JPS63106703A - 光学素子 - Google Patents
光学素子Info
- Publication number
- JPS63106703A JPS63106703A JP61253461A JP25346186A JPS63106703A JP S63106703 A JPS63106703 A JP S63106703A JP 61253461 A JP61253461 A JP 61253461A JP 25346186 A JP25346186 A JP 25346186A JP S63106703 A JPS63106703 A JP S63106703A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical element
- film
- carbon film
- diamond carbon
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Optical Filters (AREA)
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は波長１人程度から数百人までのＸ線用光学素子
に関するものである。
に関するものである。
Ｘ線露光装置、Ｘ線顕微鏡等のＸ線光学機器の開発が盛
んに行われ、Ｘ線用光学素子の重要性が高まりつつある
。
んに行われ、Ｘ線用光学素子の重要性が高まりつつある
。
Ｘ線用光学素子は機能的に大別すると、反射、分光、結
像、フィルターの四つになる。ひとつの素子でふたつの
機能を持つものもある。
像、フィルターの四つになる。ひとつの素子でふたつの
機能を持つものもある。
（複素屈折率）
Ｘ線領域では物質の屈折率がきわめて１に近く、さらに
吸収も無視し得ない、そのため一般に屈折率ｎは複素表
示で次のように表わされる。
吸収も無視し得ない、そのため一般に屈折率ｎは複素表
示で次のように表わされる。
ｎ＝１−δ−１β・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・（１）ここで δ＝Ｎγ。λす、／２π・・・・・・・・・・・・・・
・（２）ｎ＝ Ｎ ｒ ｏλ”ｆｚ／２π・・・・・・
・・・・・・・・・（３）と表わされる。δは位相変化
、βは吸収を与える。
・・・・（１）ここで δ＝Ｎγ。λす、／２π・・・・・・・・・・・・・・
・（２）ｎ＝ Ｎ ｒ ｏλ”ｆｚ／２π・・・・・・
・・・・・・・・・（３）と表わされる。δは位相変化
、βは吸収を与える。
Ｎは単位体積中の原子の数。γ。は古典電子半径、λは
波長である。さらに、ｆ、＋ｔｆｚは複数原子散乱因子
で、元素によって固有の値を持つが波長依存性がある。
波長である。さらに、ｆ、＋ｔｆｚは複数原子散乱因子
で、元素によって固有の値を持つが波長依存性がある。
波長１０人のところでのδおよびβの値を求めて見ると
、δ＝１．５ Ｘｌ０−３、β−６，０×１０−’とな
る。このように比較的波長の長い軟Ｘ線でも屈折率は１
に近く屈折率のレンズは絶望的である。このような事実
はすべての物質について成り立つ。
、δ＝１．５ Ｘｌ０−３、β−６，０×１０−’とな
る。このように比較的波長の長い軟Ｘ線でも屈折率は１
に近く屈折率のレンズは絶望的である。このような事実
はすべての物質について成り立つ。
（Ｘ線の反射）
次に反射の場合を考えて見よう。入射面に対し垂直に偏
光しているＸ線が屈折率ｎ、の媒質からｎ２の鏡面に垂
直入射したとすると反射率Ｒは、で表わされる。真空中
から鏡面に入射する場合にはｎ１＝１およびｎ２＝１−
δ−１βとして近似的に ｎ＝（δ２＋β２）／４・・・・・・・・・・・・・・
・（５）となる。前述の値を代入すると反射率がほとん
どゼロになることがわかる。
光しているＸ線が屈折率ｎ、の媒質からｎ２の鏡面に垂
直入射したとすると反射率Ｒは、で表わされる。真空中
から鏡面に入射する場合にはｎ１＝１およびｎ２＝１−
δ−１βとして近似的に ｎ＝（δ２＋β２）／４・・・・・・・・・・・・・・
・（５）となる。前述の値を代入すると反射率がほとん
どゼロになることがわかる。
（多層膜反射鏡）
式（５）かられかるようにＸ線領域では垂直入射の反射
率は１０−４〜１０−８程度である。このため単層の反
