JPH04169898A - Ｘ線多層膜鏡構造体 - Google Patents
Ｘ線多層膜鏡構造体Info
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- JPH04169898A JPH04169898A JP2298201A JP29820190A JPH04169898A JP H04169898 A JPH04169898 A JP H04169898A JP 2298201 A JP2298201 A JP 2298201A JP 29820190 A JP29820190 A JP 29820190A JP H04169898 A JPH04169898 A JP H04169898A
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- Japan
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- shutter
- ray
- film
- layer
- board
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- Pending
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
- G03F1/24—Reflection masks; Preparation thereof
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は対象波長６Ｍ域が人から２００人でのＸ線反射
率および反射スペクトルを改良したＸ線多層膜鏡構造体
に関するものである。
率および反射スペクトルを改良したＸ線多層膜鏡構造体
に関するものである。
本発明はＸ線波長が１人から２００人の範囲のＸ線の反
射を必要とするほぼすべての分野に対して、例えば、Ｘ
線顕微鏡、Ｘ線望遠鏡、Ｘ線リソグラフィー装置および
その他のＸ線光源を用いた分析。
射を必要とするほぼすべての分野に対して、例えば、Ｘ
線顕微鏡、Ｘ線望遠鏡、Ｘ線リソグラフィー装置および
その他のＸ線光源を用いた分析。
計測装置など広範な応用を有する。
本発明のＸ線多層膜鏡構造体はガラス、シリコンなどの
表面粗さの極めて小さい基板上に原子番号の大きい物質
の層と原子番号の小さい物質の層とを交互に積層し、各
層内での膜厚が連続的もしくは段階的に変化する多層膜
構造体である。このＸ線多層膜鏡構造体は結晶性の拘束
を受けず制御された反射率を有し、ある特定波長のみの
反射ではなく、反射スペクトル幅の広い反射機能を有す
る。
表面粗さの極めて小さい基板上に原子番号の大きい物質
の層と原子番号の小さい物質の層とを交互に積層し、各
層内での膜厚が連続的もしくは段階的に変化する多層膜
構造体である。このＸ線多層膜鏡構造体は結晶性の拘束
を受けず制御された反射率を有し、ある特定波長のみの
反射ではなく、反射スペクトル幅の広い反射機能を有す
る。
従来、一般に反射特性を有する結晶および多層膜構造体
はＬｉＦ、シリコン、熱分解グラファイト、ラングミュ
ーア・プロジェクト膜などから形成されている。また、
Ｘ線反射率の改良、使用波長範囲の拡大あるいはた耐環
境性の改良に目的で新しい結晶性材料を考案する試みが
行われている。
はＬｉＦ、シリコン、熱分解グラファイト、ラングミュ
ーア・プロジェクト膜などから形成されている。また、
Ｘ線反射率の改良、使用波長範囲の拡大あるいはた耐環
境性の改良に目的で新しい結晶性材料を考案する試みが
行われている。
このよ゛うな試みの一つとしてタングステンと炭素ある
いはタングステンとへリリウム等の組み合わせによる積
層膜があり反射率を制御することができる。
いはタングステンとへリリウム等の組み合わせによる積
層膜があり反射率を制御することができる。
ＬｉＦ、シリコン、熱分解グラファイト等から形成され
た反射鏡構造たいは、格子間隔の拘束が大きく、ブラッ
クの方程式である次式。
た反射鏡構造たいは、格子間隔の拘束が大きく、ブラッ
クの方程式である次式。
ｎλ＝２６ ｓｉｎθＢ
ｎ ：次数
λ ：波長
ｄ ：格子間隔
θＢ ニブラック角
を満足する波長のみが回折され反射する。同様に、ラン
グミューア・プロジェット膜およびタングステン／炭素
の積層膜についても、各層が均一膜厚に対しては、膜厚
は、上述の式でｄに対応するための上述に式を満足する
波長のみ回折され反射することになる。いずれにしても
回折条件を満足する波長のみの反射であるため、反射に
よって得られるスペクトル幅は小さい。
グミューア・プロジェット膜およびタングステン／炭素
の積層膜についても、各層が均一膜厚に対しては、膜厚
は、上述の式でｄに対応するための上述に式を満足する
波長のみ回折され反射することになる。いずれにしても
回折条件を満足する波長のみの反射であるため、反射に
よって得られるスペクトル幅は小さい。
そこで本発明は、従来のこのような欠点を解決し、スペ
クトル幅の広い反射Ｘ線を得る事を目的としている。
クトル幅の広い反射Ｘ線を得る事を目的としている。
上述の問題を解決するために、本発明は基板上に作製さ
れた各層内での膜厚を連続的もしくは段階的に変化させ
る多層膜構造体にすることにより、スペクトル幅の広い
反射Ｘ線を可能とすることができる。また、使用できる
Ｘ線波長が１人から２００人と範囲の中で任意のスペク
トル領域を反射せることかできる。
