan | Wafer carrier for film planarization |
| US5851140A (en) * | 1997-02-13 | 1998-12-22 | Integrated Process Equipment Corp. | Semiconductor wafer polishing apparatus with a flexible carrier plate |
| US5993302A (en) * | 1997-12-31 | 1999-11-30 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with a removable retaining ring for a chemical mechanical polishing apparatus |
| US6080050A (en) * | 1997-12-31 | 2000-06-27 | Applied Materials, Inc. | Carrier head including a flexible membrane and a compliant backing member for a chemical mechanical polishing apparatus |
| US6277009B1 (en) | 1997-12-31 | 2001-08-21 | Applied Materials, Inc. | Carrier head including a flexible membrane and a compliant backing member for a chemical mechanical polishing apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3118457B2 (ja) | 2000-12-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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