射鏡は直入射光学系には使えない。しかし、このときの
振幅反射率は１０−２〜１０−４である。わずかばかり
の振幅反射ではあるが、うまい具合に何層かの反射面を
正確に積み重ね、反射光の位相が合うように鏡面をつく
れば反射率は増加してくる。
率は１０−４〜１０−８程度である。このため単層の反
射鏡は直入射光学系には使えない。しかし、このときの
振幅反射率は１０−２〜１０−４である。わずかばかり
の振幅反射ではあるが、うまい具合に何層かの反射面を
正確に積み重ね、反射光の位相が合うように鏡面をつく
れば反射率は増加してくる。
原理的には可視域の多層膜反射鏡と同じである。
Ｘ線の振幅反射率は一般的には重元素の方が軽元素に比
べて大きいので、重元素を反射面とし吸収の小さい軽元
素を厚み調整膜として使っている。
べて大きいので、重元素を反射面とし吸収の小さい軽元
素を厚み調整膜として使っている。
膜厚を０．１ Å以下の着崩でコントロールしなければ
ならないので高精度の薄膜形成技術が必要とされる。蒸
着法、スパッタ法、分子線エピタキシー法などが用いら
れている。多層膜は原理的にも明らかなように反射率の
向上と単色化用の分光素子としての役目も果たしている
。平面のほか球面反射鏡の試みもある。
ならないので高精度の薄膜形成技術が必要とされる。蒸
着法、スパッタ法、分子線エピタキシー法などが用いら
れている。多層膜は原理的にも明らかなように反射率の
向上と単色化用の分光素子としての役目も果たしている
。平面のほか球面反射鏡の試みもある。
（フィルタとハーフミラ−）
Ｘ線を結晶や回折格子で単色化すると波長分散が太き（
強度が著しく減少してしまう、Ｘ線リソグラフィや非破
壊検査などでは単色化の要求はあまり厳しくない。この
ような場合はある厚みを持った薄膜で長波長をカットし
たり、吸収端を利用して特定波長域をカットしている。
強度が著しく減少してしまう、Ｘ線リソグラフィや非破
壊検査などでは単色化の要求はあまり厳しくない。この
ような場合はある厚みを持った薄膜で長波長をカットし
たり、吸収端を利用して特定波長域をカットしている。
前述の多層膜を比較的波長幅の広いバンドパスフィルタ
ーとしても使用できる。さらに、多層膜の支持基板を取
り除いた薄膜多層膜を使えば透過と反射を兼ね備えたハ
ーフミラ−も可能となる。
ーとしても使用できる。さらに、多層膜の支持基板を取
り除いた薄膜多層膜を使えば透過と反射を兼ね備えたハ
ーフミラ−も可能となる。
展と共に実用化の持たれる素子である。
以上のとおり、Ｘ線用光学素子は、軽元素（炭素、はう
素、シリコン等）層と重元素（タングステン、タンタル
等）層とを一層の厚みが数人から画数十人の薄層を交互
に規則正しく積層した多層膜からなる。例えば ０ｐｔ
ｉｃａｌ Ｅｎｇｉｎｅｒｒｉｎｇ Ｖｏｌ。
素、シリコン等）層と重元素（タングステン、タンタル
等）層とを一層の厚みが数人から画数十人の薄層を交互
に規則正しく積層した多層膜からなる。例えば ０ｐｔ
ｉｃａｌ Ｅｎｇｉｎｅｒｒｉｎｇ Ｖｏｌ。
ｐ１９７を参照されたい。
しかしながら、従来のＸ線用光学素子は、軽元素として
炭素を用いた場合、軽元素層はグラファイト状カーボン
Δ膜からなり、そのためかどうか判らないが、耐久性に
乏しく長期間使用すると膜が剥離を起ごしたり、性能が
劣化あるいはドリフトしてしまう等の問題点があった。
炭素を用いた場合、軽元素層はグラファイト状カーボン
Δ膜からなり、そのためかどうか判らないが、耐久性に
乏しく長期間使用すると膜が剥離を起ごしたり、性能が
劣化あるいはドリフトしてしまう等の問題点があった。
本発明の目的は、以上の欠点を解決し、耐久性のある安
定したＸ線用光学素子を提供することにある。
定したＸ線用光学素子を提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は、多層膜の軽元素層を、ダイヤモンド状カーボ
ン膜で構成することを技術的要点としている。
ン膜で構成することを技術的要点としている。
本発明で使用されるダイヤモンド状カーボン膜それ自体
は、既に知られており、例えばプラズマＣＶＤやイオン
ビームスパッタリングにより形成される。この場合、形
成方法によりダイヤモンド状カーボン膜は結晶の多いも
のから少ないものまで種々形成されるが、本発明の目的
からは多結晶より非晶質、非晶質より単結晶の順に好ま