れた各層内での膜厚を連続的もしくは段階的に変化させ
る多層膜構造体にすることにより、スペクトル幅の広い
反射Ｘ線を可能とすることができる。また、使用できる
Ｘ線波長が１人から２００人と範囲の中で任意のスペク
トル領域を反射せることかできる。
Ｗ４厚で連続的もしくは段階的に変化しているためブラ
ックの方程式におけるｄの埴は巾を持つことになり、当
該ミラーを反射するＸ線の波長はある程度中の広いもの
となる。
ックの方程式におけるｄの埴は巾を持つことになり、当
該ミラーを反射するＸ線の波長はある程度中の広いもの
となる。
（実施例〕
本発明のＸ線多層膜鏡構造体は、分子線エピタキシー＜
ＭＢＥ）法、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンビ
ーム法、ＣＶＤ法等によって作製される。暦数はシャッ
ターまたは基板を材料源に対して膜が形成されない幾何
学的な条件の位置に動かすことにより制御される。各層
の膜厚は膜形成が行われている場所での膜のＸＷ反射率
あるいは水晶振動子膜厚計を監視することにより制御さ
れる。基板には、ガラス、シリコン、グラフフィト等を
用い、基板の表面の粗さは、ＩＯＡ以下であった。
ＭＢＥ）法、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンビ
ーム法、ＣＶＤ法等によって作製される。暦数はシャッ
ターまたは基板を材料源に対して膜が形成されない幾何
学的な条件の位置に動かすことにより制御される。各層
の膜厚は膜形成が行われている場所での膜のＸＷ反射率
あるいは水晶振動子膜厚計を監視することにより制御さ
れる。基板には、ガラス、シリコン、グラフフィト等を
用い、基板の表面の粗さは、ＩＯＡ以下であった。
以下、本発明の実施例を図面を参照しながら説明する。
膜作製は多元の真空蒸着装置を用いた。真空度はできる
だけ高いことが望ましいのでターボ分子ポンプとイオン
ポンプを使って到達真空度を１θ″′トールにして蒸着
を行った。加熱装置には、電子ビームを用い、タングス
テンと炭素の２種類の物質を独立に加熱する。タングス
テンと炭素のそれぞれの蒸着層の膜厚の制御はシャッタ
ーの開閉により制御する。各層の膜厚測定Ｘ線回折によ
り決定した。
だけ高いことが望ましいのでターボ分子ポンプとイオン
ポンプを使って到達真空度を１θ″′トールにして蒸着
を行った。加熱装置には、電子ビームを用い、タングス
テンと炭素の２種類の物質を独立に加熱する。タングス
テンと炭素のそれぞれの蒸着層の膜厚の制御はシャッタ
ーの開閉により制御する。各層の膜厚測定Ｘ線回折によ
り決定した。
実施例１
第１図本発明に係わるＸ線多層膜鏡構造体の一実施例を
示した説明図である。第１図において、基板１上に作製
する多層膜は炭素膜２およびタングステン膜３で、交互
に積層されている。第２図は本発明に係わるＸ線多層膜
鏡構遺体作製のための真空蒸着装置内の膜制御法の説明
図である。第２図において、４ａおよび４ｂはタングス
テン、炭素の蒸着源を示し、シャッター５を交互に開閉
する。ツヤツタ−７には、ＭＩＣゲージがつけられてお
り、蒸着源の蒸着速度を見積もる。ツヤツタ−８は基板
の中央から外側に時間とともに開き、膜厚を制御する。
示した説明図である。第１図において、基板１上に作製
する多層膜は炭素膜２およびタングステン膜３で、交互
に積層されている。第２図は本発明に係わるＸ線多層膜
鏡構遺体作製のための真空蒸着装置内の膜制御法の説明
図である。第２図において、４ａおよび４ｂはタングス
テン、炭素の蒸着源を示し、シャッター５を交互に開閉
する。ツヤツタ−７には、ＭＩＣゲージがつけられてお
り、蒸着源の蒸着速度を見積もる。ツヤツタ−８は基板
の中央から外側に時間とともに開き、膜厚を制御する。
シャッター８が基板の端まで達したらツヤツタ−７を閉
し、ツヤツタ−８を基板の中央まで戻す。そして再びシ
ャック−７を開け、さらにシャック−８を開き、蒸着膜
を堆積させる。
し、ツヤツタ−８を基板の中央まで戻す。そして再びシ
ャック−７を開け、さらにシャック−８を開き、蒸着膜
を堆積させる。
これらを繰り返すことによって、第１図（ｂｌに示すＸ
線多層膜構造体が作製される。さらにシャッター８をあ
る時間間隔たり停止させることによって第１図ｆａｌの
Ｘ線構造体が作製できる。第３図１０はＸ線波長領域を
２．５人から１６人までの時の、斜入射角３度に対する
本発明に係わるＸ線多層膜鏡構造体の反射スペクトルと
反射強度の関係を示したものである。タングステン層の
厚さは１５人から９０人、炭素層の厚さは１５人から１
５０人まで変化させたときのものである。均一膜厚に対
する反射スペクトルは、スペクトル幅が狭いが、本発明
に係わるＸ線多層鏡構造体は、任意の反射スペクトル幅
を得ることができる。実施例１は、平面上の基板にたい
して適用したものであるが、球面および非球面に対して
もこの多層膜鏡構造体は適用でき、Ｘ線の結像および集
束に対してスペクトル幅の広く、しかも明るい光学系が
可能である。
線多層膜構造体が作製される。さらにシャッター８をあ
る時間間隔たり停止させることによって第１図ｆａｌの
Ｘ線構造体が作製できる。第３図１０はＸ線波長領域を
２．５人から１６人までの時の、斜入射角３度に対する
本発明に係わるＸ線多層膜鏡構造体の反射スペクトルと
反射強度の関係を示したものである。タングステン層の
厚さは１５人から９０人、炭素層の厚さは１５人から１
５０人まで変化させたときのものである。均一膜厚に対
