JPH04139628A - 光半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
光半導体装置およびその製造方法Info
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- JPH04139628A JPH04139628A JP2260988A JP26098890A JPH04139628A JP H04139628 A JPH04139628 A JP H04139628A JP 2260988 A JP2260988 A JP 2260988A JP 26098890 A JP26098890 A JP 26098890A JP H04139628 A JPH04139628 A JP H04139628A
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- Japan
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- main surface
- hologram
- semiconductor laser
- semiconductor device
- light
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- Pending
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- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
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- Optical Head (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、光デイスク装置などに用いられるホログラム
光ピックアップのための光半導体装置およびその製造方
法に関する。
光ピックアップのための光半導体装置およびその製造方
法に関する。
従来の技術
近年、光ピツクアップの小型軽量化および低価格化にと
もなって、ホログラムを用いた信号検出方式に注目が集
まっている。
もなって、ホログラムを用いた信号検出方式に注目が集
まっている。
従来のホログラム光ピックアップを第２図に示す。半導
体レーザチップ２１から出射されたレーザ光はレンズ２
２によりディスク２３の上に集光された後、反射されて
帰ってくる途中ホログラム２４により分光されて、信号
検出用ディテクタ２５の上番ご集光される。
体レーザチップ２１から出射されたレーザ光はレンズ２
２によりディスク２３の上に集光された後、反射されて
帰ってくる途中ホログラム２４により分光されて、信号
検出用ディテクタ２５の上番ご集光される。
発明か解決しようとする課題
しかしながら上記従来の構成では、次のような課題があ
った。
った。
１羅で安定した信号を得るためには、半導体レーザチッ
プから出射される光の光軸、検出用ディテクターのパタ
ーンおよびホログラムのパターンのそれぞれの位置関係
を１μｍの精度で制御することが必要である。しかし、
第２図に示すようなそれぞれ独立した部品からなる従来
の構成ではこのような精密な位置関係の制御は極めて困
難であり、また温度変化などに起因する収納容器の変形
による位置のずれの可能性も大きい。
プから出射される光の光軸、検出用ディテクターのパタ
ーンおよびホログラムのパターンのそれぞれの位置関係
を１μｍの精度で制御することが必要である。しかし、
第２図に示すようなそれぞれ独立した部品からなる従来
の構成ではこのような精密な位置関係の制御は極めて困
難であり、また温度変化などに起因する収納容器の変形
による位置のずれの可能性も大きい。
本発明は上記従来の課題を解決するもので、構成部品の
相互位置関係の精度が高い光半導体装置およびその製造
方法を提供することを目的上する。
相互位置関係の精度が高い光半導体装置およびその製造
方法を提供することを目的上する。
課題を解決するための手段
この目的を達成するために本発明の光半導体装置は、主
面が（１００）面であるシリコン基板の第１の主面に形
成された側面が（１１１）面であるＶ字状の溝と、前記
溝の一方の側面の中間部から前記第１−の主面に平行に
形成された第２の主面と、前記第２の主面にレーザ光が
前記溝の他方の側面に照射される方向に設置された半導
体レーザ素子と、前記シリコン基板の上に設けた透明膜
の表面に形成されたホログラムと、前記第１の主面上で
前記ホログラノからの回折光を受光する位置に設置され
た受光素子とを備えた構成を有している。
面が（１００）面であるシリコン基板の第１の主面に形
成された側面が（１１１）面であるＶ字状の溝と、前記
溝の一方の側面の中間部から前記第１−の主面に平行に
形成された第２の主面と、前記第２の主面にレーザ光が
前記溝の他方の側面に照射される方向に設置された半導
体レーザ素子と、前記シリコン基板の上に設けた透明膜
の表面に形成されたホログラムと、前記第１の主面上で
前記ホログラノからの回折光を受光する位置に設置され
た受光素子とを備えた構成を有している。
作用
上記の構成により、構成部品（半導体レーザチップ、信
号検出用ディテクター、ホログラム）の位置関係をすべ
てシリコン基板上で、フォトリソグラフィの技術を利用
することにより、１μｍの精度で制御することができる
。
号検出用ディテクター、ホログラム）の位置関係をすべ
てシリコン基板上で、フォトリソグラフィの技術を利用
することにより、１μｍの精度で制御することができる
。
実施例
以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明する。
明する。
なお、レンズ２．ディスク３とレーザ光の関係について
は第２図の従来例と同じであり、ここでは省略した。
は第２図の従来例と同じであり、ここでは省略した。
第１図は本発明の一実施例における光半導体装置の断面
図である。シリコン（Ｓｉ）基板４の第１の主面５ａの
上にエツチングによりＶ字状の溝（以下■溝反射ミラー
と称する）６が形成されている。水酸化カリウム水溶液
からなるエツチング液を用いた異方性エツチングにより
、（１１１）面による光学的にも平坦なＶ溝反射ミラー