しい。
は、既に知られており、例えばプラズマＣＶＤやイオン
ビームスパッタリングにより形成される。この場合、形
成方法によりダイヤモンド状カーボン膜は結晶の多いも
のから少ないものまで種々形成されるが、本発明の目的
からは多結晶より非晶質、非晶質より単結晶の順に好ま
しい。
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発
明はこれに限定されるものではない。
明はこれに限定されるものではない。
〔実施例１〕
第１図は本実施例の多層膜反射鏡の縦断面を示す概念図
である。
である。
これは、シリコン単結晶基板３の上に、イオンビームス
パックリングにより、重元素層としての厚さ２０人のレ
ニウム（Ｒｅ）の層２と軽元素層としての厚さ５０人の
非晶質ダイヤモンド状カーボン膜の層２が交互に５０組
形成したものである。
パックリングにより、重元素層としての厚さ２０人のレ
ニウム（Ｒｅ）の層２と軽元素層としての厚さ５０人の
非晶質ダイヤモンド状カーボン膜の層２が交互に５０組
形成したものである。
第４図はその反射鏡の軟Ｘ線反射特性（Ｘ線の入射角６
５ ” ）を表わす。縦軸にＸ線反射率Ｒ〔％〕、横軸
にＸ線の波長λ 〔人〕をとっである。
５ ” ）を表わす。縦軸にＸ線反射率Ｒ〔％〕、横軸
にＸ線の波長λ 〔人〕をとっである。
第７図はこれに用いたイオンビームスパッタリング装置
の概略図である。排気ポンプで排気される真空チャンバ
ー１０に、カウフマン型イオン源６が取りつけられてい
る。イオンａ６には流４１１節器１１を通してアルゴン
と水素が供給されている。イオン源より引き出されたイ
オンビームでターゲット７．８を照射し、イオンビーム
スパッタにより基板θ上に成膜する。ターゲット７はグ
ラファイト、ターゲット８はレニウムからなり、回転し
てどちらか一方の面が、イオンビームに向けられるよう
になっている。
の概略図である。排気ポンプで排気される真空チャンバ
ー１０に、カウフマン型イオン源６が取りつけられてい
る。イオンａ６には流４１１節器１１を通してアルゴン
と水素が供給されている。イオン源より引き出されたイ
オンビームでターゲット７．８を照射し、イオンビーム
スパッタにより基板θ上に成膜する。ターゲット７はグ
ラファイト、ターゲット８はレニウムからなり、回転し
てどちらか一方の面が、イオンビームに向けられるよう
になっている。
〔実施例２〕
第２図は本実施例の多層膜反射鏡の縦断面を示す概念図
である。
である。
この反射鏡は、デュアルイオンビームスパッタ法により
作成した。本実施例では成膜中にもう一つのイオンビー
ムによって膜面が常に照射されるため、ダイヤモンド状
カーボン層１とレニウム層２の間に２つの層成骨が連続
的に変化する混合層４が形成されている。混合層の中心
を基準にしてダイヤモンド状カーボン層の厚さを５０人
、レニウム層の厚さを１２０人とし、５０組積層した。
作成した。本実施例では成膜中にもう一つのイオンビー
ムによって膜面が常に照射されるため、ダイヤモンド状
カーボン層１とレニウム層２の間に２つの層成骨が連続
的に変化する混合層４が形成されている。混合層の中心
を基準にしてダイヤモンド状カーボン層の厚さを５０人
、レニウム層の厚さを１２０人とし、５０組積層した。
第５図は、その軟Ｘ線反射特性（Ｘ線の入射角６５°）
を表わす。縦軸に軟Ｘ線反射率Ｒ〔％〕を横軸に軟Ｘ線
の波長λ〔人〕をとった。第４図と比較すると反射率の
最大値が下がったかわりに、比較的大きな反射率をもつ
領域が広くなっている。
を表わす。縦軸に軟Ｘ線反射率Ｒ〔％〕を横軸に軟Ｘ線
の波長λ〔人〕をとった。第４図と比較すると反射率の
最大値が下がったかわりに、比較的大きな反射率をもつ
領域が広くなっている。
第８図はこの反射鏡を製造するのに用いたデュアルイオ
ンビームスパッタ装置の概略図である。
ンビームスパッタ装置の概略図である。
真空チャンバー１０に２つのイオン源がとりつけられて
いる。スパッタ用イオン源６には、流量調節器１１を通
しアルゴンガスが供給されている。
いる。スパッタ用イオン源６には、流量調節器１１を通
しアルゴンガスが供給されている。
６より引き出されたイオンビームでターゲット７．８を
照射し、基板Ｓ上に製膜する。基板照射用イオン−ａ１
４には、水素とアルゴンの混合ガスが供給されており、