する反射スペクトルは、スペクトル幅が狭いが、本発明
に係わるＸ線多層鏡構造体は、任意の反射スペクトル幅
を得ることができる。実施例１は、平面上の基板にたい
して適用したものであるが、球面および非球面に対して
もこの多層膜鏡構造体は適用でき、Ｘ線の結像および集
束に対してスペクトル幅の広く、しかも明るい光学系が
可能である。
本発明は以上説明したように、ガラス、シリコンなどの
極めて粗さの小さい基板上に原子番号の大きい物質の層
と原子番号の小さい￥！ｙＪｔの層とを交互に積層し各
層内での膜厚が連続的もしくは段階的に変化する多層膜
構造体である。この多層膜構造体は、結晶性の拘束を受
けず、制御された反射率を有し、ある特定波長のみの反
射でなく、反射スペクトル幅の広い反射機能を有する。
極めて粗さの小さい基板上に原子番号の大きい物質の層
と原子番号の小さい￥！ｙＪｔの層とを交互に積層し各
層内での膜厚が連続的もしくは段階的に変化する多層膜
構造体である。この多層膜構造体は、結晶性の拘束を受
けず、制御された反射率を有し、ある特定波長のみの反
射でなく、反射スペクトル幅の広い反射機能を有する。
従って、本発明は、Ｘ線波長が１人から２００人の範囲
のＸ線を比較的広いスペクトル幅で必要とする分野に対
して、例えば、Ｘ線顕微鏡、Ｘ線望遠鏡、Ｘ線リソグラ
フィー装置、およびその他のＸ線光源を用いた分析・計
測装置など広範な応用を有する。
のＸ線を比較的広いスペクトル幅で必要とする分野に対
して、例えば、Ｘ線顕微鏡、Ｘ線望遠鏡、Ｘ線リソグラ
フィー装置、およびその他のＸ線光源を用いた分析・計
測装置など広範な応用を有する。
また、平面基板上に形成されたものばかりでなく、集光
・結像に用いられる球面・非球面形状に対しても有効で
ある。
・結像に用いられる球面・非球面形状に対しても有効で
ある。
第１図は本発明に係わるＸ線多層膜鏡構造体の一実施例
を示した説明図、第２０は、本発明のＸ線多層膜鏡構造
体作製のための真空蒸着装置内の膜制御法を説明する図
、第３図は、本発明のＸ線多Ｎ膜鏡構遺体の反射スペク
トルと反射強度の関係を示す図である。 ■・・・・・・・基板 ２・・・・・・・タングステン膜 ３・・・・・・・炭素膜 ４ａ・・・ ・・タングステン蒸発源 ４ｂ・・・・・・炭素蒸発源 ５．７．８・・・ンヤノター ６・・・・・・・ＭＩＣゲージ ９・・・・・・・基板 １０・・・・・・本発明Ｘ線多層膜構造体による反射強
度 １１・・・・・・均一膜厚のＸ線多層膜鏡に対する反射
強度 以 上 出願人 セイコー電子工業株式会社 代理人 弁理士 林 敬 之 助 （Ｏ）（ｂ） 第 １ 図 第 ２ 図
を示した説明図、第２０は、本発明のＸ線多層膜鏡構造
体作製のための真空蒸着装置内の膜制御法を説明する図
、第３図は、本発明のＸ線多Ｎ膜鏡構遺体の反射スペク
トルと反射強度の関係を示す図である。 ■・・・・・・・基板 ２・・・・・・・タングステン膜 ３・・・・・・・炭素膜 ４ａ・・・ ・・タングステン蒸発源 ４ｂ・・・・・・炭素蒸発源 ５．７．８・・・ンヤノター ６・・・・・・・ＭＩＣゲージ ９・・・・・・・基板 １０・・・・・・本発明Ｘ線多層膜構造体による反射強
度 １１・・・・・・均一膜厚のＸ線多層膜鏡に対する反射
強度 以 上 出願人 セイコー電子工業株式会社 代理人 弁理士 林 敬 之 助 （Ｏ）（ｂ） 第 １ 図 第 ２ 図
Claims (2)
- （１）基板上に作製された各層内での膜厚が連続的もし
くは段階的に変化する多層膜構造体であることを特徴と
するＸ線多層膜鏡構造体であることを特徴とするＸ線多
層膜鏡構造体。 - （２）対象波長領域が１Åから２００ÅのＸ線波長であ
ることを特徴とする請求項１記載のＸ線多層膜鏡構造体
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2298201A JPH04169898A (ja) | 1990-11-02 | 1990-11-02 | Ｘ線多層膜鏡構造体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2298201A JPH04169898A (ja) | 1990-11-02 | 1990-11-02 | Ｘ線多層膜鏡構造体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04169898A true JPH04169898A (ja) | 1992-06-17 |
Family
ID=17856526
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2298201A Pending JPH04169898A (ja) | 1990-11-02 | 1990-11-02 | Ｘ線多層膜鏡構造体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04169898A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5406609A (en) * | 1992-04-09 | 1995-04-11 | Rigaku Industrial Corporation | X-ray analysis apparatus |