６を容易に形成することができる。このＶ溝反射ミラー
６に向かい合って半導体レーザチップ１をボンディング
する。半導体レーザチップ１をボンディングする面は出
射されるレーザ光の中心が■溝反射ミラー６に当たるよ
うにあらかじめ主面を少しエツチングして形成した主面
と平行な第２の面５ｂである。この半導体レーザチップ
１がボンディングされた８１基板４の上に半導体レーザ
光を透過する透明膜７として樹脂をコーティングする。
図である。シリコン（Ｓｉ）基板４の第１の主面５ａの
上にエツチングによりＶ字状の溝（以下■溝反射ミラー
と称する）６が形成されている。水酸化カリウム水溶液
からなるエツチング液を用いた異方性エツチングにより
、（１１１）面による光学的にも平坦なＶ溝反射ミラー
６を容易に形成することができる。このＶ溝反射ミラー
６に向かい合って半導体レーザチップ１をボンディング
する。半導体レーザチップ１をボンディングする面は出
射されるレーザ光の中心が■溝反射ミラー６に当たるよ
うにあらかじめ主面を少しエツチングして形成した主面
と平行な第２の面５ｂである。この半導体レーザチップ
１がボンディングされた８１基板４の上に半導体レーザ
光を透過する透明膜７として樹脂をコーティングする。
この透明膜７の表面にフォトリソグラフィの技術を用い
てホログラム８を形成する。
てホログラム８を形成する。
また、Ｓｉ基盤４の上にはフォトディテクター９が形成
されている。
されている。
上記のように構成された本発明の光半導体装置の動作に
ついて説明する。半導体レーザチップ１から出射された
光は■溝反射ミラー６により反射され、上方に出射され
る。出射された光はレンズ２によってディスク３上に集
光され、そのディスク３からの反射光はホログラム８に
よって回折され、フォトディテクター９に集光される。
ついて説明する。半導体レーザチップ１から出射された
光は■溝反射ミラー６により反射され、上方に出射され
る。出射された光はレンズ２によってディスク３上に集
光され、そのディスク３からの反射光はホログラム８に
よって回折され、フォトディテクター９に集光される。
８１基板４の上に形成される■溝反射ミラー６、半導体
レーザチップ１のボンディング位置、フォトディテクタ
ー９およびホログラム８の相互位置関係はフォトリング
ラフィの技術を用いて１μｍ単位で制御することができ
る。
レーザチップ１のボンディング位置、フォトディテクタ
ー９およびホログラム８の相互位置関係はフォトリング
ラフィの技術を用いて１μｍ単位で制御することができ
る。
なお、本実施例ではホログラム８を１面だけ用いる方式
の光ピツクアップについて述べたが、ホログラム８を２
面以上用いる方式の光ピツクアップにおいても透明膜７
を２層以上用いることにより、全く同様の効果を得るこ
とができる。
の光ピツクアップについて述べたが、ホログラム８を２
面以上用いる方式の光ピツクアップにおいても透明膜７
を２層以上用いることにより、全く同様の効果を得るこ
とができる。
さらに本実施例では、ホログラム８を形成する透明膜７
として樹脂を塗布する場合について述へたが、８１基板
４の上に形成した酸化シリコン膜を透明膜７として用い
ても、全く同様の効果を得ることかできる。
として樹脂を塗布する場合について述へたが、８１基板
４の上に形成した酸化シリコン膜を透明膜７として用い
ても、全く同様の効果を得ることかできる。
発明の効果
以上のように本発明は半導体レーザ素子を設置するため
の平面、レーザ光を反射するためのＶ溝反射ミラー、ホ
ログラムおよび受光素子をすへてフォトリングラフィ技
術を中心とする半導体処理技術を用いてシリコン基板上
に形成することにより、これら構成部品の相互位置関係
精度の高い、光デイスク装置等に用いられるホログラム
光ピックアップのための光半導体装置およびその製造方
法を実現できるものである。
の平面、レーザ光を反射するためのＶ溝反射ミラー、ホ
ログラムおよび受光素子をすへてフォトリングラフィ技
術を中心とする半導体処理技術を用いてシリコン基板上
に形成することにより、これら構成部品の相互位置関係
精度の高い、光デイスク装置等に用いられるホログラム
光ピックアップのための光半導体装置およびその製造方
法を実現できるものである。
第１図は本発明の一実施例におけるホログラム光ピック
アップに用いる光半導体装置の断面図、第２図は従来の
ホログラム光ピックアップの一部断面正面図である。 １・・・・・・半導体レーザチップ（半導体レーデ素子
）、４・・・・・・シリコン基板、５ａ・・・・・・第
１の主面、５ｂ・・・・・・第２の主面、６・・・・・
・Ｖ溝反射ミラー（Ｖ字状の溝）、７・・・・・・透明
膜、８・・・・・・ホログラム、９・・・・・・フォト
ディテクター（受光素子）。
アップに用いる光半導体装置の断面図、第２図は従来の
ホログラム光ピックアップの一部断面正面図である。 １・・・・・・半導体レーザチップ（半導体レーデ素子
）、４・・・・・・シリコン基板、５ａ・・・・・・第
１の主面、５ｂ・・・・・・第２の主面、６・・・・・
・Ｖ溝反射ミラー（Ｖ字状の溝）、７・・・・・・透明
膜、８・・・・・・ホログラム、９・・・・・・フォト
ディテクター（受光素子）。
Claims (2)
- （１）主面が（１００）面であるシリコン基板の第１の
主面に形成された側面が（１１１）面であるＶ字状の溝
と、前記溝の一方の側面の中間部から前記・第１の主面
に平行に形成された第２の主面と、前記第２の主面にレ
ーザ光が前記溝の他方の側面に照射される方向に設置さ
れた半導体レーザ素子と、前記シリコン基板の上に設け
た透明膜の表面に形成されたホログラムと、前記第１の
主面上で前記ホログラムからの回折光を受光する位置に
設置された受光素子とを備えた光半導体装置。 - （２）主面が（１００）面であるシリコン基板の第１の
主面に側面が（１１１）面であるＶ字状の溝を形成する
工程と、前記溝の一方の側面の中間部から前記第１の主
面に平行に第２の主面を形成する工程と、前記第２の主
面にレーザ光が前記溝の他方の側面に照射される方向に
半導体レーザ素子を設置する工程と、前記シリコン基板
の上に透明膜を形成する工程と、前記透明膜の表面にホ
ログラムを形成する工程と、前記第１の主面上で前記ホ
ログラムからの回折光を受光する位置に受光素子を設置