水素とアルゴンの混合イオンビームで基板を照射できる
ようになっている。成膜中に基板を照射することにより
、実施例２の混合層が形成されろ。
照射し、基板Ｓ上に製膜する。基板照射用イオン−ａ１
４には、水素とアルゴンの混合ガスが供給されており、
水素とアルゴンの混合イオンビームで基板を照射できる
ようになっている。成膜中に基板を照射することにより
、実施例２の混合層が形成されろ。
〔実施例３〕
第２図は本実施例の多層膜反射鏡の縦断面を示す概念図
である。
である。
この反射鏡は、反応性スパッタリング法により、シリコ
ン単結晶基板３の上に、重元素層としての厚さ１０人の
タンタル（Ｔａ）の層５と軽元素層としての非晶質ダイ
ヤモンド状カーボン膜の層２を交互に４０組形成したも
のである。
ン単結晶基板３の上に、重元素層としての厚さ１０人の
タンタル（Ｔａ）の層５と軽元素層としての非晶質ダイ
ヤモンド状カーボン膜の層２を交互に４０組形成したも
のである。
第６図はＡｘｖＡ反射特性を表わしている。縦軸にＸ線
反射率Ｒ〔％〕、横軸にＸ線の入射角θをとっである。
反射率Ｒ〔％〕、横軸にＸ線の入射角θをとっである。
Ｘｉの波長は４４．７人である。
第９図はこの多層膜反射鏡を製造するのに用いた、マグ
ネトロンスパッタ装置の概略図である。
ネトロンスパッタ装置の概略図である。
真空に排気されたチャンバー内に、炭素ターゲット１７
とタンタル（Ｔａ）ターゲット１８が設置され、それぞ
れ整合回路１９を通してＲＦ電源２０に接続されている
。チャンバー内にはアルゴンと水素の混合ガスが供給さ
れ、ＲＦ放電を起こすと炭素ターゲット上では、水素に
よる反応性スパッタにより非晶質ダイヤモンド状カーボ
ン膜が形成され、タンフルクーゲット上ではアルゴンに
よりスパッターされタンタル膜が形成される。基板１６
はそれぞれのターゲット上へ移動できるようになってい
る。また、両者の混入をおさえるためのターゲット間の
シールド２１を設けた。
とタンタル（Ｔａ）ターゲット１８が設置され、それぞ
れ整合回路１９を通してＲＦ電源２０に接続されている
。チャンバー内にはアルゴンと水素の混合ガスが供給さ
れ、ＲＦ放電を起こすと炭素ターゲット上では、水素に
よる反応性スパッタにより非晶質ダイヤモンド状カーボ
ン膜が形成され、タンフルクーゲット上ではアルゴンに
よりスパッターされタンタル膜が形成される。基板１６
はそれぞれのターゲット上へ移動できるようになってい
る。また、両者の混入をおさえるためのターゲット間の
シールド２１を設けた。
実施例１と全く同じ構成で、非晶質ダイヤモンド状カー
ボン膜のかわりに、通常のグラファイト状カーボン膜を
使った軟Ｘ線反射鏡をマグネトロンスパッタ法により作
製した。
ボン膜のかわりに、通常のグラファイト状カーボン膜を
使った軟Ｘ線反射鏡をマグネトロンスパッタ法により作
製した。
そして、実施例１〜３の反射鏡と比較例のそれについて
、ＭＩＬ規格に基き耐久性をテストしてみた。この結果
を次に示す。
、ＭＩＬ規格に基き耐久性をテストしてみた。この結果
を次に示す。
■、耐食性試験
１〜３
耐湿性試験 変化なし 膜が剥離した（ＭＩ
Ｌ−Ｃ−６７５Ａ ｐａｒａ、４．６．９ ）塩水ふん
霧 変化なし 膜が剥離した（ＭｒＬ−Ｃ−
６７５Ａ ｐａｒａ、６．６．１０）温度サイクル
変化なし 膜が剥離した（ＭＩＬ−Ｍ−１３５０
８Ｃｐａｒａ、４．４．４ ）２、耐摩耗性試験 ＲＣＡ摩擦摩耗試験機を用いて、実施例および比較例の
耐摩耗性を比較したところ、実施例１．２．３は比較例
の１００倍以上の耐摩耗性を示した。
Ｌ−Ｃ−６７５Ａ ｐａｒａ、４．６．９ ）塩水ふん
霧 変化なし 膜が剥離した（ＭｒＬ−Ｃ−
６７５Ａ ｐａｒａ、６．６．１０）温度サイクル
変化なし 膜が剥離した（ＭＩＬ−Ｍ−１３５０
８Ｃｐａｒａ、４．４．４ ）２、耐摩耗性試験 ＲＣＡ摩擦摩耗試験機を用いて、実施例および比較例の
耐摩耗性を比較したところ、実施例１．２．３は比較例
の１００倍以上の耐摩耗性を示した。
試験には日立マクセル製磁気テープＵＤ−３５を用い、
荷重５００ｇで行った。
荷重５００ｇで行った。
以上のように本発明によるＸ線用多層膜光学素子は、耐
久性にすぐれ長期間安定した性能を発揮する。また耐薬
品性にもすぐれているため、汚れてしまっても洗浄する
ことが可能である。さらに第１０図のように多層膜の側