| EP0774156A1 (en) * | 1994-08-01 | 1997-05-21 | Osmic, Inc. | Optical element of multilayered thin film for x-rays and neutrons |
| WO1997022976A1 (en) * | 1995-12-18 | 1997-06-26 | Osmic, Inc. | Steerable x-ray optical system |
| EP1367605A1 (en) * | 2001-04-27 | 2003-12-03 | Nikon Corporation | Multilayer-film reflective mirrors and optical systems comprising same |
| WO2005036266A1 (de) * | 2003-09-17 | 2005-04-21 | Carl Zeiss Smt Ag | Masken, lithographievorrichtung und halbleiterbauelement |
| JP2005340459A (ja) * | 2004-05-26 | 2005-12-08 | Canon Inc | 投影光学系及び露光装置及びデバイス製造方法及びデバイス |
| JP2009224792A (ja) * | 2009-05-27 | 2009-10-01 | Carl Zeiss Smt Ag | マスク、リソグラフィ装置及び半導体部品 |
| JP2010226123A (ja) * | 2010-05-11 | 2010-10-07 | Carl Zeiss Smt Ag | マスク、リソグラフィ装置及び半導体部品 |
| JP2016133485A (ja) * | 2015-01-22 | 2016-07-25 | キヤノン株式会社 | シンチレータパネル、放射線検出器及びそれらの製造方法。 |
-
1990
- 1990-11-02 JP JP2298201A patent/JPH04169898A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5406609A (en) * | 1992-04-09 | 1995-04-11 | Rigaku Industrial Corporation | X-ray analysis apparatus |
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| EP0774156A4 (ja) * | 1994-08-01 | 1997-07-02 | ||
| WO1997022976A1 (en) * | 1995-12-18 | 1997-06-26 | Osmic, Inc. | Steerable x-ray optical system |
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| US6833223B2 (en) | 2001-04-27 | 2004-12-21 | Nikon Corporation | Multilayer-film reflective mirrors and optical systems comprising same |
| WO2005036266A1 (de) * | 2003-09-17 | 2005-04-21 | Carl Zeiss Smt Ag | Masken, lithographievorrichtung und halbleiterbauelement |
| US7572556B2 (en) | 2003-09-17 | 2009-08-11 | Carl Zeiss Smt Ag | Masks, lithography device and semiconductor component |
| US7914955B2 (en) | 2003-09-17 | 2011-03-29 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Masks, lithography device and semiconductor component |
| US8268518B2 (en) | 2003-09-17 | 2012-09-18 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Method and lithography device with a mask reflecting light |
| JP2005340459A (ja) * | 2004-05-26 | 2005-12-08 | Canon Inc | 投影光学系及び露光装置及びデバイス製造方法及びデバイス |
| JP4532991B2 (ja) * | 2004-05-26 | 2010-08-25 | キヤノン株式会社 | 投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 |
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| JP2016133485A (ja) * | 2015-01-22 | 2016-07-25 | キヤノン株式会社 | シンチレータパネル、放射線検出器及びそれらの製造方法。 |
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