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JPH04131649U - プラズマ溶射ガン - Google Patents

プラズマ溶射ガン

Info

Publication number
JPH04131649U
JPH04131649U JP4419891U JP4419891U JPH04131649U JP H04131649 U JPH04131649 U JP H04131649U JP 4419891 U JP4419891 U JP 4419891U JP 4419891 U JP4419891 U JP 4419891U JP H04131649 U JPH04131649 U JP H04131649U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plasma
anode
generation chamber
cathode
insulator
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP4419891U
Other languages
English (en)
Inventor
啓 納富
Original Assignee
三菱重工業株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 三菱重工業株式会社 filed Critical 三菱重工業株式会社
Priority to JP4419891U priority Critical patent/JPH04131649U/ja
Publication of JPH04131649U publication Critical patent/JPH04131649U/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】 【目的】 プラズマ溶射粉体の粒子の加熱を効率よく行
うとともに粒子の加熱,加速を均一化する。 【構成】 先端にプラズマジェット噴口3を有するプラ
ズマ発生チャンバー2が設けられるとともに基部に絶縁
体4が接合された陽極1と、絶縁体4の軸線上に貫設さ
れ先端がプラズマ発生チャンバー2内に緩挿されるとと
もに軸線上に作動ガス及び溶射粉体供給路7が穿設され
た陰極5及び陰極電流導入部6と、絶縁体4の側部寄り
に先端がプラズマ発生チャンバー2に通ずるように穿設
された周囲ガス通路8とを具えている。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
本考案はプラズマ溶射ガンに関する。
【0002】
【従来の技術】
陽極と陰極との間に電流を流して発生させたプラズマをジェットとして噴出さ せるとともに同ジェットに溶射粉体を供給して被加工物表面に溶射皮膜を形成す るプラズマ溶射ガンとしては、従来一般的なものとして図2縦断面図に示すもの が知られている。すなわち図2において、銅製の陽極21の軸線上にはプラズマ 発生チャンバー22が設けられ、その先端にプラズマジェット噴口23が開口さ れており、この陽極21の基部側には絶縁体24が固着されている。この絶縁体 24の軸線上に、先端にタングステン製の陰極25を取付けた陰極電流導入部2 6が貫設されて、陰極25がプラズマ発生チャンバー22内に挿入されている。
【0003】 また絶縁体24の側部寄りには、先端がプラズマ発生チャンバー22の基部に 通ずるように作動ガス供給路27が穿設されており、一方陽極21の先端部寄り には、先端がプラズマ発生チャンバー2のプラズマジェット噴口23寄りにほぼ 直角に通ずるように溶射粉体供給路28が穿設されている。更に陽極21には冷 却水通路29が穿設されて、その冷却水入口部が陽極電流導入部30に形成され ており、陰極電流導入部26にも冷却水通路29と通じた冷却水通路31が穿設 されている。
【0004】 このようなプラズマ溶射ガンによりプラズマ溶射を行うにあたっては、まず陽 極21及び陰極25を冷却するために冷却水通路29,31に冷却水を流すとと もに、作動ガス供給路27からプラズマ発生チャンバー22へ、Arガス,He ガス,N2 ガス又はこれらの混合ガス等の作動ガスを流す。次に直流電源より陽 極21に正、陰極25に負の印加電圧を加え、続いて高周波電源より陽極21と 陰極25との間に高周波電圧を印加して両電極21,25間に火花放電を発生さ せる。
【0005】 この火花放電により、先に印加されている直流電源からの印加電圧によって陽 極21と陰極25との間にプラズマが発生し、プラズマ発生チャンバー22には 高温プラズマが充満し、プラズマジェット噴口23から高温高速のプラズマジェ ットとして噴出する。このとき電流を徐々に増してプラズマジェットが安定した のち、溶射粉体供給路28から溶射粉体を、プラズマジェット発生チャンバー2 2のプラズマジェット噴口23寄りへ供給する。プラズマジェットに供給された 溶射粉体の粒子は昇温され加速されて高温高速のプラズマジェットと一緒に噴出 する。
【0006】 しかしながら、このようなプラズマ溶射ガンにおいては、溶射粉体の供給がプ ラズマジェット噴口23の近くでかつ噴出方向に対しほぼ直交するので、供給さ れた溶射粉体の粒子の加熱の効率が悪い上に粒子が均一に加熱,加速されること がなく、プラズマジェット内に昇温,加速が不十分でエネルギの低い粒子が多数 存在することになり、従って溶射皮膜の緻密度,強度及び密着性が低下する。