面をダイヤモンド状カーボン膜でおおうことにより、よ
り一層の耐久性を持たせることもできる。
久性にすぐれ長期間安定した性能を発揮する。また耐薬
品性にもすぐれているため、汚れてしまっても洗浄する
ことが可能である。さらに第１０図のように多層膜の側
面をダイヤモンド状カーボン膜でおおうことにより、よ
り一層の耐久性を持たせることもできる。
第１〜３及び１０図は、本発明の実施例にかかる多層膜
光学素子の縦断面図を示す概略図である。 第４〜６図は実施例の光学素子のＸ線反射特性を示すグ
ラフである。 第７〜９図は本発明の実施例にかかる多層膜光学素子を
製造するための装置Φ概略図である。 〔主要部分の符号の説明〕 １、非晶質ダイヤモンド状カーボン膜 ２、レニウム膜（重元素層の一例） ３、シリコン単結晶基板 ４、非晶質ダイヤモンド状カーボンとレニウムの混合層 ５、タンタル膜（重元素層の一例） ６、スパッタ用イオン源 ７、カーボンターゲット ８、レニウムターゲット ９、 基冬反 １０、真空チャンバー １１、流量調節器 １２、アルゴン １３、水素 １４、基板照射用イオン源 １５、基板ホルダー １６、基板 １７、カーボンターゲット １８、タンタルターゲット １９、整合回路 ２０、ＲＦ電源 ２１、シールド ２２、非晶質ダイヤモンド状カーボン膜２３、重元素層 ２４、基板 箆１図 第２図 第３図 λ「人」 第４図 λ「入」 第５図
光学素子の縦断面図を示す概略図である。 第４〜６図は実施例の光学素子のＸ線反射特性を示すグ
ラフである。 第７〜９図は本発明の実施例にかかる多層膜光学素子を
製造するための装置Φ概略図である。 〔主要部分の符号の説明〕 １、非晶質ダイヤモンド状カーボン膜 ２、レニウム膜（重元素層の一例） ３、シリコン単結晶基板 ４、非晶質ダイヤモンド状カーボンとレニウムの混合層 ５、タンタル膜（重元素層の一例） ６、スパッタ用イオン源 ７、カーボンターゲット ８、レニウムターゲット ９、 基冬反 １０、真空チャンバー １１、流量調節器 １２、アルゴン １３、水素 １４、基板照射用イオン源 １５、基板ホルダー １６、基板 １７、カーボンターゲット １８、タンタルターゲット １９、整合回路 ２０、ＲＦ電源 ２１、シールド ２２、非晶質ダイヤモンド状カーボン膜２３、重元素層 ２４、基板 箆１図 第２図 第３図 λ「人」 第４図 λ「入」 第５図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 重元素層と軽元素層とを交互に積層してなるＸ線用
多層膜光学素子に於いて、 前記軽元素層の少なくとも１層にダイヤモ ンド状カーボン膜を用いたことを特徴とする光学素子。 ２ 前記多層膜の最外層をダイヤモンド状カーボン膜と
したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光学
素子。 ３ 前記最外層のダイヤモンド状カーボン膜が、多層膜
の上面だけでなく側面をも被覆していることを特徴とす
る特許請求の範囲第２項記載の光学素子。 ４ 前記ダイヤモンド状カーボン膜が少量の炭素−水素
結合を含んでいることを特徴とする特許請求の範囲第１
〜３項記載の光学素子。 ５ 前記多層膜が光学干渉理論に基づく反射鏡、フィル
タ、偏光フィルタ、ハーフミラー又はエタロンの機能を
有するものであることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の光学素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61253461A JPS63106703A (ja) | 1986-10-24 | 1986-10-24 | 光学素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61253461A JPS63106703A (ja) | 1986-10-24 | 1986-10-24 | 光学素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63106703A true JPS63106703A (ja) | 1988-05-11 |
Family
ID=17251709
