JPH04151891A - 電子部品の接続装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） この発明は半導体等の電子部品を配線基板に接続するた
めの電子部品の接続装置に関する。

（従来の技術） 電子機器の軽薄短小化が進む中で、電子回路の高密度化
の要求が一段と高まっている。その中でもカメラ一体形
ＶＴＲ等に代表されるように、より多くの回路を集積化
した半導体集積回路ＩＣの狭ピッチ、多ピン化が進んで
きている。このようなＩＣパッケージにおける絶縁基板
への実装技術であるアウター・リート・ボンディング（
ＯＬＢ）は重要さを増している。ＯＬＢなる実装技術は
１００　ピンを越えるＴ　Ａ　Ｂ　（Ｔａｐｅ　Ａｕｔ
ｏｍａｔｅｄ　Ｂｏｎｄｉ　ｎｇ）、Ｑ　Ｆ　Ｐ　（Ｑ
ｕａｄ　Ｆｌａｔ　Ｐａｃｋａｇｅ）と称される薄型モ
ールドパッケージ等はリートピッチが現行の０．５＋ｎ
＋ｎから０．３〜０．２關程度のピッチへとなり、ＩＣ
内部の電極のピッチに近すきつつある。

第６図および第７図は、ＯＬＢによる従来の実装手段に
よる半田付けを示している。第６図は平面図を示し、第
７図は第６図の側面図を示している。第６、第７図の（
ａ）に示したように、絶縁基板１に複数の配列した導箔
２を非抵触状態で固着しである。導箔２の幅は０．２ｍ
ｍ程度、各導箔２間のピッチは０．５＋＋ｕｎ程度であ
る。導箔２には第６、第７図の（ｂ）に示すように、金
属で形成されたマスクを用いて予備半田として、半田ペ
ースト３をスクリーン印刷により形成する。その後、第
６、第７図の（Ｃ）に示すように、ＩＣパッケージ４の
アウターリード５を導箔２に位置合わせし、ヒータ・ツ
ール６を用いて熱圧着や半田リフロー等の手段により導
箔２との半田付けを行う。第８図は第６、第７図の（ｃ
）の実装状態を斜視図で示したものである。

第６および第７図に示すＩＣパッケージ４の実装手段に
は半田ペーストのスクリーン印刷性に問題点があった。

すなわち、第９図に示すように予備半田である半田ペー
スト３に使用する半田粒が２０μｍφ程度と大きく、ス
クリーン印刷性が極めて悪＜、０．５ｍｍピッチ以下の
印刷を試みると、第９図（ａ）に示すように半田量が少
なかったり（９−１）　、半田量が多かったり（９−２
）するなどの印刷不良が発生する。第９図（ｂ）は第８
図（ａ）の断面図であるが、パッケージ実装の際に半田
ペーストが溶融して半田付けした後は、第９図（Ｃ）の
ようにアラターリ−１・５間のショ１−（９−３）ある
いは半田付は不十分（９−４）といった不具合が生じて
いた。

このような問題を解決するために、半田粒を小さくする
なとペーストの印刷性向上に努めているが、未だ良好な
結果が得られるには至っていない。

（発明が解決しようとする課題） 上記した電子部品の接続装置では、半田ペストのスクリ
ーン印刷の性能に問題があり、半田によるアウターリー
ドのショートや半田付は不十分といった不具合かあった
。

この発明は、狭ピッチのアウターリードのＯＬＢによる
半田付けを確実に行うことのできる電子部品の接続装置
を提供するすることにある。

［発明の構成］ （課題を解決するための手段） この発明の電子部品の接続装置は、絶縁基板と、この基
板に非接続状態で配列して固着した複数の導箔と、この
導箔に仮止めした導電部材と、前記導箔に対向して配置
した電子部品の接続端子と、前記導体部材を熱圧着して
前記導箔と前記接続端子と電気的に接続する手段とから
なるものである。

（作用） 上記した手段により、仮に絶縁基板に固着した導箔に付
着した導電部材は、熱圧着することにより電子部品の接
続端子と導箔をピッチの狭い他の接続端子と接触するこ
となく、電気的な接続が確実に行える。