【0007】
【考案が解決しようとする課題】
本考案は、このような事情に鑑みて提案されたもので、溶射粉体の粒子の加熱 が効率よく行われるとともに粒子の加熱,加速が均一化され、またプラズマの発 生が安定化され、ひいては高品質の溶射皮膜を得ることができるプラズマ溶射ガ ンを提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
そのために本考案は、先端にプラズマジェット噴口を有するプラズマ発生チャ ンバーが設けられるとともに基部に絶縁体が接合された陽極と、上記絶縁体の軸 線上に貫設され先端が上記プラズマ発生チャンバー内に緩挿されるとともに軸線 上に作動ガス及び溶射粉体供給路が穿設された陰極と、上記絶縁体の側部寄りに 先端が上記プラズマ発生チャンバーに通ずるように穿設された周囲ガス通路とを 具えたことを特徴とする。
【0009】
【作用】
上述の構成により、溶射粉体の粒子の加熱が効率よく行われるとともに粒子の 加熱,加速が均一化され、またプラズマの発生が安定化され、ひいては高品質の 溶射皮膜を得ることができるプラズマ溶射ガンを得ることができる。
【0010】
【実施例】
本考案プラズマ溶射ガンの一実施例を図1縦断面図について説明すると、銅製 の陽極1の軸線上にはプラズマ発生チャンバー2が設けられ、その先端にプラズ マジェット噴口3が開口されており、この陽極1の基部側には絶縁体4が固着さ れている。この絶縁体4の軸線上に、先端にタングステン製の陰極5を取付けた 陰極電流導入部6が貫設されて、陰極5がプラズマ発生チャンバー2内に緩挿さ れるとともに、陰極5及び陰極電流導入部6の軸線上に作動ガス及び溶射粉体供 給路7が穿設されている。
【0011】 また絶縁体4の側部寄りには、先端がプラズマ発生チャンバー2に通ずるよう に周囲ガス通路8が穿設されている。更に陽極1には冷却水通路9が穿設されて 、その冷却水入口部が陽極電流導入部10に形成されており、陰極電流導入部6 にも冷却水通路11が穿設されている。
【0012】 このようなプラズマ溶射ガンにおいて、プラズマ溶射を行うにあたり、まず陽 極1及び陰極5を冷却するために冷却水通路9,11に冷却水を流すとともに、 作動ガス及び溶射粉体供給路7からプラズマ発生チャンバー2へ、例えばArガ ス25 l/minの流量で作動ガスを流す。次に直流電源より陽極1に正、陰極5に 負の印加電圧を加え、続いて高周波電源より陽極1と陰極5との間に高周波電圧 を印加して両電極1,5間に火花放電を発生させる。
【0013】 この火花放電により、先に印加されている直流電源からの印加電圧によって陽 極1と陰極5との間にプラズマが発生し、プラズマ発生チャンバー2には高温プ ラズマが充満し、プラズマジェット噴口3から高温高速のプラズマジェットとし て噴出する。このとき電流を徐々に増して例えば700Aとし、次に周囲ガス通 路8から例えばH2 ガス1.5 l/min を流すと、電流,電圧は700A,38Vと なりプラズマジェットが安定する。
【0014】 プラズマジェットが安定したのち、作動ガス及び溶射粉体供給路7からプラズ マ発生チャンバー2へ、溶射粉体例えば粒度分布10〜40μmのAl2O3 粉体を 、Arガス5 l/minをキャリアガスとして20g/min の流量で供給する。プラズ マに供給された溶射粉体は粒子は急速に昇温され加速されて高温高速のプラズマ ジェットと一緒に噴出する。このときプラズマに供給される溶射粉体はプラズマ ジェットの噴出方向と同一方向に供給されるため、粒子の加熱,加速が均一とな り、十分な緻密度,強度及び密着性を有する高品質の溶射皮膜が形成される。ま た溶射粉体はプラズマの中心部に供給されるので加熱の効率がよい。更に周囲ガ ス通路8から供給されるH2 ガスにより、陽極1と陰極5の距離が離れた部分で アーク点が形成されプラズマが安定するとともに、陰極5がH2 ガスにより冷却 されその寿命が長くなる。なおこのH2 ガスにより溶射粉体がプラズマの中心部 に寄せられるので、溶射粉体が陽極1内周面に付着してプラズマジェットの流れ を阻害することが防止できる。
【0015】
【考案の効果】
要するに本考案によれば、先端にプラズマジェット噴口を有するプラズマ発生 チャンバーが設けられるとともに基部に絶縁体が接合された陽極と、上記絶縁体 の軸線上に貫設され先端が上記プラズマ発生チャンバー内に緩挿されるとともに 軸線上に作動ガス及び溶射粉体供給路が穿設された陰極と、上記絶縁体の側部寄 りに先端が上記プラズマ発生チャンバーに通ずるように穿設された周囲ガス通路 とを具えたことにより、溶射粉体の粒子の加熱が効率よく行われるとともに粒子 の加熱,加速が均一化され、またプラズマの発生が安定化され、ひいては高品質 の溶射皮膜を得ることができるプラズマ溶射ガンを得るから、本考案は産業上極 めて有益なものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案プラズマ溶射ガンの一実施例の縦断面図
である。
【図2】従来のプラズマ溶射ガンの縦断面図である。
【符号の説明】
1 陽極 2 プラズマ発生チャンバー 3 プラズマジェット噴口 4 絶縁体 5 陰極 6 陰極電流導入部 7 作動ガス及び溶射粉体供給路 8 周囲ガス通路 9 冷却水通路 10 陽極電流導入部 11 冷却水通路