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61253461A Pending JPS63106703A (ja) | 1986-10-24 | 1986-10-24 | 光学素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63106703A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02306202A (ja) * | 1989-05-22 | 1990-12-19 | Canon Inc | 軟ｘ線・真空紫外線用ハーフミラー又はビームスプリッター |
| JPH036601U (ja) * | 1989-06-05 | 1991-01-23 | ||
| US5461657A (en) * | 1993-06-30 | 1995-10-24 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray mirror, and x-ray exposure apparatus and device manufacturing method employing the same |
| US5491002A (en) * | 1992-03-20 | 1996-02-13 | General Electric Company | Multilayer CVD diamond films |
| EP0953852A2 (de) * | 1998-04-30 | 1999-11-03 | Balzers und Leybold Deutschland Holding AG | Für ein Kunststoffsubstrat bestimmtes Schichtpaket und Verfahren zum Erzeugen eines solchen Schichtpaketes |
| USRE42338E1 (en) | 1999-07-02 | 2011-05-10 | Asml Netherlands B.V. | Capping layer for EUV optical elements |
| JP2012173315A (ja) * | 2011-02-17 | 2012-09-10 | Seiko Epson Corp | 波長可変干渉フィルター、光モジュール、および電子機器 |
| US9192200B2 (en) | 2010-01-22 | 2015-11-24 | Kowa Company, Ltd. | Foot joint supporter |
-
1986
- 1986-10-24 JP JP61253461A patent/JPS63106703A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02306202A (ja) * | 1989-05-22 | 1990-12-19 | Canon Inc | 軟ｘ線・真空紫外線用ハーフミラー又はビームスプリッター |
| JPH036601U (ja) * | 1989-06-05 | 1991-01-23 | ||
| JPH0538322Y2 (ja) * | 1989-06-05 | 1993-09-28 | ||
| US5491002A (en) * | 1992-03-20 | 1996-02-13 | General Electric Company | Multilayer CVD diamond films |
| US5461657A (en) * | 1993-06-30 | 1995-10-24 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray mirror, and x-ray exposure apparatus and device manufacturing method employing the same |
| EP0953852A2 (de) * | 1998-04-30 | 1999-11-03 | Balzers und Leybold Deutschland Holding AG | Für ein Kunststoffsubstrat bestimmtes Schichtpaket und Verfahren zum Erzeugen eines solchen Schichtpaketes |