（実施例） 以下、この発明の一実施例につき図面を参照して詳細に
説明する。

第１および第２図において、まず（ａ）のように絶縁基
板１０上に、例えば幅、ピッチ、長さがそれぞれ１２０
μｍ、２００μｍ、４ｏｏμｍの複数の導箔１］を配列
して固着する。次に（ｂ）に示すように、φ３０μｍ程
度の半田細線を用い特殊なワイヤボンディング手段によ
り、φ８０１１ｍで厚さ４０μｍ程度のバンプー２を各
導箔１１にそれぞれ形成する。次に第２図（ｂ）および
第１図（Ｃ）に示したように、アウターリード１３の幅
が１００μｍ１ピツチが２００μｍ程度のＴＡＢパッケ
ージ１４のアウターリード１３を位置合わせして図示し
ない保持手段で保持する。この後、第２図（Ｃ）に示す
ようにヒータ・ツール１５を用いて熱圧着することによ
ってＯＬＢ接続を実現する。

なお、上記した導箔１１にバンプ１２を形成する手段は
、第３図に示すワイヤーボンディングによるバンプ形成
の手順により実現できる。まず、第３図の（ａ）にて先
端に半田１６から形成された半田ボール１７を有するツ
ール１８を絶縁基板１０に固着した導箔１１上に移動す
る。第３図（ｂ）において、ツール１８を下降させて半
田ボール１７を導箔１１にボンディングを行う。

第２３図（Ｃ）において、第３図（ｂ）のボンディング
と同一箇所に再ボンディングを行う。第３図（ｄ）にて
半田１６を切り取り、導箔１１上にバンプ１２が形成さ
れる。バンプ１２は各導箔１１に対して同じような大き
さのものにすることかできる。

このように、各導箔コ１に対してバンプ１２が均一なも
のにすることができることから、半田１６の径を変える
ことでバンプ１２のサイズを設定すれば、ヒータ・ツー
ル１５を用いて熱圧着処理した後に互いの導箔１１が電
気的に接触する問題を防止することかできる。バンプは
半田に限らず金、銅等か可能であり、熱圧着条件を変え
ることでＯＬＢは容易に行うことができる。

第４および第５図は、この発明の変形例を示したもので
ある。この実施例は１つの導箔１１に複数のバンプ１２
　ａ　ｓ　１２　ｂ　、　１．２　ｃを形成したもので
、半田の供給を増やし接続面積を増やしたことにより接
続の信頼性を向上したものである。第５図はバンプ１２
ａ〜１２ｃを形成した後（第５図（ａ））に半田リフロ
ー炉を通して半田によるバンプ１２ａ、１２ｂを溶融し
、導箔１１全面に均一な膜を形成（第５図（ｂ））した
ものである。他の電子部品の実装プロセスとの兼ね合い
で予備半田形成に相当する半田膜の形成が可能となるも
のである。

この発明は、上記した実施例のほかに、半導体パッケー
ジ側にバンプを形成することが可能である。この導箔へ
のバンプイ・ｊに制約が生した場合に応用することがで
きる。また、半導体素子を直接基板に実装するペアチッ
プ実装への応用も可能である。例えば銅箔側に金ワイヤ
ー等でバンプを形成し、対向する半導体チップのアルミ
電極を熱圧着により接続することにも応用できる。

［発明の効果コ 以上記載したように、この発明の電子部品の接続装置に
よれば、狭いピッチの接続用リードを有する電子部品を
プリント基板に確実に接続することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、この発明の一実施例を示す正面図、第２図は
、第１図の側面図、第３図は、第１図の要部を形成する
ための手順を示す断面図、第４図は、他の実施例を示す
正面図、第５図は、もう一つの他の実施例を示す断面図
、第６図および第７図は、従来の正面図、断面図、第８
図は、第６図従来の問題点を説明するた の斜視図、第９図は、 めの断面図である。 １０・・・・・・・・・絶縁基板 １１・・・・・・・・・導箔 １２・・・・・・・・バンプ

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）絶縁基板と、この基板に非接続状態で配列して固
   着した複数の導箔と、この導箔に仮付けした導電性のバ
   ンプと、前記導箔に対向して配置した電子部品の接続端
   子と、前記導体部材を熱圧着して前記導箔と前記接続端
   子を電気的に接続する手段とからなることを特徴とする
   電子部品の接続装置。
2. （２）１つの導箔に複数の導電性のバンプを仮付けして
   なることを特徴とする請求項第１項記載の電子部品の製
   造装置。