する工程を有する光半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2260988A JPH04139628A (ja) | 1990-09-28 | 1990-09-28 | 光半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2260988A JPH04139628A (ja) | 1990-09-28 | 1990-09-28 | 光半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04139628A true JPH04139628A (ja) | 1992-05-13 |
Family
ID=17355510
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2260988A Pending JPH04139628A (ja) | 1990-09-28 | 1990-09-28 | 光半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04139628A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0676340A (ja) * | 1992-08-26 | 1994-03-18 | Sharp Corp | 光ピックアップ装置 |
| JPH06259800A (ja) * | 1993-03-05 | 1994-09-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学デバイス |
| US5481386A (en) * | 1993-02-17 | 1996-01-02 | Hitachi, Ltd. | Flying type optical head integrally formed with light source and photodetector and optical disk apparatus with the same |
| US5680385A (en) * | 1995-03-30 | 1997-10-21 | Nec Corporation | Optical head with a heat sink |
| US6614743B1 (en) * | 1999-11-11 | 2003-09-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
| US6747939B2 (en) | 2000-03-01 | 2004-06-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser device and optical pickup device using the same |
| JP2005141891A (ja) * | 2003-11-04 | 2005-06-02 | Samsung Electronics Co Ltd | 薄型光ピックアップ |
-
1990
- 1990-09-28 JP JP2260988A patent/JPH04139628A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0676340A (ja) * | 1992-08-26 | 1994-03-18 | Sharp Corp | 光ピックアップ装置 |
| US5481386A (en) * | 1993-02-17 | 1996-01-02 | Hitachi, Ltd. | Flying type optical head integrally formed with light source and photodetector and optical disk apparatus with the same |
| US5995474A (en) * | 1993-02-17 | 1999-11-30 | Hitachi, Ltd. | Flying type optical head integrally formed with light source and photodetector and optical disk apparatus with the same |
| US6185177B1 (en) | 1993-02-17 | 2001-02-06 | Hitachi, Ltd. | Flying type optical head integrally formed with light source and photodetector and optical disk apparatus with the same |
| US6611487B2 (en) | 1993-02-17 | 2003-08-26 | Hitachi, Ltd. | Flying type optical head integrally formed with light source and photodetector and optical disk apparatus with the same |
| JPH06259800A (ja) * | 1993-03-05 | 1994-09-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学デバイス |
| US5680385A (en) * | 1995-03-30 | 1997-10-21 | Nec Corporation | Optical head with a heat sink |
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| US6747939B2 (en) | 2000-03-01 | 2004-06-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser device and optical pickup device using the same |
| JP2005141891A (ja) * | 2003-11-04 | 2005-06-02 | Samsung Electronics Co Ltd | 薄型光ピックアップ |
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