| EP0953852A3 (de) * | 1998-04-30 | 2000-09-27 | Balzers und Leybold Deutschland Holding AG | Für ein Kunststoffsubstrat bestimmtes Schichtpaket und Verfahren zum Erzeugen eines solchen Schichtpaketes |
| USRE42338E1 (en) | 1999-07-02 | 2011-05-10 | Asml Netherlands B.V. | Capping layer for EUV optical elements |
| US9192200B2 (en) | 2010-01-22 | 2015-11-24 | Kowa Company, Ltd. | Foot joint supporter |
| JP2012173315A (ja) * | 2011-02-17 | 2012-09-10 | Seiko Epson Corp | 波長可変干渉フィルター、光モジュール、および電子機器 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Heavens | Optical properties of thin films | |
| Rancourt | Optical thin films: user handbook | |
| Barbee Jr | Multilayers for x-ray optics | |
| JPH01152401A (ja) | 光像回転装置 | |
| JPS63106703A (ja) | 光学素子 | |
| JP2014112532A (ja) | ダブル多層膜モノクロメータ | |
| JP2692881B2 (ja) | 軟ｘ線又は真空紫外線用多層膜の製造方法ならびに光学素子 | |
| JPS58223101A (ja) | 多面鏡の製造方法 | |
| JP2993147B2 (ja) | Ｘ線高次光除去フィルター | |
| Barbee Jr | Advances in multilayer x-ray/EUV optics: synthesis, performance and instrumentation | |
| JPH0192700A (ja) | Ｘ線・真空紫外線用多層膜反射鏡 | |
| JPH0194299A (ja) | Ｘ線又は真空紫外線用多層膜反射鏡 | |
| Yamamoto et al. | Multilayer mirrors for use as a wavelength‐selective filter around 100 eV | |
| JPH06102207A (ja) | Ｘ線あるいは中性子に作用する鏡を具えるデバイス | |
| Hotta et al. | Design and fabrication of multilayer mirrors for He-II radiation | |
| JP2535036B2 (ja) | Ｘ線・真空紫外線用多層膜反射鏡 | |
| JPH1031096A (ja) | Ｘ線用ハーフミラー型フィルタおよびそれを用いた波長選択方法 | |
| Yamamoto et al. | First thin film ellipsometry at a photon energy of 97eV with use of high-performance multilayer polarizers | |
| JPH0237303A (ja) | 多層膜反射鏡 | |
| JPS63266399A (ja) | Ｘ線反射鏡 | |
| JPS63266397A (ja) | Ｘ線反射鏡 | |
| JPH04310899A (ja) | 多層膜反射鏡および該多層膜反射鏡を有する光学装置 | |
| Lee | Soft x-ray optics using metal multilayer mirrors | |
| JP3064630B2 (ja) | 多層膜反射鏡 | |
| JPH0627297A (ja) | 単色同位相ｘ線集光器 |