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 先端にプラズマジェット噴口を有するプ
    ラズマ発生チャンバーが設けられるとともに基部に絶縁
    体が接合された陽極と、上記絶縁体の軸線上に貫設され
    先端が上記プラズマ発生チャンバー内に緩挿されるとと
    もに軸線上に作動ガス及び溶射粉体供給路が穿設された
    陰極と、上記絶縁体の側部寄りに先端が上記プラズマ発
    生チャンバーに通ずるように穿設された周囲ガス通路と
    を具えたことを特徴とするプラズマ溶射ガン。
JP4419891U 1991-05-16 1991-05-16 プラズマ溶射ガン Withdrawn JPH04131649U (ja)

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JP4419891U JPH04131649U (ja) 1991-05-16 1991-05-16 プラズマ溶射ガン

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JP4419891U JPH04131649U (ja) 1991-05-16 1991-05-16 プラズマ溶射ガン

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JPH04131649U true JPH04131649U (ja) 1992-12-03

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JP4419891U Withdrawn JPH04131649U (ja) 1991-05-16 1991-05-16 プラズマ溶射ガン

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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09170060A (ja) * 1995-09-28 1997-06-30 Sulzer Metco Irvine Inc 単一陰極プラズマ銃及びそれに用いる陽極アタッチメント
JP2006002242A (ja) * 2004-06-21 2006-01-05 Ofic Co プラズマ溶射装置
JP2008521170A (ja) * 2004-11-16 2008-06-19 ハイパーサーム インコーポレイテッド 内部流路付き電極を有するプラズマアークトーチ
JP2009127079A (ja) * 2007-11-22 2009-06-11 Densho Engineering Co Ltd プラズマ処理容器内部材及びその製造方法
JP2018202361A (ja) * 2017-06-08 2018-12-27 東京エレクトロン株式会社 プラズマ溶射ヘッド、プラズマ溶射装置及びプラズマ溶射方法
JP2019199631A (ja) * 2018-05-15 2019-11-21 東京エレクトロン株式会社 溶射装置

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